基臺(tái)和密封完畢的半導(dǎo)體元件以及它們的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能容易與主基板上的IC連接的、具備半導(dǎo)體元件(104)的基臺(tái)(100)。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基臺(tái)(100)包括基板(101)、電極(102)、(103)、半導(dǎo)體元件(104)、Au引線(105)和金凸起(106)、(107)。電極(102)、(103)、半導(dǎo)體元件(104)、Au引線(105)和金凸起(106)、(107)由樹脂(108)在基板(101)上密封。在電極(103)上并且在Au引線(105)上利用球焊形成金凸起(107)后，對(duì)其利用劃片加以切斷而露出側(cè)面。露出了的面作為基臺(tái)(100)的側(cè)面電極發(fā)揮作用。
【專利說(shuō)明】基臺(tái)和密封完畢的半導(dǎo)體元件以及它們的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及基臺(tái)(submount,也稱作次黏著基臺(tái))和密封完畢的半導(dǎo)體元件以及它們的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，在安裝基臺(tái)的半導(dǎo)體模塊中，有時(shí)不僅在基臺(tái)的元件搭載面形成電極，而且還在基臺(tái)的側(cè)面部形成電極。
[0003]作為現(xiàn)有技術(shù)的例子，有如圖26所示的模塊。該模塊109由主基板110、主基板110上的IC111、以及主基板110上的基臺(tái)100構(gòu)成。基臺(tái)100在元件搭載面上具備半導(dǎo)體元件104。
[0004]圖26所示的模塊中，在基臺(tái)100中，作為電極102形成有通孔電極和元件搭載用電極。通過(guò)將IClll與電極102用Au引線112連接，從而實(shí)現(xiàn)了 IClll 一半導(dǎo)體元件104間的電連接。
[0005]但是，圖26所示的模塊中，涵蓋基板101的兩面地形成電極102，電極面積大。因此，寄生電容變大。進(jìn)而，圖26所示的模塊由于還具備通孔連接盤部，因此存在間距變大、無(wú)法制作高密度的基臺(tái)的問(wèn)題。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開平9-51053號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明是鑒于上述的問(wèn)題而完成的。本發(fā)明的目的在于，提供一種在基板上將IC與基臺(tái)電連接時(shí)，不需要在基臺(tái)的側(cè)面上形成新的電極，寄生電容小并且密度高的基臺(tái)。
[0010]另外，本發(fā)明的目的在于，提供一種在基板上將IC與密封完畢的半導(dǎo)體元件電連接時(shí)，不需要在密封完畢的半導(dǎo)體元件的側(cè)面上形成新的電極的密封完畢的半導(dǎo)體元件。
[0011]本發(fā)明是一種基臺(tái)，其具備基板、基板上的電極、基板上的半導(dǎo)體元件、將半導(dǎo)體元件與電極連接的引線、以及在電極上并且在引線上的I個(gè)或多個(gè)凸起，所述基臺(tái)的特征在于，電極、半導(dǎo)體元件、引線和I個(gè)或多個(gè)凸起在基板上由樹脂密封，I個(gè)或多個(gè)凸起具有切斷面，切斷面在基臺(tái)的表面露出，切斷面是基臺(tái)的電極。
[0012]本發(fā)明是一種基臺(tái)，其具備基板、基板上的電極、基板上的半導(dǎo)體元件、將半導(dǎo)體元件與電極連接的引線、在電極上并且在引線上的凸起，所述基臺(tái)的特征在于，凸起在基板上由未被均勻地涂敷的第一樹脂密封，凸起具有露出的切斷面，露出的切斷面是基臺(tái)的電極。
[0013]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，其特征在于，基臺(tái)還具備將電極、半導(dǎo)體元件、引線、凸起和第一樹脂密封的第二樹脂，第一樹脂比第二樹脂硬。進(jìn)而，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，其特征在于，基臺(tái)在基板上形成槽，將所述半導(dǎo)體元件搭載于槽內(nèi)。
[0014]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式是一種模塊，其具備主基板、主基板上的1C、主基板上的電極、將IC與電極連接的引線、主基板上的電極上的基臺(tái)，所述模塊的特征在于，基臺(tái)的凸起的露出的切斷面及主基板上的電極由導(dǎo)電性粘接劑粘接。
[0015]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式是一種模塊，其具備主基板、主基板上的1C、主基板上的基臺(tái)，所述模塊的特征在于，主基板具有高的面和低的面作為元件搭載面，IC安裝于高的面上，基臺(tái)安裝于低的面上，還具備用于將IC與基臺(tái)進(jìn)行引線鍵合的引線。
[0016]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式是一種模塊，其具備主基板、主基板上的1C、IC上的間隔件、間隔件上的基臺(tái)，所述模塊的特征在于，利用設(shè)置于由間隔件做出的空間中的I個(gè)或多個(gè)凸起，實(shí)現(xiàn)IC與基臺(tái)所具備的凸起之間的電連接。
[0017]本發(fā)明是一種密封完畢的半導(dǎo)體元件，其具備半導(dǎo)體元件和半導(dǎo)體元件上的凸起，所述密封完畢的半導(dǎo)體元件的特征在于，凸起在半導(dǎo)體元件上由樹脂密封，凸起具有露出的切斷面，露出的切斷面是密封完畢的半導(dǎo)體元件的電極。
[0018]本發(fā)明是一種密封完畢的半導(dǎo)體元件，其具備半導(dǎo)體元件和半導(dǎo)體元件上的凸起，所述密封完畢的半導(dǎo)體元件的特征在于，凸起在半導(dǎo)體元件上由僅在凸起的周圍涂敷的第一樹脂密封，凸起具有露出的切斷面，露出的切斷面是密封完畢的半導(dǎo)體元件的電極。
[0019]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，其特征在于，密封完畢的半導(dǎo)體還具備將半導(dǎo)體元件、凸起和第一樹脂密封的第二樹脂，第一樹脂比第二樹脂硬。
[0020]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式是一種模塊，其具備主基板、主基板上的1C、主基板上的電極、將IC與電極連接的引線和主基板上的電極上的密封完畢的半導(dǎo)體元件，所述模塊的特征在于，密封完畢的半導(dǎo)體元件的凸起的露出的切斷面及主基板上的電極由導(dǎo)電性粘接劑粘接。
[0021]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式是一種模塊，其具備主基板、主基板上的IC和主基板上的密封完畢的半導(dǎo)體元件，所述模塊的特征在于，主基板具有高的面和低的面作為元件搭載面，IC安裝于高的面上，密封完畢的半導(dǎo)體元件安裝于低的面上，還具備用于將IC與密封完畢的半導(dǎo)體元件進(jìn)行引線鍵合的引線、以及密封完畢的半導(dǎo)體元件所具備的凸起上的并且在引線上的凸起。
