覆晶接合器以及覆晶接合方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可縮短接合時間而又不降低接合質量的覆晶接合器。此覆晶接合器包括：吸附反轉夾套(30)，使半導體芯片(20)反轉；以及接合工具(50)，自吸附反轉夾套(30)接收已由吸附反轉夾套(30)反轉的半導體芯片(20)并將此半導體芯片接合于電路基板(65)；且吸附反轉夾套(30)在內部具有使冷卻空氣流通來對吸附反轉夾套(30)進行冷卻的冷卻流路。
【專利說明】覆晶接合器以及覆晶接合方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種覆晶接合器的構造、以及使用覆晶接合器的覆晶接合方法。

【背景技術】
[0002]作為將半導體芯片封裝在電路基板的方法而廣泛采用覆晶接合，即在半導體芯片形成稱作凸塊(bump)的突起電極，并將半導體芯片直接連接于電路基板。覆晶接合是對半導體芯片的電路面利用焊料等材料形成多個凸塊(突起電極)，并通過加熱熔融將此凸塊接合于電路基板上所形成的多個電極，由此將半導體芯片與電路基板接合，與現有的引線接合(wire bonding)連接方式相比,具有可減小封裝面積,而且電氣特性良好,不需要模鑄密封等優(yōu)點。
[0003]在覆晶接合中，為確保半導體芯片與電路基板的接合部的連接可靠性，而必須藉由底填充(under fill)等對半導體芯片與電路基板之間的空隙進行樹脂密封，但若使用底填充則有液狀樹脂的填充耗費時間等問題，而且在近年來的半導體芯片與電路基板之間的間隙越來越窄的現狀下，也有難以注入液狀樹脂的問題。因此，提出如下接合方法:預先在半導體芯片的表面貼附絕緣樹脂膜(非導電膜(non-conductive film, NCF))，在將半導體芯片與電路基板接合的同時使樹脂熔融、硬化，由此對半導體芯片與電路基板之間進行樹脂密封。
[0004]此方法中，預先將絕緣樹脂膜(NCF)貼附于半導體芯片的表面，將絕緣樹脂膜(NCF)與半導體芯片一同吸附于保持構件而進行拾取(pick up)之后，使保持構件旋轉而以絕緣樹脂膜(NCF)的面成為下側的方式使半導體芯片反轉，且使接合工具接觸于半導體芯片的貼附有絕緣樹脂膜(NCF)的面的相反側的面來使半導體芯片吸附于接合工具，并將半導體芯片自保持構件交付至接合工具。因此，在交付半導體芯片時，半導體芯片的貼附有絕緣樹脂膜(NCF)的面成為接觸于保持構件的上側的面的狀態(tài)，交付至接合工具的半導體芯片的絕緣樹脂膜(NCF)的面成為下側(電路基板側)。其后，若藉由接合工具將半導體芯片按壓于電路基板，并且使接合工具的溫度上升至凸塊的熔融溫度(300°C左右)為止，則在凸塊熔融的同時絕緣樹脂膜(NCF)熔融并進入至半導體芯片與電路基板之間。然后，若使接合工具上升，則凸塊與絕緣樹脂膜(NCF)的溫度降低而使得熔融的凸塊的金屬與熔融的樹脂硬化，從而結束半導體芯片向電路基板的接合。
[0005]在接合結束時接合工具成為300°C左右的高溫，因此若在此狀態(tài)下自保持構件接收下一半導體芯片，則在高溫的接合工具接觸于半導體芯片時，貼附在半導體芯片表面(保持構件側的面)的絕緣樹脂膜(NCF)被加熱、熔融而附著在保持構件表面。因此，必須在暫時將高溫狀態(tài)的接合工具冷卻至絕緣樹脂膜(NCF)的熔融溫度以下(例如50°C左右)之后自保持構件接收下一半導體芯片，且在再次使接合工具的溫度上升之后進行接合。然而，接合工具的冷卻大多是使用常溫(25?30°C左右)的空氣來進行的，為將300°C左右的高溫狀態(tài)的接合工具冷卻至50°C左右而會耗費時間，從而有整體的接合時間變長的問題。
[0006]由此，提出如下方法:在不使保持構件與接合工具接觸的狀態(tài)下，即在隔斷自接合工具向保持構件傳遞熱的狀態(tài)下，藉由將半導體芯片吸引于接合工具的表面來將半導體芯片自保持構件交付至接合工具，且藉由不對接合工具進行冷卻而持續(xù)進行接合來縮短接合時間(例如，參照專利文獻I)。
[0007]現有技術文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本專利特開2012-174861號公報


【發(fā)明內容】

[0010]發(fā)明解決的課題
[0011]此外，覆晶接合中，為一次接合多個電極而必須將半導體芯片與電路基板的相對位置準確地對準。然而，如專利文獻I記載的現有技術那樣，在與保持構件空開間隙的狀態(tài)下使半導體芯片吸附于接合工具的情形時，半導體芯片在暫時浮游于空中之后吸附于接合工具的表面，因此有半導體芯片的位置、方向大幅偏移而接合質量降低的問題。
[0012]由此，本發(fā)明的目的在于提供一種可縮短接合時間而又不降低接合質量的覆晶接合器。
[0013]解決課題的技術手段
[0014]本發(fā)明的覆晶接合器的特征在于包括:反轉機構，使半導體芯片反轉；接合工具，自反轉機構接收已由反轉機構反轉的半導體芯片并將上述半導體芯片接合于基板；以及冷卻機構，對反轉機構進行冷卻。
[0015]本發(fā)明的覆晶接合器中亦較佳為:反轉機構包括保持已反轉的半導體芯片的保持構件，冷卻機構在接合工具接收半導體芯片之前預先將保持構件的溫度冷卻至規(guī)定的溫度為止。
[0016]本發(fā)明的覆晶接合器中亦較佳為，保持構件的熱容大于接合工具的熱容。
[0017]本發(fā)明的覆晶接合器中，保持構件較佳為在吸附并反轉半導體芯片的狀態(tài)下將其交付至接合工具的吸附反轉夾套(collet)，保持構件亦較佳為使半導體芯片在反轉的狀態(tài)下移動，且將半導體芯片在反轉的狀態(tài)下交付至接合工具的移送平臺。
[0018]本發(fā)明的覆晶接合器中亦較佳為，冷卻機構對保持構件的內表面或外表面進行冷卻。
[0019]本發(fā)明的覆晶接合器中亦較佳為，冷卻機構包括:基體部；以及冷卻構件，包含接地板及散熱構件，上述接地板具有保持構件的表面接地的接地面，上述散熱構件安裝在上述接地板；且冷卻構件藉由仿照保持構件的表面的方向的方式而可以改變接地面的方向的支撐機構而支撐在基體部。
