熱壓鍵合過程中固定多個半導(dǎo)體器件的設(shè)備和鍵合方法
【專利摘要】本發(fā)明公開用于在熱壓鍵合過程中固定多個半導(dǎo)體器件的設(shè)備，包含有：主體；多個支撐表面，位于主體的第一側(cè)面上，被配置來在熱壓鍵合過程中固定至少一個半導(dǎo)體器件；多個內(nèi)部管道，位于主體內(nèi)，每個內(nèi)部管道從位于主體的第一側(cè)面的各自一個支撐表面的開口延伸至主體第二側(cè)面的開口；主體的第二側(cè)面的開口被配置來連接至各自的氣動通路上，以進行流體互通，每個氣動通路具有單獨可控的氣動吸附力，以致于主體的第一側(cè)面的支撐表面的開口被操作來抵靠于主體的第一側(cè)面的支撐表面有選擇地固定一個或多個半導(dǎo)體器件，或者從那里將其釋放。本發(fā)明還公開用于在熱壓鍵合過程中固定半導(dǎo)體器件的裝置和通過熱壓鍵合將多個半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上的方法。
【專利說明】熱壓鍵合過程中固定多個半導(dǎo)體器件的設(shè)備和鍵合方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于固定多個半導(dǎo)體器件的設(shè)備，具體但非排他地涉及將半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體器件供應(yīng)源傳送至襯底，并通過熱壓鍵合(thermocompress1n bonding)將半導(dǎo)體器件鍵合至襯底。

【背景技術(shù)】
[0002]在典型的倒裝芯片熱壓鍵合工序中，倒裝芯片通過真空吸附力被固定在倒裝芯片鍵合機的鍵合頭的鍵合夾體上。所以，倒裝芯片能夠從倒裝芯片供應(yīng)源處單個地被傳送至襯底以進行熱壓鍵合。在倒裝芯片被固定在鍵合夾體上之后，成像系統(tǒng)被使用來確定倒裝芯片相對于鍵合在那里的期望襯底位置的位置。具體地，成像系統(tǒng)包含有上視圖案識別系統(tǒng)以確定倒裝芯片的位置。上視圖案識別系統(tǒng)可以是固定的或者活動的查看攝像機。成像系統(tǒng)還包含有下視圖案識別系統(tǒng)以識別該倒裝芯片將被鍵合至此的期望襯底位置。下視圖案識別系統(tǒng)通常是移動的下視攝像機以定位襯底的期望鍵合盤位置。根據(jù)成像系統(tǒng)所捕獲的數(shù)據(jù)，倒裝芯片鍵合機的鍵合頭將會沿著X軸和/或Y軸相應(yīng)地水平地移動，和/或圍繞垂直的Z軸旋轉(zhuǎn)一個Θ角度，以便如此重新定位鍵合夾體以致于倒裝芯片將會準(zhǔn)確地放置在襯底上。其后，鍵合夾體將會沿著垂直的Z軸以一個Z軸速度朝向襯底的期望鍵合盤位置向下垂直地移動，直到倒裝芯片和期望鍵合盤位置接觸，然后熱壓鍵合被開始執(zhí)行。對于被鍵合夾體所拾取的下一個倒裝芯片，重復(fù)該處理周期，每個處理周期通常需要大約3.5秒。所以，傳統(tǒng)的倒裝芯片鍵合機的產(chǎn)能容量以UPH (units-per-hour)表示大約為500。倒裝芯片熱壓鍵合工序也包括遵守各種曲線，如倒裝芯片和襯底之間的鍵合力曲線、鍵合夾體的溫度曲線和鍵合夾體的位置曲線。
[0003]由于倒裝芯片單個地被傳送給襯底，所以用于執(zhí)行熱壓鍵合的倒裝芯片鍵合機的產(chǎn)能容量被限制。由于各種操作考慮，這得到更加惡化，如:需要在倒裝芯片和倒裝芯片被鍵合在此的襯底的相應(yīng)鍵合盤位置之間進行精確的對齊定位；緩慢的Z軸速度需要避免襯底鍵合盤一旦與倒裝芯片接觸滴注在襯底鍵合盤上的粘合劑中形成氣洞(air voids)；很低的溫度需要用于粘合劑和倒裝芯片之間的接觸，其提高了固化時間；漫長的加熱時間以加熱倒裝芯片，其提高了每個熱壓鍵合處理周期的持續(xù)時間；以及漫長的冷卻時間以在下一個倒裝芯片被拾取以前冷卻鍵合夾體。