[0022]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式是一種模塊，其具備主基板、主基板上的1C、主基板上的間隔件和間隔件上的密封完畢的半導(dǎo)體元件，所述模塊的特征在于，利用設(shè)置于由間隔件做出的空間中的I個(gè)或多個(gè)凸起，實(shí)現(xiàn)IC與密封完畢的半導(dǎo)體元件所具備的凸起之間的電連接。
[0023]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式是一種模塊，其具備電路基板和密封完畢的半導(dǎo)體元件，所述模塊的特征在于，電路基板及密封完畢的半導(dǎo)體元件通過(guò)焊接在密封完畢的半導(dǎo)體元件的凸起的露出的切斷面上而被電連接。
[0024]本發(fā)明的特征在于，具備:將半導(dǎo)體元件與電極在基板上利用使用了引線的引線鍵合進(jìn)行連接的步驟；在電極上并且在引線上利用球焊形成I個(gè)或多個(gè)凸起的步驟；將半導(dǎo)體元件、電極、引線和凸起在基板上利用樹脂密封的步驟；使樹脂固化的步驟；以及將基板、電極、I個(gè)或多個(gè)凸起和樹脂沿著劃片線進(jìn)行劃片(dicing)的步驟。進(jìn)而，本發(fā)明還具備在基板上形成槽、將半導(dǎo)體元件搭載于槽內(nèi)的步驟。
[0025]本發(fā)明的特征在于，具備:在晶片上利用球焊形成凸起的步驟；將凸起在晶片上利用樹脂密封的步驟；使樹脂固化的步驟；以及將晶片、凸起和樹脂沿著劃片線進(jìn)行劃片的步驟。
[0026]利用本發(fā)明，可以將基板上的IC與微小的元件有效地電連接。
[0027]具體而言，對(duì)于本發(fā)明的基臺(tái)的電極，由于與現(xiàn)有技術(shù)相比可以減小電極面積，因此有助于寄生電容的降低。
[0028]另外，上述以往的基臺(tái)為2層基板，而在本申請(qǐng)發(fā)明中為單層基板，因此可以更廉價(jià)地制作。
[0029]進(jìn)而，對(duì)于本發(fā)明的基臺(tái)的電極，可以制作電極形成的精細(xì)圖案。由于可以增大圖案的密度，因此適合于高密度應(yīng)用。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]圖1A是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的俯視圖。
[0031]圖1B是圖1A的剖面線IB — IB處的剖面圖。
[0032]圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的剖面圖。
[0033]圖3A是表示制作本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基臺(tái)的工序的圖。
[0034]圖3B是表示制作本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基臺(tái)的工序的圖。
[0035]圖3C是表示制作本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基臺(tái)的工序的圖。
[0036]圖3D是表示制作本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基臺(tái)的工序的圖。
[0037]圖4A是表示具備本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基臺(tái)的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0038]圖4B是圖4A的剖面線IVB — IVB處的剖面圖。
[0039]圖5A是表示具備本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基臺(tái)的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0040]圖5B是圖5A的剖面線VB — VB處的剖面圖。
[0041]圖6A是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的俯視圖。
[0042]圖6B是圖6A的剖面線VIB — VIB處的剖面圖。
[0043]圖7A是表示制作本發(fā)明的第二實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0044]圖7B是表示制作本發(fā)明的第二實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0045]圖7C是表示制作本發(fā)明的第二實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0046]圖8A是表示具備本發(fā)明的第二實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0047]圖8B是圖8A的剖面線VIIIB — VIIIB處的剖面圖。
[0048]圖9是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。
[0049]圖10是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。
[0050]圖11是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的圖。
[0051]圖12是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的圖。
[0052]圖13A是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0053]圖13B是圖13A的剖面線XIIIB — XIIIB處的剖面圖。
[0054]圖14是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的其他模塊的構(gòu)成的剖面圖。
[0055]圖15A是表示本發(fā)明的第八實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0056]圖15B是圖15A的剖面線XVB — XVB處的剖面圖。
[0057]圖16A是表示本發(fā)明的第九實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0058]圖16B是圖16A的剖面線XVIB — XVIB處的剖面圖。
[0059]圖17A是表示本發(fā)明的第十實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0060]圖17B是圖17A的剖面線XVIIB — XVIIB處的剖面圖。
[0061]圖18A是表示本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0062]圖18B是圖18A的剖面線XVIIIB — XVIIIB處的剖面圖。
[0063]圖19A是表示本發(fā)明的第十二實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0064]圖19B是圖19A的剖面線XIXB — XIXB處的剖面圖。
[0065]圖20是表示本發(fā)明的第十三實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的立體圖。