[0020]本發(fā)明的覆晶接合器中亦較佳為，冷卻構件的熱容大于保持構件的熱容，散熱構件較佳為安裝在接地板的接地面的相反側的面，散熱構件為散熱片(fin)，且較佳為包括對散熱片進行冷卻的冷卻風扇。
[0021]本發(fā)明的覆晶接合器中較佳為，支撐機構以繞沿接地面的第一軸、及沿接地面且與第一軸正交的第二軸這2個軸旋轉自如的方式將接地板支撐于基體部，且較佳為上述覆晶接合器包括冷卻噴嘴，上述冷卻噴嘴設置在基體部，對表面接地于接地面的保持構件噴出冷卻空氣，接地板的接地面較佳為在保持構件的表面接地時，自保持構件向接地板產生熱傳導。
[0022]本發(fā)明的覆晶接合方法的特征在于，其包括準備覆晶接合器的步驟，上述覆晶接合器包括:反轉機構，使半導體芯片反轉；接合工具，自反轉機構接收已由反轉機構反轉的半導體芯片并將上述半導體芯片接合于基板；以及冷卻機構，對反轉機構進行冷卻；以及冷卻步驟，在接合工具接收半導體芯片之前預先藉由冷卻機構將保持構件的溫度冷卻至規(guī)定的溫度。
[0023]發(fā)明的效果
[0024]本發(fā)明發(fā)揮可提供能縮短接合時間而又不降低接合質量的覆晶接合器的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025][圖1]表示本發(fā)明的實施方式的覆晶接合器的構成的立視圖。
[0026][圖2]是圖1所示的覆晶接合器的吸附反轉夾套的剖面圖。
[0027][圖3]是表示利用本發(fā)明的實施方式的覆晶接合器的接合步驟的流程圖。
[0028][圖4]是表示利用本發(fā)明的覆晶接合器的接合步驟中的接合工具的溫度與吸附反轉夾套的溫度變化的曲線圖。
[0029][圖5]是表示利用現有技術的覆晶接合器的接合步驟中的接合工具的溫度與吸附反轉夾套的溫度變化的曲線圖。
[0030][圖6]是表示利用本發(fā)明的覆晶接合器的接合工具的半導體芯片接收溫度相對于吸附反轉夾套的冷卻溫度的關系的曲線圖。
[0031][圖7]是表示利用本發(fā)明的覆晶接合器的吸附反轉夾套、半導體芯片及接合工具的大小的立視圖。
[0032][圖8]是表示本發(fā)明的另一實施方式的覆晶接合器的構成的立視圖。
[0033][圖9]是表示圖8所示的覆晶接合器的冷卻平臺的構成的立體圖。
[0034][圖10]是圖8所示的覆晶接合器的冷卻平臺的剖面圖。
[0035][圖11]是圖8所示的覆晶接合器的冷卻平臺的俯視圖。
[0036][圖12]是表示利用本發(fā)明的另一實施方式的覆晶接合器的接合步驟的流程圖。
[0037][圖13]是表示利用本發(fā)明的另一實施方式的覆晶接合器的接合步驟的流程圖。
[0038][圖14]是表示利用本發(fā)明的另一實施方式的覆晶接合器的接合步驟的流程圖。
[0039][圖15]是表示圖8所示的覆晶接合器的另一冷卻平臺的構成的剖面圖。
[0040][圖16]是表示圖8所示的覆晶接合器的另一冷卻平臺的構成的俯視圖。
[0041][圖17]是表示本發(fā)明的又一實施方式的覆晶接合器的構成的立視圖。
[0042][圖18]是圖17所示的覆晶接合器的移送平臺的剖面圖。
[0043][圖19]是表示利用本發(fā)明的又一實施方式的覆晶接合器的接合步驟的流程圖。
[0044][圖20]是表示利用本發(fā)明的又一實施方式的覆晶接合器的接合步驟的流程圖。
[0045][圖21]是表示本發(fā)明的又一實施方式的覆晶接合器的構成的立視圖。

【具體實施方式】
[0046]以下，參照圖式對本發(fā)明的實施方式進行說明。如圖1所示那樣，本實施方式的覆晶接合器101是在拾取表面22上貼附有絕緣樹脂膜(NCF) 21的半導體芯片20并使其反轉之后，將此半導體芯片20封裝(接合)在接合平臺60上的電路基板65上。本實施方式的覆晶接合器101包括:拾取平臺10，在上表面11保持半導體芯片20 ;吸附反轉夾套30，作為反轉機構，自拾取平臺10的上表面11吸附拾取半導體芯片20，并使拾取的半導體芯片20反轉；以及接合工具50，自吸附反轉夾套30接收已反轉的半導體芯片20，并將此半導體芯片20接合于吸附固定在接合平臺60上的電路基板65。
[0047]吸附反轉夾套30包括:夾套主體31，作為保持構件，具有吸附半導體芯片20的吸附面32 ;以及旋轉移動軸33，安裝有吸附面32的相反側的夾套主體31的端部。旋轉移動軸33藉由未圖示的旋轉移動機構而在上下左右方向移動、以及繞中心軸旋轉。吸附反轉夾套30構成為藉由旋轉移動機構而使旋轉移動軸33可在上下左右移動或旋轉，藉此使夾套主體31在上下左右移動并且繞旋轉移動軸33旋轉。
[0048]如圖2所示那樣，旋轉移動軸33設置有:圓筒狀的冷卻空氣流路34，在上述旋轉移動軸33的內部沿旋轉移動軸33的軸方向伸展；以及冷卻空氣噴嘴35，自冷卻空氣流路34向旋轉移動軸33的半徑方向伸展，在夾套主體31設置有:第一冷卻空氣流路37，與冷卻空氣噴嘴35連通，自旋轉移動軸33向夾套主體31的吸附面32伸展；以及第二冷卻空氣流路38，與第一冷卻空氣流路37連通，且在沿吸附面32的方向伸展。如圖2所示那樣，流入至旋轉移動軸33內部的冷卻空氣流路34的冷卻空氣，自冷卻空氣噴嘴35通過第一冷卻空氣流路37、第二冷卻空氣流路38流出至夾套主體31外部，藉此對夾套主體31進行冷卻。本實施方式中，對藉由冷卻空氣冷卻夾套主體31的情況進行說明，但冷卻媒體并不限定于空氣，亦可使用水等液體。冷卻空氣流路34、冷卻空氣噴嘴35、第一冷卻空氣流路37、第二冷卻空氣流路38構成冷卻機構。
[0049]如圖1所示那樣，接合工具50安裝在接合頭40，藉由接合頭40而沿水平、垂直方向移動。又，接合工具50包括吸附半導體芯片20的前端的吸附面51 (圖1中的下側面)，在內部內置有未圖示的脈沖加熱器，此脈沖加熱器可將半導體芯片20加熱至可使形成在半導體芯片20的凸塊熔融的溫度(300°C?350°C )。
[0050]以下，參照圖3、圖4對藉由本實施方式的覆晶接合器101將半導體芯片20接合在電路基板65的步驟進行說明。再者，圖4中為與其后不對吸附反轉夾套30的夾套主體31進行冷卻的現有的覆晶接合器的接合步驟進行對比，利用虛線a記載藉由現有的覆晶接合器進行覆晶接合時的接合工具50的溫度TB的變化，且將其接合周期的時刻記載為時刻til?時刻tl6。現有技術的覆晶接合器與本實施方式的覆晶接合器101的對比說明，將于參照圖5對現有技術的覆晶接合器的接合步驟進行說明之后進行。
