表面顆粒檢測儀量測平臺的制作方法
【專利摘要】一種表面顆粒檢測儀量測平臺，包括：定子結構，呈凹型設置，并在所述定子結構之凹槽內形成所述轉子結構之容置空間，且在所述定子結構之凹槽的邊沿臂內設置所述導電線圈、第一傳感器和偏載磁體；轉子結構，懸浮設置在所述定子結構之凹槽內，且在所述定子結構之磁力作用下發(fā)生轉動；支撐體，設置在所述轉子結構之一側，并用于承載所述待量測之晶圓；第二傳感器，間隔設置在所述定子結構之底部。本發(fā)明通過設置定子結構和磁懸浮設置在所述定子結構內的轉子結構，且在所述轉子結構上通過所述承載體承載所述待量測晶圓，不僅有效的避免了所述待量測晶圓的翹曲變形和背面臟污造成真空失效導致的當機，而且提高生產效率，延長設備的正常生產時間。
【專利說明】表面顆粒檢測儀里測平臺
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體【技術領域】，尤其涉及一種表面顆粒檢測儀量測平臺。
【背景技術】
[0002]隨著制程工藝要求的進一步提高，對所述晶圓表面的缺陷越來越受到重視。請參閱圖5、圖6，圖5所示為現有表面顆粒檢測儀量測平臺的立體結構圖。圖6所示為現有表面顆粒檢測儀測量平臺之真空吸附模式的結構示意圖。眾所周知地，現有的表面顆粒檢測儀量測平臺主要包括如下兩種類型:
[0003](I)通過真空吸附所述晶圓，然后依靠所述機械裝置帶動旋轉的所述真空吸附形式3 ;明顯地，所述真空吸附形式之量測平臺在量測背部臟污的晶圓2或者具有一定翹曲變形的晶圓2時，所述真空吸附形式難以密閉，無法穩(wěn)固吸附所述晶圓2，導致所述晶圓2掉落在所述量測平臺上。
[0004](2)通過抓取臂夾住所述晶圓2，然后依靠所述機械裝置帶動旋轉的所述邊緣抓取形式(未圖示)。顯然地，所述邊緣抓取形式避免了所述真空吸附形式對具有臟污的晶圓或者具有一定翹曲變形的晶圓量測時，所述真空吸附形式難以密閉，無法穩(wěn)固吸附所述晶圓，導致所述晶圓掉落在所述量測平臺上的缺陷，但是，通過所述邊緣抓取形式進行晶圓表面顆粒檢測的過程中，所述晶圓的轉速過低，極大程度的限制了設備之產能。
[0005]故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑借從事此行業(yè)多年的經驗，積極研究改良，于是有了本發(fā)明一種表面顆粒檢測儀量測平臺。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明是針對現有技術中，傳統的表面顆粒檢測儀量測平臺之真空吸附形式對具有臟污的晶圓或者具有一定翹曲變形的晶圓量測時，所述真空吸附形式難以密閉，無法穩(wěn)固吸附所述晶圓，導致所述晶圓掉落在所述量測平臺上的缺陷；或者所述傳統的表面顆粒檢測儀量測平臺之邊緣抓取形式在進行晶圓表面顆粒檢測的過程中，所述晶圓的轉速過低，極大程度的限制了設備之產能等缺陷提供一種表面顆粒檢測儀量測平臺。
[0007]為實現本發(fā)明之目的，本發(fā)明提供一種表面顆粒檢測儀量測平臺，所述表面顆粒檢測儀量測平臺包括:定子結構，呈凹型設置，并在所述定子結構之凹槽內形成所述轉子結構之容置空間，且在所述定子結構之凹槽的邊沿臂內設置所述導電線圈、第一傳感器和偏載磁體；轉子結構，懸浮設置在所述定子結構之凹槽內，且在所述定子結構之磁力作用下發(fā)生轉動；支撐體，設置在所述轉子結構之異于所述定子結構一側，并用于承載所述待量測之晶圓；第二傳感器，間隔設置在所述定子結構之底部。
[0008]可選地，所述用于承載待量測晶圓的支撐體呈環(huán)狀設置，以形成收容待量測晶圓之容置腔。
[0009]可選地，所述第二傳感器為8個，并呈對稱分布設置在所述定子結構之底部。
[0010]可選地，所述定子結構之凹槽的邊沿臂內所設置的導電線圈、第一傳感器和偏載磁體用于產生磁懸浮磁場，并感應所述轉子結構的懸浮旋轉和停止狀態(tài)。
[0011]可選地，所述定子結構之底部間隔設置的所述第二傳感器用于檢測所述轉子結構之位置信號，并將所述轉子結構之位置信號反饋至所述磁場控制器，以監(jiān)視所述轉子結構的轉速和控制所述轉子結構的轉動狀態(tài)，進而完成所述待量測晶圓的轉移。
[0012]綜上所述，本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺通過設置定子結構和磁懸浮設置在所述定子結構內的轉子結構，且在所述轉子結構上通過所述承載體承載所述待量測晶圓，不僅有效的避免了所述待量測晶圓的翹曲變形和背面臟污造成真空失效導致的當機，而且提高生產效率，延長設備的正常生產時間。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1所示為本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺之截面圖；
[0014]圖2所示為本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺之定子結構示意圖；
[0015]圖3所示為本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺之定子結構俯視圖；
[0016]圖4所示為本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺的工作原理圖；
[0017]圖5所示為現有表面顆粒檢測儀量測平臺的立體結構圖；
[0018]圖6所示為現有表面顆粒檢測儀測量平臺之真空吸附模式的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0019]為詳細說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術內容、構造特征、所達成目的及功效，下面將結合實施例并配合附圖予以詳細說明。