[0066]圖21A是表示具備本發(fā)明的第十三實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0067]圖21B是圖21A的剖面線XXIB — XXIB處的剖面圖。
[0068]圖22A是表示制作本發(fā)明的第十三實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0069]圖22B是表示制作本發(fā)明的第十三實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0070]圖22C是表示制作本發(fā)明的第十三實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0071]圖23是表示本發(fā)明的第十四實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的立體圖。
[0072]圖24A是表示具備本發(fā)明的第十四實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的模塊的構(gòu)成的俯視圖。
[0073]圖24B是圖24A的剖面線XXIVB — XXIVB處的剖面圖。
[0074]圖25A是表示制作本發(fā)明的第十四實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0075]圖25B是表示制作本發(fā)明的第十四實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0076]圖25C是表示制作本發(fā)明的第十四實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0077]圖26是表示具備現(xiàn)有技術(shù)的基臺(tái)的模塊的構(gòu)成的圖。
[0078]圖27A是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的引線鍵合的工序的圖。
[0079]圖27B是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的其他的引線鍵合的工序的圖。
[0080]圖28A是表示本發(fā)明的第十五實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的立體圖。
[0081]圖28B是表示本發(fā)明的第十五實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。
[0082]圖28C是表示本發(fā)明的第十五實(shí)施方式的其他的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。
[0083]圖29A是表示本發(fā)明的第十五本實(shí)施方式的引線鍵合的工序的圖。
[0084]圖29B是表示本發(fā)明的第十五本實(shí)施方式的引線鍵合的工序的圖。
[0085]圖29C是表示本發(fā)明的第十五本實(shí)施方式的引線鍵合的工序的圖。
[0086]圖29D是表示本發(fā)明的第十五本實(shí)施方式的引線鍵合的工序的圖。
[0087]圖30是表示本發(fā)明的第十六實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0088]以下，在參照附圖的同時(shí)，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0089][第一實(shí)施方式]
[0090]圖1是表示本實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。圖1A是基臺(tái)的俯視圖。圖1B是圖1A的剖面線IB -1B處的剖面圖。為了說(shuō)明，圖1A的上部是沒(méi)有樹脂108的狀態(tài)下的俯視圖，圖1A的下部是有樹脂108的狀態(tài)下的俯視圖。對(duì)于本申請(qǐng)的其他的俯視圖也有同樣地表示的俯視圖，因此請(qǐng)留意。
[0091]如圖1所示，基臺(tái)100包括基板101、電極102、103、半導(dǎo)體元件104、Au引線105和金凸起106、107。電極102、103、半導(dǎo)體元件104、Au引線105和金凸起106、107由樹脂108在基板101上密封。
[0092]作為基板101，可以使用玻璃環(huán)氧基板、紙酚醛基板、紙環(huán)氧基板、玻璃復(fù)合基板、特氟龍(注冊(cè)商標(biāo))基板、氧化鋁基板、硅中介基板、或者LTCC基板等剛性基板或柔性基板。
[0093]電極在基板上被構(gòu)圖。本實(shí)施方式中，如圖1所示，在其上形成有半導(dǎo)體元件104的電極102和在各自之上形成有金凸起107的排列在直線上的多個(gè)電極103被構(gòu)圖。作為電極材料，可以使用Cu。將在Cu上鍍敷了 Ni/Au的材料作為電極使用。而且，作為電極材料，也可以使用Ag、Au等，作為鍍敷，也可以使用Ni/Pd/Au鍍敷、Ni/B鍍敷、Ni/P鍍敷、Ag鍍敷、Pd/Ni 鍍敷、Pd 鍍敷、Ti/Pd/Au 鍍敷、Ti/Pt/Au 鍍敷、Ti/Pd/Cu/Ni/Au 鍍敷等。
[0094]在半導(dǎo)體元件的表面，如圖1A所示，形成有電極等電路圖案。雖然本實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件104形成于電極102上，然而未必需要形成于電極上，只要將半導(dǎo)體元件形成于基臺(tái)的基板上即可。
[0095]利用使用了 Au引線105的引線鍵合，將半導(dǎo)體元件104與電極103連接。而且，引線鍵合的種類有球焊、楔形焊等，作為引線，除了 Au引線以外，還可以使用Pt引線、Cu引線、或Al引線等。
[0096]將引線鍵合的方法的例子表示于圖27A及B中。作為一例，引線鍵合可以基于如下步驟來(lái)進(jìn)行，即，(I)將球形焊接器的Au引線105的金凸起106點(diǎn)焊到半導(dǎo)體元件104的焊盤上的步驟(第一鍵合)、(2)不弄斷Au引線地在基板101上的電極103上連接Au引線105的步驟(第二鍵合)、(3)將金凸起107點(diǎn)焊到電極103上并且點(diǎn)焊到第二鍵合中連接的Au引線105上的步驟(參照?qǐng)D27A)。
[0097]作為其他的例子，引線鍵合可以根據(jù)如下的步驟來(lái)進(jìn)行，即，⑴將球形焊接器的引線的金凸起106點(diǎn)焊到半導(dǎo)體元件104的焊盤上并切斷引線的步驟、(2)將金凸起107點(diǎn)焊到電極103上(第一鍵合)、不弄斷Au引線地在金凸起106上連接Au引線105的步驟(第二鍵合)(參照?qǐng)D27B)。本實(shí)施方式中，使用這2個(gè)工序的某一方來(lái)進(jìn)行引線鍵合。
[0098]金凸起107被利用球焊形成于電極103上并且形成于Au引線105上。金凸起107的直徑為20?200 μ m,優(yōu)選為40?100 μ m。如圖1B所示，金凸起107具有模塊側(cè)面中的露出了的面，這是因劃片而露出了切斷面。包括劃片等在內(nèi)的基臺(tái)的制作方法將在后面敘述。金凸起107的露出了的面作為基臺(tái)100的側(cè)面電極發(fā)揮作用。而且，作為凸起，除了金凸起以外，還可以使用鉬(Pt)凸起或銅(Cu)凸起等。
