薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包含基底、柵極結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體主動(dòng)層、漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體主動(dòng)層皆設(shè)置于基底上方。漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)皆設(shè)置于半導(dǎo)體主動(dòng)層的第一表面上。上述源極結(jié)構(gòu)與漏極結(jié)構(gòu)之間至少形成一間隙，其中間隙沿半導(dǎo)體主動(dòng)層的第一表面延伸且位于柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中。上述間隙的第一部分包含有第一直線段、第一彎曲段與第二彎曲段，其中第一彎曲段與第二彎曲段分別連接至第一直線段的第一端與第二端，且第一彎曲段與第二彎曲段的彎曲方向互為相反。
【專(zhuān)利說(shuō)明】薄膜晶體管結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶體管結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的薄膜晶體管液晶顯示器(thin-filmtransistor liquid-crystaldisplay,簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)結(jié)構(gòu)中，于液晶面板外圍焊接多個(gè)利用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary metal oxide semiconductor,簡(jiǎn)稱(chēng) CMOS)制造工藝所制作的驅(qū)動(dòng)芯片(IC)來(lái)完成驅(qū)動(dòng)電路的配置。但如此則會(huì)提高了傳統(tǒng)TFT-1XD對(duì)于驅(qū)動(dòng)IC的依賴(lài)性、制作成本，并且無(wú)法提高/TFT-1XD的集成度。
[0003]目前以及未來(lái)的趨勢(shì)以超大面板與超高分辨率的TFT-LED為主。因此為了提高TFT-LCD的集成度，利用柵極驅(qū)動(dòng)電路基板(gate on array, G0A)技術(shù)來(lái)制作TFT-LCD則為目前的主流技術(shù)。GOA技術(shù)直接將柵極驅(qū)動(dòng)電路制作在陣列基板上，來(lái)代替外接硅芯片與CMOS制造工藝所制作的驅(qū)動(dòng)芯片的一種技術(shù)。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)的TFT-1XD中的GOA電路元件的上視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1。現(xiàn)有的TFT-1XD中的GOA電路元件100包括玻璃基板110以及配置于玻璃基板110上方的柵極層120、漏極層130與源極層140。在柵極層120上方，且位于漏極層130與源極層140之間的U形間隙為通道層區(qū)域150。此外，漏極層130包括條狀部132與多個(gè)指狀部134，其中條狀部132用以連接多個(gè)指狀部134。且由圖1的上視圖可看出，條狀部132是位于玻璃基板110上方，但并未位于柵極層120上方。
[0004]然而當(dāng)面板尺寸越做越大，相對(duì)的GOA電路元件也需擴(kuò)大增設(shè)，以便于提供更大的輸出電壓。但在超窄邊框的定制化需求下，GOA電路元件的擴(kuò)大將導(dǎo)致邊框無(wú)法窄化的問(wèn)題。如何縮減上述GOA電路元件的結(jié)構(gòu)，以改進(jìn)上述缺失，為發(fā)展本發(fā)明的主要目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提出一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，以縮減整體元件的尺寸。
[0006]為達(dá)上述優(yōu)點(diǎn)或其它優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包含基底、柵極結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體主動(dòng)層、漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)。上述柵極結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體主動(dòng)層皆設(shè)置于基底上方。上述漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)皆設(shè)置于半導(dǎo)體主動(dòng)層的第一表面上。上述源極結(jié)構(gòu)與漏極結(jié)構(gòu)之間至少形成一間隙，其中間隙沿半導(dǎo)體主動(dòng)層的第一表面延伸且位于柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中。上述間隙的第一部分包含有第一直線段、第一彎曲段與第二彎曲段，其中第一彎曲段與第二彎曲段分別連接至第一直線段的第一端與第二端，且第一彎曲段與第二彎曲段的彎曲方向互為相反。