[0051]如圖3(a)所示那樣，在拾取平臺10的上表面11保持對晶圓進行切割而得的半導體芯片20。在半導體芯片20的接合面(圖3中的上側面)形成有未圖示的凸塊，并且貼附有絕緣樹脂膜(NCF)21。首先，如圖3(a)的箭頭81所示那樣，吸附反轉夾套30下降至欲拾取的半導體芯片20的接合面。如參照圖2所說明那樣，吸附反轉夾套30由流過旋轉移動軸33的冷卻空氣流路34、冷卻空氣噴嘴35、第一冷卻空氣流路37、第二冷卻空氣流路38的冷卻空氣冷卻，因此吸附反轉夾套30的夾套主體31的溫度TC，成為圖4(b)所示的初始狀態(tài)的溫度TCl (例如30°C左右)。
[0052]如圖3 (b)所示那樣，吸附反轉夾套30向半導體芯片20下降，當夾套主體31前端的吸附面32接觸于半導體芯片20的接合面上所貼附的絕緣樹脂膜(NCF) 21時，絕緣樹脂膜(NCF) 21吸附在夾套主體31的吸附面32。此時，夾套主體31的溫度TC成為較絕緣樹脂膜(NCF) 21的熔融溫度(60°C?70°C )低的溫度TCl (例如30°C左右)，因此即便絕緣樹脂膜(NCF) 21吸附在吸附面32，絕緣樹脂膜(NCF) 21亦會成為不熔融的狀態(tài)。
[0053]如圖3(c)所示那樣，若使吸附反轉夾套30如箭頭82那樣上升，則自拾取平臺10的上表面11 一同拾取絕緣樹脂膜(NCF) 21與半導體芯片20。
[0054]如圖3(d)所示那樣，藉由在拾取半導體芯片20之后，使吸附反轉夾套30的旋轉移動軸33沿圖3(d)的箭頭83的方向旋轉180度，而使朝向下側的夾套主體31的吸附面32朝上，以使半導體芯片20的表面22 (貼附有絕緣樹脂膜(NCF) 21的接合面的相反側的面)在圖3(d)中成為上方的方式使半導體芯片20反轉。
[0055]如圖3 (e)所示那樣，在將吸附反轉夾套30的吸附面32保持為上方來保持半導體芯片20的狀態(tài)下，使吸附反轉夾套30移動至向接合工具50交付半導體芯片20的交付位置為止。吸附反轉夾套30移動至半導體芯片20的交付位置之后，接合頭40在圖4(b)所示的時刻tl使接合工具50的前端的吸附面51接觸于半導體芯片20的表面22 (貼附有絕緣樹脂膜(NCF) 21的接合面的相反側的面)。然后，停止利用吸附反轉夾套30吸引保持半導體芯片20，且開始利用接合工具50吸附半導體芯片20，藉此將半導體芯片20自吸附反轉夾套30的吸附面32交付至接合工具50的吸附面51。
[0056]圖4(b)所示的時刻tl下的接合工具50的溫度TB如圖4(a)的實線A所示那樣成為溫度TB2。溫度TB2為較吸附反轉夾套30的夾套主體31的初始溫度TCl (30°C左右)高，例如100°C左右的溫度。而且，若在時刻tl接合工具50的前端的吸附面51接觸于半導體芯片20的表面22 (貼附有絕緣樹脂膜(NCF) 21的接合面的相反側的面)，則熱自高溫的接合工具50經由半導體芯片20移動至吸附反轉夾套30，從而夾套主體31的溫度自初始溫度即溫度TC1(30°C左右)開始急速上升。在將半導體芯片20自吸附反轉夾套30的吸附面32交付至接合工具50的吸附面51為止的極短的時間(例如0.1秒?0.2秒)的期間，夾套主體31的溫度如圖4(b)所示那樣上升至溫度TC2(50°C左右)。此溫度TC2(50°C左右)為較絕緣樹脂膜(NCF) 21的熔融溫度(60°C?70°C )低的溫度，因此在將半導體芯片20自吸附反轉夾套30的吸附面32交付至接合工具50的吸附面51的期間絕緣樹脂膜(NCF)不熔融，從而不會在夾套主體31的吸附面32上熔融而附著樹脂。
[0057]接合工具50在圖4 (a)所示的時刻tl自吸附反轉夾套30接收到半導體芯片20之后，接合頭40如圖3(f)所示那樣使接合工具50上升，如圖3(g)所示那樣，在圖4(a)所示的時刻tlOl將半導體芯片20按壓在吸附固定于接合平臺60上的電路基板65上的規(guī)定位置。然后，接合工具50在自圖4(a)的時刻tlOl至時刻tl02的期間，藉由內置的脈沖加熱器而使其溫度上升至可將形成在半導體芯片20上的凸塊熔融的溫度(300°C?350°C )。其后，在自圖4 (a)所示的時刻1102至時刻1103的期間，接合頭40藉由高溫(300 V?350 V )狀態(tài)的接合工具50而對半導體芯片20與絕緣樹脂膜(NCF) 21進行加熱、按壓，而使形成在半導體芯片20上的凸塊以及絕緣樹脂膜(NCF) 21熔融。其后，接合頭40停止接合工具50對半導體芯片20的吸附，并且使內置在接合工具50中的脈沖加熱器停止，并使接合工具50上升。此時，本實施方式的覆晶接合器101中，藉由未圖標的冷卻裝置對接合工具50進行冷卻。如此一來，自圖4(a)所示的時刻tl03起接合工具50的溫度TB開始降低，并在圖4(b)所示的時刻t2成為初始溫度即溫度TB2(100°C左右)。
[0058]另一方面，吸附反轉夾套30的夾套主體31如參照圖2所說明那樣，由流過旋轉移動軸33的冷卻空氣流路34、冷卻空氣噴嘴35、第一冷卻空氣流路37、第二冷卻空氣流路38的冷卻空氣冷卻，因此若在圖4(b)所示的時刻tl將半導體芯片20交付至接合工具50，且如圖3(f)所示那樣接合工具50離開夾套主體31而不自接合工具50導入熱，則如圖4(b)的線D所示那樣此夾套主體31的溫度降低。而且，夾套主體31的溫度TC在圖4(b)所示的時刻t2降低至初始溫度即溫度TCl (30°C左右)。
[0059]以下，重復如下步驟而將多個半導體芯片20依序接合在電路基板65上，此步驟是藉由降低至初始溫度TCl (30°C左右)的吸附反轉夾套30拾取半導體芯片20并使其反轉，而將半導體芯片20交付至初始溫度為溫度TBl (100°C左右)的接合工具50來進行接合。
[0060]其次，參照圖5對藉由不對吸附反轉夾套30的夾套主體31進行冷卻的現有的覆晶接合器進行覆晶接合時的接合工具50與吸附反轉夾套30的夾套主體31的溫度TC的變化進行說明。