[0099]樹脂108將電極102、103、半導(dǎo)體元件104、Au引線105、金凸起106、107密封在基板101上。作為樹脂108，可以使用具有熱固化性或UV固化性的硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、或丙烯酸樹脂等。樹脂108是出于對(duì)半導(dǎo)體元件104進(jìn)行機(jī)械性保護(hù)或保護(hù)其免受濕度、熱等環(huán)境的影響為目的而設(shè)置。如果考慮到引線鍵合多是與加熱處理一起進(jìn)行，則樹脂108最好在加熱時(shí)也具有足夠的硬度。
[0100]圖2是表示本實(shí)施方式的其他的基臺(tái)的構(gòu)成的剖面圖。而且，圖1中，表示出將I個(gè)金凸起107的露出了的面作為基臺(tái)的側(cè)面電極利用的構(gòu)成，然而也可以如圖2所示將多個(gè)凸起的露出了的面作為基臺(tái)的側(cè)面電極使用。
[0101]圖3A至D是表示制作本實(shí)施方式的基臺(tái)的工序的圖。
[0102]首先，利用使用了 Au引線105的引線鍵合，將半導(dǎo)體元件104與電極103連接(圖3A)。
[0103]然后，在電極103上并且在Au引線105上，形成金凸起107 (圖3B)。
[0104]然后，涂敷樹脂108，將電極102、103、半導(dǎo)體元件104、Au引線105和金凸起106、107密封在基板101上。樹脂108涂敷于基板101上(圖3C)。在涂敷了樹脂后，利用加熱或UV固化等使樹脂固化。
[0105]最后，沿著劃片線劃片，使金凸起107的切斷面露出(圖3D)。金凸起107的露出了的面作為基臺(tái)100的側(cè)面電極發(fā)揮作用。
[0106]圖4中，表示出具備本實(shí)施方式的基臺(tái)的模塊的構(gòu)成。圖4A是模塊的俯視圖。圖4B是圖4A的剖面線IVB -1VB處的剖面圖。
[0107]模塊109包括主基板110、IC111、基臺(tái)100、Au引線112和金凸起113。
[0108]IClll形成于主基板110上。
[0109]基臺(tái)100形成于主基板110上?；_(tái)100的不具有金凸起107的一方的側(cè)面被利用粘接劑等與主基板110接合。
[0110]利用使用了 Au引線112的引線鍵合，將IClll與基臺(tái)100的側(cè)面電極(即金凸起107的露出的切斷面)連接?？芍騽澠冻隽说慕鹜蛊?07的切斷面作為基臺(tái)100的側(cè)面電極發(fā)揮作用。
[0111]圖5中，表示出具備本實(shí)施方式的基臺(tái)的模塊的另外的構(gòu)成。圖5A是模塊的俯視圖。圖5B是圖5A的剖面線VB — VB處的剖面圖。
[0112]模塊109包括主基板110、IC111、基臺(tái)100、主基板110上的圖案電極116、凸起123、間隔件118和電連接120。
[0113]利用圖5所示的構(gòu)成，可以將像BGA那樣地粘接在主基板110上的IClll與基臺(tái)100之間電連接。
[0114]基臺(tái)100形成于主基板110上?；_(tái)100的具有金凸起107的一方的側(cè)面被朝下配置，借助電連接120與電極116連接。
[0115]金凸起107與電極116之間的電連接120可以利用金凸起或?qū)щ娦哉辰觿?shí)現(xiàn)。
[0116]IClll與電極116之間的電連接使用焊料球等凸起123構(gòu)成。
[0117]利用本實(shí)施方式，可以不用像現(xiàn)有技術(shù)(參照?qǐng)D26)那樣在基臺(tái)的側(cè)面形成電極圖案地將IClll與基臺(tái)100電連接。
[0118][第二實(shí)施方式]
[0119]圖6是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的圖。圖6A是半導(dǎo)體元件的俯視圖。圖6B是圖6A的剖面線VIB - VIB處的剖面圖。
[0120]如圖6所示，半導(dǎo)體元件104在表面形成有金凸起106。金凸起106由樹脂108在半導(dǎo)體元件104上密封。
[0121]金凸起106利用球焊形成于半導(dǎo)體元件104上。金凸起的106的直徑優(yōu)選為40?100 μ m。如圖6B所示，金凸起106的側(cè)面露出，而它是因劃片而露出了切斷面。包括劃片等在內(nèi)的密封完畢的半導(dǎo)體元件的制作方法將在后面敘述。金凸起106的露出了的面作為密封完畢的半導(dǎo)體元件的側(cè)面電極發(fā)揮作用。而且，作為凸起，除了金凸起以外，還可以使用鉬(Pt)凸起或銅(Cu)凸起等。
[0122]作為樹脂108，可以使用具有熱固化性或UV固化性的硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、或丙烯酸樹脂等。樹脂108是出于對(duì)半導(dǎo)體元件104進(jìn)行機(jī)械性保護(hù)或保護(hù)其免受濕度、熱等環(huán)境的影響為目的而設(shè)置。如果考慮到引線鍵合為加熱處理，則樹脂108需要使用在引線鍵合時(shí)(加熱時(shí))也具有足夠的硬度的樹脂。
[0123]圖7A至C是表示制作本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0124]首先，在沒(méi)有劃片的晶片114的表面電極上形成金凸起106 (圖7A)。
[0125]然后，涂敷樹脂108，將金凸起106在晶片114上密封。在晶片114上均勻地涂敷樹脂108 (圖7B)。在涂敷了樹脂后，利用加熱或UV固化等使樹脂固化。
[0126]最后，沿著劃片線劃片，按每個(gè)半導(dǎo)體元件104進(jìn)行單片化。因劃片，使金凸起106的切斷面露出(圖7C)。金凸起106的露出了的面作為密封完畢的半導(dǎo)體元件的側(cè)面電極發(fā)揮作用。
[0127]圖8中，表示出具備本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的模塊的構(gòu)成。圖8A是模塊的俯視圖。圖8B是圖8A的剖面線VIIIB — VIIIB處的剖面圖。
[0128]模塊109包括主基板110、IC111、密封完畢的半導(dǎo)體元件(具有由樹脂108密封了的金凸起106的半導(dǎo)體元件104)、Au引線112和金凸起113。
[0129]IClll形成于主基板110上。
[0130]密封完畢的半導(dǎo)體元件形成于主基板110上。不具有金凸起106的一方的側(cè)面被與主基板110接合。
[0131]利用使用了 Au引線112的引線鍵合，將IClll與密封完畢的半導(dǎo)體元件的側(cè)面電極(即金凸起106的露出了的切斷面)連接?？芍騽澠冻龅慕鹜蛊?06的切斷面作為密封完畢的半導(dǎo)體元件的側(cè)面電極發(fā)揮作用。而且，引線鍵合的種類有球焊、楔形焊等，作為引線，除了 Au引線以外，還可以使用Pt引線、Cu引線、或Al引線等。
[0132]在上述[第一實(shí)施方式]及[第二實(shí)施方式]中，在基板上或半導(dǎo)體元件上，涂敷了 I種樹脂。但是，在借助樹脂涂敷的密封中，還存在有其他的變形例，在以下的實(shí)施方式中進(jìn)行說(shuō)明。
[0133][第三實(shí)施方式]
[0134]圖9是表示本實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。如圖9所示，可以以隱蔽金凸起107的方式涂敷樹脂108。本實(shí)施方式的基臺(tái)100沒(méi)有將樹脂108在基板101上涵蓋整體地涂敷，在這一點(diǎn)上與[第一實(shí)施方式]不同。對(duì)于除了樹脂108以外的其他的構(gòu)成要素，與[第一實(shí)施方式]相同，因此省略說(shuō)明。
