用于處理基板的設備和方法
用于處理基板的設備和方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基板處理的方法。所述方法包括提供具有容納在裝載部中的基板的操作模塊并且在其上執(zhí)行操作處理，以及在于測試模塊中完成所述操作處理的所述基板上執(zhí)行測試處理。執(zhí)行所述測試處理包括確定提供給所述測試模塊的待測試的基板，以允許在用于單元裝載部中的所述基板的操作處理時間內完成所述測試處理。
【專利說明】用于處理基板的設備和方法
【背景技術】
[0001]在此公開的本發(fā)明涉及一種用于處理基板的設備和方法，更具體地，涉及一種用于處理基板的包括檢查完成操作處理的晶片的測試模塊設備和方法。
[0002]作為半導體裝置或平面顯示板的制造過程之一，執(zhí)行在基板上形成抗蝕膜、通過使用光掩膜將相應的抗蝕膜暴露于光以及將抗蝕膜顯影的一系列操作。通過使用包括連接至用于利用抗蝕溶液進行涂覆或進行顯影的涂覆-顯影裝置的曝光裝置的系統(tǒng)來執(zhí)行上述處理。在由抗蝕圖案形成的基板上執(zhí)行某些測試，例如，用于抗蝕圖案的臨界尺寸、抗蝕圖案和基底圖案的重疊狀態(tài)以及顯影缺陷的測試。然后，僅將確定為可接受的基板發(fā)送到下一個操作處理。
[0003]在上述基板上的測試通常由與涂覆-顯影裝置分離安裝的獨立式測試裝置來執(zhí)行。然而，可以使用其中基板測試裝置安裝在涂覆-顯影裝置中的內嵌式系統(tǒng)(inlinesystem)。
[0004]作為檢查基板的方法，存在由作為單元的裝載部(lot)依次地檢查全部基板的總測試方法以及測試預先設置各數(shù)量的取樣測試方法。上述測試方法可以產生用于基板測試的備用時間，從而增加用于基板的總必要時間。在基板測試時間長于涂覆-顯影處理時間時，測試備用時間增加。
【發(fā)明內容】
[0005]本發(fā)明提供了一種能夠減小由基板測試時間造成的產量下降的基板處理設備和方法。
[0006]目的不限于此，并且根據(jù)以下的公開這些目的對于本領域的技術人員來說是顯而易見的。
[0007]本發(fā)明的實施例提供了處理基板的方法，其包括提供具有容納在裝載部中的基板的操作模塊并且在所述操作模塊上執(zhí)行操作處理，以及在于測試模塊中完成操作處理的基板上執(zhí)行測試處理。執(zhí)行測試處理可以包括確定提供給測試模塊的待測試的基板，以允許在用于單元裝載部中的基板的操作處理時間內完成測試處理。
[0008]在一些實施例中，執(zhí)行測試處理可以包括:計算用于單元裝載部中的基板的整個操作處理的估計需要時間；以及確定待測試的基板以允許在估計需要時間內完成測試處理。
[0009]在其它實施例中，執(zhí)行測試處理包括:當用于提供給測試模塊的基板的測試處理的估計完成時間點比完成用于在單元裝載部中的基板之中的在操作模塊中最后處理的基板的操作處理的時間點遲時，在未通過測試的情況下，將相應的基板容納在裝載部中。
[0010]仍在其它實施例中，執(zhí)行測試處理可以包括對在操作模塊中執(zhí)行操作處理的一些基板進行取樣和確定待測試的基板。
[0011]還在其它實施例中，執(zhí)行測試處理可以包括以按照在操作模塊中執(zhí)行操作處理的次序將依次完成操作處理的基板確定為待測試的基板。[0012]又在其它實施例中，執(zhí)行操作處理可以包括利用光致抗蝕劑涂覆基板以及在其上涂覆有光致抗蝕劑的基板上執(zhí)行顯影處理。執(zhí)行測試處理可以包括將完成顯影處理的基板確定為待測試的基板。
[0013]在另外的實施例中，執(zhí)行顯影處理包括在涂覆有光致抗蝕劑的基板上執(zhí)行顯影操作以及在完成顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理。
[0014]仍在另外的實施例中，操作模塊可以包括允許執(zhí)行操作處理的多個腔室，并且執(zhí)行測試處理可以包括僅將在某一個腔室中完成操作處理的基板確定為待測試的基板。
[0015]還在另外的實施例中，操作模塊可以包括允許執(zhí)行操作處理的多個腔室，并且執(zhí)行測試處理可以包括將在用于每個腔室的腔室中完成操作處理的至少一個基板確定為待測試的基板。
[0016]又在另外的實施例中，裝載部可以包括容納η個基板的第一裝載部和容納m個基板的第二裝載部。在第一裝載部的基板上執(zhí)行操作處理和測試處理之后，可以在第二裝載部的基板上執(zhí)行操作處理和測試處理。在第一裝載部的基板上執(zhí)行測試處理可以包括確定在第一裝載部的基板之中的待測試的基板以允許在用于第一裝載部的基板的操作處理時間內完成用于第一裝載部的基板的測試處理。在第二裝載部的基板上執(zhí)行測試處理可以包括確定在第二裝載部的基板之中的待測試的基板以允許在用于第二裝載部的基板的操作處理時間內完成用于第二裝載部的基板的測試處理。
[0017]在再一些實施例中，確定在第一裝載部的基板之中的待測試的基板的次序與確定在第二裝載部的基板之中的待測試的基板的次序可以不同。
[0018]仍在再一些實施例中，η可以是大于m的自然數(shù)。確定的在第一裝載部的基板之中的待測試的基板的數(shù)量可以大于確定的在第二裝載部的基板之中的待測試的基板的數(shù)量。
[0019]在本發(fā)明的其它實施例中，基板處理設備包括:裝載端口，其上設置有容納多個基板的裝載部；操作模塊，其在基板上執(zhí)行操作處理；分度器模塊，其位于裝載端口和操作模塊之間并且包括轉移基板的分度器機械手；測試模塊，其在于操作模塊中完成操作處理的基板上執(zhí)行測試處理；以及控制單元，其確定提供給測試模塊的待測試的基板，以允許在用于操作模塊中的單元裝載部的基板的操作處理時間內完成測試模塊的測試處理。
[0020]在一些實施例中，操作模塊可以包括涂覆模塊，其利用光致抗蝕劑涂覆基板；以及顯影模塊，其在涂有光致抗蝕劑的基板上執(zhí)行顯影處理?？刂茊卧梢詫⑼瓿娠@影處理的基板確定為待測試的基板。