[0004]所以，本發(fā)明的目的是尋求消除用于熱壓鍵合的傳統(tǒng)倒裝芯片鍵合機的限制，并向普通公眾提供一個或多個有用的選擇。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明第一方面提供一種用于在熱壓鍵合過程中固定多個半導(dǎo)體器件的設(shè)備，該設(shè)備包含有:主體；多個支撐表面，其位于主體的第一側(cè)面上，每個支撐表面被配置來在熱壓鍵合過程中固定至少一個單獨的半導(dǎo)體器件；多個內(nèi)部管道，其位于主體內(nèi)，每個內(nèi)部管道從位于主體的第一側(cè)面的各自一個支撐表面的開口延伸至位于主體的第二側(cè)面的開口 ；其中，位于主體的第二側(cè)面的開口被配置來連接至各自的氣動通路(pneumaticpaths)上，以與之進行流體互通，每個氣動通路具有單獨可控的氣動吸附力(pneumaticsuct1n force),以致于位于主體的第一側(cè)面的支撐表面的開口被操作來抵靠于位于主體的第一側(cè)面的支撐表面有選擇地固定半導(dǎo)體器件，或者從那里將半導(dǎo)體器件釋放。
[0006]本發(fā)明第二方面提供一種用于熱壓鍵合半導(dǎo)體器件的裝置，該裝置包含有:加熱器；以及如上所述的設(shè)備，其和加熱器相耦接；其中，該加熱器被操作來加熱該設(shè)備，以藉此加熱正被固定的半導(dǎo)體器件。
[0007]本發(fā)明第三方面提供一種通過熱壓鍵合將多個半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上的方法，該方法包含有以下步驟:使用上述的設(shè)備將多個半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體器件供應(yīng)源處傳送至襯底；通過熱壓鍵合將半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上。
[0008]本發(fā)明的一些較佳但是可選的技術(shù)特征/步驟已經(jīng)描述在從屬權(quán)利要求中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]現(xiàn)在結(jié)合附圖來描述本發(fā)明的較佳實施例，其中。
[0010]圖1所示為根據(jù)本發(fā)明第一較佳實施例所述的、包含有加熱器和夾體的倒裝芯片鍵合機的鍵合頭。
[0011]圖2a所示為圖1的鍵合頭的加熱器和夾體特別當(dāng)它們被分開時的示意圖，而圖2b所示為當(dāng)沿著圖2a所示方向中的剖面線A-A’所視時夾體的剖面示意圖。
[0012]圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第二較佳實施例所述的另一個夾體。
[0013]圖4表明了傳統(tǒng)襯底的典型布置。
[0014]圖5表明了通過熱壓鍵合的第一較佳方法將倒裝芯片同時鍵合至圖4的襯底的步驟。
[0015]圖6表明了通過熱壓鍵合的第二較佳方法將倒裝芯片單個地放置于圖4的襯底的步驟。
[0016]圖7表明了通過熱壓鍵合的第三較佳方法將倒裝芯片單個地放置于圖4的襯底的步驟。

【具體實施方式】
[0017]圖1所示為用于在半導(dǎo)體器件(具體為倒裝芯片)和襯底(如引線框或雙馬樹脂(BT:Bismaleimide Triazine)襯底)之間進行熱壓鍵合的半導(dǎo)體器件鍵合機(具體為倒裝芯片鍵合機)的鍵合頭100。鍵合頭100包含有加熱器102和通過氣動真空吸附力耦接至該加熱器102上的設(shè)備(根據(jù)本發(fā)明第一實施例具體為夾體104)。該夾體104被配置來在熱壓鍵合過程中固定多個半導(dǎo)體器件，其包含有:i)主體106 ;ii)位于主體106的第一側(cè)面106a的多個支撐表面108，每個支撐表面108被配置來在熱壓鍵合過程中固定至少一個單獨的半導(dǎo)體器件；以及iii)位于主體106內(nèi)的多個內(nèi)部管道110 (參見圖2b)，每個內(nèi)部管道110從位于主體106的第一側(cè)面106a的各自一個支撐表面108的開口 IlOa處延伸至位于主體106的第二側(cè)面106b的開口 IlOb處。具體而言，位于主體106的第二側(cè)面106b的開口 IlOb被操作來和單獨的氣動真空通路(pneumatic vacuum paths) 112進行流體互通，其中每個真空通路112具有單獨可控的氣動真空吸附力。從而，位于主體106的第一側(cè)面106a的支撐表面108的開口 I 1a被操作來有選擇性地抵靠于位于主體106的第一側(cè)面106a的支撐表面108固定一個或多個半導(dǎo)體器件，或者將它們從那里釋放。