[0135]利用本實(shí)施方式，在樹脂固化時(shí)不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體元件104造成損傷。另外，可以減少所涂敷的樹脂的量。而且，作為對(duì)半導(dǎo)體元件造成損傷的原因，可以認(rèn)為是樹脂固化或樹脂因溫度循環(huán)而膨脹或收縮所致的應(yīng)力等。
[0136]本實(shí)施方式的基臺(tái)100是通過(guò)如下操作而制作，S卩，在電極103上形成金凸起107，以將金凸起107隱蔽的程度涂敷樹脂108，在利用加熱或UV固化等使所涂敷的樹脂108固化后以使金凸起107的切斷面露出的方式進(jìn)行劃片。在此，樹脂108具有能夠耐受引線鍵合的力的硬度。
[0137][第四實(shí)施方式]
[0138]圖10是表示本實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。如圖10所示，可以以將金凸起107隱蔽的方式涂敷樹脂108，還在基板101上涂敷其他的樹脂115。本實(shí)施方式的基臺(tái)100在還具備樹脂115這一點(diǎn)上與[第三實(shí)施方式]不同。對(duì)于除了樹脂115以外的其他的構(gòu)成要素，由于與[第三實(shí)施方式]相同，因此省略說(shuō)明。
[0139]本實(shí)施方式的基臺(tái)100是通過(guò)如下操作而制作的，S卩，在電極103上形成金凸起107，以將金凸起107隱蔽的程度涂敷樹脂108，在基板101上涂敷樹脂115，在利用加熱或UV固化等使所涂敷的樹脂115固化后以使金凸起107的切斷面露出的方式進(jìn)行劃片。在此，樹脂108具有能夠耐受引線鍵合的力的硬度，樹脂115具有比樹脂108的硬度柔軟的硬度。
[0140]如果樹脂的硬度過(guò)大，則半導(dǎo)體元件104有可能受損。但是，本實(shí)施方式中，由于在用硬的樹脂108保護(hù)金凸起107的同時(shí)，用柔軟的樹脂115保護(hù)半導(dǎo)體元件104，因此可以防止半導(dǎo)體元件104受損。
[0141][第五實(shí)施方式]
[0142]圖11是表示本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的圖。如圖11所示，可以在半導(dǎo)體元件104上僅在金凸起106的周圍涂敷樹脂108。除了將樹脂108僅涂敷于金凸起106的周圍以外，與[第二實(shí)施方式]相同，因此省略說(shuō)明。
[0143]本實(shí)施方式中，選擇性地涂敷樹脂108。通過(guò)選擇性地涂敷樹脂，可以減少半導(dǎo)體元件由樹脂覆蓋的部分。本實(shí)施方式在半導(dǎo)體元件因所覆蓋的樹脂而受到不良影響的情況下有效。
[0144]本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件是通過(guò)如下操作而制作的，S卩，在晶片上形成金凸起106，以將金凸起106隱蔽的程度對(duì)樹脂108進(jìn)行晶片涂敷，利用加熱或UV固化等使所涂敷的樹脂108固化，以使金凸起106的切斷面露出的方式進(jìn)行晶片劃片，按每個(gè)半導(dǎo)體元件104進(jìn)行單片化。在此，樹脂108具有能夠耐受引線鍵合的力的硬度。
[0145][第六實(shí)施方式]
[0146]圖12是表示本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的圖。如圖12所示，可以以金凸起106為中心涂敷樹脂108，還將其他的樹脂115涂敷在半導(dǎo)體元件104上。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件在還具備樹脂115這一點(diǎn)上與[第五實(shí)施方式]不同。
[0147]本實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件是通過(guò)如下操作而制作的，S卩，在晶片上形成金凸起106，以金凸起106為中心以將金凸起106隱蔽的程度將樹脂108涂敷在晶片上，在晶片上涂敷樹脂115，利用加熱或UV固化等使所涂敷的樹脂115固化，以使金凸起106的切斷面露出的方式進(jìn)行劃片，按每個(gè)半導(dǎo)體元件104進(jìn)行單片化。在此，樹脂108具有能夠耐受引線鍵合的力的硬度，樹脂115具有比樹脂108的硬度柔軟的硬度。
[0148]如果覆蓋半導(dǎo)體元件104的樹脂的硬度過(guò)大，則半導(dǎo)體元件104有可能受損。但是，本實(shí)施方式中，由于在用硬的樹脂108保護(hù)金凸起106的同時(shí)，用柔軟的樹脂115保護(hù)半導(dǎo)體元件104，因此可以防止半導(dǎo)體元件104受損。而且，作為對(duì)半導(dǎo)體元件造成損傷的原因，可以認(rèn)為是樹脂固化或樹脂因溫度循環(huán)而膨脹或收縮所致的應(yīng)力等。
[0149][第七實(shí)施方式]
[0150]對(duì)于搭載有上述的[第四實(shí)施方式]的基臺(tái)的模塊的變形例說(shuō)明如下。
[0151]圖13A是表示本實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖，圖13B是圖13A的剖面線XIIIB — XIIIB處的剖面圖。如圖13A及B所示，本實(shí)施方式的模塊109包括主基板110、主基板110上的電極116、主基板110上的IC111、主基板110上的基臺(tái)100、連接IClll與基臺(tái)100的Au引線112、和IClll上的金凸起113。
[0152]基臺(tái)100安裝于電極116上。此時(shí)，基臺(tái)100的金凸起107與電極116由導(dǎo)電性粘接劑粘接，從而被電連接。而且，圖13所示的結(jié)構(gòu)中，將金凸起107與電極116用導(dǎo)電性粘接劑粘接而獲得電連接。
[0153]圖14是表示本實(shí)施方式的其他的模塊的構(gòu)成的剖面圖。如圖14所示，也可以向基臺(tái)100與電極116之間插入間隔件118，通過(guò)在由間隔件118形成的空間中設(shè)置凸起123來(lái)實(shí)現(xiàn)電連接。
[0154][第八實(shí)施方式]
[0155]圖15A是表示本實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖，圖15B是圖15A的剖面線XVB —XVB處的剖面圖。如圖15A及B所示，本實(shí)施方式的模塊109包括主基板110、主基板110上的電極116、主基板110上的IC111、主基板110上的基臺(tái)100、連接IClll與基臺(tái)100的Au引線112、和IClll上的金凸起113。
[0156]如圖15B所示，主基板110被利用锪平加工附加了階梯，元件搭載面具有高的面和低的面。IClll安裝于主基板110的高的一方的面上，基臺(tái)100安裝于主基板110的低的一方的面上。
[0157]為了將IClll與基臺(tái)100用Au引線112連接，在IC基板上設(shè)置金凸起113。
[0158]本實(shí)施方式中，金凸起113與金凸起107之間的Au引線112的布線短，可以壓低阻抗。因此，本實(shí)施方式的模塊中，可以實(shí)現(xiàn)高速線路。
[0159][第九實(shí)施方式]