[0007]本發(fā)明另提出一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包含基底、柵極結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體主動(dòng)層、漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)。上述柵極結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體主動(dòng)層皆設(shè)置于基底上方。上述漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)皆設(shè)置于半導(dǎo)體主動(dòng)層的第一表面上。上述漏極結(jié)構(gòu)具有朝第一方向延伸的條狀部以及多個(gè)相互平行的指狀部，其中上述多個(gè)指狀部分別垂直于條狀部且由條狀部朝外延伸。上述源極結(jié)構(gòu)與上述條狀部之間形成多個(gè)間隙，其中間隙位于柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中。[0008]綜上所述，本發(fā)明借由使得漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)之間所形成的間隙，皆位于柵極導(dǎo)體層的投影面積中，以便于讓漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)之間所形成的間隙皆可有效發(fā)揮通道層角色的最大效果。如此則可有效縮減電路元件尺寸，提高電路元件的集成度且提供更大的輸出電壓。因此本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可有效改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)的擴(kuò)大GOA電路元件的增設(shè)數(shù)量所導(dǎo)致的邊框無(wú)法窄化的問(wèn)題。
[0009]為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的TFT-1XD中的GOA電路元件的上視圖；
[0011]圖2A~圖2B為本發(fā)明的一實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的上視示意圖；
[0012]圖2C為圖2A的沿A-A’切線的部分薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0013]圖3為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的上視示意圖；
[0014]圖4為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的上視示意圖；
[0015]圖5為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0016]附圖標(biāo)記
[0017]100:G0A電 路元件110:玻璃基板
[0018]120:柵極層130:漏極層
[0019]140:源極層150:通道層區(qū)域
[0020]132,256:條狀部134、258:指狀部
[0021]210:基底200:薄膜晶體管結(jié)構(gòu)
[0022]220,320,420:柵極結(jié)構(gòu)222:柵極導(dǎo)體層
[0023]224:柵極介電層240:半導(dǎo)體主動(dòng)層
[0024]250、350、450、550:漏極結(jié)構(gòu) 252:漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)
[0025]254:漏極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)
[0026]260、360、362、364、366、460、560a、560b:源極結(jié)構(gòu)
[0027]262:源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)264:源極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)
[0028]270:保護(hù)層Cl:曲線段
[0029]462、466:彎曲部464:直線部
[0030]Pl:直線段562a:第一彎曲部
[0031]564a:第一直線部562b:第二彎曲部
[0032]564b:第二直線部S1:第一表面
[0033]G1、G2、G31、G32、G33、G34、G41、G42:間隙
[0034]Gll:第一部分G12:第二部分
[0035]G112、G312、G412:第一直線段 G114、G414:第一彎曲段
[0036]G116、G416:第二彎曲段G122、G316、G418:第二直線段
[0037]G124:第三彎曲段G126:第四彎曲段
[0038]G132、G419:第三直線段G142:第四直線段
[0039]G1124、G1224:第一端G1126、G1226:第二端[0040]G314:彎曲段A-A’:切線
[0041]Dl:第一方向
【具體實(shí)施方式】
[0042]圖2A~圖2B為本發(fā)明的一實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖2C為圖2A的沿A-A’切線的部分薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)合并參照?qǐng)D2A~圖2C。本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)200包括:基底210、柵極結(jié)構(gòu)220、半導(dǎo)體主動(dòng)層240、漏極結(jié)構(gòu)250、源極結(jié)構(gòu)260，還可以更進(jìn)一步包括保護(hù)層270。
[0043]除此之外，上述圖2A以多個(gè)呈現(xiàn)馬蹄形的源極結(jié)構(gòu)260，以相互連接且兩排相互對(duì)立的形式為說(shuō)明范例。上述圖2B與圖2A的基本結(jié)構(gòu)相同，差別在于，圖2A中的源極結(jié)構(gòu)260的曲線部Cl被填平成如同圖2B的直線部P1，且一般制造工藝中所制作出的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以圖2B的形式來(lái)呈現(xiàn)，而圖2A是為了說(shuō)明上便于區(qū)別出各個(gè)源極結(jié)構(gòu)260所示出的結(jié)構(gòu)圖。以下皆以圖2A與圖2C為主要的說(shuō)明范例圖。
