Ito粉末、ito導電膜用涂料及透明導電膜的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種ITO粉末、ITO導電膜用涂料及透明導電膜的制造方法。本發(fā)明的課題在于，利用含有多晶ITO顆粒的涂料制造由ITO導電膜構(gòu)成的透明導電膜時，降低透明導電膜的電阻。本發(fā)明的ITO粉末由如下形成的多晶ITO顆粒的聚集體構(gòu)成，即在棒狀中心核的周圍，比所述中心核短的多個棒狀體以沿著與棒狀中心核的長度方向相同的方向且圍繞棒狀中心核的方式一體形成。所述多晶ITO顆粒的平均長度L在0.2～5.0μm的范圍，并且將所述多晶ITO顆粒的平均直徑設為D時，L/D在2～20的范圍。
【專利說明】ITO粉末、ITO導電膜用涂料及透明導電膜的制造方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種由棒狀多晶ITO (Indium Tin Oxide)顆粒構(gòu)成的ITO粉末。更詳細而言，涉及一種用于透明導電膜的原料的ITO粉末。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，將ITO導電膜用作透明導電膜的技術(shù)正在普及。通常，該ITO導電膜通過利用ITO靶進行濺射的物理成膜法或涂布分散有ITO顆粒的分散液或含有ITO的有機化合物的涂布成膜法形成。其中，形成于樹脂膜上時，從彎曲性和生產(chǎn)率的方面出發(fā)，利用涂布成膜法比物理成膜法更有利。這是因為，通過涂布成膜法形成的ITO導電膜與通過物理成膜法形成的ITO導電膜相比，導電性雖然稍低，但是在涂布成膜法中在涂布成膜時無需使用真空裝置等昂貴裝置，并且能夠輕松應對大面積或復雜形狀的成膜，其結(jié)果，能夠降低制造成本。尤其，該涂布成膜法中，將分散有ITO顆粒的分散液用作涂料的方法受到關(guān)注。其理由在于，該方法與將含有ITO的有機化合物用作涂料的方法相比，無需熱分解涂布膜，由此能夠以比較低的溫度成膜，而且可得到良好的導電性。另外，從ITO顆粒的觀點，也不斷進行改善，提出有如下技術(shù)，即通過將分散于分散液的ITO顆粒的形狀設為棒狀，在形成導電路徑時提高顆粒彼此的接觸度，從而克服基于涂布成膜法的ITO導電膜所具有的導電性較低的問題。這是因為，在形成ITO導電膜的基板上，棒狀ITO顆粒若能夠相鄰地沿長邊方向排列，則顆粒彼此的界面減少，因此作為結(jié)果，電阻下降。
[0003]這種棒狀ITO顆粒及分散有該ITO顆粒的涂料例如公開于專利文獻I。該專利文獻I中公開有如下含錫氧化銦微粉末的制造方法，即通過錫鹽及銦鹽的溶液與堿水溶液的中和反應將反應體系的pH調(diào)整為2.0?4.0之后,進一步在將反應體系的溫度保持為15?80°C的同時至少花費30分鐘來添加堿水溶液，直至pH最終成為5.0?9.0，對由此得到的棒狀氧化錫及氧化銦的水合物進行加熱處理。該含錫氧化銦微粉末的制造方法中，含錫氧化銦(ΙΤ0)微粉末的短軸直徑在0.02?0.10 μ m的范圍，長軸直徑在0.2?0.95 μ m的范圍。通過這種方法制造的含錫氧化銦微粉末成為棒狀，因此利用該含錫氧化銦微粉末制備涂料并進行涂布時，能夠以少量形成導電性優(yōu)異且透明性良好的膜。另外，上述專利文獻I中，ITO微粉末的形狀記載為針狀而非棒狀，但是本說明書及本權(quán)利要求書中記載為ITO粉末由如下形成的多晶ITO顆粒構(gòu)成，即在棒狀中心核的周圍，比該中心核短的多個棒狀體以沿著與棒狀中心核的長度方向相同的方向且圍繞棒狀中心核的方式一體形成，因此專利文獻I中也記載為棒狀而非針狀。
[0004]專利文獻1:日本專利公開平6-80422號公報(權(quán)利要求1及2，段落[0029])
[0005]上述以往專利文獻I所示的含錫氧化銦微粉末的制造方法中，棒狀含錫氧化銦(ITO)微粉末只要始終沿著形成ITO導電膜的基板面平行排列即可，但是存在相對于基板面垂直立起的不良情況。若在將分散有棒狀ITO微粉末的涂料涂敷于基板面時通過輥涂布等涂敷機從上加壓，則可克服該不良情況。