[0061]如圖5所示那樣，在不對吸附反轉夾套30的夾套主體31進行冷卻的現有的覆晶接合器的情形時，如圖5 (a)所示那樣，在初始狀態(tài)下，接合工具50被冷卻至溫度TB為較絕緣樹脂膜(NCF)21的熔融溫度(60°C?70°C )低的溫度TBl (50°C左右)。另一方面，在初始狀態(tài)下，吸附反轉夾套30的夾套主體31的溫度TC，如圖5(b)所示那樣成為與室溫同程度的溫度TC1(30°C左右)。而且，在圖5所示的時間tll，如圖3(e)所示那樣，接合工具50接觸于吸附反轉夾套30的夾套主體31的吸附面32上所吸附的半導體芯片20，在自吸附反轉夾套30接收半導體芯片20時，夾套主體31的溫度TC藉由接合工具50的初始溫度TB1(50°C左右)與夾套主體31的初始溫度TCl (30°C左右)的溫度差而略有上升。在不對夾套主體31進行冷卻的現有的覆晶接合器中，使接合工具50的溫度TB為較本實施方式的覆晶接合器101的情形時的溫度TB2(100°C左右)低的溫度TB1(50°C左右)，來將半導體芯片20自吸附反轉夾套30交付至接合工具50，因此此時的溫度上升遠小于參照圖4(a)、圖4(b)所說明的本實施方式的覆晶接合器101的情形。
[0062]現有技術的覆晶接合器中，在圖5(b)所示的時間till使接合工具50接地于電路基板65，在自時間till至tll2的期間使接合工具50的溫度TB上升至可將形成在半導體芯片20上的凸塊熔融的溫度(300°C?350°C)，其后，在自圖5(a)所示的時刻1112至時刻tll3的期間，藉由高溫(300°C?350°C )狀態(tài)的接合工具50對半導體芯片20與絕緣樹脂膜(NCF) 21進行加熱、按壓，而使形成在半導體芯片20上的凸塊以及絕緣樹脂膜(NCF)21熔融。其后，接合頭40停止接合工具50對半導體芯片20的吸附，并且使內置在接合工具50中的脈沖加熱器停止，且使接合工具50上升。此時現有技術的覆晶接合器亦藉由未圖標的冷卻裝置對接合工具50進行冷卻。如此一來，自圖5(a)的時刻tll3起接合工具50的溫度TB開始降低，并在圖5 (b)所示的時刻tl2成為初始溫度即溫度TBl (50°C左右)的溫度。
[0063]另一方面，現有技術的覆晶接合器中，不對吸附反轉夾套30的夾套主體31進行冷卻，因此即便在圖5(b)所示的時刻tll結束半導體芯片20自吸附反轉夾套30向接合工具50的交付，夾套主體31的溫度亦幾乎不降低，維持較初始溫度TCl (30°C左右)略高的溫度。因此，如圖5(b)所示的單點劃線b所示那樣，在時刻tl2?tl8每當自吸附反轉夾套30向接合工具50交付半導體芯片20時，夾套主體31的溫度均會稍許上升，最終成為溫度TC3。溫度TC3為與接合工具50接收半導體芯片20時的溫度即溫度TBl (50°C左右)相同的溫度。
[0064]因此，不對夾套主體31進行冷卻的現有技術的覆晶接合器中，接合工具50的半導體接收溫度必須使接合工具50的溫度自接合時的300°C?350°C降低至溫度TBl (50°C左右)。但是，通常接合工具50的冷卻是藉由噴出室溫(25°C?30°C左右)的空氣來進行的，因此在降低至溫度TBl (50°C左右)的冷卻時間與如本實施方式的覆晶接合器那樣降低至溫度TB2(100°C左右)的冷卻時間之間呈現大差距。
[0065]其次，參照圖4(a)，對不冷卻夾套主體31的現有技術的覆晶接合器與本實施方式的覆晶接合器101的接合步驟的差異進行說明。
[0066]如圖4(a)的點線a所示那樣，在現有技術的覆晶接合器中，使接合工具50的溫度自TB3(300°C?350°C )降低至TBl (50°C左右)的時間(圖4所示的時刻tl03與時刻tl2之間)、與本實施方式的覆晶接合器101中使接合工具50的溫度自溫度TB3(300°C?3500C )降低至TB2 (100°C左右)的時間(圖4所示的時刻tl03與時刻t2之間)的時間差Λ t為4秒?5秒左右。藉由現有技術的覆晶接合器拾取半導體芯片20至進行接合并完成接合工具50的冷卻為止的周期時間(圖4所示的時刻tll與tl2之間)為14秒?15秒左右，因此在本實施方式的覆晶接合器101中，在已對夾套主體31進行冷卻的情形時，可將覆晶接合的周期時間(圖4所示的時刻tl與時刻t2之間)自14秒?15秒縮短至10秒左右而縮短至約2/3。又，本實施方式的覆晶接合器101中，在使接合工具50接觸于吸附保持在吸附反轉夾套30的吸附面32上的半導體芯片20之后，松開吸附反轉夾套30對半導體芯片20的吸附保持而將半導體芯片20交付至接合工具50，因此可抑制如專利文獻I記載的現有技術的覆晶接合器那樣在交付半導體芯片20時半導體芯片20的位置大幅偏移，從而可維持接合質量。
[0067]S卩，在本實施方式的覆晶接合器101中，藉由對吸附反轉夾套30的夾套主體31進行冷卻，而可使接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2較現有技術高，且可縮短接合后的接合工具50的冷卻時間，因此可大幅縮短覆晶接合的周期時間。
[0068]如以上所說明那樣，本實施方式的覆晶接合器101發(fā)揮可縮短接合時間而又不降低接合質量的效果。
[0069]下面，參照圖6、圖7，對接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2 (以圖4 (a)的線A所示的接合工具50的冷卻后的溫度TB2)相對于吸附反轉夾套30的夾套主體31的冷卻溫度TCl (以圖4(b)的線D所示的夾套主體31的冷卻后的溫度TCl)的關系更詳細地進行說明。
[0070]如圖4(b)的曲線D所示那樣，夾套主體31的溫度上升是因如圖7(a)、圖7(b)所示那樣，熱自溫度TB2的高溫的接合工具50向溫度TCl的低溫的夾套主體31移動而產生。圖7(a)、圖7(b)中，空心箭頭表示熱移動的方向，其寬度表示熱移動量的大小。而且，若溫度上升后的夾套主體31的溫度TC2接近于絕緣樹脂膜(NCF) 21的熔融溫度(60°C?70°C )，則與夾套主體31的吸附面32接觸的絕緣樹脂膜(NCF) 21產生軟化、熔融，因熔融而使樹脂附著在夾套主體31的吸附面32上。因此，溫度上升后的夾套主體31的溫度TC2，必須為絕緣樹脂膜(NCF) 21不產生軟化、熔融的50°C左右的溫度。另一方面，為縮短覆晶接合的周期時間，較好為而使交付半導體芯片20時的接合工具50的溫度TB2盡可能高。