[0018]圖2a所示為特別當(dāng)它們被分開時的鍵合頭100的加熱器102和夾體104，并表明了加熱器102和夾體104的各自俯視示意圖。夾體104的俯視示意圖展示了包含有多個氣動真空通道200 (pneumatic vacuum passages)的主體106的第二側(cè)面106b,氣動真空通道200包括多個半導(dǎo)體器件通道200a和一個夾體通道200b。半導(dǎo)體器件通道200a被操作來和以上提及的單獨真空通路112進行流體互通，而夾體通道200b被操作來和再一個具有也獨立可控的氣動真空吸附力的氣動真空通路113進行流體互通。
[0019]就如圖2a所示的加熱器102的俯視示意圖而言，可以看出，加熱器102包含有多個通孔202，其包括第一通孔202a和第二通孔202b。第一通孔202a被操作來和單獨的真空通路112進行流體互通，而第二通孔202b被操作來和再一個真空通路113進行流體互通。具體地，真空通路112被連接至單獨的氣動真空源V1、V2上，而真空通路113被連接至另一個氣動真空源V3上。這樣通過各自的真空吸附力，使得半導(dǎo)體器件實現(xiàn)了被夾體104有選擇性地固定，以及夾體104抵靠于加熱器102被固定。
[0020]由于加熱器102和夾體104 二者均包含有扁平結(jié)構(gòu)，當(dāng)夾體104抵靠于加熱器102被固定時，加熱器102的基座表面和夾體104的頂面(即第二側(cè)面106b)相接觸，以在加熱器102和夾體104之間形成各自封閉的真空通路。所以，沿著加熱器102的第一通孔202a、半導(dǎo)體器件通道200a和夾體104的內(nèi)部管道110所產(chǎn)生的真空吸附力能夠抵靠于夾體104的各自支撐表面108固定半導(dǎo)體器件，而沿著加熱器102的第二通孔202b、夾體通道200b所產(chǎn)生的真空吸附力能夠抵靠于加熱器102固定夾體104。
[0021]當(dāng)沿著真空通路112、113分布的真空吸附力被單獨地控制時，夾體104能夠或者同時固定兩個半導(dǎo)體器件，在支撐表面108中的任何一個處固定一個單獨的半導(dǎo)體器件，或者根本什么都沒有。而且，夾體104能夠被制成當(dāng)沿著真空通路113分布的真空吸附力被切換打開時和加熱器102相耦接，當(dāng)所述的真空吸附力被切換關(guān)閉時和加熱器102相分尚和隔開。
[0022]更為具體地，位于夾體104的主體106的第二側(cè)面106b的開口 IlOb中的每一個被設(shè)置在各自半導(dǎo)體器件通道200a之一的端部。另外，半導(dǎo)體器件通道200a中的每一個包括帶有90度角的曲彎(kink)204。另一方面，夾體通道200b被設(shè)置環(huán)繞于主體106的第二側(cè)面106b的邊緣，以便于真空吸附力能夠相應(yīng)地被分配環(huán)繞于所述的邊緣而將夾體104抵靠于加熱器102固定。
[0023]圖2b所示為當(dāng)沿著圖2a所示方向中的剖面線A-A’所視時夾體104的剖面示意圖?？梢钥闯觯瑑?nèi)部管道110從位于主體106的第一側(cè)面106a的支撐表面108中的各自開口 IlOa處延伸至位于主體106的第二側(cè)面106b的各自開口 IlOb處。同樣也可以看出，夾體104的支撐表面108對應(yīng)于設(shè)置在夾體的主體106的第一側(cè)面106a的各個接觸盤206的表面。
[0024]圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施例所述的另一個夾體300。本發(fā)明第二實施例的夾體300類似于第一實施例的夾體104，除了有關(guān)接觸盤的特征之外。具體地，第二實施例的夾體300包含有不同尺寸的接觸盤302，以便于接觸盤302的支撐表面302a被設(shè)置在不同高度處(或水平面處)，以容納和固定不同尺寸和厚度的不同半導(dǎo)體器件(所示為倒裝芯片304、306)。值得注意的是，接觸盤302的支撐表面302a也可以包含有不同的表面區(qū)域以固定不同的半導(dǎo)體器件。
