2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片，所述陶瓷衰減片的功率為2瓦，所述陶瓷衰減片的衰減值為15dB,所述陶瓷衰減片背面印刷有銀漿背導(dǎo)層正面印刷有導(dǎo)線及焊盤，所屬背導(dǎo)體層和所述導(dǎo)線及焊盤需進行高溫金屬化，所屬導(dǎo)線由膜狀電阻連接而成，形成衰減電路。所述陶瓷衰減片需要進行電鍍銀處理，以保護銀層及提高焊錫性。該衰減片在案設(shè)計上充分考慮了各項性能指標(biāo),高頻無感,打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面,能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求，同時延伸了2瓦固定膜狀電阻式衰減片的系列產(chǎn)品線。
【專利說明】 2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氧化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前集成了五個膜狀電阻設(shè)計的衰減片廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時還能抽取需要的信號進行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對相關(guān)設(shè)備起到了保護作用。
[0003]由于國外對同類產(chǎn)品的研發(fā)與制造比國內(nèi)起步早，無論在產(chǎn)品系列還是產(chǎn)品特性上都處于優(yōu)勢地位。同時國內(nèi)市場上現(xiàn)有的衰減片衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻抗?jié)M足
53.2±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為15±0.6dB，駐波要求輸入、輸出端在1.25以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的陶瓷基板衰減片，其功率為2瓦，其衰減值為15dB，取代國外同類產(chǎn)品，并在特性上填補國內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片，所述陶瓷衰減片的功率為2瓦，所述陶瓷衰減片的衰減值為15dB，所述陶瓷衰減片背面印刷有銀漿背導(dǎo)層正面印刷有導(dǎo)線及焊盤，所屬背導(dǎo)體層和所述導(dǎo)線及焊盤需進行高溫金屬化，所屬導(dǎo)線由膜狀電阻連接而成，形成衰減電路。所述陶瓷衰減片需要進行電鍍銀處理，以保護銀層及提高焊錫性。
[0007]優(yōu)選的，所述衰減電路銀漿層和電鍍銀層間由電鍍鎳層進行銜接，提高了電鍍銀層的結(jié)合力。
[0008]優(yōu)選的，所述衰減電路的兩個焊盤由高溫銀漿印刷并燒結(jié)而成。
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片，功率為2w，衰減值為15dB，采用對稱性電路設(shè)計，使該產(chǎn)品體積小，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細(xì)介紹。
[0013]如圖1所示，該2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片包括一氧化鋁基板1，氧化鋁基板I的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，氧化鋁基板I的正面印刷有導(dǎo)線2及膜狀電阻町、1?2、1?3、1?4、1?5，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5通過導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿氧化鋁基板的中心線對稱，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保護膜3，導(dǎo)線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，這樣可對導(dǎo)線2及膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保護。
[0014]該2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片，功率為2w，衰減值為15dB，要求輸入端和接地的阻抗為53.2±3% Ω，輸出端和接地端的阻抗為53.2±3% Ω。信號輸入端進入衰減片，經(jīng)過膜狀電阻Rl、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。
[0015]該2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片，功率為2w，衰減值為15dB，采用對稱性電路設(shè)計，使該產(chǎn)品體積小，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
[0016]以上對本發(fā)明實施例所提供的一種2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片進行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片，其特征在于:所述陶瓷衰減片的功率為2瓦，所述陶瓷衰減片的衰減值為15dB，所述陶瓷衰減片背面印刷有銀漿背導(dǎo)層正面印刷有導(dǎo)線及焊盤，所屬背導(dǎo)體層和所述導(dǎo)線及焊盤需進行高溫金屬化，所屬導(dǎo)線由膜狀電阻連接而成，形成衰減電路。所述陶瓷衰減片需要進行電鍍銀處理，以保護銀層及提高焊錫性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片，其特征在于:所述衰減電路銀漿層和電鍍銀層間由電鍍鎳層進行銜接，提高了電鍍銀層的結(jié)合力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的2瓦氧化鋁陶瓷基板衰減片，其特征在于:所述衰減電路的兩個焊盤由高溫銀漿印刷并燒結(jié)而成。
【文檔編號】H01P1/22GK104241780SQ201410235304
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司