[0071]由此，夾套主體31的冷卻溫度TCl與接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2，例如亦可藉由圖6的曲線圖來選定。圖6的線e為如下的線:如圖7(a)所記載那樣，在交付的半導體芯片20的寬度大至Dl，從而在交付半導體芯片20時自接合工具50移動至夾套主體31的熱量大，且夾套主體31的溫度TC易于上升的情形時，規(guī)定接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2相對于使夾套主體31的溫度TC2為50°C以下的夾套主體31的冷卻溫度TCl的關系，圖6的線f為如下的線:如圖7(b)所記載那樣，在交付的半導體芯片20的寬度小至D2，從而在交付半導體芯片20時自接合工具50移動至夾套主體31的熱量小，且夾套主體31的溫度TC難以上升的情形時，規(guī)定接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2相對于使夾套主體31的溫度TC2為50°C以下的夾套主體31的冷卻溫度TCl的關系。
[0072]在未對夾套主體31進行冷卻的情形時，如在現有技術的覆晶接合中所說明那樣，接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2為50°C (圖6的點g)。此在半導體芯片20的寬度大的情形及小的情形均相同。
[0073]在對夾套主體31進行冷卻的情形時，如圖6的線e所示那樣在半導體芯片20的寬度大的情形時，當夾套主體31的冷卻溫度TCl例如為30°C時，即便在將接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2提高至100°C的情形時，夾套主體的溫度上升亦成為50°C以下。進而，在藉由溫度低的制冷劑對夾套主體31進行冷卻，而使夾套主體31的溫度降低至10°C左右的情形時，即便在將接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2提高至100°C的情形時，夾套主體的溫度上升亦成為50°C以下。
[0074]又，在對夾套主體31進行冷卻的情形時，如圖6的線f所示那樣在半導體芯片20的寬度小的情形時，當夾套主體31的冷卻溫度TCl例如為30°C時，即便在將接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2提高至150°C的情形時，夾套主體的溫度上升亦成為50°C以下。進而，在藉由溫度低的制冷劑對夾套主體31進行冷卻，而使夾套主體31的溫度降低至10°C左右的情形時，即便在將接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2提高至250°C的情形時，夾套主體的溫度上升亦成為50°C以下。
[0075]即，使夾套主體31的冷卻溫度TCl越低，則越可提高接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2，從而可使接合的周期時間更短。又，若交付的半導體芯片20的大小變小，則即便夾套主體31的冷卻溫度TCl為相同的溫度，由于在交付半導體芯片20時自接合工具50移動至夾套主體31的熱量減少，因此可使接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2更高，從而可使接合的周期時間更短。
[0076]在夾套主體31的熱容大于接合工具50的熱容的情形時，即便在自接合工具50移動至夾套主體31的熱量相同的情形時，夾套主體31的溫度上升亦變小，因此夾套主體31的熱容相對于接合工具50的熱容越大，則越可提高接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2，從而可使接合的周期時間更短。
[0077]夾套主體31的冷卻溫度TCl、接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2，亦可考慮上述特性并藉由例如試驗等來決定。再者，圖6是表示夾套主體31的冷卻溫度TC1、接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2的關系的特性的概念圖，此關系、特性亦存在圖6所示的直線以外的情形。
[0078]下面，參照圖8至圖14對本發(fā)明的另一實施方式進行說明。對與參照圖1至圖7所說明的部分相同的部分附上相同的符號并省略其說明。
[0079]如圖8所示那樣，本實施方式的覆晶接合器102包括冷卻平臺110作為冷卻機構，此冷卻平臺110是使吸附反轉夾套30的吸附面32與其接觸來對夾套主體31進行冷卻。
[0080]如圖9、圖10所示那樣，冷卻平臺110包括:作為基體部的框架112 ;以及冷卻構件116，包含接地板114及作為散熱構件的散熱片115，此接地板114具有夾套主體31前端的吸附面32接地的接地面114a，此散熱片115安裝在接地板114的接地面114a的相反側的面；接地板114藉由支撐機構200以可改變接地面114a的方向的方式安裝在框架112上。又，在框架112的側面安裝有:冷卻噴嘴119，經由支架(bracket) 121來安裝，且沿接地面114a的表面附近自吹出孔120噴出冷卻空氣；冷卻空氣供給管117、冷卻空氣供給管118，對冷卻噴嘴119供給冷卻空氣。又，在冷卻構件116的散熱片115的下側，配置有對散熱片115噴出冷卻空氣的冷卻風扇122。
[0081]如圖10、圖11所示那樣，支撐機構200包括:四角環(huán)狀的中間框架113，以繞通過接地板114的中心125且與沿接地面114a的X軸126正交的第二軸即Y軸127旋轉自如的方式，藉由銷123而安裝在框架112的四方形開口的內側；以及銷124，安裝在中間框架113的內側，繞通過接地板114的中心125且沿接地面114a的第一軸即X軸126旋轉自如地支撐接地板114。因此，接地板114相對于框架112，以繞通過中心125的X軸126以及Y軸127旋轉自如、且可改變接地面114a相對于框架112的方向、或接地面114a相對于框架112的傾斜度的方式受到支撐。又，如圖10所示那樣，散熱片115固定在接地板114的下側面(接地面114a的相反側的面)，與接地板114 一體地移動，因此包含接地板114與散熱片115的冷卻構件116，整體上繞通過接地板114的中心125的X軸126以及Y軸127旋轉自如。