[0025]現(xiàn)在將會描述通過熱壓鍵合將半導(dǎo)體器件(如倒裝芯片)鍵合至襯底(如引線框)的各種方法。具體地，這些方法中的每一個包含有根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的、使用夾體104將半導(dǎo)體器件傳送至襯底的步驟。但是，值得注意的是，如果環(huán)境允許，本發(fā)明第二實施例的夾體300也可以被使用。
[0026]圖4表明了傳統(tǒng)襯底400的典型布置，其包含有四塊鍵合盤，每塊鍵合盤設(shè)置有四行乘四列的鍵合盤。所以，襯底400包含有總共64塊鍵合盤，它們以四行乘16列設(shè)置。如圖4所示，襯底400包含有兩個壞的鍵合盤(以陰影塊表示)，它們不適合于鍵合有半導(dǎo)體器件。所以，半導(dǎo)體器件鍵合機(如倒裝芯片鍵合機)應(yīng)較合適地在其處理器中記錄這些壞鍵合盤的各自位置，以避免將半導(dǎo)體器件鍵合至這些壞鍵合盤中的任何一個上，藉此避免浪費。對于良好的鍵合盤而言，在鍵合以前，諸如非導(dǎo)電性黏著劑(NCP =Non-ConductivePaste)或焊劑之類的粘著劑被施加在襯底400上的良好鍵合盤中每一個上。
[0027]圖5表明了根據(jù)熱壓鍵合處理的第一方法所述、通過倒裝芯片鍵合機的熱壓鍵合使用夾體104將兩個倒裝芯片502同時鍵合至襯底400上的步驟。具體而言，這個方法還包含有以下步驟:將這兩個倒裝芯片502從倒裝芯片供應(yīng)源500同時傳送至襯底400。這通過激活沿著真空通路112的真空源V1、V2以抵靠于夾體104固定倒裝芯片502而得以完成。值得注意的是，倒裝芯片502被夾體104固定時的相對位置應(yīng)該匹配于襯底400上的相應(yīng)鍵合盤位置的相對位置。較佳地，倒裝芯片502的相對位置和相應(yīng)鍵合盤位置的相對位置之間的精確度應(yīng)該在2微米的精確度閾值以內(nèi)。通過將倒裝芯片502從倒裝芯片供應(yīng)源500處同時傳送至襯底400，并通過熱壓鍵合將所傳送的倒裝芯片同時鍵合至襯底400上，倒裝芯片鍵合機的UPH估計大約為1000。換句話說，和傳統(tǒng)的熱壓鍵合方法相比，通過使用夾體104，倒裝芯片鍵合機的產(chǎn)能容量能夠提高大約100%。
[0028]圖6表明了根據(jù)熱壓鍵合處理的第二方法，在兩個倒裝芯片602a、602b被單獨地放置于襯底400以前，使用成像設(shè)備(圖中未示)逐個地對齊定位該由夾體104固定的兩個倒裝芯片602a、602b的步驟。具體地，這種方法包含有以下步驟:通過倒裝芯片鍵合機使用夾體104，將這兩個倒裝芯片602a、602b從倒裝芯片供應(yīng)源500同時傳送至襯底400 ；使用成像設(shè)備相對于襯底400上相應(yīng)的鍵合盤位置對齊定位第一倒裝芯片602a和第二倒裝芯片602b ;以及其后，在沒有完成熱壓鍵合的情形下，將第一倒裝芯片602a放置于襯底400上；縮回第二倒裝芯片602b，且使用由成像設(shè)備以前所獲得的相關(guān)位置信息相對于襯底400上相應(yīng)的鍵合盤位置對齊定位第二倒裝芯片602b，再然后，將第二倒裝芯片602b放置于襯底400上；最后，關(guān)于這兩個倒裝芯片602a、602b，同時在襯底400上完成熱壓鍵合。尤其是，相對于相應(yīng)的鍵合盤位置對齊定位各個倒裝芯片602a、602b的步驟包含有:相對于成像設(shè)備重新定位夾體104。
[0029]由于粘合劑被預(yù)先施加于襯底400的鍵合盤上，所以即使熱壓鍵合沒有開始，放置于襯底400上的第一倒裝芯片602a的位置也能夠得以維持。值得注意的是，一旦將第一倒裝芯片602a放置于襯底400上，那么真空源VSl較佳地被控制來解除以前抵靠于夾體104固定第一倒裝芯片602a的真空吸附力?？墒?，真空源VS2保持激活，以便于抵靠于夾體104固定的剩余的第二倒裝芯片602b繼續(xù)被相應(yīng)的真空吸附力固定定位。
