一種具備電極保護的半導體激光器的制造方法
【專利摘要】一種具備電極保護的半導體激光器，其特征在于：包括以下層級：襯底；N型GaN層；N型AlGaN包覆層；N型GaN光導層；InGaN有源層；P型GaN光波導；P型AlGaN包覆層；P型GaN層；位于所述P型GaN層上的絕緣層，所述絕緣層有開口；位于所述絕緣層上的金屬輔助電極層，所述金屬輔助電極層通過所述開口與所述P型GaN層電連接；位于所述金屬輔助電極層上的TiO2電極保護層，所述TiO2電極保護層覆蓋部分的金屬輔助電極層。由于加入了絕緣層、輔助電極層和電極保護層，因而能有效的防止P型電極層在工作過程中熔解脫落。
【專利說明】一種具備電極保護的半導體激光器
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種激光器，具體為一種具備電極保護的半導體激光器。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有技術中的半導體激光器，其P型電極層在工作過程中容易因為發(fā)熱而熔解脫落，從而導致不均勻的電流注入，從而嚴重影響半導體激光器的性能。
實用新型內容
[0003]為了解決上述技術問題，本實用新型對傳統(tǒng)半導體激光器的結構進行了改變，其技術方案如下:
[0004]一種具備電極保護的半導體激光器，其特征在于:包括以下層級:
[0005]襯底；
[0006]N 型 GaN 層；
[0007]N 型 AlGaN 包覆層；
[0008]N型GaN光導層；
[0009]InGaN 有源層；
[0010]P型GaN光波導；
[0011]P 型 AlGaN 包覆層；
[0012]P 型 GaN 層；
[0013]位于所述P型GaN層上的絕緣層，所述絕緣層有開口 ；
[0014]位于所述絕緣層上的金屬輔助電極層，所述金屬輔助電極層通過所述開口與所述P型GaN層電連接；
[0015]位于所述金屬輔助電極層上的Ti02電極保護層，所述Ti02電極保護層覆蓋部分的金屬輔助電極層。
[0016]通過上述結構的改進，本實用新型的具備電極保護的半導體激光器，其由于加入了絕緣層、輔助電極層和電極保護層，因而能有效的防止P型電極層在工作過程中熔解脫落。
【專利附圖】

【附圖說明】，
[0017]圖1為本實用新型的具備電極保護的半導體激光器的截面結構示意圖【具體實施方式】
[0018]為了使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本實用新型。
[0019]參見附圖1，半導體激光器包括以下層級:襯底I小型GaN層2 ;N型AlGaN包覆層3 ;N型GaN光導層4 ；InGaN有源層5 ;P型GaN光波導6 ;P型AlGaN包覆層7 ;P型GaN層8 ;位于所述P型GaN層上的絕緣層9，絕緣層9有開口 ；位于絕緣層9上的金屬輔助電極層10，金屬輔助電極層10通過所述開口與所述P型GaN層8電連接；位于金屬輔助電極層上10的Ti02電極保護層11，Τ?02電極保護層11覆蓋部分的金屬輔助電極層10。
[0020]本實用新型采用了雙電極結構，通過絕緣層和輔助電極層，將P型電極層電連接到輔助電極層，同時用電極保護層保護輔助電極層不至于熔解脫落，同時P型電極層的熱量經輔助電極層傳到進行發(fā)散，也保護了 P型電極層。
[0021]本實用新型中的各個層級，都可以采用現(xiàn)有技術中的沉積、蝕刻或者摻雜等工藝制作，只要達到本實用新型限定的結構和參數(shù)即可。
[0022]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的 權利要求書及其等效物界定。
【權利要求】
1.一種具備電極保護的半導體激光器，其特征在于:包括以下層級: 襯底； N型GaN層; N型AlGaN包覆層； N型GaN光導層； InGaN有源層； P型GaN光波導； P型AlGaN包覆層； P型GaN層; 位于所述P型GaN層上的絕緣層，所述絕緣層有開口 ； 位于所述絕緣層上的金屬輔助電極層，所述金屬輔助電極層通過所述開口與所述P型GaN層電連接； 位于所述金屬輔助電極層上的Ti02電極保護層，所述Ti02電極保護層覆蓋部分的金屬輔助電極層。
【文檔編號】H01S5/042GK203674552SQ201320830359
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年12月15日 優(yōu)先權日:2013年12月15日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:渭南高新區(qū)晨星專利技術咨詢有限公司