[0082]作為接地板114的表面的接地面114a，成為夾套主體31前端的吸附面32可密接的平面，包含接地板114與散熱片115的冷卻構件116的熱容，以成為大于夾套主體31的熱容的方式而構成。
[0083]參照圖12至圖14對利用包括以如上方式構成的冷卻平臺110的覆晶接合器102的覆晶接合的動作進行說明。對與參照圖1至圖7所說明的部分相同的部分附上相同的符號并省略說明。
[0084]如圖12(a)所示那樣，在初始狀態(tài)下，吸附反轉夾套30的吸附面32接觸于冷卻平臺110的上表面而被冷卻，例如成為30°C左右的常溫。如圖12(b)的箭頭91所示那樣，藉由未圖示的旋轉移動機構使旋轉移動軸33向上下左右移動，而使吸附反轉夾套30的夾套主體31移動至欲拾取的半導體芯片20的正上方，如圖12(b)的箭頭92所示那樣，使吸附反轉夾套30下降至要拾取的半導體芯片20上。如圖12(c)所示那樣，在吸附反轉夾套30的夾套主體31的吸附面32接觸于半導體芯片20的表面的絕緣樹脂膜(NCF) 21之后，吸附反轉夾套30吸附絕緣樹脂膜(NCF)21，如圖12(d)的箭頭93所示那樣拾取絕緣樹脂膜(NCF)21與半導體芯片20。然后，藉由未圖示的旋轉移動機構而如圖12(e)的箭頭94所示那樣使夾套主體31繞旋轉移動軸33旋轉，而使拾取的半導體芯片20反轉，且藉由未圖示的旋轉移動機構而使旋轉移動軸33移動，如圖13(f)所示那樣，使夾套主體31移動至在與接合工具50之間進行半導體芯片20的交付的交付位置為止。如圖13(f)的箭頭95所示那樣，接合頭40使接合工具50的吸附面51接觸于以反轉狀態(tài)吸附保持在夾套主體31的吸附面32的半導體芯片20的表面22 (貼附有絕緣樹脂膜(NCF) 21的接合面的相反側的面)來吸附半導體芯片20，自吸附反轉夾套30的夾套主體31接收半導體芯片20。在交付半導體芯片20時，夾套主體31的溫度TC如圖4(b)的時刻tl所示那樣自30°C左右的初始溫度TCl上升至50°C左右的溫度TC2。如圖13(i)的箭頭98所示那樣，接合頭40使接合工具50接地于固定在接合平臺60上的電路基板65的規(guī)定位置。然后，藉由內置在接合工具50中的脈沖加熱器對接合工具50加熱而使半導體芯片20的凸塊以及絕緣樹脂膜(NCF)熔融，從而將半導體芯片20接合在電路基板65上。
[0085]如圖4(b)所說明那樣，交付半導體芯片20之后的夾套主體31的溫度成為50°C左右的溫度TC2。如圖13(h)的箭頭97所示那樣，旋轉移動機構以旋轉移動軸33的吸附面32成為下側的方式使旋轉移動軸33旋轉，并且使夾套主體31的中心移動至冷卻平臺110的中心。如圖14(a)所示那樣，冷卻平臺110的冷卻風扇122旋轉，如圖中的箭頭R所示那樣，對散熱片115輸送冷卻空氣，因此接地板114、散熱片115成為大致常溫狀態(tài)。
[0086]使夾套主體31如圖14(b)所示的箭頭P那樣向下方(Z方向負側)移動，而使夾套主體31的吸附面32接地于作為接地板114的表面的接地面114a。如參照圖10、圖11所說明那樣，接地板114藉由支撐機構200以相對于框架112而繞通過接地板114的中心125的X軸126、Y軸127旋轉自如的方式安裝在框架112上，因此此接地面114a的傾斜度(接地面114a的方向)仿照夾套主體31的吸附面32的傾斜度(頂端面的方向)而繞X軸126、繞Y軸127自如旋轉。由此，夾套主體31的吸附面32密接于接地面114a。接地板114與散熱片115固定為一體，因此若夾套主體31的吸附面32密接于接地面114a，則夾套主體31的熱如圖14(b)的箭頭S所示那樣，向保持為常溫的接地板114、散熱片115流動。由于包含接地板114以及散熱片115的冷卻構件116的熱容以成為大于夾套主體31的熱容的方式而構成，因此夾套主體31的溫度急速降低。又，在夾套主體31的吸附面32密接于接地板114的接地面114a時，自安裝在框架112側面的冷卻噴嘴119的吹出孔120向沿接地面114a的方向(箭頭Q的方向)噴出冷卻空氣，且此冷卻空氣接觸于夾套主體31的頂端,從而亦自夾套主體31的外表面進行冷卻。
[0087]若使夾套主體31對接地板114的接地面114a僅密接規(guī)定時間，則夾套主體31的溫度降低至圖4(b)所示的初始溫度TC1。冷卻平臺110的冷卻風扇122如圖14(a)所示那樣，在夾套主體31的吸附面32離開接地板114的接地面114a之后亦持續(xù)對散熱片115輸送冷卻空氣，因此由接地板114與散熱片115構成的冷卻構件116，在藉由接合工具50進行半導體芯片20的接合的期間被冷卻至初始溫度即溫度TCl。
[0088]冷卻結束后，再次如圖12(b)所示那樣，移動至下一要拾取的半導體芯片20上而進行下一半導體芯片20的拾取與接合。
[0089]本實施方式的覆晶接合器102，與參照圖1至圖7所說明的實施方式的覆晶接合器101相同，發(fā)揮可縮短接合時間而又不降低接合質量的效果。
[0090]參照圖8至圖14所說明的實施方式的覆晶接合器102中，說明了冷卻平臺110如圖10、圖11所示那樣，藉由組合2個銷123、124與中間框架113而成的支撐機構200而安裝在框架112上，且接地板114相對于XY的各軸旋轉自如，但若接地板114相對于XY的各軸旋轉自如，則亦可為以下說明的構成。
[0091]參照圖15、圖16對另一構成的冷卻平臺110的構成進行說明。對與參照圖9至圖11所說明的實施方式相同的部分附上相同的符號并省略其說明。圖15所示的冷卻平臺110將參照圖9至圖11所說明的冷卻平臺110的支撐機構200設為樞軸支撐機構210，此樞軸支撐機構210利用設置在框架112上的支撐銷212來樞軸支撐設置在接地板114下表面的凹陷211。又，圖16所示的冷卻平臺110將支撐機構200設為利用彈簧221支撐接地板114的四角的彈簧支撐機構220。又，亦可代替圖15所示的冷卻平臺110的樞軸支撐機構210，而利用設置在框架112上的球面狀的臺座來支撐設置在接地板114下表面的球面狀的凹陷。圖15、圖16所示的冷卻平臺110相對于XY各軸旋轉自如，并且亦相對于Z軸旋轉自如。又，散熱片115以可散發(fā)接地板114的熱的方式與接地板114成為一體即可，亦可如圖15所示那樣，配置在接地板114的側面。進而，冷卻構件116亦可不為散熱片115，例如為在內部流動冷卻水等藉由空氣以外的制冷劑進行冷卻的。