[0006]然而，上述以往專利文獻I所示的含錫氧化銦微粉末的制造方法中，存在棒狀ITO微粉末在分散液中相互纏繞而成為果醬('I ^ A)狀態(tài)，并且在棒狀ITO微粉末之間易產(chǎn)生空隙的問題。因此，由以上述方法制造的ITO導電膜構(gòu)成的透明導電膜的電阻上升，例如存在使包含透明導電膜的薄膜太陽能電池等光學器件的性能劣化的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種ITO粉末，該ITO粉末通過將棒狀ITO顆粒設為規(guī)定形狀的多晶來減少成為ITO顆粒之間的接觸電阻的主要原因的顆粒彼此的界面數(shù)，由此增大顆粒彼此的接觸面積，從而在利用含有ITO粉末的涂料制造由ITO導電膜構(gòu)成的透明導電膜時，能夠降低透明導電膜的電阻。
[0008]本發(fā)明人進行深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)如下內(nèi)容并完成了本發(fā)明，即在將含有棒狀多晶ITO顆粒的分散液用作ITO導電膜用涂料時，需要不將棒狀多晶ITO顆粒設為容易纏繞的單一的棒狀、使棒狀多晶ITO顆粒難以在基板面立起、使多晶ITO顆粒彼此始終無空隙地接觸、增加多晶ITO顆粒彼此的接觸面積，由此電阻下降。
[0009]本發(fā)明的第I觀點為一種ITO粉末，其中，該ITO粉末由如下形成的多晶ITO顆粒的聚集體構(gòu)成，即在棒狀中心核的周圍，比所述中心核短的多個棒狀體以沿著與棒狀中心核的長度方向相同的方向且圍繞棒狀中心核的方式一體形成，所述多晶ITO顆粒的平均長度L在0.2~5.0ym的范圍，并且將所述多晶ITO顆粒的平均直徑設為D時，L/D在2~20的范圍。
[0010]本發(fā)明的第2觀點為一種ITO導電膜用涂料，其包含基于第I觀點的發(fā)明的ITO粉末。
[0011]本發(fā)明的第3觀點為一種透明導電膜的制造方法，其利用基于第2觀點的ITO導電膜用涂料。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的第I觀點，利用由棒狀多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。該多晶ITO顆粒為如下形成的多晶ITO顆粒，即在棒狀中心核的周圍，比所述中心核短的多個棒狀體以沿著與棒狀中心核的長度方向相同的方向且圍繞棒狀中心核的方式一體形成，因此難以相對于形成ITO導電膜的基板面垂直立起，反而猶如橄欖球那樣容易倒下。因此，能夠阻止ITO粉末在分散液中相互纏繞而成為果醬狀態(tài)。
[0013]并且，本發(fā)明的多晶ITO顆粒的周圍由多個棒狀體構(gòu)成，因此能夠使ITO顆粒彼此接觸，并且使棒狀體的凸部與棒狀體之間的凹部如齒輪那樣卡合，因此能夠增大接觸面積，且在顆粒之間難以形成空隙。其結(jié)果，能夠降低利用含有本發(fā)明的由多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末的ITO導電膜用涂料涂敷的透明導電膜的電阻。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的第2觀點，利用包含上述ITO粉末的ITO導電膜用涂料來涂布于基板，能夠降低所形成的透明導電膜的電阻，并且能夠降低透明導電膜的渾濁度即霧度值且提高透射率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明的ITO粉末的多晶ITO顆粒的示意圖。(a)是示意立體圖，(b)是示意剖視圖。
[0016] 圖2是通過SEM拍攝的本發(fā)明的多晶ITO顆粒、ITO粉末的一形態(tài)的照片圖。(a)是10，000倍照片圖，(b)是50，000倍照片圖。
[0017]符號說明
[0018]10-多晶ITO顆粒，11-棒狀中心核，12-棒狀體。
【具體實施方式】
[0019]以下，根據(jù)附圖對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。
[0020]<多晶ITO顆粒及其ITO粉末>
[0021]如圖1中示意地表示，本發(fā)明的多晶ITO顆粒10由棒狀中心核11及多個棒狀體12構(gòu)成，并多個棒狀體12以沿著與棒狀中心核11的長度方向基本相同的方向圍繞棒狀中心核11的方式一體形成。而且，若參考圖2的照片圖，則多晶ITO顆粒中，可觀察到多個較短的棒狀體如小樹枝，并且可觀察到這些較短的棒狀體在圍繞棒狀中心核的周圍的同時相互鄰接地沿相同方向排列而固定于棒狀中心核。另外，如圖2所示，多個棒狀體各自的直徑及長度無需一定要相同，其截面形狀、表面形狀也無需一定要相同。
[0022]本發(fā)明的多晶ITO顆粒10的平均長度L在0.2?5.Ομπι的范圍，優(yōu)選在1.0?
