一種led表面膠體粗化方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種LED表面膠體粗化方法，包括以下步驟：A、對(duì)LED樣品進(jìn)行固晶焊線作業(yè)；B、在LED樣品中支架的碗杯內(nèi)填充膠體，然后對(duì)其烘干；C、根據(jù)色溫要求確定熒光粉、膠材以及稀釋劑的混合比例，并制備混合劑；D、用噴粉機(jī)將上述混合劑噴射到LED樣品膠體表面。本發(fā)明方法通過(guò)將混合劑噴涂在膠體表面，在利用熒光劑本身取光性質(zhì)的基礎(chǔ)上還粗化了膠體表面，有效減少了由于全反射而導(dǎo)致的光損；尤其是本發(fā)明中將熒光粉與膠材的重量比控制在1:1以上、熒光粉的顆粒粒徑在5-15微米之間，將光效相對(duì)傳統(tǒng)工藝中的產(chǎn)品提升15%。本發(fā)明作為一種LED表面膠體粗化方法可廣泛應(yīng)用于LED照明領(lǐng)域。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種LED表面膠體粗化方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED照明領(lǐng)域，尤其是一種LED表面膠體粗化方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LED燈上芯片發(fā)光并從膠體中通過(guò)，從而產(chǎn)生照明效果。光線線路由光密介質(zhì)到光疏介質(zhì)，因此當(dāng)光線的入射角大于臨界角時(shí)會(huì)發(fā)生全反射，全反射角只與膠體本身的折射率有關(guān)，然而目前市面上的膠材的折射率不會(huì)存在太大差異，因此其全反射角幾乎相等。在LED燈工作過(guò)程中，由于膠體表面的全反射導(dǎo)致光線被反射回膠體，不僅浪費(fèi)了能量，而且給LED芯片和膠體的散熱加大了難度。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，常常采用傳統(tǒng)點(diǎn)膠工藝或先噴粉后點(diǎn)膠的工藝來(lái)提高光線的取出率，雖然一定程度上提高了取光率，然而其光線仍然沒(méi)有得到高效利用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的是:提供一種能高效提升光效的LED表面膠體粗化方法。
[0005]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種LED表面膠體粗化方法，包括有以下步驟:
A、對(duì)LED樣品進(jìn)行固晶焊線作業(yè)；
B、在LED樣品支架的碗杯內(nèi)填充膠體，然后對(duì)其烘干；
C、根據(jù)色溫要求確定熒光粉、膠材以及稀釋劑的混合比例，并制備混合劑；
D、用噴粉機(jī)將上述混合劑噴射到LED樣品膠體表面。
[0006]進(jìn)一步，所述步驟C中熒光粉與膠材的重量比大于1:1。
[0007]進(jìn)一步，所述熒光粉的顆粒粒徑在5-15微米之間。
[0008]進(jìn)一步，所述步驟B中的膠體為透明膠體或熒光膠。
[0009]進(jìn)一步,所述步驟B中支架為帶碗杯的支架。
[0010]進(jìn)一步，所述步驟B中支架為帶圍欄的平面基板。
[0011]進(jìn)一步，所述步驟B和步驟C之間還包括有步驟BI，所述步驟BI具體為:對(duì)LED樣品進(jìn)行切割形成單顆樣品，采用擴(kuò)膜的方式使單顆樣品之間存在一定的間距。
[0012]進(jìn)一步，所述步驟A中的LED樣品為單顆芯片LED或COB多芯片集成樣品。
[0013]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明方法通過(guò)將混合劑噴涂在膠體表面，在利用熒光劑本身取光性質(zhì)的基礎(chǔ)上還粗化了膠體表面，有效減少了由于全反射而導(dǎo)致的光損；尤其是本發(fā)明中將熒光粉與膠材的重量比控制在1:1以上、熒光粉的顆粒粒徑在5-15微米之間，將光效相對(duì)傳統(tǒng)工藝中的產(chǎn)品提升15%。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本發(fā)明方法的步驟流程圖；
圖2為本發(fā)明第一具體實(shí)施例參考圖； 圖3為本發(fā)明第二具體實(shí)施例參考圖；
圖4為本發(fā)明第三具體實(shí)施例參考圖a ；
圖5為本發(fā)明第三具體實(shí)施例參考圖b。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步說(shuō)明:
參照?qǐng)D1，一種LED表面膠體粗化方法，包括有以下步驟:
A、對(duì)LED樣品進(jìn)行固晶焊線作業(yè)；
B、在LED樣品支架的碗杯內(nèi)填充膠體，然后對(duì)其烘干；
C、根據(jù)色溫要求確定熒光粉、膠材以及稀釋劑的混合比例，并制備混合劑；
D、用噴粉機(jī)將上述混合劑噴射到LED樣品膠體表面。
[0016]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述步驟C中熒光粉與膠材的重量比大于1:1。
[0017]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述熒光粉的顆粒粒徑在5-15微米之間。
[0018]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述步驟B中的膠體為透明膠體或熒光膠。
