低損耗磁芯的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低損耗磁芯，包括圓柱形的磁芯本體，所述磁芯本體的縱向形成有異型貫通結構，所述異型貫通結構包括兩個相鄰設置的形狀相似的貫通孔，所述磁芯本體還形成有若干個L型降損通孔，所述L型降損通孔其中一端開孔位于磁芯本體的頂壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本體的側(cè)壁上。有益之處在于：本發(fā)明的磁芯，通過對結構進行巧妙改進，在100KHz、200mT、30-100℃溫度區(qū)域內(nèi)的體積功耗值均在260kW/m3以下，且隨著環(huán)境溫度的提高，功耗曲線平穩(wěn)，因而本發(fā)明的磁芯在使用過程中的性能更加穩(wěn)定優(yōu)越，具有良好的市場前景。
【專利說明】低損耗磁芯
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種磁芯，具體涉及一種低損耗磁芯。
【背景技術】
[0002]磁芯是廣泛用于變壓器、節(jié)能燈等產(chǎn)品中的磁性元器件，隨著電子工業(yè)的快速發(fā)展，磁芯產(chǎn)品的尺寸向小型化發(fā)展，但是對磁芯的性能要求卻越來越高，由于損耗是磁芯在使用過程中不可避免地存在的，所以，如何降低損耗、從而提高單位體積的能量利用率、滿足小尺寸磁芯的高性能要求是市場的大勢所趨。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種低損耗的磁芯。
[0004]為了實現(xiàn)上述目標，本發(fā)明采用如下的技術方案:
低損耗磁芯，包括圓柱形的磁芯本體，所述磁芯本體的縱向形成有異型貫通結構，所述異型貫通結構包括兩個相鄰設置的形狀相似的貫通孔，所述磁芯本體還形成有若干個L型降損通孔，所述L型降損通孔其中一端開孔位于磁芯本體的頂壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本體的側(cè)壁上。
[0005]前述異型貫通結構為日字形或者8字形。
[0006]前述異型貫通結構的橫截面面積不大于磁芯本體橫截面面積的二分之一。
[0007]前述L型降損通孔為兩個，關于磁芯本體的中軸對稱設置，L型降損通孔的短邊平行于磁芯本體的徑向、長邊平行于磁芯本體的軸向。
[0008]前述L型降損通孔的長邊的長度超過磁芯本體高度的二分之一。
[0009]前述L型降損通孔的截面積為貫通孔截面積的1/5-1/3。
[0010]前述磁芯由鐵氧體制成。
[0011]本發(fā)明的有益之處在于:本發(fā)明的磁芯,通過對結構進行巧妙改進,在ΙΟΟΚΗζ、200mT、30-100°C溫度區(qū)域內(nèi)的體積功耗值均在260kW/m3以下，且隨著環(huán)境溫度的提高，功耗曲線平穩(wěn)，因而本發(fā)明的磁芯在使用過程中的性能更加穩(wěn)定優(yōu)越，具有良好的市場前景。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明的低損耗磁芯的一個具體實施例的結構示意圖；
圖2是本發(fā)明的低損耗磁芯的另一個具體實施例的結構示意圖。
[0013]圖中附圖標記的含義:1、磁芯本體，2、異型貫通結構，3、L型降損通孔。
【具體實施方式】
[0014]以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作具體的介紹。
[0015]參見圖1和圖2，本發(fā)明的低損耗磁芯，優(yōu)選由鐵氧體制成，包括圓柱形的磁芯本體1，在磁芯本體I的縱向形成有異型貫通結構2。具體地，異型貫通結構2包括兩個相鄰設置的形狀相似的貫通孔，比如圖1所示的日字形或圖2所示的8字形，當然，并不僅限于這兩種結構。
[0016]進一步地，磁芯本體I還形成有若干個L型降損通孔，L型降損通孔3其中一端開孔位于磁芯本體I的頂壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本體I的側(cè)壁上。
[0017]作為一種優(yōu)選，異型貫通結構2的橫截面面積不大于磁芯本體I橫截面面積的二分之一。
[0018]如圖1和圖2所示，L型降損通孔3為兩個，關于磁芯本體I的中軸對稱設置，L型降損通孔3的短邊平行于磁芯本體I的徑向、長邊平行于磁芯本體I的軸向。優(yōu)選地，L型降損通孔3的長邊的長度超過磁芯本體I高度的二分之一。而且，L型降損通孔3的截面積為貫通孔截面積的1/5-1/3。這樣的結構設計是最合理的，研究證明，該結構的磁芯，降損效果相當顯著。下面對本發(fā)明的磁芯進行損耗測試，且與市購的同規(guī)格產(chǎn)品進行比較，測試條件均為100KHz、200mT、30-100°C溫度區(qū)域，測試結果見表1。
【權利要求】
1.低損耗磁芯，其特征在于，包括圓柱形的磁芯本體，所述磁芯本體的縱向形成有異型貫通結構，所述異型貫通結構包括兩個相鄰設置的形狀相似的貫通孔，所述磁芯本體還形成有若干個L型降損通孔，所述L型降損通孔其中一端開孔位于磁芯本體的頂壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本體的側(cè)壁上。
2.根據(jù)權利要求1所述的低損耗磁芯，其特征在于，所述異型貫通結構為日字形或者8字形。
3.根據(jù)權利要求2所述的低損耗磁芯，其特征在于，所述異型貫通結構的橫截面面積不大于磁芯本體橫截面面積的二分之一。
4.根據(jù)權利要求3所述的低損耗磁芯，其特征在于，所述L型降損通孔為兩個，關于磁芯本體的中軸對稱設置，L型降損通孔的短邊平行于磁芯本體的徑向、長邊平行于磁芯本體的軸向。
5.根據(jù)權利要求4所述的低損耗磁芯，其特征在于，所述L型降損通孔的長邊的長度超過磁芯本體高度的二分之一。
6.根據(jù)權利要求1-5任一項所述的低損耗磁芯，其特征在于，所述L型降損通孔的截面積為貫通孔截面積的1/5-1/3。
7.根據(jù)權利要求6所述的低損耗磁芯，其特征在于，所述磁芯由鐵氧體制成。
【文檔編號】H01F27/24GK103943324SQ201410102796
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年3月19日 優(yōu)先權日:2014年3月19日
【發(fā)明者】高其榮 申請人:鴻康磁業(yè)電子（昆山）有限公司