[0030]較佳地，在第一倒裝芯片602a放置于襯底400之后，倒裝芯片鍵合機的鍵合頭100向上移動以在夾體104和第一倒裝芯片602a之間產(chǎn)生出足夠的空間，而便于避免當(dāng)相對于襯底400的第二鍵合盤位置對齊定位第二倒裝芯片602b時干擾第一倒裝芯片602a (其已放置于襯底400上)的位置。在鍵合頭100向上移動過程中，以前固定第一倒裝芯片602a(其現(xiàn)在已放置于襯底400上)的來自支撐表面108的相應(yīng)開口 IlOa的正氣壓可能得以產(chǎn)生，以致于將第一倒裝芯片602a在襯底400上的位置更好地保持。這通過控制氣動真空源VSl以通過夾體104的相應(yīng)的內(nèi)部管道110產(chǎn)生正氣壓而得以完成。
[0031]在這種情形下，由于在所傳送的倒裝芯片602a、602b被單個地放置于襯底400的相應(yīng)的鍵合盤位置以前，倒裝芯片602a、602b被單個地相對于襯底400的相應(yīng)的鍵合盤位置對齊定位，所以倒裝芯片602a、602b被夾體104固定時的相對位置和相應(yīng)鍵合盤位置的相對位置之間的精確度閾值能夠減輕至超過2微米。這種方法可以提供大約830的估算UPH0換而言之，和傳統(tǒng)的熱壓鍵合方法相比，通過使用夾體104，倒裝芯片鍵合機的產(chǎn)能容量能夠提高大約66%。
[0032]熱壓鍵合處理的第三方法也包含有夾體104的使用。具體地，這個方法包含有下述初始步驟:通過倒裝芯片鍵合機使用傳送設(shè)備，將倒裝芯片從倒裝芯片供應(yīng)源500單個地傳送至襯底400 ;使用成像設(shè)備相對于襯底400上相應(yīng)的鍵合盤位置單個地對齊定位每個所傳送的倒裝芯片；以及其后，在沒有完成熱壓鍵合的情形下，將倒裝芯片放置于襯底上。該傳送設(shè)備可以是被配置來固定單個半導(dǎo)體器件的傳統(tǒng)夾體。
[0033]尤其是，倒裝芯片被單個地放置于襯底400的交替行的鍵合盤上，如第I行、第3行、第5行、第7行等。可是，不應(yīng)理解為:倒裝芯片應(yīng)被單個地放置于襯底400的奇數(shù)行的鍵合盤上。相反，應(yīng)理解為:倒裝芯片應(yīng)被設(shè)置于成行的鍵合盤上，該鍵合盤的行數(shù)對應(yīng)于夾體104被配置來固定的倒裝芯片的數(shù)目的倍數(shù)加一。這意味著:如果另一種配置的夾體104被配置來固定三個倒裝芯片，那么該倒裝芯片應(yīng)被單個地放置于成行的鍵合盤上，該鍵合盤的行數(shù)對應(yīng)于3的倍數(shù)再加一，如第I行、第4行、第7行、第10行等。
[0034]在該倒裝芯片已被單個地放置于襯底400之后，那么倒裝芯片鍵合機的鍵合頭100將會重新定位它自己，以用本發(fā)明第一實施例的夾體104取代該傳送設(shè)備。接著然后，使用取代后的夾體104，來自倒裝芯片供應(yīng)源500的倒裝芯片被傳送至襯底400。具體地，倒裝芯片被單個地放置于交替行的鍵合盤上，該交替行對應(yīng)于第2行、第4行、第6行等。
[0035]類似地，抵靠于襯底400對齊定位由夾體104所固定的倒裝芯片的步驟得以被執(zhí)行，以確保放置的精確度。參考圖7所示，當(dāng)?shù)寡b芯片702a沿著第2行被放置于襯底400的相應(yīng)鍵合盤位置處時，夾體104的主體106的、沒有固定任何相應(yīng)的倒裝芯片的支撐表面108之一和沿著第I行分布的相應(yīng)鍵合盤位置處的已有的倒裝芯片702b接觸。因此，這實現(xiàn)了所傳送的倒裝芯片702a和已有的倒裝芯片702b 二者通過熱壓鍵合同時被鍵合至襯底400上。這種方法可以提供大約630的估算UPH。換而言之，和傳統(tǒng)的熱壓鍵合方法相比，通過使用夾體104，倒裝芯片鍵合機的產(chǎn)能容量能夠提高大約26%。
[0036]在這種情形下，雖然倒裝芯片被夾體104單個地傳送至襯底400上，但值得注意的是，兩個或者更多的倒裝芯片可以被另一種配置的、能夠固定相同數(shù)目的倒裝芯片的夾體104所傳送。
[0037]實際上，襯底將會通常包含有如圖4所示的壞的鍵合盤。通過將倒裝芯片單個地放置于襯底400上，倒裝芯片鍵合機能夠有益地保證:沒有半導(dǎo)體器件被鍵合至任何一個壞的鍵合盤上，以藉此避免浪費。