[0044]請(qǐng)先參照?qǐng)D2C。上述基底210可以為透光基板，例如是玻璃基板。上述柵極結(jié)構(gòu)220與半導(dǎo)體主動(dòng)層240依序由下而上設(shè)置于基底210上方。且上述柵極結(jié)構(gòu)220設(shè)置于透光基板表面上。此外，上述柵極結(jié)構(gòu)220可包含柵極導(dǎo)體層222與柵極介電層224。上述柵極導(dǎo)體層222設(shè)置于透光基板表面上。上述柵極介電層224位于柵極導(dǎo)體層222與半導(dǎo)體主動(dòng)層240之間，且位于基底210與半導(dǎo)體主動(dòng)層240之間。上述漏極結(jié)構(gòu)250、源極結(jié)構(gòu)260皆設(shè)置于半導(dǎo)體主動(dòng)層240的第一表面SI上。上述保護(hù)層270覆蓋于漏極結(jié)構(gòu)250、源極結(jié)構(gòu)260與半導(dǎo)體主動(dòng)層240的上方。此外上述漏極結(jié)構(gòu)250包含相互連接的漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)252以及配置于漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)252上的漏極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)254。上述源極結(jié)構(gòu)260包含相互連接的源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)262以及配置于源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)262上的源極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)264。此外，上述半導(dǎo)體主動(dòng)層240例如是非晶硅層、多晶硅層或氧化銦鎵鋅。漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)252與源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)262例如是具有N型摻雜的非晶硅層或多晶硅層。此外，上述漏極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)254與源極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)264可以例如由透明導(dǎo)體所完成。
[0045]請(qǐng)合并參照?qǐng)D2A與圖2C。上述漏極結(jié)構(gòu)250具有朝第一方向Dl延伸的條狀部256以及多個(gè)相互平行的指狀部258，其中上述多個(gè)指狀部258可分別垂直或大約垂直于條狀部256且由條狀部256朝外(相對(duì)兩側(cè))延伸，且上述多個(gè)指狀部258沿第一方向Dl平行排列。且上述漏極結(jié)構(gòu)250與源極結(jié)構(gòu)260之間至少形成一間隙G1。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，上述源極結(jié)構(gòu)260與漏極結(jié)構(gòu)250的條狀部256、多個(gè)指狀部258之間形成多個(gè)間隙，源極結(jié)構(gòu)260與漏極結(jié)構(gòu)250的條狀部256的間隙位于該柵極結(jié)構(gòu)220的投影面積中，此外，源極結(jié)構(gòu)260與漏極結(jié)構(gòu)250的條狀部256的間隙大致與多個(gè)指狀部258垂直。更詳細(xì)的來(lái)說(shuō)，上述間隙Gl為漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)252與源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)262之間所形成的間隙。上述間隙Gl沿半導(dǎo)體主動(dòng)層240的第一表面SI延伸且位于柵極結(jié)構(gòu)220的投影面積中。
[0046]再更詳細(xì)的來(lái)說(shuō)，間隙Gl沿半導(dǎo)體主動(dòng)層240的第一表面SI延伸且位于柵極結(jié)構(gòu)220的柵極導(dǎo)體層222的投影面積中，如圖2A、圖2C所示。上述間隙Gl包括第一部分Gll與第二部分G12，如圖 2A所示。上述第一部分Gll包含有第一直線段G112、第一彎曲段G114與第二彎曲段G116。其中第一彎曲段G114與第二彎曲段G116分別連接至第一直線段Gl 12的第一端Gl 124與第二端Gl 126，且第一彎曲段Gl 14與第二彎曲段Gl 16的彎曲方向互為相反。上述間隙Gl的第二部分G12包含有第二直線段G122、第三彎曲段G124與第四彎曲段G126。其中第三彎曲段G124與第四彎曲段G126分別連接至第二直線段G122的第一端G1224與第二端G1226。此外，上述第三彎曲段G124與第四彎曲段G126的彎曲方向互為相反，且第三彎曲段G124連接至第一部分Gll的第一彎曲段G114。上述提及的第一彎曲段G114、第二彎曲段G116、第三彎曲段G124與第四彎曲段G126實(shí)質(zhì)上皆可為直角彎曲段。
[0047]此外，上述第二彎曲段Gl 16與第四彎曲段G126形成于漏極結(jié)構(gòu)250的條狀部256與指狀部258的連接處。換言之，漏極結(jié)構(gòu)250的條狀部256與多個(gè)指狀部258的連接處形成有多個(gè)弧形彎曲間隙(例如第二彎曲段G116與第四彎曲段G126)，其中上述多個(gè)彎曲間隙位于柵極結(jié)構(gòu)220的投影面積中。此外，上述間隙Gl還包含第三直線段G132與第四直線段G142，其中第二彎曲段Gl 16的兩端分別連接于第三直線段G132與第一直線段Gl 12的第二端G1126，第四彎曲段G126的兩端分別連接于第四直線段G142與第二直線段G122的第二端G1226。
