應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，包括：第一步驟，確定在線水洗后晶圓將發(fā)生晶邊線狀缺陷的特定工藝站點；第二步驟，在將晶圓在特定工藝站點進(jìn)行處理之前，應(yīng)用晶邊檢測機(jī)臺檢測硅片的晶邊狀況以確定晶邊是否存在缺陷源頭；第三步驟，針對被檢測到存在晶邊缺陷源頭的晶圓進(jìn)行晶邊刻蝕，以去除所述缺陷源頭。在第三步驟之后，將晶圓在特定工藝站點進(jìn)行處理。在第一步驟中，可以將預(yù)定數(shù)量的連續(xù)晶圓中發(fā)生晶邊線狀缺陷的晶圓個數(shù)超過所述預(yù)定數(shù)量的預(yù)定百分比的工藝站點確定為特定工藝站點。通過應(yīng)用本發(fā)明，可以有效地預(yù)防線狀缺陷的發(fā)生，為大批量晶圓生成提供良率保障。
【專利說明】應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體生產(chǎn)中，硅片邊緣隨機(jī)產(chǎn)生的缺陷源頭，比如劃傷，粘污等非常常見，而且隨著生產(chǎn)工藝的復(fù)雜程度增加，其在不同工藝步驟產(chǎn)生的幾率也越來越高，此種硅片邊緣的缺陷源頭會在后續(xù)的清洗步驟中被水流沖出來，并且很大幾率形成線狀缺陷100，如圖1所示，為良率提升帶來障礙。
[0003]目前針對此類線狀缺陷100，業(yè)界普遍的做法是缺陷發(fā)生后經(jīng)過水的刷洗進(jìn)行去除，但是由于硅片內(nèi)的圖形非常脆弱，而且會將線狀顆粒物缺陷卡在圖形中，很難去除干凈，更有甚者，可能會對圖形造成損傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，從而為良率提升做出貢獻(xiàn)。
[0005]為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，其包括:
[0006]第一步驟，確定在線水洗后晶圓將發(fā)生晶邊線狀缺陷的特定工藝站點；
[0007]第二步驟，在將晶圓在特定工藝站點進(jìn)行處理之前，應(yīng)用晶邊檢測機(jī)臺檢測硅片的晶邊狀況以確定晶邊是否存在缺陷源頭；
[0008]第三步驟，針對被檢測到存在晶邊缺陷源頭的晶圓進(jìn)行晶邊刻蝕，以去除所述缺陷源頭。
[0009]優(yōu)選地，應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法還包括在第三步驟之后，將晶圓在特定工藝站點進(jìn)行處理。
[0010]優(yōu)選地，在第一步驟中，將預(yù)定數(shù)量的連續(xù)晶圓中發(fā)生晶邊線狀缺陷的晶圓個數(shù)超過所述預(yù)定數(shù)量的預(yù)定百分比的工藝站點確定為特定工藝站點。
[0011]優(yōu)選地，在第一步驟中，通過統(tǒng)計分析方法將預(yù)定數(shù)量的連續(xù)晶圓中發(fā)生晶邊線狀缺陷的晶圓個數(shù)超過所述預(yù)定數(shù)量的預(yù)定百分比的工藝站點確定為特定工藝站點。
[0012]優(yōu)選地，所述預(yù)定百分比可以優(yōu)選地介于1%至5%之間。
[0013]優(yōu)選地，所述特定工藝站點包括金屬硅化物熱退火工藝水洗站點。
[0014]優(yōu)選地，所述缺陷源頭包括晶圓表面的劃傷。
[0015]優(yōu)選地，所述缺陷源頭包括晶圓表面的粘污。
[0016]通過應(yīng)用本發(fā)明，可以有效地預(yù)防線狀缺陷的發(fā)生，為大批量晶圓生成提供良率保障。【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:
[0018]圖1示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)中的存在的線狀缺陷。
[0019]圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法的流程圖。
[0020]圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的晶邊掃描發(fā)現(xiàn)的缺陷源頭。
[0021]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的刻蝕去除缺陷源頭。
[0022]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。
【具體實施方式】
[0023]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0024]本發(fā)明的發(fā)明人通過觀察分析，發(fā)現(xiàn)晶邊線狀缺陷發(fā)生的根本原因是晶邊存在缺陷源頭，比如劃傷，粘污等。由此，在本發(fā)明中，可以通過在清洗步驟之前檢測此缺陷源頭，并通過晶邊刻蝕的方式將其去除，從而去除此類缺陷發(fā)生的源頭，進(jìn)而實現(xiàn)預(yù)防缺陷發(fā)生的目的。