[0160]圖16A是表示本實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖，圖16B是圖16A的剖面線XVIB — XVIB處的剖面圖。如圖16A及B所示，本實(shí)施方式的模塊109包括主基板110、主基板110上的電極116、主基板110上的IC111、IClll上的間隔件118、間隔件118上的基臺(tái)100、和金凸起113、117。金凸起117與基臺(tái)100所具備的金凸起107的露出的切斷面接觸。
[0161]間隔件118被設(shè)于IClll與基臺(tái)100之間。在由間隔件118做出的空間中，IClll上的金凸起113與金凸起117接觸。利用該構(gòu)成，可以將IClll與基臺(tái)100電連接。
[0162]而且，雖然在上述的實(shí)施方式中，通過(guò)在由間隔件形成的空間中設(shè)置2個(gè)金凸起，來(lái)實(shí)現(xiàn)IC111 一基臺(tái)10間的電連接，然而為了獲得電連接，設(shè)置于由間隔件形成的空間中的金凸起的數(shù)目可以是I以上的任意的數(shù)。在間隔件設(shè)置成不使從所布設(shè)的焊盤引出的Au引線112與基臺(tái)100接觸時(shí)，在由間隔件產(chǎn)生的空間中使用任意的數(shù)目的金凸起來(lái)實(shí)現(xiàn)電連接。
[0163][第十實(shí)施方式]
[0164]對(duì)搭載有上述的[第六實(shí)施方式]的密封完畢的半導(dǎo)體元件的模塊的變形說(shuō)明如下。
[0165]圖17A是表示本實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖，圖17B是圖17A的剖面線XVIIB — XVIIB處的剖面圖。如圖17A及B所示，本實(shí)施方式的模塊109包括主基板110、主基板110上的電極116、主基板110上的IC111、主基板110上的密封完畢的半導(dǎo)體元件、連接IClll與密封完畢的半導(dǎo)體元件的Au引線112、和IClll上的金凸起113。
[0166]密封完畢的半導(dǎo)體元件安裝于電極116上。此時(shí)，密封完畢的半導(dǎo)體元件的金凸起106與電極116由導(dǎo)電性粘接劑粘接，而被電連接。
[0167]而且，在圖17所示的結(jié)構(gòu)中，將金凸起106與電極116用導(dǎo)電性粘接劑粘接而獲得電連接。但是，也可以向密封完畢的半導(dǎo)體與電極116之間插入間隔件，通過(guò)在由間隔件118形成的空間中設(shè)置凸起來(lái)實(shí)現(xiàn)電連接。
[0168][第^實(shí)施方式]
[0169]圖18A是表示本實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖，圖18B是圖18A的剖面線XVIIIB — XVIIIB處的剖面圖。如圖18A及B所示，本實(shí)施方式的模塊109包括主基板110、主基板110上的電極116、主基板110上的ICl 11、主基板110上的密封完畢的半導(dǎo)體元件、連接IClll與密封完畢的半導(dǎo)體元件的Au引線112和IClll上的金凸起113。
[0170]主基板110被利用锪平加工附加了階梯，元件搭載面具有高的面和低的面。IClll安裝于主基板110的高的一方的面上，密封完畢的半導(dǎo)體元件安裝于主基板110的低的一方的面上。
[0171]為了將IClll與密封完畢的半導(dǎo)體元件用Au引線112連接，在IClll上設(shè)置金凸起113。由于金凸起106的露出的切斷面作為密封完畢的半導(dǎo)體元件的側(cè)面電極發(fā)揮作用，因此可以將IClll與密封完畢的半導(dǎo)體元件電連接。
[0172][第十二實(shí)施方式]
[0173]圖19A是表示本實(shí)施方式的模塊的構(gòu)成的俯視圖，圖19B是圖19A的剖面線XIXB — XIXB處的剖面圖。如圖19A及B所示，本實(shí)施方式的模塊109包括主基板110、主基板110上的電極116、主基板110上的ICl 11、主基板110上的間隔件118、間隔件118上的密封完畢的半導(dǎo)體元件、和IClll上的金凸起113、金凸起117。
[0174]間隔件118被設(shè)置于主基板110與密封完畢的半導(dǎo)體元件之間，由此，模塊109就會(huì)在IClll與密封完畢的半導(dǎo)體元件之間具有空間。在由間隔件118做出的空間中，構(gòu)成為使IClll上的金凸起113與金凸起117接觸。利用該構(gòu)成，可以將IClll與密封完畢的半導(dǎo)體元件電連接。
[0175]而且，雖然在上述的實(shí)施方式中，通過(guò)采用在由間隔件形成的空間中設(shè)置2個(gè)金凸起的構(gòu)成，來(lái)實(shí)現(xiàn)IClll 一密封完畢的半導(dǎo)體元件間的電連接，然而為了獲得電連接，設(shè)置于由間隔件形成的空間中的金凸起的數(shù)目可以是I以上的任意的數(shù)。
[0176][第十三實(shí)施方式]
[0177]圖20是表示本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的立體圖。如圖20所示，本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件包括半導(dǎo)體元件104、半導(dǎo)體元件104上的多個(gè)金凸起106、和將多個(gè)金凸起106在半導(dǎo)體元件104上密封的樹脂108。
[0178]圖21A是具備本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的模塊俯視圖，圖21B是圖21A的剖面線XXIB - XXIB處的剖面圖。如圖21A及B所示，本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件可以像CSP(Chip Size Package:芯片尺寸封裝)那樣使用焊料121安裝于電路基板122上。也可以取代焊料而使用導(dǎo)電性粘接劑。
[0179]圖22A至C是表示制作本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0180]首先，在未劃片的晶片114的表面電極上形成多個(gè)金凸起106 (圖22A)。如圖22k所示，以在X軸方向及I軸方向上排列在直線上的方式形成金凸起106。
[0181]然后，涂敷樹脂108，將金凸起106在晶片114上密封。在晶片114上均勻地涂敷樹脂108 (圖22B)。在涂敷了樹脂108后，利用加熱或UV固化等使樹脂固化。
[0182]最后，沿著劃片線進(jìn)行劃片，按每個(gè)半導(dǎo)體元件104進(jìn)行單片化。因劃片，使金凸起106的切斷面露出(圖22C)。金凸起106的露出了的面作為密封完畢的半導(dǎo)體元件的側(cè)面電極發(fā)揮作用。圖22C所示的密封完畢的半導(dǎo)體元件具有16個(gè)側(cè)面電極，16個(gè)側(cè)面電極在X方向或I方向被以直線狀排列。
[0183][第十四實(shí)施方式]
[0184]圖23是表示本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成的立體圖。如圖23所示，本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件包括半導(dǎo)體元件104、半導(dǎo)體元件104上的多個(gè)金凸起106、和將多個(gè)金凸起106在半導(dǎo)體元件104上密封的樹脂108。
