一種芯片反向工藝的研磨樣品制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，首先將芯片待研磨表面朝下，放置于一平坦表面；再將矩形的陪片分別放置于芯片的前后左右并與芯片單邊對齊；再將可固化黏著劑滴于芯片及陪片上；最后放上固定治具靜置固化后完成。本發(fā)明的芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，由于芯片與陪片表面皆朝下在同一平面下制備樣品，不論陪片高度差異，均可在研磨時達到共平面的效果；由于待研磨芯片邊緣與陪片同高，在研磨時與芯片中心承受壓力相當(dāng)，研磨速率相當(dāng)，使芯片研磨平坦性較佳；所述的矩形陪片，其與芯片采單邊對齊的排列方法，可使任意矩形陪片，能適應(yīng)任意矩形芯片，形成無縫對接，避免芯片與陪片間有空隙產(chǎn)生。
【專利說明】一種芯片反向工藝的研磨樣品制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于芯片加工工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片反向工藝的研磨樣品制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路制造工藝中，反向工藝是了解自身電路與競爭者電路最有效的途徑，進而作為電路研究與改良電路的重要方法，在傳統(tǒng)芯片反向工藝中，研磨作為去層的有效途徑之一，但傳統(tǒng)研磨芯片時，由于芯片邊緣不受保護，在研磨時邊緣承受壓力較大，經(jīng)常造成芯片邊緣研磨過度，而形成芯片不平坦情形。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，旨在解決芯片研磨時，由于芯片邊緣不受保護，在研磨時邊緣承受壓力較大，經(jīng)常造成芯片邊緣研磨過度，而形成芯片不平坦的問題，并優(yōu)化陪片與芯片的排列方式，可使任意矩形陪片，能適應(yīng)任意矩形芯片，形成無縫對接，避免芯片與陪片間有空隙產(chǎn)生。
[0004]本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，首先將芯片待研磨表面朝下，放置于一平坦表面；再將矩形的陪片分別放置于芯片的前后左右并與芯片單邊對齊；再將可固化黏著劑滴于芯片及陪片上；最后放上固定治具靜置固化后完成。
[0005]進一步，所述的芯片是根據(jù)半導(dǎo)體工藝所形成的珪片，其形狀為矩形。
[0006]進一步，所述的陪片是與待研磨芯片形狀對應(yīng)的矩形陪片，厚度不拘，材料可為耐研磨之材料，如陶瓷或金屬，但以珪片為最佳。
[0007]進一步，所述的矩形陪片，其與芯片采單邊對齊的排列方法，可使任意矩形陪片，能適應(yīng)任意矩形芯片，形成無縫對接，避免芯片與陪片間有空隙產(chǎn)生。
[0008]進一步，所述的可固化黏著劑及固定治具，作為固定待研磨芯片及陪片用。
[0009]進一步，制備完成后的樣品，其陪片與待研磨芯片表面為一共平面表面。
[0010]效果匯總
[0011]本發(fā)明的芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，由于芯片與陪片表面皆朝下在同一平面下制備樣品，不論陪片高度差異，均可在研磨時達到共平面的效果；由于待研磨芯片邊緣與陪片同高，在研磨時與芯片中心承受壓力相當(dāng)，研磨速率相當(dāng)，使芯片研磨平坦性較佳；所述的矩形陪片，其與芯片采單邊對齊的排列方法，可使任意矩形陪片，能適應(yīng)任意矩形芯片，形成無縫對接，避免芯片與陪片間有空隙產(chǎn)生。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明實施例提供的正常芯片與芯片側(cè)面放大圖；
[0013]圖2是本發(fā)明實施例提供的傳統(tǒng)芯片研磨時，芯片承受研磨墊壓力示意圖；
[0014]圖3是本發(fā)明實施例提供的傳統(tǒng)芯片研磨時，芯片承受研磨墊壓力造成芯片邊緣研磨過度示意圖；
[0015]圖4是本發(fā)明實施例提供的樣品制備流程圖；
[0016]圖5是本發(fā)明實施例提供的在研磨時，芯片均勻受力示意圖；
[0017]圖中:1、芯片；2、固定治具；3、研磨墊；4、陪片；4_1、第一陪片；4_2、第二陪片；4-3、第三陪片；4-4、第四陪片；5、可固化黏著劑。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0019]圖1是正常芯片與芯片側(cè)面放大圖；芯片I底面是集成電路工藝所形成多層電路圖形；圖2是傳統(tǒng)芯片研磨時，芯片承受研磨墊壓力示意圖，2為承載芯片的固定治具，3為研磨過程所使用的研磨墊，圖中顯示芯片邊緣受到研磨墊較多壓力的情形；圖3是傳統(tǒng)芯片研磨時，芯片承受研磨墊壓力造成芯片邊緣研磨過度示意圖。