[0025]圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法的流程圖。
[0026]如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法包括:
[0027]第一步驟SI，確定在線水洗后晶圓將發(fā)生晶邊線狀缺陷的特定工藝站點；優(yōu)選地，可以將預(yù)定數(shù)量的連續(xù)晶圓中發(fā)生晶邊線狀缺陷的晶圓個數(shù)超過所述預(yù)定數(shù)量的預(yù)定百分比的工藝站點確定為特定工藝站點；
[0028]進(jìn)一步優(yōu)選地，例如，可以通過統(tǒng)計分析方法將預(yù)定數(shù)量的連續(xù)晶圓中發(fā)生晶邊線狀缺陷的晶圓個數(shù)超過所述預(yù)定數(shù)量的預(yù)定百分比的工藝站點確定為特定工藝站點；
[0029]例如，所述預(yù)定百分比可以優(yōu)選地介于1%至5%之間。
[0030]比如，所述特定工藝站點包括金屬硅化物熱退火工藝水洗站點；
[0031]第二步驟S2，在將晶圓在特定工藝站點進(jìn)行處理之前，應(yīng)用晶邊檢測機(jī)臺檢測硅片的晶邊狀況以確定晶邊是否存在缺陷源頭；例如，所述缺陷源頭包括晶圓表面的劃傷，以及/或者所述缺陷源頭包括晶圓表面的粘污等；例如，針對金屬硅化物熱退火工藝可以選擇在金屬硅化物沉積步驟之前進(jìn)行晶邊缺陷掃描；具體如圖3所示，在對晶圓10的晶邊進(jìn)行側(cè)部邊緣SS、底部邊緣BS和上部邊緣TS進(jìn)行掃描時，發(fā)現(xiàn)晶圓側(cè)邊緣處沉積的其它介質(zhì)薄膜存在缺陷源頭30。
[0032]第三步驟S3，針對被檢測到存在晶邊缺陷源頭的晶圓進(jìn)行晶邊刻蝕，以去除所述缺陷源頭。具體如圖4所示，對圖3所示的晶圓側(cè)邊緣處沉積的其它介質(zhì)薄膜存在缺陷源頭30進(jìn)行晶邊刻蝕，以去除所述缺陷源頭30，結(jié)果如圖4所示。
[0033]在第三步驟S3之后，再將晶圓在特定工藝站點進(jìn)行處理。[0034]例如，在55nm邏輯產(chǎn)品上應(yīng)用此方式可以有效預(yù)防線狀缺陷發(fā)生，為良率提升提
給保障。
[0035]通過應(yīng)用本發(fā)明，可以有效地預(yù)防線狀缺陷的發(fā)生，為大批量晶圓生成提供良率保障。
[0036]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0037]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，其特征在于包括: 第一步驟，確定在線水洗后晶圓將發(fā)生晶邊線狀缺陷的特定工藝站點； 第二步驟，在將晶圓在特定工藝站點進(jìn)行處理之前，應(yīng)用晶邊檢測機(jī)臺檢測硅片的晶邊狀況以確定晶邊是否存在缺陷源頭； 第三步驟，針對被檢測到存在晶邊缺陷源頭的晶圓進(jìn)行晶邊刻蝕，以去除所述缺陷源頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，其特征在于，在第一步驟中，將預(yù)定數(shù)量的連續(xù)晶圓中發(fā)生晶邊線狀缺陷的晶圓個數(shù)超過所述預(yù)定數(shù)量的預(yù)定百分比的工藝站點確定為特定工藝站點。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，其特征在于，在第一步驟中，通過統(tǒng)計分析方法將預(yù)定數(shù)量的連續(xù)晶圓中發(fā)生晶邊線狀缺陷的晶圓個數(shù)超過所述預(yù)定數(shù)量的預(yù)定百分比的工藝站點確定為特定工藝站點。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，其特征在于，所述預(yù)定百分比可以優(yōu)選地介于1%至5%之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，其特征在于，所述特定工藝站點包括金屬硅化物熱退火工藝水洗站點。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，其特征在于，所述缺陷源頭包括晶圓表面的劃傷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，其特征在于，所述缺陷源頭包括晶圓表面的粘污。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用晶邊掃描預(yù)防線狀分布缺陷發(fā)生的方法，其特征在于還包括在第三步驟之后，將晶圓在特定工藝站點進(jìn)行處理。
【文檔編號】H01L21/02GK103972052SQ201410216683
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月21日
【發(fā)明者】范榮偉, 朱陸君, 龍吟, 顧曉芳, 陳宏璘 申請人:上海華力微電子有限公司