5.0 μ m的范圍。將多晶ITO顆粒10的平均直徑設為D時，L/D在2?20的范圍，優(yōu)選在3?10的范圍。若L不到0.2 μ m，則相對于形成ITO導電膜的基板面容易垂直立起，無法得到如橄欖球那樣容易倒下的效果。若L超過5.0 μ m，則顆粒彼此的填充變差。并且，若L/D不到2則無法得到基于各向異性的導電性提高效果，若超過20則在制作涂膜時產(chǎn)生棒狀顆粒斷裂而變短的不良情況。
[0023]本發(fā)明的ITO粉末的多晶ITO顆粒具有上述形狀，因此在例如制造涂布型ITO膜時，在樹脂膜上加壓的同時涂布包含該ITO粉末的涂料時，容易沿著涂布方向在樹脂膜面取向。即，多晶ITO顆粒容易在樹脂膜面滾動而容易橫臥。并且，本發(fā)明的ITO顆粒為多晶，因此在晶界產(chǎn)生適當偏移的結(jié)果，容易填充顆粒之間的空隙，多晶ITO顆粒之間變密。其結(jié)果，將本發(fā)明的ITO顆粒用于透明電極等材料時，更加降低電阻，由此可得到良好的導電性。并且不僅如此，填充多晶ITO顆粒之間的結(jié)果，涂布于透明基板或膜上時涂布層變成致密組織，由此能夠使薄膜太陽能電池的光接收面或光學器件的透明電極等的透光率良好，且降低霧度。
[0024]< ITO粉末的制造方法>
[0025]以下，對本發(fā)明的ITO粉末的制造方法進行說明。
[0026]首先，作為第I工序，以規(guī)定比例稱取并混合錫鹽和銦鹽，將該混合物溶解于純水來作為錫鹽與銦鹽的混合溶液，使該混合溶液與堿進行反應，從而生成含錫氫氧化銦的懸浮液。作為混合方法，優(yōu)選向錫鹽與銦鹽的混合水溶液添加氨等堿來進行反應的方法。若向錫鹽與銦鹽的混合水溶液添加堿，則容易生成各向異性顆粒，并且通過控制添加堿時的溫度、添加速度和/或顆粒濃度，能夠控制所生成的氫氧化物顆粒的尺寸和軸比。
[0027]而且，本發(fā)明中對混合中的上述反應液照射規(guī)定頻率的超聲波。通過賦予該超聲波，能夠制造由如下形成的多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末，即在ITO棒狀中心核的周圍，t匕該ITO棒狀中心核短的多個ITO棒狀體以沿著與ITO棒狀中心核的長度方向相同的方向且圍繞ITO棒狀中心核的方式一體形成。超聲波的頻率設為20?IOOOOkHz。若頻率不到20kHz則超聲波的攪拌效果較弱，另一方面，若超過IOOOOkHz則超聲波的輸出功率降低，無法得到充分的效果。頻率進一步優(yōu)選設為20?1000kHz。
[0028]對上述懸浮液賦予超聲波的規(guī)定時間需根據(jù)頻率和中和液的容量等而適當調(diào)整。例如，超聲波的頻率為IOOkHz時且反應液的容量為IL時，照射超聲波的同時滴加堿的時間優(yōu)選為20?600分鐘。若超聲波的賦予時間過短，則有無法充分得到超聲波照射效果的不良情況，若過長，則有顆粒變得過長的不良情況。使反應液的液面與超聲波照射裝置的液面(從照射裝置向反應器傳達超聲波的介質(zhì))相同，以使超聲波均勻地賦予到反應液。通過該超聲波的賦予，能夠在防止各向異性ITO顆粒的單體彼此的凝聚的同時，得到如下形成的多晶ITO顆粒，即在ITO棒狀中心核的周圍，比中心核短的多個ITO棒狀體以沿著與ITO棒狀中心核的長度方向相同的方向且圍繞ITO棒狀中心核的方式固定。
[0029]其中，作為錫和銦的鹽，有鹽酸鹽、硫酸鹽或硝酸鹽等，但是通常優(yōu)選鹽酸鹽。并且，作為堿，使用氨、苛性鈉、苛性鉀或它們的碳酸鹽，但是從減少生成含錫氫氧化銦漿料后的雜質(zhì)的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用氨。