[0048]上述皆在于描述形成于漏極結(jié)構(gòu)250與單一源極結(jié)構(gòu)260之間的間隙Gl。因此若是兩相對(duì)的源極結(jié)構(gòu)260、262與漏極結(jié)構(gòu)250之間則可形成兩個(gè)間隙Gl、G2，且漏極結(jié)構(gòu)250呈現(xiàn)十字形狀，源極結(jié)構(gòu)260、262分別呈現(xiàn)馬蹄形。上述間隙G2沿半導(dǎo)體主動(dòng)層240的第一表面SI延伸且位于柵極導(dǎo)體層222的投影面積中，且間隙G2的形狀為間隙Gl形狀的鏡像，G2的細(xì)部結(jié)構(gòu)與Gl相同，于此不在贅述。換句話說(shuō)，亦即兩相對(duì)的源極結(jié)構(gòu)260、262共享同一漏極結(jié)構(gòu)250，且源極結(jié)構(gòu)260、262與漏極結(jié)構(gòu)250之間所形成的間隙G1、G2皆位于柵極導(dǎo)體層222的投影面積中，如此則可達(dá)成縮減源極結(jié)構(gòu)260、262與漏極結(jié)構(gòu)250的尺寸。因此本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可達(dá)到縮減電路元件尺寸的目的。除此之外，上述的呈現(xiàn)十字形狀的漏極結(jié)構(gòu)250例如可用于輸出十字信號(hào)。
[0049]圖3為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3。圖3的漏極結(jié)構(gòu)350的形狀與漏極結(jié)構(gòu)250類(lèi)似，亦為十字形狀。于圖3的實(shí)施例中，本發(fā)明的可用于輸出十字信號(hào)的十字形狀的漏極結(jié)構(gòu)350，例如可與四個(gè)條狀的源極結(jié)構(gòu)360、362、364、366進(jìn)行配置。亦即十字形狀的漏極結(jié)構(gòu)350配置于四個(gè)條狀的源極結(jié)構(gòu)360、362、364,366之間。并且，漏極結(jié)構(gòu)350與源極結(jié)構(gòu)360、362、364、366之間分別形成間隙G31、G32、G33、G34。上述間隙G31、G32、G33、G34皆位于柵極結(jié)構(gòu)320的投影面積中。詳細(xì)的來(lái)說(shuō)，間隙G31、G32、G33、G34位于柵極導(dǎo)體層(未圖示)的投影面積中。柵極結(jié)構(gòu)320與前述柵極結(jié)構(gòu)220的結(jié)構(gòu)相同，于此不再贅述。此外，上述間隙G31包括第一直線段G312、彎曲段G314與第二直線段G316，其中第一直線段G312與第二直線段G316分別連接于彎曲段G314的兩端。此外，上述間隙G32、G33、G34的結(jié)構(gòu)與間隙G31相同，差別在于四個(gè)間隙中的彎曲段的彎曲方向不同，但皆為直角彎曲段，于此不再贅述。
[0050]圖4為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的上視示意圖。本發(fā)明另提供一種具有T字形狀的漏極結(jié)構(gòu)450，與前述十字形狀的漏極結(jié)構(gòu)250、350皆不相同。請(qǐng)參照?qǐng)D4。本發(fā)明的T字形狀的漏極結(jié)構(gòu)450，可與源極結(jié)構(gòu)460進(jìn)行配置。上述源極結(jié)構(gòu)460包含有兩相對(duì)的具有半U(xiǎn)字形的彎曲部462、466與直線部464，其中彎曲部462、466連接于直線部464的兩端，以形成一個(gè)完整的源極結(jié)構(gòu)460。上述源極結(jié)構(gòu)460的彎曲部462、466位于柵極結(jié)構(gòu)420的投影面積中，直線部464則并未位于柵極結(jié)構(gòu)420的投影面積中。上述漏極結(jié)構(gòu)450與源極結(jié)構(gòu)460的彎曲部462之間形成有間隙G41,且漏極結(jié)構(gòu)450與源極結(jié)構(gòu)460的彎曲部466之間形成有間隙G42，其中間隙G41、G42皆位于柵極結(jié)構(gòu)420的投影面積中。更詳細(xì)的來(lái)說(shuō)，間隙G41、G42皆位于柵極結(jié)構(gòu)420的柵極導(dǎo)體層(未圖示)的投影面積中。上述間隙G41包含有第一直線段G412、第一彎曲段G414、第二彎曲段G416、第二直線段G418與第三直線段G419。其中第一彎曲段G414的兩端分別連接于第一直線段G412的一端與第三直線段G419的一端，第二彎曲段G416的兩端分別連接于第一直線段G412的另一端與第二直線段G418的一端，并且第一彎曲段G414與第二彎曲段G416的彎曲方向互為相反。上述間隙G42與間隙G41的結(jié)構(gòu)相同，差別在于兩個(gè)間隙中的各個(gè)彎曲段的彎曲方向不同，互為鏡像，因此于此不再贅述。
[0051]圖5為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5。圖5的漏極結(jié)構(gòu)550與漏極結(jié)構(gòu)450的形狀相同，亦為T(mén)字形狀，差別在于源極結(jié)構(gòu)的形狀不同。圖5的實(shí)施例中包含有兩個(gè)源極結(jié)構(gòu)560a、560b。其中源極結(jié)構(gòu)560a具有半U(xiǎn)字形的第一彎曲部562a與第一直線部564a，第一直線部564連接于第一彎曲部562a的一端。上述源極結(jié)構(gòu)560b具有半U(xiǎn)字形的第二彎曲部562b與第二直線部564b，第二直線部564連接于第二彎曲部562b的一端，且第一直線部564a與第二直線部564b的延伸方向相反。此夕卜，上述漏極結(jié)構(gòu)550與源極結(jié)構(gòu)560a的第一彎曲部562a之間形成有間隙G41,且漏極結(jié)構(gòu)550與源極結(jié)構(gòu)560b的第二彎曲部562b之間形成有間隙G42，其中間隙G41、G42皆位于柵極結(jié)構(gòu)420的投影面積中。更詳細(xì)的來(lái)說(shuō)，間隙G41、G42皆位于柵極結(jié)構(gòu)420的柵極導(dǎo)體層(未圖示)的投影面積中。上述間隙G42與間隙G41的結(jié)構(gòu)相同，差別在于兩個(gè)間隙中的各個(gè)彎曲段的彎曲方向不同，互為鏡像，于此不再贅述。上述圖3?圖5的各個(gè)實(shí)施例中的不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于不同的串接電路中。