[0185]圖24A是具備本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的模塊俯視圖，圖24B是圖24A的剖面線XXIVB — XXIVB處的剖面圖。如圖24A及B所示，本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件可以像CSP(Chip Size Package)那樣使用焊料121安裝在電路基板122上。也可以取代焊料而使用導(dǎo)電性粘接劑。
[0186]另外，也可以在利用锪平加工附加了階梯而使元件搭載面具有高的面和低的面的主基板上，安裝本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件。IC安裝于主基板的高的一方的面上，密封完畢的半導(dǎo)體元件安裝于主基板的低的一方的面上。密封完畢的半導(dǎo)體元件的一方的側(cè)面由非導(dǎo)電性粘接劑、焊料、導(dǎo)電性粘接劑等與主基板的低的一方的面固定。在密封完畢的半導(dǎo)體元件的另一方的側(cè)面中露出的金凸起的切斷面與IC由引線連接。
[0187]圖25A至C是表示制作本實(shí)施方式的密封完畢的半導(dǎo)體元件的工序的圖。
[0188]首先，在未劃片的晶片114的表面電極上形成多個(gè)金凸起106 (圖25A)。如圖25A所示，金凸起106被以在y軸方向上排列在直線上的方式形成。
[0189]然后，涂敷樹脂108，將金凸起106在晶片114上密封。在晶片114上均勻地涂敷樹脂108 (圖25B)。在涂敷了樹脂108后，利用加熱或UV固化等使樹脂固化。
[0190]最后，沿著劃片線進(jìn)行劃片，按每個(gè)半導(dǎo)體元件104進(jìn)行單片化。因劃片，使金凸起106的切斷面露出(圖25C)。金凸起106的露出了的面作為密封完畢的半導(dǎo)體元件的側(cè)面電極發(fā)揮作用。圖25C所示的密封完畢的半導(dǎo)體元件具有12個(gè)側(cè)面電極，12個(gè)側(cè)面電極在I方向上被以直線狀排列。
[0191][第十五實(shí)施方式]
[0192]圖28A及B是表示本實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。如圖28B所示，本實(shí)施方式的基臺(tái)200包括基板201、電極203、半導(dǎo)體元件204、Au引線205和金凸起206及207。本實(shí)施方式的基臺(tái)200在基板201中設(shè)置槽213，在槽213內(nèi)搭載半導(dǎo)體元件204，在這一點(diǎn)上與圖9的[第三實(shí)施方式]不同。對(duì)于除了形成槽213這一點(diǎn)以及將半導(dǎo)體元件204直接搭載于基板201上這一點(diǎn)以外的其他的構(gòu)成要素，與[第三實(shí)施方式]相同，因此省略說(shuō)明。
[0193]本實(shí)施方式的槽213如圖28A所示，被沿基板201的朝向y軸的正方向的面上排列的金凸起207的排列方向，即圖28A的X方向以直線狀形成。
[0194]圖28C是表示本實(shí)施方式的其他的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。如圖28C所示，本實(shí)施方式的基臺(tái)300在基板201上形成以與圖28A的槽213相同的方向(X方向)作為長(zhǎng)尺寸方向的矩形的凹坑狀的槽214，在凹坑狀的槽214內(nèi)搭載有半導(dǎo)體元件204。
[0195]圖29A至D是表示本實(shí)施方式的引線鍵合的方法的一例的圖。作為一例，將本實(shí)施方式的引線鍵合的方法表示如下。而且，圖29A表示出進(jìn)行本實(shí)施方式的引線鍵合之前的基板201。
[0196]第一步驟是在基板201上施加锪平(切削)而形成槽213 (圖29B)。第二步驟是將半導(dǎo)體元件204搭載于槽213內(nèi)(圖29C)。第三步驟是利用球形焊接器將Au引線205的金凸起206點(diǎn)焊在半導(dǎo)體元件204的焊盤上，從半導(dǎo)體元件204向基板201上的電極203連接Au引線205 (圖29C)。第四步驟是在電極203上并且在第三步驟中連接的Au引線205上利用球形焊接器點(diǎn)焊金凸起207(圖29D)。利用以上的工序可以進(jìn)行引線鍵合。
[0197]本實(shí)施方式的基臺(tái)200首先利用上述本實(shí)施方式的弓I線鍵合的方法在電極203上形成金凸起207。在電極203上形成金凸起207后，以將金凸起207隱蔽的程度涂敷樹脂208。此后，通過(guò)在利用加熱或UV固化等使所涂敷的樹脂208固化后以使金凸起207的切斷面露出的方式劃片而制作。此處，樹脂208具有能夠耐受引線鍵合的力的硬度。而且，本實(shí)施方式的引線鍵合的方法也可以適用于上述其他的實(shí)施方式。
[0198]利用本實(shí)施方式，與實(shí)施方式3相同，在樹脂固化時(shí)不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體元件204造成損傷。另外，可以減少所涂敷的樹脂的量。而且，作為對(duì)半導(dǎo)體元件造成損傷的原因，可以認(rèn)為是樹脂固化或樹脂因溫度循環(huán)而膨脹或收縮所致的應(yīng)力等。
[0199]進(jìn)而，本實(shí)施方式的基臺(tái)200通過(guò)將半導(dǎo)體元件204搭載于基板201上的槽213中，從而與在基板201中沒(méi)有形成沉孔的基臺(tái)相比，可以減小半導(dǎo)體元件204與基板201表面的距離。由此，引線鍵合會(huì)變短，因此可以實(shí)施更加高速的線路。
[0200][第十六實(shí)施方式]
[0201]圖30是表示本實(shí)施方式的基臺(tái)的構(gòu)成的圖。如圖30所示，可以以將金凸起207隱蔽的方式涂敷樹脂208，進(jìn)而在基板201涂敷其他的樹脂215。本實(shí)施方式的基臺(tái)300在還具備樹脂215的方面與[第十五實(shí)施方式]不同。對(duì)于除去樹脂215以外的其他的構(gòu)成要素，與[第十五實(shí)施方式]相同，因此省略說(shuō)明。
[0202]本實(shí)施方式的基臺(tái)300首先利用實(shí)施方式15的引線鍵合的方法在電極203上形成金凸起207。在電極203上形成金凸起207后，以將金凸起207隱蔽的程度涂敷樹脂208。在樹脂208的涂敷后，在基板201上涂敷樹脂215。此后，通過(guò)在利用加熱或UV固化等使所涂敷的樹脂215固化后以使金凸起207的切斷面露出的方式劃片而制作。此處，樹脂208具有能夠耐受引線鍵合的力的硬度，樹脂215具有比樹脂208的硬度柔軟的硬度。
[0203]如果樹脂的硬度過(guò)大，則半導(dǎo)體元件204有可能受損。但是，本實(shí)施方式中，在用硬的樹脂208保護(hù)金凸起207的同時(shí)，用柔軟的樹脂215保護(hù)半導(dǎo)體元件204，因此可以防止半導(dǎo)體元件204受損。
[0204]作為上述的全部的實(shí)施方式中的半導(dǎo)體元件，可以舉出激光二極管這樣的光元件或驅(qū)動(dòng)器IC等。
[0205]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0206]100、200、300、400:基臺(tái)
[0207]101、201:基板
[0208]102、103、116、203:電極
[0209]104、204:半導(dǎo)體元件
[0210]105、112、205:Au 引線
[0211]106、107、113、117、207:金凸起