[0030]通過固液分離采集所生成的含錫氫氧化銦的漿料，以純水清洗雜質(zhì)，由此可得到提高了純度的含錫氫氧化銦的塊狀物。將所得到的塊狀物以室溫以上，優(yōu)選以80°C以上的溫度進行干燥，由此可得到含錫氫氧化銦的干燥粉。
[0031]在含錫氫氧化銦中，錫有時與氫氧化銦的銦置換,但也有時以氧化錫和/或氫氧化錫的方式與氫氧化銦共沉淀，也有時以氧化錫和/或氫氧化錫的方式與氫氧化銦成為非晶混合體。
[0032]如上述，含錫氫氧化銦的粒徑在獲得氫氧化物的工序中決定。具體而言，能夠通過分別將反應溫度控制在40?90°C的范圍，將反應時間(整個中和所花費的時間)控制在20?600分鐘的范圍，并將最終顆粒濃度控制在0.01?3mol/L的范圍，從而得到具有所希望的粒徑的含錫氫氧化銦。
[0033]其中，例如合成多晶ITO顆粒的平均長度LSlym且平均直徑D為0.2 μ m的含錫氫氧化銦的棒狀顆粒時，將反應溫度設為60°C，將反應時間(整個中和所花費的時間)設為75分鐘，并將最終顆粒濃度設為0.5mol/L即可。另一方面，制造平均長度小于含錫氫氧化銦的棒狀顆粒的顆粒時，較低地設定反應溫度或縮短反應速度，或者提高顆粒濃度即可。另外，最終生成的多晶ITO顆粒的尺寸由該含錫氫氧化物的尺寸大致決定。即，該含錫氫氧化物向ITO顆粒變化時，平均長度L及平均直徑D均收縮70?80%左右。
[0034]接著，對第2工序即燒成所得到的含錫氫氧化銦的工序進行說明。該燒成工序的目的在于，由含錫氫氧化銦生成作為氧化物的ITO及對所得到的ITO晶體賦予氧缺陷。因此，該燒成工序為了對ITO晶體賦予氧缺陷而在混合有惰性氣體與還原性氣體的弱還原氣氛下進行。通常，作為弱還原氣氛，使用對氮或氦、氬等惰性氣體混合氫、一氧化碳、氨氣、醇的混合氣體?；旌蠚怏w中的各氣體的混合比例根據(jù)欲賦予到ITO晶體的氧缺陷量適當決定。但是，若混合氣體的還原力過強，則含錫氫氧化銦會變成Ino、金屬In等。并且，氫或一氧化碳等的混合比例優(yōu)選設為混合氣體在大氣中不會超過爆炸界限的程度的濃度。
[0035]在燒成工序中，首先進行燒成，接著進行還原處理。燒成中對含錫氫氧化銦進行脫水來使其成為氧化銦。燒成溫度為300?1000°C。在300°C以上能夠得到完整的氧化物，在1000°C以下能夠避免ITO顆粒之間彼此的激烈燒結(jié)。優(yōu)選的燒成溫度為350?800°C以下。燒成時間為0.1小時以上即可，若脫水反應結(jié)束，則無需再進行。氣氛設為大氣。[0036]燒成后的還原處理優(yōu)選以200°C?不到500°C的溫度在上述還原氣氛下進行。若為200°C以上則能夠賦予氧缺陷，若不到500°C則可得到適當?shù)倪€原能力，因此不會生成絕緣性InO。還原處理時間為0.5?5小時。若不到0.5小時則氧缺陷的形成并不充分，即使超過5小時也不會出現(xiàn)優(yōu)越的變化。
[0037]經(jīng)過以上工序，能夠得到本發(fā)明的由多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。
[0038][實施例]
[0039]接著，結(jié)合比較例詳細說明本發(fā)明的實施例。
[0040]<實施例1 >
[0041]稱取銦濃度為18.5質(zhì)量％的氯化銦水溶液(InCl3) IOOg及氯化錫(SnCl4.5H20)