[0092]再者，參照圖8至圖16所說明的實施方式的覆晶接合器102中，說明了利用冷卻平臺110對吸附反轉夾套30的夾套主體31進行冷卻，但也可以與冷卻平臺110相同的構造設置使接合工具50前端的吸附面51密接來進行冷卻的其他冷卻平臺，且與夾套主體31相同地對接合工具50進行冷卻。
[0093]下面，參照圖17、圖18對本發(fā)明的另一實施方式進行說明。對與參照圖1至圖7所說明的實施方式相同的部分附上相同的符號并省略說明。如圖17所示那樣，本實施方式的覆晶接合器103中，代替將已由吸附反轉夾套30反轉的半導體芯片20直接交付至接合工具50，而是利用安裝在移送頭70的夾套71來接收藉由吸附反轉夾套30反轉的半導體芯片20，并將此半導體芯片20載置在移送平臺75的表面76，移送平臺75將半導體芯片20一面保持于反轉狀態(tài)，一面搬送至向接合工具50交付半導體芯片20的交付位置。然后，接合工具50自移送平臺75的表面76接收反轉狀態(tài)的半導體芯片20，并將此半導體芯片20接合于吸附固定在接合平臺60上的電路基板65上。本實施方式的覆晶接合器103中，在接合工具50與移送平臺75之間進行半導體芯片20的交付，因此在交付半導體芯片20時與圖4(b)所示的夾套主體31相同地，移送平臺75的溫度自溫度TCl上升至溫度TC2。再者，安裝在移送頭70的夾套71在常溫下使用，因此本實施方式的覆晶接合器103中，吸附反轉夾套30為常溫，溫度不上升。
[0094]因此，本實施方式中，吸附反轉夾套30、移送頭70、夾套71、以及移送平臺75構成反轉機構，移送平臺75為保持反轉的半導體芯片20的保持構件。
[0095]如圖18所示那樣，移送平臺75包括:空氣流入路77，自此移送平臺75的下表面(保持半導體芯片20的表面76的相反側的面)向表面76伸展；以及水平冷卻流路78，連通于空氣流入路77且在沿表面76的方向伸展。如圖18所示那樣，流入至空氣流入路77的冷卻空氣，通過水平冷卻流路78自移送平臺75的側面流出至外部，藉此對移送平臺75進行冷卻。本實施方式中，說明了藉由冷卻空氣對移送平臺75進行冷卻，但冷卻媒體并不限定于空氣，亦可使用水等液體?？諝饬魅肼?7、水平冷卻流路78構成冷卻機構。
[0096]如參照圖1所說明那樣，本實施方式的覆晶接合器103中，亦為接合工具50安裝在接合頭40，且藉由接合頭40而沿水平、垂直方向移動。又，接合工具50包括吸附半導體芯片20的前端的吸附面51 (圖1中的下側面)，且在內部內置有未圖示的脈沖加熱器，此脈沖加熱器將半導體芯片20加熱至可熔融形成在半導體芯片20上的凸塊的溫度(300°C?350 0C )。
[0097]以下，參照圖19、圖20對藉由本實施方式的覆晶接合器103將半導體芯片20接合在電路基板65的步驟進行說明。對與參照圖1至圖7所說明的實施方式相同的步驟、構件附上相同的符號并省略說明。
[0098]如圖19(a)至圖19(d)所示那樣，藉由吸附反轉夾套30吸附拾取半導體芯片20并使之反轉。其后如圖19(e)的箭頭84所示那樣，使安裝在移送頭70的夾套71的吸附面72接觸于半導體芯片20的表面22，而自吸附反轉夾套30的夾套主體31接收半導體芯片20，如圖19(f)的箭頭87所示那樣，藉由移送頭70而使夾套71移動至移送平臺75上，將吸附于夾套71的半導體芯片20交付至移送平臺75的表面76。如圖20 (g)所示那樣，結束半導體芯片20向移送平臺75的交付之后，移送頭70使夾套71上升。移送平臺在將反轉狀態(tài)的半導體芯片20保持于表面76上的狀態(tài)下，如圖20(g)的空心箭頭88所示那樣，移動至半導體芯片20向接合工具50交付的交付位置為止。如圖20(h)所示那樣，移送平臺75到達規(guī)定的交付位置之后，接合工具50自移送平臺75的表面76接收半導體芯片20，并將半導體芯片20接合于吸附保持在接合平臺60的表面61上的電路基板65上。
[0099]在將半導體芯片20交付至接合工具50時，移送平臺75的溫度與圖4(b)的時刻tl所示的夾套主體31的溫度相同地自初始的30°C左右的溫度TCl上升至50°C左右的溫度TC2。其后，移送平臺75由流過空氣流入路77、水平冷卻流路78的冷卻空氣冷卻，其溫度與圖4(b)的時刻t2所示的夾套主體31的溫度相同地恢復至初始的溫度TCl。
[0100]本實施方式的覆晶接合器103中，對在與接合工具50之間進行半導體芯片20的交付的移送平臺75進行冷卻，藉此使接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2較現有技術高，且可縮短接合后的接合工具50的冷卻時間，因此可將覆晶接合的周期時間大幅縮短。
[0101]再者，移送平臺75的冷卻溫度與接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2的關系，與參照圖6、圖7所說明的夾套主體31的冷卻溫度TCl與接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2的關系相同地，使移送平臺75的冷卻溫度越低，則越可提高接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2，從而可使接合的周期時間更短。又，若交付的半導體芯片20的大小變小，則即便移送平臺75的冷卻溫度為相同的溫度，在交付半導體芯片20時自接合工具50移動至移送平臺75的熱量亦變少，因此可使接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2更高，從而可使接合的周期時間更短。又，在移送平臺75的熱容大于接合工具50的熱容的情形時，即便在自接合工具50移動至移送平臺75的熱量相同的情形時，移送平臺75的溫度上升亦變小，因此移送平臺75的熱容相對于接合工具50的熱容越大，則越可提高接合工具50接收半導體芯片20的接收溫度TB2，從而可使接合的周期時間更短。