[0020]請參閱圖1、圖2、圖3，圖1所示為本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺之截面圖。圖2所示為本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺之定子結構示意圖。圖3所示為本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺之定子結構俯視圖。所述表面顆粒檢測儀量測平臺1，包括:定子結構11，所述定子結構11呈凹型設置，并在所述定子結構11之凹槽111內形成所述轉子結構12之容置空間，且在所述定子結構11之凹槽111的邊沿臂112內設置所述導電線圈113、第一傳感器114和偏載磁體115 ;轉子結構12，所述轉子結構12懸浮設置在所述定子結構11之凹槽111內，且在所述定子結構11之磁力作用下發(fā)生轉動；支撐體13，所述支撐體13設置在所述轉子結構12之異于所述定子結構11 一側，并用于承載所述待量測之晶圓2 ;第二傳感器14，所述第二傳感器14間隔設置在所述定子結構11之底部。為了所述待量測晶圓2在所述量測過程中位置穩(wěn)定，優(yōu)選地，用于承載所述待量測晶圓2的支撐體13呈環(huán)狀設置，以形成收容所述待量測晶圓2之容置腔131。
[0021]作為本領域技術人員，容易理解地，所述定子結構11之凹槽111的邊沿臂112內所設置的導電線圈113、第一傳感器114和偏載磁體115用于產生磁懸浮磁場，并感應所述轉子結構12的懸浮旋轉和停止狀態(tài)。所述定子結構11之底部間隔設置的所述第二傳感器14用于檢測所述轉子結構12之位置信號。優(yōu)選地，所述第二傳感器14為8個，并呈對稱分布設置在所述定子結構11之底部。
[0022]請參閱圖4，并結合參閱圖1?圖3，圖4所示為本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺的工作原理圖。所述定子結構11之凹槽111的邊沿臂112內所設置的導電線圈113、第一傳感器114和偏載磁體115用于產生磁懸浮磁場，并感應所述轉子結構12的懸浮旋轉和停止狀態(tài)。所述定子結構11之底部間隔設置的所述第二傳感器14用于檢測所述轉子結構12之位置信號，并將所述轉子結構12之位置信號反饋至所述磁場控制器15，以監(jiān)視所述轉子結構12的轉速和控制所述轉子結構12的轉動狀態(tài)，進而完成所述待量測晶圓2的轉移。在所述待量測晶圓2的轉移過程中，通過所述磁場控制器15處理接受的所述模擬信號，并給所述轉動功放16提供所述驅動信號，所述轉動功放16進一步將經過濾波處理的所述驅動信號傳遞至所述定子結構11內部之導電線圈113，最終控制所述轉子結構12的轉動和停止。
[0023]結合本發(fā)明之【具體實施方式】，并進行多次量測、分析，從實驗所測試數據可知，本發(fā)明所述表面顆粒檢測儀量測平臺1使得所述待量測晶圓2的轉速提高20%，相對應的小時產量增加20%，不僅有效的避免了所述待量測晶圓2的翹曲變形和背面臟污造成真空失效導致的當機，而且提高生產效率，延長設備的正常生產時間2%。
[0024]綜上所述，本發(fā)明表面顆粒檢測儀量測平臺通過設置定子結構和磁懸浮設置在所述定子結構內的轉子結構，且在所述轉子結構上通過所述承載體承載所述待量測晶圓，不僅有效的避免了所述待量測晶圓的翹曲變形和背面臟污造成真空失效導致的當機，而且提高生產效率，延長設備的正常生產時間。
[0025]本領域技術人員均應了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對本發(fā)明進行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權利要求書及等同物的保護范圍內時，認為本發(fā)明涵蓋這些修改和變型。
【權利要求】
1.一種表面顆粒檢測儀量測平臺，其特征在于，所述表面顆粒檢測儀量測平臺包括:定子結構，呈凹型設置，并在所述定子結構之凹槽內形成所述轉子結構之容置空間，且在所述定子結構之凹槽的邊沿臂內設置所述導電線圈、第一傳感器和偏載磁體；轉子結構，懸浮設置在所述定子結構之凹槽內，且在所述定子結構之磁力作用下發(fā)生轉動；支撐體，設置在所述轉子結構之異于所述定子結構一側，并用于承載所述待量測之晶圓；第二傳感器，間隔設置在所述定子結構之底部。
2.如權利要求1所述的表面顆粒檢測儀量測平臺，其特征在于，所述用于承載待量測晶圓的支撐體呈環(huán)狀設置，以形成收容待量測晶圓之容置腔。
3.如權利要求1所述的表面顆粒檢測儀量測平臺，其特征在于，所述第二傳感器為8個，并呈對稱分布設置在所述定子結構之底部。
4.如權利要求1所述的表面顆粒檢測儀量測平臺，其特征在于，所述定子結構之凹槽的邊沿臂內所設置的導電線圈、第一傳感器和偏載磁體用于產生磁懸浮磁場，并感應所述轉子結構的懸浮旋轉和停止狀態(tài)。
5.如權利要求1所述的表面顆粒檢測儀量測平臺，其特征在于，所述定子結構之底部間隔設置的所述第二傳感器用于檢測所述轉子結構之位置信號，并將所述轉子結構之位置信號反饋至所述磁場控制器，以監(jiān)視所述轉子結構的轉速和控制所述轉子結構的轉動狀態(tài)，進而完成所述待量測晶圓的轉移。
【文檔編號】H01L21/66GK103745943SQ201410042488
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2014年1月29日 優(yōu)先權日:2014年1月29日
【發(fā)明者】秦貴明, 裴雷洪, 俞瑋 申請人:上海華力微電子有限公司