6.3g，并溶解于2000ml的純水，從而制備氯化銦與氯化錫的混合溶液。將該混合溶液的錫濃度設為Sn/In以摩爾比計成為0.10。將該氯化銦與氯化錫的混合溶液加溫至50°C，并花費15分鐘緩慢添加29質(zhì)量％的氨水來作為含錫氫氧化銦的懸浮液。在添加氨水來生成沉淀的期間，為了防止凝聚且制作多晶ITO顆粒，對上述懸浮液賦予34kHz的超聲波。過濾收集該含錫氫氧化銦的懸浮物，以純水清洗，從而得到含錫氫氧化銦的塊狀物。關(guān)于共沉淀物的清洗，在以離心分離機脫水之后，加入離子交換水來清洗的同時進行離心過濾，濾液的比電阻達到5000 Ω.cm以上時結(jié)束離心過濾。以100°C干燥含錫氫氧化銦的塊狀物。將該含錫氫氧化銦設置于燒成爐內(nèi)，在N2氣氛中以500°C燒成2小時，并且在H2濃度為I容積％的N2氣氛中以250°C進行3小時的燒成(還原處理)。由此得到由平均長度L為0.1 μ m且平均直徑D為0.05 μ m的多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。
[0042]〈實施例2>
[0043]將混合液的液溫設為40°C，將照射超聲波的同時向混合液添加氨水的時間設為20分鐘，除此以外設為與實施例1相同，從而得到由平均長度L為0.2 μ m且平均直徑D為0.05 μ m的多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。
[0044]〈實施例3>
[0045]將混合液的液溫設為80°C，將照射超聲波的同時向混合液添加氨水的時間設為90分鐘，除此以外設為與實施例1相同，從而得到由平均長度L為0.5 μ m且平均直徑D為0.07 μ m的多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。
[0046]<實施例4>
[0047]將混合液的液溫設為80°C，將照射超聲波的同時向混合液添加氨水的時間設為150分鐘，除此以外設為與實施例1相同，從而得到由平均長度L為1.0 μ m且平均直徑D為
0.1ym的多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。
[0048]<實施例5 >
[0049]將混合液的液溫設為80°C，將燒成溫度設為800°C，除此以外設為與實施例1相同，從而得到由平均長度L為3.0ym且平均直徑D為1.0ym的多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。
[0050]<實施例6>
[0051]將混合液的液溫設為65°C，將照射超聲波的同時向混合液添加氨水的時間設為600分鐘，除此以外設為與實施例1相同，從而得到由平均長度L為5.0 μ m且平均直徑D為
0.25 μ m的多晶ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。[0052]<比較例I >
[0053]稱取銦濃度為18.5質(zhì)量％的氯化銦水溶液(InCl3) 203g及氯化錫(SnCl4.5H20)
5.6g，并溶解于純水，從而制備氯化銦與氯化錫的混合溶液2.91?；旌先芤褐校a的濃度設為相對于銦與錫的總計為5mol%。另一方面，準備濃度為10質(zhì)量％的NaOH水溶液，并添加到所述氯化銦與氯化錫的混合溶液中。NaOH的添加量設為中和InCl3與SnCl4所需的當量的1.2倍。具體而言，將氯化銦與氯化錫的混合溶液保持為10°C的同時花費10分鐘添加NaOH水溶液來作為含錫氫氧化銦的懸浮液。比較例I中，未對懸浮液賦予超聲波。過濾收集該含錫氫氧化銦的懸浮物，以純水清洗，從而得到含錫氫氧化銦的塊狀物。以100°C干燥所得到的含錫氫氧化銦的塊狀物。將已干燥的含錫氫氧化銦設置于燒成爐內(nèi)，在大氣氣氛中以250°C進行2小時的燒成。接著，在N2氣氛中以800°C燒成I小時，進一步在H2濃度為I容積％的N2氣氛中，以250°C進行5小時的燒成(還原處理)。并且，在保持該溫度的狀態(tài)下，使其與相對濕度為80%的N2氣氛接觸50分鐘。由此得到由平均長度L為0.1 μ m且平均直徑D為0.1 μ m的未多晶化的ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。