[0038]在本發(fā)明所要求的保護范圍之內(nèi)的其它各種實施例也可以被設(shè)想出。例如，雖然夾體104的較佳實施例已經(jīng)被描述為包含有兩個支撐表面108，以在熱壓鍵合過程中同時固定兩個半導(dǎo)體器件，但值得注意的是，夾體104的其它實施例可包含有三個或更多這樣的、用于固定相同數(shù)量的半導(dǎo)體器件的支撐表面108。另外值得注意的是，襯底400可以是位于加固器(stiffener)上的重構(gòu)后的襯底。
【權(quán)利要求】
1.一種用于在熱壓鍵合過程中固定多個半導(dǎo)體器件的設(shè)備，該設(shè)備包含有: 主體； 多個支撐表面，其位于主體的第一側(cè)面上，每個支撐表面被配置來在熱壓鍵合過程中固定至少一個半導(dǎo)體器件； 多個內(nèi)部管道，其位于主體內(nèi)，每個內(nèi)部管道從位于主體的第一側(cè)面的各自一個支撐表面的開口延伸至主體的第二側(cè)面的開口； 其中，主體的第二側(cè)面的開口被配置來連接至各自的氣動通路上，以與之進行流體互通，每個氣動通路具有單獨可控的氣動吸附力，以致于位于主體的第一側(cè)面的支撐表面的開口被操作來抵靠于位于主體的第一側(cè)面的支撐表面有選擇地固定一個或多個半導(dǎo)體器件，或者從那里將一個或多個半導(dǎo)體器件釋放。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，該主體的第二側(cè)面包含有多個第一氣動通道，該第一氣動通道被操作來和各自部分的氣動通路進行流體互通。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，主體的第二側(cè)面的開口中的每一個設(shè)置在各自部分的第一氣動通道的端部。
4.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，每個第一氣動通道包含有曲彎。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，該主體的第二側(cè)面還包含有第二氣動通道，其被操作來和具有獨立可控的氣動吸附力的又一個氣動通路進行流體互通。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，該第二氣動通道沿著主體的第二側(cè)面的邊緣設(shè)置。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，位于主體的第一側(cè)面的支撐表面設(shè)置在用于固定不同半導(dǎo)體器件的不同高度處。
8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，位于主體的第一側(cè)面的支撐表面包含有用于固定不同半導(dǎo)體器件的不同表面區(qū)域。
9.一種用于在熱壓鍵合過程中固定半導(dǎo)體器件的裝置，該裝置包含有: 加熱器；以及 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其和加熱器相耦接； 其中，該加熱器被操作來加熱如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，以藉此加熱正被固定的半導(dǎo)體器件。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，該加熱器包含有多個通孔，該通孔被操作來和位于如權(quán)利要求1所述的設(shè)備的主體內(nèi)的各自部分的內(nèi)部管道進行流體互通。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，如權(quán)利要求1所述的主體的第二側(cè)面還包含有多個第一氣動通道，該第一氣動通道被操作來和各自部分的氣動通路進行流體互通，該加熱器的每個通孔和位于如權(quán)利要求1所述設(shè)備的主體的第二側(cè)面的相應(yīng)開口均設(shè)置在位于如權(quán)利要求1所述的主體的第二側(cè)面的各自第一氣動通道之一的相對端部。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中，該加熱器還包含有另一個通孔，該通孔被操作來和具有獨立可控的氣動吸附力的又一個氣動通路進行流體互通，以固定如權(quán)利要求1所述的設(shè)備的主體，而便于如權(quán)利要求1所述設(shè)備被操作來以可分離的方式耦接于該加熱器上。