[0212]108、115、208、215:樹脂
[0213]109:模塊
[0214]110:主基板
[0215]111:IC
[0216]114:晶片
[0217]118:間隔件
[0218]120:電連接
[0219]121:焊料
[0220]122:電路基板
[0221]123:凸起
[0222]213、214:槽
【權(quán)利要求】
1.一種基臺(tái)，具備基板、所述基板上的電極、所述基板上的半導(dǎo)體元件、將所述半導(dǎo)體元件與所述電極連接的引線、以及在所述電極上并且在所述引線上的I個(gè)或多個(gè)凸起，所述基臺(tái)的特征在于， 所述電極、所述半導(dǎo)體元件、所述引線和所述I個(gè)或多個(gè)凸起在所述基板上由樹脂密封， 所述I個(gè)或多個(gè)凸起具有切斷面， 所述切斷面在所述基臺(tái)的表面露出， 所述切斷面是所述基臺(tái)的電極。
2.一種基臺(tái)，具備基板、所述基板上的電極、所述基板上的半導(dǎo)體元件、將所述半導(dǎo)體元件與所述電極連接的引線、以及在所述電極上并且在所述引線上的凸起，所述基臺(tái)的特征在于， 所述凸起在所述基板上由未被均勻地涂敷的第一樹脂密封， 所述凸起具有露出的切斷面， 所述露出的切斷面是基臺(tái)的電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基臺(tái)，其特征在于， 還具備將所述電極、所述半導(dǎo)體元件、所述引線、所述凸起和所述第一樹脂密封的第二樹脂， 所述第一樹脂比所述第二樹脂硬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的基臺(tái)，其特征在于， 在所述基板上形成槽，將所述半導(dǎo)體元件搭載于所述槽內(nèi)。
5.一種模塊，具備主基板、所述主基板上的1C、所述主基板上的電極、將所述IC及所述電極連接的引線、以及所述主基板上的電極上的權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的基臺(tái)，所述模塊的特征在于， 所述基臺(tái)的凸起的露出的切斷面與所述主基板上的電極由導(dǎo)電性粘接劑粘接。
6.一種模塊，具備主基板、所述主基板上的1C、所述主基板上的權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的基臺(tái)，所述模塊的特征在于， 所述主基板具有高的面和低的面作為元件搭載面， 所述IC安裝于所述高的面上，所述基臺(tái)安裝于所述低的面上， 所述模塊還具備用于將所述IC與所述基臺(tái)進(jìn)行引線鍵合的引線。
7.一種模塊，具備主基板、所述主基板上的1C、所述IC上的間隔件、以及所述間隔件上的權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的基臺(tái)，所述模塊的特征在于， 利用設(shè)置于由所述間隔件做出的空間中的I個(gè)或多個(gè)凸起，實(shí)現(xiàn)所述IC與所述基臺(tái)所具備的凸起之間的電連接。
8.—種密封完畢的半導(dǎo)體元件，具備半導(dǎo)體元件和所述半導(dǎo)體元件上的凸起，所述密封完畢的半導(dǎo)體元件的特征在于， 所述凸起在所述半導(dǎo)體元件上由樹脂密封， 所述凸起具有露出的切斷面， 所述露出的切斷面是密封完畢的半導(dǎo)體元件的電極。
9.一種密封完畢的半導(dǎo)體元件，具備半導(dǎo)體元件和所述半導(dǎo)體元件上的凸起，所述密封完畢的半導(dǎo)體元件的特征在于， 所述凸起在所述半導(dǎo)體元件上由僅在所述凸起的周圍涂敷的第一樹脂密封， 所述凸起具有露出的切斷面， 所述露出的切斷面是密封完畢的半導(dǎo)體元件的電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的密封完畢的半導(dǎo)體元件，其特征在于， 還具備將所述半導(dǎo)體元件、所述凸起和所述第一樹脂密封的第二樹脂， 所述第一樹脂比所述第二樹脂硬。
11.一種模塊，具備主基板、所述主基板上的1C、所述主基板上的電極、將所述IC與所述電極連接的引線、以及所述主基板上的電極上的權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的密封完畢的半導(dǎo)體元件，所述模塊的特征在于， 所述密封完畢的半導(dǎo)體元件的凸起的露出的切斷面與所述主基板上的電極由導(dǎo)電性粘接劑粘接。
12.—種模塊，具備主基板、所述主基板上的IC和所述主基板上的權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的密封完畢的半導(dǎo)體元件，所述模塊的特征在于， 所述主基板具有高的面和低的面作為元件搭載面， 所述IC安裝于所述高的面上，所述密封完畢的半導(dǎo)體元件安裝于所述低的面上， 所述模塊還具備: 用于將所述IC與所述密封完畢的半導(dǎo)體元件進(jìn)行引線鍵合的引線；以及 在所述密封完畢的半導(dǎo)體元件所具備的凸起上并且在所述引線上的凸起。
13.一種模塊，具備主基板、所述主基板上的1C、所述主基板上的間隔件和所述間隔件上的權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的密封完畢的半導(dǎo)體元件，所述模塊的特征在于， 利用設(shè)置于由所述間隔件做出的空間中的I個(gè)或多個(gè)凸起，實(shí)現(xiàn)所述IC與所述密封完畢的半導(dǎo)體元件所具備的凸起之間的電連接。
14.一種模塊,具備電路基板和權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的密封完畢的半導(dǎo)體兀件，所述模塊的特征在于， 所述電路基板與所述密封完畢的半導(dǎo)體元件通過(guò)焊接在所述密封完畢的半導(dǎo)體元件的凸起的露出的切斷面上而被電連接。
15.一種制作基臺(tái)的方法，其特征在于，具備: 將半導(dǎo)體元件和電極在基板上利用使用了引線的引線鍵合來(lái)連接的步驟； 在所述電極上并且在所述引線上利用球焊形成I個(gè)或多個(gè)凸起的步驟； 將所述半導(dǎo)體元件、所述電極、所述引線和所述凸起在所述基板上利用樹脂進(jìn)行密封的步驟； 使所述樹脂固化的步驟；以及 將所述基板、所述電極、所述I個(gè)或多個(gè)凸起、以及所述樹脂沿著劃片線進(jìn)行劃片的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制作基臺(tái)的方法，其特征在于，還具備: 在所述基板上形成槽并將所述半導(dǎo)體元件搭載于所述槽內(nèi)的步驟。
17.一種制作密封完畢的半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，具備: 在晶片上利用球焊形成凸起的步驟；將所述凸起在所述晶片上利用樹脂進(jìn)行密封的步驟；使所述樹脂固化的步驟；以及將所述晶片、所述凸起和所述樹脂沿著劃片線進(jìn)行劃片的步驟。
【文檔編號(hào)】H01L25/065GK104380460SQ201380030921
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2013年7月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月13日
【發(fā)明者】宋學(xué)良, 佐藤望, 管野元太, 牧野瑤子 申請(qǐng)人:先端光子公司