一種用于半導(dǎo)體晶片吸取的機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制方法
【專利摘要】一種用于半導(dǎo)體晶片吸取的機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制方法，包括突上機(jī)構(gòu)和抓取機(jī)構(gòu)；突上機(jī)構(gòu)中的伺服電機(jī)的輸出端通過與凸輪相連，使突上機(jī)構(gòu)中突上針做縱向勻速運(yùn)動(dòng)；運(yùn)動(dòng)控制方法包括如下步驟：A）將突上機(jī)構(gòu)開啟真空，以吸住晶盤；B)控制抓取機(jī)構(gòu)使抓取頭下降到晶片上方并將抓取機(jī)構(gòu)開啟真空；C）控制突上機(jī)構(gòu)的突上針向上勻速頂出，同時(shí)控制抓取機(jī)構(gòu)使抓取頭隨之勻速上升，使抓取頭的運(yùn)動(dòng)速度與突上針的運(yùn)動(dòng)速度相同，且始終保持與晶片的距離不變，直至突上針將晶片從晶盤上分離并被抓取頭吸??；D）抓取機(jī)構(gòu)的抓取頭吸住晶片后繼續(xù)上升移動(dòng)，突上機(jī)構(gòu)控制突上針下降并關(guān)閉真空。本發(fā)明有效地提升取晶片的成功率且不損傷晶片，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說明】—種用于半導(dǎo)體晶片吸取的機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種機(jī)械運(yùn)動(dòng)控制方法，尤其是一種用于半導(dǎo)體晶片吸取的機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體裝片設(shè)備中的主要功能就是粘、取晶片。其中取晶片的過程要靠突上機(jī)構(gòu)與抓取機(jī)構(gòu)配合來實(shí)現(xiàn)。
[0003]現(xiàn)行的突上機(jī)構(gòu)和抓取機(jī)構(gòu)的動(dòng)作控制順序是:首先突上機(jī)構(gòu)開啟真空，吸住承托有晶片的晶盤；之后突上機(jī)構(gòu)控制突上針上升頂出，把晶片從晶盤上分離；然后抓取機(jī)構(gòu)下降到晶片上方，開啟真空并吸住晶片，最后突上針下降并關(guān)閉真空，抓取機(jī)構(gòu)保持真空上升移走。
[0004]這種取晶片的動(dòng)作控制順序產(chǎn)生的問題是，當(dāng)突上針把晶片從晶盤上分離后，僅有突上針的針尖與晶片接觸，相當(dāng)于只由一個(gè)高副控制，六個(gè)自由度僅限制住了一個(gè)，而抓取機(jī)構(gòu)下降需要一段時(shí)間，這時(shí)晶片很有可能偏離原先的位置，并且方向不可預(yù)測(cè)。抓片機(jī)構(gòu)是靠真空方式抓取晶片，當(dāng)晶片稍有偏移就會(huì)產(chǎn)生抓取機(jī)構(gòu)無法把晶片吸住或晶片與抓取頭產(chǎn)生摩擦導(dǎo)損壞晶片等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種用于半導(dǎo)體晶片吸取的機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制方法，該方法操作簡(jiǎn)單，它能提聞晶片吸取成功率且可有效防止晶片受:損的。
[0006]本發(fā)明解決現(xiàn)有技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案:一種用于半導(dǎo)體晶片吸取的機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制方法，包括用于頂出晶片的突上機(jī)構(gòu)和用于吸附晶片的抓取機(jī)構(gòu)；所述抓取機(jī)構(gòu)內(nèi)包括直線電機(jī)，并通過該直線電機(jī)控制抓取機(jī)構(gòu)在縱向上做勻速運(yùn)動(dòng)；所述突上機(jī)構(gòu)內(nèi)設(shè)有伺服電機(jī)，并通過該伺服電機(jī)控制突上機(jī)構(gòu)的突上針在縱向上的運(yùn)動(dòng)；所述突上機(jī)構(gòu)中的伺服電機(jī)的輸出端通過與凸輪相連，使突上機(jī)構(gòu)中突上針做縱向勻速運(yùn)動(dòng)；所述運(yùn)動(dòng)控制方法包括如下步驟:
A)將突上機(jī)構(gòu)開啟真空，以吸住導(dǎo)向罩上承托有晶片的晶盤；
B)控制抓取機(jī)構(gòu)使抓取頭下降到晶片上方并將抓取機(jī)構(gòu)開啟真空；
C)控制突上機(jī)構(gòu)的突上針向上勻速頂出，同時(shí)控制抓取機(jī)構(gòu)使抓取頭隨之勻速上升，通過調(diào)整程序參數(shù)使所述抓取頭的運(yùn)動(dòng)速度與突上針的運(yùn)動(dòng)速度相同，且始終保持與晶片的距離不變，直至突上針將晶片從晶盤上分離并被抓取頭吸??；
D)抓取機(jī)構(gòu)的抓取頭吸住晶片后繼續(xù)上升移動(dòng)，突上機(jī)構(gòu)控制突上針下降并關(guān)閉真空。
[0007]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明通過對(duì)突上機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)上由現(xiàn)有技術(shù)中通過伺服電機(jī)帶動(dòng)偏心輪控制突上針的升降改進(jìn)為通過伺服電機(jī)帶動(dòng)凸輪控制突上針的升降，改變了現(xiàn)有技術(shù)的突上針無法實(shí)現(xiàn)勻速運(yùn)動(dòng)的缺陷。進(jìn)而對(duì)抓取機(jī)構(gòu)與突上機(jī)構(gòu)取晶片的動(dòng)作控制順序的改進(jìn)，本發(fā)明取消了晶片同晶盤分離后的停留時(shí)間，在晶片剛與晶盤分離時(shí)就被抓取機(jī)構(gòu)吸走，避免了晶片被頂出后因?yàn)榍范ㄎ欢鴮?dǎo)致偏離原先位置的情況，解決了因其產(chǎn)生的“抓取機(jī)構(gòu)無法把晶片吸住”和“晶片與抓取頭產(chǎn)生摩擦導(dǎo)損壞晶片”的問題。本發(fā)明有效地提升取晶片的成功率，同時(shí)降低生產(chǎn)成本，減少停機(jī)次數(shù)，提高生產(chǎn)效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明的局部零部件示意圖。
[0009]圖2是本發(fā)明步驟一的狀態(tài)示意圖。
[0010]圖3是本發(fā)明步驟二的狀態(tài)示意圖。
[0011]圖4是本發(fā)明步驟三的狀態(tài)示意圖。
[0012]圖5是本發(fā)明步驟四的狀態(tài)示意圖。
[0013]圖中:1-抓取頭，2-晶片，3_晶盤，4_突上針,5-導(dǎo)向罩。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖及【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明:
圖1是本發(fā)明的局部零部件示意圖。一種用于半導(dǎo)體晶片吸取的機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制方法，包括用于頂出晶片2的突上機(jī)構(gòu)和用于吸附晶片2的抓取機(jī)構(gòu)；抓取機(jī)構(gòu)內(nèi)包括直線電機(jī)，并通過該直線電機(jī)控制抓取機(jī)構(gòu)在縱向上做勻速運(yùn)動(dòng)；突上機(jī)構(gòu)內(nèi)設(shè)有伺服電機(jī)，突上機(jī)構(gòu)中的伺服電機(jī)的輸出端通過與凸輪相連使突上機(jī)構(gòu)中突上針做縱向勻速運(yùn)動(dòng)。
[0015]一種用于半導(dǎo)體晶片吸取的機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制方法包括如下步驟:
步驟一:如圖2所示，將突上機(jī)構(gòu)開啟真空，以吸住導(dǎo)向罩5上承托有晶片2的晶盤3。
[0016]步驟二:如圖3所示，控制抓取機(jī)構(gòu)使抓取頭I下降到晶片2的上方并開啟真空。
[0017]步驟三:如圖4所示，控制突上機(jī)構(gòu)的突上針4向上頂出，同時(shí)控制抓取機(jī)構(gòu)使抓取頭I隨之上升，并通過調(diào)整半導(dǎo)體裝片設(shè)備中對(duì)于突上機(jī)構(gòu)和抓取機(jī)構(gòu)的程序參數(shù)使抓取頭I的運(yùn)動(dòng)速度與突上針4的運(yùn)動(dòng)速度相同，且始終保持與晶片2的距離不變，直至突上針4將晶片2從晶盤3上分離并被抓取頭I吸住。