[0102]參照圖21對本發(fā)明的又一實施方式的覆晶接合器104進行說明。首先，對與參照圖17至圖20所說明的實施方式相同的部分附上相同的符號并省略說明。本實施方式的覆晶接合器104構成為:首先在參照圖17至圖20所說明的覆晶接合器103上配置對移動平臺75進行冷卻的冷卻平臺150，使移動平臺75在上下方向移動并使其表面76密接于冷卻平臺150的接地板154，藉此對移動平臺75進行冷卻。冷卻平臺150為將參照圖8至圖14所說明的實施方式的冷卻平臺110上下反轉的構成。本實施方式的效果與參照圖17至圖20所說明的實施方式相同。再者，本實施方式中，說明了使移動平臺75在上下方向移動且密接于冷卻平臺150的接地板154，但反之亦可使冷卻平臺150在上下方向移動且使接地板154密接于移動平臺75的表面76。
[0103]本發(fā)明并不限定于以上說明的實施形態(tài)，而是包含不脫離權利要求所規(guī)定的本發(fā)明的技術范圍或本質的所有變更及修正。
[0104]符號說明:
[0105]10:拾取平臺
[0106]11:上表面
[0107]20:半導體芯片
[0108]21:絕緣樹脂膜(NCF)
[0109]22:表面
[0110]30:吸附反轉夾套
[0111]31:夾套主體
[0112]32、51、72:吸附面
[0113]33:旋轉移動軸
[0114]34:冷卻空氣流路
[0115]35:冷卻空氣噴嘴
[0116]37:第一冷卻空氣流路
[0117]38:第二冷卻空氣流路
[0118]40:接合頭
[0119]50:接合工具
[0120]60:接合平臺
[0121]61、76:表面
[0122]65:電路基板
[0123]70:移送頭
[0124]71:夾套
[0125]75:移送平臺
[0126]77:空氣流入路
[0127]78:水平冷卻流路
[0128]101、102、103、104:覆晶接合器
[0129]110、150:冷卻平臺
[0130]112:框架
[0131]113:中間框架
[0132]114、154:接地板
[0133]114a:接地面
[0134]115:散熱片
[0135]116:冷卻構件
[0136]117、118:冷卻空氣供給管
[0137]119:冷卻噴嘴
[0138]120:孔
[0139]121:支架
[0140]122:冷卻風扇
[0141]123、124:銷
[0142]125:中心
[0143]126:X 軸
[0144]127:Y 軸
[0145]200:支撐機構
[0146]210:樞軸支撐機構
[0147]212:支撐銷
[0148]221:彈簧
[0149]220:彈簧支撐機構
【權利要求】
1.一種覆晶接合器，其包括: 反轉機構，使半導體芯片反轉； 接合工具，自上述反轉機構接收已由上述反轉機構反轉的上述半導體芯片并將上述半導體芯片接合于基板；以及 冷卻機構，對上述反轉機構進行冷卻。
2.根據權利要求1所述的覆晶接合器，其中上述反轉機構包括保持經反轉的上述半導體芯片的保持構件， 上述冷卻機構在上述接合工具接收上述半導體芯片之前預先將上述保持構件的溫度冷卻至規(guī)定的溫度。
3.根據權利要求2所述的覆晶接合器，其中上述保持構件的熱容大于上述接合工具的熱容。
4.根據權利要求2所述的覆晶接合器，其中上述保持構件為將上述半導體芯片在吸附并反轉的狀態(tài)下交付至上述接合工具的吸附反轉夾套。
5.根據權利要求3所述的覆晶接合器，其中上述保持構件為將上述半導體芯片在吸附并反轉的狀態(tài)下交付至上述接合工具的吸附反轉夾套。
6.根據權利要求2所述的覆晶接合器，其中上述保持構件為使上述半導體芯片在反轉的狀態(tài)下移動，且將上述半導體芯片在反轉的狀態(tài)下交付至上述接合工具的移送平臺。
7.根據權利要求3所述的覆晶接合器，其中上述保持構件為使上述半導體芯片在反轉的狀態(tài)下移動，且將上述半導體芯片在反轉的狀態(tài)下交付至上述接合工具的移送平臺。
8.根據權利要求2至7中任一項所述的覆晶接合器，其中上述冷卻機構對上述保持構件的內表面或外表面進行冷卻。
9.根據權利要求2至7中任一項所述的覆晶接合器，其中上述冷卻機構包括: 基體部；以及 冷卻構件，包含接地板及散熱構件，上述接地板具有上述保持構件的表面接地的接地面，上述散熱構件安裝在上述接地板；且 上述冷卻構件藉由仿照上述保持構件的表面的方向的方式而可以改變上述接地面的方向的支撐機構而支撐在上述基體部。
10.根據權利要求9所述的覆晶接合器，其中上述冷卻構件的熱容大于上述保持構件的熱容。
11.根據權利要求9所述的覆晶接合器，其中上述散熱構件安裝在上述接地板的接地面的相反側的面。
12.根據權利要求9所述的覆晶接合器，其中上述散熱構件為散熱片，且 包括對上述散熱片進行冷卻的冷卻風扇。
13.根據權利要求9所述的覆晶接合器，其中上述支撐機構以繞沿上述接地面的第一軸、及沿上述接地面且與上述第一軸正交的第二軸這2個軸旋轉自如的方式將上述接地板支撐于上述基體部。
14.根據權利要求9所述的覆晶接合器，其包括冷卻噴嘴，設置在上述基體部，且對表面接地于上述接地面的上述保持構件噴出冷卻空氣。
15.根據權利要求9所述的覆晶接合器，其中上述接地板的上述接地面在上述保持構件的上述表面接地時，自上述保持構件向上述接地板產生熱傳導。
16.一種覆晶接合方法，其包括: 準備覆晶接合器的步驟，上述覆晶接合器包括:反轉機構，使半導體芯片反轉；接合工具，自上述反轉機構接收已由上述反轉機構反轉的上述半導體芯片并將上述半導體芯片接合于基板；以及冷卻機構，對上述反轉機構進行冷卻；以及 冷卻步驟，在上述接合工具接收上述半導體芯片之前預先藉由上述冷卻機構將上述保持構件的溫度冷卻至規(guī)定的溫度。
【文檔編號】H01L21/60GK104335336SQ201380027231
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年9月20日 優(yōu)先權日:2013年3月12日
【發(fā)明者】瀬山耕平 申請人:株式會社新川