[0054]<比較例2 >
[0055]將混合液的液溫設為90°C，將照射超聲波的同時向混合液添加NaOH水溶液的時間設為720分鐘，除此以外設為與比較例I相同，從而得到由平均長度L為6.1 μ m且平均直徑D為0.2 μ m的未多晶化的ITO顆粒構(gòu)成的ITO粉末。
[0056]<比較試驗>
[0057]以下示出利用通過實施例1?6及比較例1、2得到的ITO粉末制作的ITO導電膜的各測定方法。測定結(jié)果總結(jié)在表I。關(guān)于多晶ITO顆粒的平均長度L及平均直徑D的測定，準備多晶ITO顆粒的SEM照片，以游標卡尺實際測量SEM照片上的多晶ITO顆粒的長度L和直徑D，對實際測量值進行倍率換算，分別求出其平均值。而且，軸比由平均長度L除以平均直徑D的L/D值算出。實施例1?6及比較例1、2中分別測定100個ITO顆粒。測定時，ITO顆粒中顆粒邊界不明確的顆粒排除在測定對象之外。
[0058]關(guān)于比表面積，作為測定裝置，利用美國康塔儀器公司(Quantachrome)制直讀動態(tài)流動法比表面積分析儀(Monosorb),通過BET單點法求出。關(guān)于導電性的特性，制作ITO膜，評價其電阻。ITO膜的制造方法為，首先，利用雙面膠將單面涂布有聚氨酯的IOcmX 30cm四角形的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜基材(100 μ m厚的東洋紡株式會社制)的未涂布聚氨酯的面的一端貼在玻璃基板上，并在玻璃基板上固定膜基材。
[0059]接著，混合所得到的ITO粉20質(zhì)量份與乙醇(關(guān)東化學株式會社制)80質(zhì)量份，以混合器攪拌來作為第I混合液。將該第I混合液投入到珠磨粉碎機(壽工業(yè)株式會社制)。然后，利用100 μ m的珠子進行10分鐘粉碎處理,從而制備ITO分散液。
[0060]以刮涂法將制備的ITO分散液涂布于上述膜基材，干燥后，從玻璃基板剝離涂布有第I混合液的膜基材，在膜基材的第I混合液的涂布面重疊PET膜(東洋紡株式會社制，厚度為100 μ m),進一步用150mm寬度的棍壓機以IOMpa的棍壓力、10cm/min的送出速度施加壓力。接著，剝離PET膜，在膜基材上形成ITO導電膜。所得到的ITO導電膜的膜厚為Ium0通過須賀試驗機株式會社制HZ-2測定ITO導電膜的霧度和透射率。ITO導電膜的方塊電阻通過三菱油化制LorestaAP MCP-T400測定。
[0061][表 I][0062]
【權(quán)利要求】
1.一種ITO粉末，其特征在于，其由如下形成的多晶ITO顆粒的聚集體構(gòu)成，即在棒狀中心核的周圍，比所述中心核短的多個棒狀體以沿著與棒狀中心核的長度方向相同的方向且圍繞棒狀中心核的方式一體形成， 所述多晶ITO顆粒的平均長度L在0.2~5.0 μ m的范圍，并且將所述多晶ITO顆粒的平均直徑設為D時，L/D在2~20的范圍。
2.—種ITO導電膜用涂料，其中， 所述ITO導電膜用涂料包含權(quán)利要求1所述的ITO粉末。
3.—種透明導電膜的制造方法，其特征在于， 利用權(quán)利要求2所述 的ITO導電膜用涂料。
【文檔編號】H01B1/08GK103903674SQ201310740988
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
【發(fā)明者】米澤岳洋, 山崎和彥, 竹之下愛 申請人:三菱綜合材料株式會社