一種二氧化硅薄膜片回收方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟：1)選取做過監(jiān)控工藝的二氧化硅薄膜片；2)將選取的二氧化硅薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分鐘；3)將二氧化硅薄膜片取出后用去離子水沖洗并甩干；4)將二氧化硅薄膜片放入加溫到70℃的氨水：雙氧水＝4：1的溶液中，持續(xù)20-25分鐘后取出；5)將二氧化硅薄膜片取出用去離子水沖洗甩干后，待用。上述回收方法采用加溫后的氨水和雙氧水混合溶液可以將互溶的部分腐蝕，并使殘留物脫落，后經(jīng)去離子水沖洗而完全去除。確保回收后的二氧化硅薄膜片無(wú)殘留，提高了二氧化硅薄膜片的利用率。從而降低了在線成本，增加了在線工藝監(jiān)控的效率。
【專利說明】一種二氧化硅薄膜片回收方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)，具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)中用于監(jiān)控的二氧化硅薄膜片的回收方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體生產(chǎn)中為了監(jiān)控在線工藝的穩(wěn)定性，工藝工程師總會(huì)定期對(duì)某個(gè)工藝菜單進(jìn)行監(jiān)控。用來監(jiān)控的硅片習(xí)慣上被稱為QC片。QC片數(shù)量比較多，如果能重復(fù)利用可以大大降低在線成本。所以QC片的回收工藝方法變得十分重要。
[0003]傳統(tǒng)的二氧化硅薄膜QC片回收工藝為:先用高濃度的氫氟酸進(jìn)行全剝，然后用去離子水沖洗。該種方法由于高溫退火后的二氧化硅薄膜QC片上的薄膜與硅片本身有一定的互溶，這種現(xiàn)象導(dǎo)致薄膜本身很難去除?；厥蘸蟊砻嫒菀壮霈F(xiàn)殘留，強(qiáng)光下可以看到很多白色顆粒(殘留的二氧化硅顆粒)。此種QC片如果再次用做生產(chǎn)監(jiān)控，會(huì)出現(xiàn)QC片表面發(fā)白的現(xiàn)象。這樣一來就無(wú)法起到監(jiān)控的效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種二氧化硅薄膜片的回收方法。其能夠?qū)⒂脕肀O(jiān)控的硅片實(shí)現(xiàn)無(wú)殘留回收，以解決現(xiàn)有技術(shù)中二氧化硅薄膜片的回收工藝存在的問題。
[0005]一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟:
[0006]I)選取做過監(jiān)控工藝的二氧化硅薄膜片；
[0007]2)將選取的二氧化硅薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分鐘；
[0008]3)將二氧化硅薄膜片取出后用去離子水沖洗并甩干；
[0009]4)將二氧化硅薄膜片放入加溫到50?70°C的氨水:雙氧水=3:1?6:1溶液中，持續(xù)20-25分鐘后取出；
[0010]5)將二氧化硅薄膜片取出用去離子水沖洗甩干后，待用。
[0011]特別地，所述步驟2)中的酸溶液采用49%濃度的氫氟酸。
[0012]特別地,所述步驟4)中優(yōu)選氨水:雙氧水=4:1的溶液。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一種二氧化硅薄膜片的回收方法采用加溫后的氨水和雙氧水混合溶液可以將互溶的部分腐蝕，并使殘留物脫落，后經(jīng)去離子水沖洗而完全去除。確?；厥蘸蟮亩趸璞∧て瑹o(wú)殘留，提高了二氧化硅薄膜片的利用率。降低了原有方法下的不良二氧化硅薄膜片的機(jī)率。從而降低了在線成本，增加了在線工藝監(jiān)控的效率。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為便于理解本發(fā)明，本發(fā)明列舉實(shí)施例如下。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明了，所述實(shí)施例僅僅是幫助理解本發(fā)明，不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的具體限制。
[0015]實(shí)施例1[0016]一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟:
[0017]1、選取做過監(jiān)控工藝的二氧化硅薄膜QC片一摻鍺(GE)的二氧化硅QC片；
[0018]2、用49%濃度的氫氟酸浸泡15分鐘；
[0019]3、將二氧化硅薄膜QC片取出后用去離子水沖洗并甩干；
[0020]4、再將二氧化硅薄膜QC片放入加溫到70°C的氨水:雙氧水=3:1的溶液中，持續(xù)25分鐘后取出；
[0021]5、再將二氧化娃薄膜QC片取出用去尚子水沖洗甩干后,待用。表面干凈。
[0022]實(shí)施例2
[0023]一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟:
[0024]1、選取做過監(jiān)控工藝的二氧化硅薄膜QC片一摻硼⑶磷⑵的二氧化硅QC片；
[0025]2、用49%濃度的氫氟酸浸泡20分鐘；
[0026]3、將二氧化硅薄膜QC片取出后用去離子水沖洗并甩干；
[0027]4、再將二氧化硅薄膜QC片放入加溫到70°C的氨水:雙氧水( = 5:1的溶液中，持續(xù)20分鐘后取出
[0028]5、再將二氧化娃薄膜QC片取出用去尚子水沖洗甩干后,待用。表面干凈。
[0029]實(shí)施例3:
[0030]一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟:
[0031]1、選取做過監(jiān)控工藝的二氧化硅薄膜QC片一摻鍺(GE)的二氧化硅QC片；
[0032]2、用49%濃度的氫氟酸浸泡20分鐘；
[0033]3、將二氧化硅薄膜QC片取出后用去離子水沖洗并甩干；
[0034]4、再將二氧化硅薄膜QC片放入加溫到60°C的氨水:雙氧水=6:1的溶液中，持續(xù)20分鐘后取出；
[0035]5、再將二氧化娃薄膜QC片取出用去尚子水沖洗甩干后,待用。表面干凈。
[0036]上面實(shí)例中不同的參數(shù)，是由于不同的薄膜性質(zhì)來決定的。
[0037] 申請(qǐng)人:聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程才能實(shí)施。所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其特征在于:其包括以下步驟: 1)選取做過監(jiān)控工藝的二氧化硅薄膜片； 2)將選取的二氧化娃薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分鐘； 3)將二氧化硅薄膜片取出后用去離子水沖洗并甩干； 4)將二氧化硅薄膜片放入加溫到50~70°C的氨水:雙氧水=3:1~6:1溶液中，持續(xù)20-25分鐘后取出； 5)將二氧化硅薄膜片取出用去離子水沖洗甩干后，待用。
2.如權(quán)利要求1所述的二氧化硅薄膜片的回收方法，其特征在于，所述步驟2)中的酸溶液采用49%濃度的氫氟 酸。
3.如權(quán)利要求1所述的二氧化硅薄膜片的回收方法，其特征在于，所述步驟4)中優(yōu)選氨水:雙氧水=4:1的溶液。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104022019SQ201410276440
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月19日
【發(fā)明者】呂耀安, 翟繼鑫 申請(qǐng)人:無(wú)錫宏納科技有限公司