技術(shù)編號(hào)：7041910
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包含基底、柵極結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體主動(dòng)層、漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體主動(dòng)層皆設(shè)置于基底上方。漏極結(jié)構(gòu)與源極結(jié)構(gòu)皆設(shè)置于半導(dǎo)體主動(dòng)層的第一表面上。上述源極結(jié)構(gòu)與漏極結(jié)構(gòu)之間至少形成一間隙，其中間隙沿半導(dǎo)體主動(dòng)層的第一表面延伸且位于柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中。上述間隙的第一部分包含有第一直線段、第一彎曲段與第二彎曲段，其中第一彎曲段與第二彎曲段分別連接至第一直線段的第一端與第二端，且第一彎曲段與第二彎曲段的彎曲方向互為相反。專利說明薄...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。