[0020]如圖4所示，本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，首先將芯片I待研磨表面朝下，放置于一平坦表面，如玻璃；再將矩形的第一陪片4-1，第二陪片4-2，第三陪片4-3，第四陪片4-4分別放置于芯片I的前后左右并與芯片I單邊對齊；再將可固化黏著劑5滴于芯片I及陪片4上；最后放上固定治具2靜置固化后完成。
[0021]進一步，所述的芯片I是根據(jù)半導(dǎo)體工藝所形成的珪片，其形狀為矩形。
[0022]進一步，所述的陪片4是與待研磨芯片I形狀對應(yīng)的矩形陪片，厚度不拘，材料可為耐研磨之材料，如陶瓷或金屬，但以珪片為最佳。
[0023]進一步，所述的矩形陪片4，其與芯片I采單邊對齊的排列方法，可使任意矩形陪片4，能適應(yīng)任意矩形芯片1，形成無縫對接，避免芯片I與陪片4間有空隙產(chǎn)生。
[0024]進一步，所述的可固化黏著劑5及固定治具2，作為固定待研磨芯片I及陪片4用。
[0025]進一步，制備完成后的樣品，其陪片4與待研磨芯片I表面為一共平面表面，避免待研磨芯片邊緣因壓力不均勻造成芯片邊緣研磨過度的的問題。
[0026]圖5是本發(fā)明在研磨時，芯片均勻受力示意圖；制備完成后的樣品，其陪片4與待研磨芯片I表面為一共平面表面，研磨時可避免芯片邊緣因壓力不均勻造成芯片邊緣研磨過度的問題。
[0027]本發(fā)明的芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，由于芯片I與陪片4表面皆朝下在同一平面下制備樣品，不論陪片4高度差異，均可在研磨時達到共平面的效果；由于待研磨芯片I邊緣與陪片4同高，在研磨時與芯片I中心承受壓力相當(dāng)，研磨速率相當(dāng)，使芯片I研磨平坦性較佳；所述的矩形陪片4，其與芯片I采單邊對齊的排列方法，可使任意矩形陪片4，能適應(yīng)任意矩形芯片1，形成無縫對接，避免芯片I與陪片4間有空隙產(chǎn)生。
[0028]上述雖然結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行了描述，但并非對本發(fā)明保護范圍的限制，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，在本發(fā)明的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可做出的各種修改或變形仍在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，其特征在于，所述的芯片反向工藝的研磨樣品制備方法首先將芯片待研磨表面朝下，放置于一平坦表面；再將矩形的陪片分別放置于芯片的前后左右并與芯片單邊對齊；再將可固化黏著劑滴于芯片及陪片上；最后放上固定治具靜置固化后完成。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，其特征在于，所述的芯片是根據(jù)半導(dǎo)體工藝所形成的珪片，其形狀為矩形。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，其特征在于，所述的陪片是與待研磨芯片形狀對應(yīng)的矩形陪片，厚度不拘，材料可為耐研磨之材料，如陶瓷或金屬，但以掛片為最佳。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，其特征在于，所述的矩形陪片，其與芯片采單邊對齊的排列方法，可使任意矩形陪片，能適應(yīng)任意矩形芯片，形成無縫對接，避免芯片與陪片間有空隙產(chǎn)生。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，其特征在于，所述的可固化黏著劑及固定治具，作為固定待研磨芯片及陪片用。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片反向工藝的研磨樣品制備方法，其特征在于，制備完成后的樣品，其陪片與待研磨芯片表面為一共平面表面。
【文檔編號】H01L21/304GK104037076SQ201410292930
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年6月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月23日
【發(fā)明者】張明倫, 陳進來 申請人:昆山永續(xù)智財技術(shù)服務(wù)有限公司