[0018]步驟四:如圖5所示，抓取機(jī)構(gòu)的抓取頭I吸住晶片2繼續(xù)上升移動(dòng)，突上機(jī)構(gòu)控制突上針4下降并將突上機(jī)構(gòu)關(guān)閉真空。
[0019]綜上所述，本發(fā)明對(duì)突上機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)及突上機(jī)構(gòu)和抓取機(jī)構(gòu)的配合運(yùn)動(dòng)方法做出了改進(jìn)。以上改進(jìn)之處的基本構(gòu)思在于，要解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，其中的關(guān)鍵是要使抓取頭的運(yùn)動(dòng)速度同突上針的運(yùn)動(dòng)速度相同并在運(yùn)動(dòng)中始終保持距離不變，其最好的方法是讓抓取機(jī)構(gòu)和突上機(jī)構(gòu)都做勻速運(yùn)動(dòng)。而現(xiàn)在的設(shè)備中，抓取機(jī)構(gòu)的縱向運(yùn)動(dòng)是通過直線電機(jī)控制的，可以保證其勻速運(yùn)動(dòng)；突上機(jī)構(gòu)的縱向運(yùn)動(dòng)是通過伺服電機(jī)帶動(dòng)偏心輪控制的，只是保證了極限位置，運(yùn)動(dòng)過程是變速運(yùn)動(dòng)，無法滿足要求。因此，將突上機(jī)構(gòu)偏心輪改為凸輪，使凸輪在抬升過程為勻速運(yùn)動(dòng)，調(diào)整抓取機(jī)構(gòu)的直線電機(jī)與之同速，保證在縱向上升運(yùn)動(dòng)時(shí)的等速和等距。
[0020]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選技術(shù)方案對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的O frrl ΤΠ /t \l/l
【權(quán)利要求】
1.一種用于半導(dǎo)體晶片吸取的機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制方法，包括用于頂出晶片(2)的突上機(jī)構(gòu)和用于吸附晶片(2)的抓取機(jī)構(gòu)；所述抓取機(jī)構(gòu)內(nèi)包括直線電機(jī)，并通過該直線電機(jī)控制抓取機(jī)構(gòu)在縱向上做勻速運(yùn)動(dòng)；所述突上機(jī)構(gòu)內(nèi)設(shè)有伺服電機(jī)，并通過該伺服電機(jī)控制突上機(jī)構(gòu)的突上針(4)在縱向上的運(yùn)動(dòng)；其特征在于，所述突上機(jī)構(gòu)中的伺服電機(jī)的輸出端通過與凸輪相連，使突上機(jī)構(gòu)中突上針(4)做縱向勻速運(yùn)動(dòng)；所述運(yùn)動(dòng)控制方法包括如下步驟: A)將突上機(jī)構(gòu)開啟真空，以吸住導(dǎo)向罩(5)上承托有晶片(2)的晶盤(3)； B)控制抓取機(jī)構(gòu)使抓取頭(I)下降到晶片(2)上方并將抓取機(jī)構(gòu)開啟真空； C)控制突上機(jī)構(gòu)的突上針(4)向上勻速頂出，同時(shí)控制抓取機(jī)構(gòu)使抓取頭(I)隨之勻速上升，通過調(diào)整程序參數(shù)使所述抓取頭(I)的運(yùn)動(dòng)速度與突上針(4)的運(yùn)動(dòng)速度相同，且始終保持與晶片(2)的距離不變，直至突上針(4)將晶片(2)從晶盤(3)上分離并被抓取頭(I)吸??； D)抓取機(jī)構(gòu)的抓取頭(I)吸住晶片后繼續(xù)上升移動(dòng)，突上機(jī)構(gòu)控制突上針(4)下降并關(guān)閉真空。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK103659813SQ201310725809
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】解彬, 王云峰, 金元甲 申請(qǐng)人:大連佳峰電子有限公司