N型晶體硅高效雙面電池片的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種N型晶體硅高效雙面電池片，包括P形硅，P形硅的兩側(cè)分別設(shè)置有反射極和聚集電極，其特征在于在所述P形硅與反射極之間設(shè)置有N+層，所述P形硅與聚集電極之間設(shè)置有P+層硼擴散膜。本實用新型可以有效抑制入射光的反射，能夠有效的降低生產(chǎn)成本，還可以提高光電轉(zhuǎn)換效率，本實用新型的優(yōu)點是電池片表面均有減反射膜，正面光電轉(zhuǎn)換效率達到18.0%，背面光電轉(zhuǎn)換效率達到14.4%，正反面轉(zhuǎn)換效率之比為0.8，相比常規(guī)電池片其轉(zhuǎn)換效率更高，增加了企業(yè)的效益。
【專利說明】 N型晶體硅高效雙面電池片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于電池領(lǐng)域，具體是一種N型晶體硅高效雙面電池片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著經(jīng)濟的發(fā)展，人們生活水平的不斷提高，對能源需求越來越多，同時對壞境保護帶來更大壓力，為解決這個問題，越來越多的國家出臺財政補貼政策，鼓勵使用清理可再生資源，在此背景下，太陽能光伏行業(yè)得到了快速的發(fā)展。
[0003]常規(guī)的電池生產(chǎn)工藝是:硅片清洗制絨、擴散制結(jié)、等離子刻蝕、去磷硅玻璃、減反射膜制備、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和檢測分類，在這種工藝生產(chǎn)出來的電池片厚度一般均為200左右，而擴散深度一般為0.3、.5 Pm。而部分波長比較長的光線能穿過硅片到達硅片背部，而背部遠離前面的PN結(jié)，有光電效應(yīng)產(chǎn)生的少數(shù)載流電子要經(jīng)過長距離的擴散才能到達PN結(jié)。由于晶體硅的內(nèi)耗，光生載流子不能充分利用，導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率不高。并且由于太陽東升西落的特點，常規(guī)電池片封裝成組件后，安裝系統(tǒng)時對于安裝位置已經(jīng)傾斜角度有著非?？量痰囊螅荒軌蛲昝赖暮徒ㄖ镆惑w化。
實用新型內(nèi)容
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種N型晶體硅高效雙面電池片。
[0005]一種N型晶體硅高效雙面電池片，包括P形硅，P形硅的兩側(cè)分別設(shè)置有反射極和聚集電極，其特征在于在所述P形硅與反射極之間設(shè)置有N+層，所述P形硅與聚集電極之間設(shè)置有P+層硼擴散膜。
[0006]所述的一種N型晶體硅高效雙面電池片，其特征在于所述P+層硼擴散膜和N+層的外側(cè)分別設(shè)置有抗氧化膜。
[0007]所述的一種N型晶體硅高效雙面電池片，其特征在于所述反射極一側(cè)的抗氧化膜的外側(cè)設(shè)置有AR減反射膜。
[0008]本實用新型的N型晶體娃聞效雙面電池片，可以有效抑制入射光的反射，能夠有效的降低生產(chǎn)成本，還可以提高光電轉(zhuǎn)換效率，本實用新型的優(yōu)點是電池片表面均有減反射膜，正面光電轉(zhuǎn)換效率達到18.0%，背面光電轉(zhuǎn)換效率達到14.4%，正反面轉(zhuǎn)換效率之比為0.8，相比常規(guī)電池片其轉(zhuǎn)換效率更高，增加了企業(yè)的效益。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本實用新型的N型晶體硅高效雙面電池片的正極外觀示意圖；
[0010]圖2是本實用新型的N型晶體硅高效雙面電池片的負極外觀示意圖；
[0011]圖3是本實用新型的N型晶體硅高效雙面電池片的截面示意圖；
[0012]圖中，I一正極；2—負極；3—反射極；4一抗氧化膜；5 — P型硅；6—AR減反射膜；7一P+層硼擴散膜；8—聚集電極；9一N+層。【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對本實用新型進行詳細說明。
[0014]如圖1至圖3所示，本實用新型提供了一種N型晶體硅高效雙面電池片，包括P形娃5, P形娃5的兩側(cè)分別設(shè)置有反射極3和聚集電極8,在P形娃5與反射極3之間設(shè)置有N+層9，P形硅5與聚集電極8之間設(shè)置有P+層硼擴散膜7，P+層硼擴散膜7和N+層9的外側(cè)分別設(shè)置有抗氧化膜4，反射極3 —側(cè)的抗氧化膜4的外側(cè)設(shè)置有AR減反射膜6。本實用新型的電池正面背面均進行擴散，背面采用硼擴散，并且正反兩面都經(jīng)過刻蝕處理的棱椎體，可以有效抑制入射光的反射。正面是磷擴散，在正面形成n+p結(jié)，整個反面為硼擴散的P+形成BSF，這樣能夠有效的降低生產(chǎn)成本，還可以提高光電轉(zhuǎn)換效率。本實用新型的PN結(jié)等電池內(nèi)部結(jié)構(gòu)沿用傳統(tǒng)的電池生產(chǎn)工藝，而在加工正極i時采用P+層硼擴散使得電池片的正反面均形成電極廠，使得電池片兩面均能吸收光通過“光生伏打”效應(yīng)轉(zhuǎn)換成電能。
[0015]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種N型晶體娃高效雙面電池片,包括P形娃(5), P形娃(5)的兩側(cè)分別設(shè)置有反射極(3)和聚集電極(8)，其特征在于在所述P形硅(5)與反射極(3)之間設(shè)置有N+層(9)，所述P形硅(5)與聚集電極(8)之間設(shè)置有P+層硼擴散膜(7)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種N型晶體硅高效雙面電池片，其特征在于所述P+層硼擴散膜(7 )和N+層(9 )的外側(cè)分別設(shè)置有抗氧化膜(4 )。
3.如權(quán)利要求2所述的一種N型晶體硅高效雙面電池片，其特征在于所述反射極(3)一側(cè)的抗氧化膜(4)的外側(cè)設(shè)置有AR減反射膜(6)。
【文檔編號】H01L31/042GK203386768SQ201320333316
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年6月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月9日
【發(fā)明者】金建江, 李葉生, 李林江 申請人:浙江金諾新能源科技有限公司