[0052]綜上所述，本發(fā)明借由使得漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)之間所形成的間隙，皆位于柵極導(dǎo)體層的投影面積中，以便于讓漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)之間所形成的間隙皆可有效發(fā)揮通道層角色的最大效果。如此則可有效縮減電路元件尺寸，提高電路元件的集成度且提供更大的輸出電壓。因此本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可有效改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)中的擴(kuò)大GOA電路元件的增設(shè)數(shù)量所導(dǎo)致的邊框無(wú)法窄化的問(wèn)題。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基底; 一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該 基底上方； 一半導(dǎo)體主動(dòng)層，設(shè)置于該基底上方； 一漏極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體主動(dòng)層的一第一表面上；以及 一源極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體主動(dòng)層的該第一表面上，該源極結(jié)構(gòu)與該漏極結(jié)構(gòu)間至少形成一間隙，該間隙沿該半導(dǎo)體主動(dòng)層的該第一表面延伸且位于該柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中，該間隙的一第一部分包含有一第一直線段、一第一彎曲段與一第二彎曲段；該第一彎曲段與該第二彎曲段分別連接至該第一直線段的一第一端與一第二端，該第一彎曲段與該第二彎曲段的彎曲方向互為相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該柵極結(jié)構(gòu)包含一柵極介電層以及一柵極導(dǎo)體層，該柵極介電層位于該柵極導(dǎo)體層與該半導(dǎo)體主動(dòng)層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極結(jié)構(gòu)包含相互連接的一漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)以及一漏極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，該源極結(jié)構(gòu)包含相互連接的一源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)以及一源極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該間隙為該漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)與該源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)之間的間隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)與該源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)為具有N型摻雜的非晶硅層或多晶硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該間隙的一第二部分包含有一第二直線段、一第三彎曲段與一第四彎曲段，該第三彎曲段與該第四彎曲段分別連接至該第二直線段的一第一端與一第二端，該第三彎曲段與該第四彎曲段的彎曲方向互為相反，且該第三彎曲段連接至該第一部分的該第一彎曲段。
7.一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基底; 一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基底上方； 一半導(dǎo)體主動(dòng)層，設(shè)置于該基底上方； 一漏極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體主動(dòng)層的一第一表面上，具有一朝一第一方向延伸的條狀部以及多個(gè)相互平行的指狀部，該些指狀部與該條狀部垂直且由該條狀部朝外延伸；以及 一源極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體主動(dòng)層的該第一表面上，該源極結(jié)構(gòu)與該條狀部之間形成多個(gè)間隙，該間隙位于該柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該條狀部與該指狀部連接處形成多個(gè)彎曲間隙，且該彎曲間隙位于該柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些指狀部沿該第一方向平行排列。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極結(jié)構(gòu)包含一漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)以及一漏極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，該源極結(jié)構(gòu)包含一源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)以及一源極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；該間隙為該漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)與該源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)之間的間隙。
【文檔編號(hào)】H01L29/08GK103904129SQ201410055699
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年2月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】徐正洋, 沈柏元, 陳家芳 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司