[0019]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，進(jìn)一步，所述步驟B中支架為帶碗杯的支架。
[0020]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述步驟B中支架為帶圍欄的平面基板。
[0021]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述步驟B和步驟C之間還包括有步驟BI，所述步驟BI具體為:對(duì)LED樣品進(jìn)行切割形成單顆樣品，采用擴(kuò)膜的方式使單顆樣品之間存在一定的間距。
[0022]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述步驟A中的LED樣品為單顆芯片LED或COB多芯片集成樣品。
[0023]參照?qǐng)D2，說(shuō)明本發(fā)明第一具體實(shí)施例:
A.對(duì)LED樣品進(jìn)行固晶焊線作業(yè)，將芯片2固定在支架I內(nèi)的底部；
B.在LED樣品支架I的碗杯內(nèi)填充透明膠體3，然后對(duì)其烘干；
C.根據(jù)色溫要求確定熒光粉、膠材以及稀釋劑的混合比例，并制備混合劑；
D.用噴粉機(jī)將上述混合劑噴射到LED樣品透明膠體3表面，從而形成熒光層4。
[0024]參照?qǐng)D3，說(shuō)明本發(fā)明第二具體實(shí)施例:
A.對(duì)LED樣品進(jìn)行固晶焊線作業(yè)，將芯片2固定在支架I內(nèi)的底部；
B.根據(jù)色溫要求在LED樣品支架I的碗杯內(nèi)填充熒光膠5，然后對(duì)其烘干；
C.由于色溫在B步驟中已基本確定，混合劑的用量或者混合劑中熒光粉濃度需要低于本發(fā)明第一具體實(shí)施例中的相應(yīng)用量或者濃度。
[0025]D.用噴粉機(jī)將上述混合劑噴射到LED樣品膠體3表面，從而形成熒光層4。
[0026]參照?qǐng)D4、圖5，說(shuō)明本發(fā)明第三具體實(shí)施例:
A.對(duì)LED樣品進(jìn)行固晶焊線作業(yè)，將芯片2固定在支架I內(nèi)的底部；
B.在LED樣品支架I的碗杯內(nèi)填充透明膠體3，然后對(duì)其烘干；參照?qǐng)D4，所述支架I為帶圍欄6的基板；
B1.對(duì)LED樣品進(jìn)行切割形成單顆樣品，采用擴(kuò)膜的方式使單顆樣品之間存在一定的間距；
C.根據(jù)色溫要求確定熒光粉、膠材以及稀釋劑的混合比例，并制備混合劑；D.用噴粉機(jī)將上述混合劑噴射到LED樣品透明膠體3表面，從而形成熒光層4。
[0027]由于步驟BI中對(duì)LED樣品進(jìn)行了切割，然后釆用擴(kuò)膜的方式使單顆樣品之間存在一定的間距，因此對(duì)其進(jìn)行噴粉操作后，熒光層的分布將如圖5所示。同樣的，本發(fā)明第三【具體實(shí)施方式】步驟B中的填充物也可使用熒光膠。
[0028]同時(shí)，本發(fā)明方法對(duì)COB等多芯片集成的樣品適用。
[0029]在熒光粉與膠材的重量比以及熒光粉顆粒大小上，本發(fā)明經(jīng)實(shí)驗(yàn)得出其比例及參數(shù)，參照下表1。
[0030]表1、傳統(tǒng)工藝與本發(fā)明工藝數(shù)據(jù)對(duì)比
【權(quán)利要求】
1.一種LED表面膠體粗化方法，其特征在于:包括有以下步驟: A、對(duì)LED樣品進(jìn)行固晶焊線作業(yè)； B、在LED樣品支架的碗杯內(nèi)填充膠體，然后對(duì)其烘干； C、根據(jù)色溫要求確定熒光粉、膠材以及稀釋劑的混合比例，并制備混合劑； D、用噴粉機(jī)將上述混合劑噴射到LED樣品膠體表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED表面膠體粗化方法，其特征在于:所述步驟C中熒光粉與膠材的重量比大于1:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種LED表面膠體粗化方法，其特征在于:所述熒光粉的顆粒粒徑在5-15微米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED表面膠體粗化方法，其特征在于:所述步驟B中的膠體為透明膠體或熒光膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED表面膠體粗化方法，其特征在于:所述步驟B中支架為帶碗杯的支架。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED表面膠體粗化方法，其特征在于:所述步驟B中支架為帶圍欄的平面基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種LED表面膠體粗化方法，其特征在于:所述步驟B和步驟C之間還包括有步驟BI，所述步驟BI具體為:對(duì)LED樣品進(jìn)行切割形成單顆樣品，采用擴(kuò)膜的方式使單顆樣品之間存在一定的間距。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED表面膠體粗化方法，其特征在于:所述步驟A中的LED樣品為單顆芯片LED或COB多芯片集成樣品。
【文檔編號(hào)】H01L33/52GK103794706SQ201310754847
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】李坤錐, 尹鍵, 熊毅, 王躍飛 申請(qǐng)人:廣州市鴻利光電股份有限公司