13.—種通過熱壓鍵合將多個半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上的方法，該方法包含有以下步驟: 使用如權(quán)利要求1所述的設(shè)備將多個半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體器件供應(yīng)源處傳送至襯底； 通過熱壓鍵合將半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，該將半導(dǎo)體器件傳送的步驟包含有:將半導(dǎo)體器件同時從晶圓處傳送至襯底。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，該將半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上的步驟包含有以下步驟: 使用成像設(shè)備抵靠于襯底單個地對齊定位由如權(quán)利要求1所述的設(shè)備所固定的半導(dǎo)體器件； 通過熱壓鍵合將半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，對齊定位由如權(quán)利要求1所述的設(shè)備所固定的第一部分半導(dǎo)體器件的步驟之后，該方法還包含有以下步驟:在沒有完成熱壓鍵合的情形下，將第一部分半導(dǎo)體器件放置于襯底上。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，在將第一部分半導(dǎo)體器件放置于襯底上的步驟之后，該方法還包含有以下步驟:相對于成像設(shè)備重新定位如權(quán)利要求1所述的設(shè)備。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，該方法還包含有以下步驟: 從以前固定有第一部分半導(dǎo)體器件的如權(quán)利要求1所述的設(shè)備的支撐表面的開口處產(chǎn)生正氣壓，以便于保持該第一部分半導(dǎo)體器件在襯底上的位置。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，該方法還包含有以下步驟:通過熱壓鍵合同時將半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上。
20.如權(quán)利要求13所述的方法，該方法還包含有以下步驟: 使用傳送設(shè)備將多個半導(dǎo)體器件單個地從半導(dǎo)體器件供應(yīng)源處傳送至襯底；以及 使用如權(quán)利要求1所述的設(shè)備取代該傳送設(shè)備，并使用如權(quán)利要求1所述的設(shè)備將半導(dǎo)體器件傳送至襯底， 其中，使用如權(quán)利要求1所述的設(shè)備將半導(dǎo)體器件傳送至襯底的步驟包含有:將所選定的半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體器件供應(yīng)源處傳送至襯底，以便于一旦所選定的半導(dǎo)體器件被放置于襯底上，沒有固定任何半導(dǎo)體器件的如權(quán)利要求1所述的設(shè)備的主體的至少部分支撐表面和襯底上已經(jīng)存在的半導(dǎo)體器件相接觸；以及 通過熱壓鍵合，將所選定的半導(dǎo)體器件連同已經(jīng)存在的半導(dǎo)體器件一起同時鍵合至襯底上。
【文檔編號】H01L21/603GK104347469SQ201410362920
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】陳文忠, 樊俊豪 申請人:先進科技新加坡有限公司