[0021]在其它實施例中，操作模塊可以具有多層結構，其中涂覆模塊設置在顯影模塊的頂部上。顯影模塊可以包括:多個顯影腔室，它們執(zhí)行顯影操作并布置成一排；以及烘烤腔室，它們在完成顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理并且布置成與顯影腔室平行。測試模塊可以包括測試腔室，其位于分度器模塊和烘烤腔室之間并且測試完成熱處理的基板。
[0022]仍在其它實施例中，操作模塊可以具有單層結構。顯影模塊可以包括:多個顯影腔室，它們執(zhí)行顯影操作；以及烘烤腔室，它們在執(zhí)行了顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理。涂覆模塊可以包括執(zhí)行涂覆處理的多個涂覆腔室。顯影腔室和涂覆腔室可以在一個方向上布置成一排。烘烤腔室可以與顯影腔室和涂覆腔室平行地布置成一排。測試模塊可以包括測試腔室，其位于分度器模塊和烘烤腔室之間并且測試完成熱處理的基板。
[0023]還在其它實施例中，操作模塊可以包括在基板上執(zhí)行相同處理的多個腔室?？刂茊卧獌H將在某一個腔室中完成操作處理的基板確定為待測試的基板。
[0024]又在其它實施例中，操作模塊可以包括在基板上執(zhí)行相同處理的多個腔室。控制單元可以將在各腔室中完成操作處理的至少一個基板確定為待測試的基板。
[0025]在再一些實施例中，裝載部可以包括容納η個基板的第一裝載部和容納m個基板的第二裝載部?？刂茊卧梢?在于第一裝載部的η個基板上完成處理之后控制在第二裝載部的m個基板上依次執(zhí)行的處理；確定在第一裝載部的基板之中的待測試的基板，以允許在用于第一裝載部的η個基板的操作處理時間內完成用于第一裝載部的基板的測試處理；以及確定在第二裝載部的基板之中的待測試的基板，以允許在用于第二裝載部的m個基板的操作處理時間內完成用于第二裝載部的基板的測試處理。
[0026]仍在再一些實施例中，控制單元可以將確定在第一裝載部的基板之中的待測試的基板的次序控制為與確定在第二裝載部的基板之中的待測試的基板的次序不同。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0027]所包括的附圖提供了對本發(fā)明的進一步的理解，并且附圖并入本說明書中并且構成本說明書的一部分。此附圖示出了本發(fā)明的示例性實施方式，其連同【專利附圖】
【附圖說明】一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0028]圖1是示出基板處理設備的側向橫截面視圖；
[0029]圖2是從圖1所示的A-A方向示出的設備的視圖；
[0030]圖3是從圖1所示的B-B方向示出的設備的視圖；
[0031 ] 圖4是從圖2所示的C-C方向示出的設備的視圖；
[0032]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0033]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0034]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的再一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0035]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0036]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0037]圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；以及
[0038]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的基板處理設備的視圖。
【具體實施方式】
[0039]下面將參照附圖更加詳細地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，本發(fā)明可以以不同形式體現(xiàn)，并不應構造為限制于此處所闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開更加全面與完整，且將本發(fā)明的范圍充分表達給了本領域的技術人員。
[0040]在下文中，將參照附圖詳細地描述本發(fā)明的實施例。本發(fā)明的實施例可以修改為不同形式，并且本發(fā)明的范圍不限于以下實施例。提供實施例以向本領域技術人員更加完全地說明本發(fā)明。因此，為了更加精確地描述，放大了附圖中元件的形狀。
[0041]根據(jù)本實施例的設備用于在諸如半導體晶片和平面顯示板的基板上執(zhí)行光刻處理。具體地，該設備用于在基板上執(zhí)行涂覆處理和顯影處理。在下文中，將晶片用作基板的案例作為實例來描述。
[0042]圖1至圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板處理設備的視圖。圖1是是示出設備I的側向橫截面視圖；圖2是從圖1所示的A-A方向示出的設備的視圖；圖3是從圖1所示的B-B方向示出的設備的視圖；圖4是從圖2所示的C-C方向示出的設備的視圖。
[0043]設備I包括裝載端口 100、分度器模塊200、緩沖模塊300、操作模塊400、接口模塊500、測試模塊700和控制單元800。裝載端口 100、分度器模塊200、緩沖模塊300、操作模塊400和接口模塊500依次沿一個方向布置成一排。在下文中，將布置分度器模塊200、緩沖模塊300、操作模塊400和接口模塊500的方向指定為第一方向12。在從上方看時，將與第一方向12垂直的方向指定為第二方向14。將分別與第一方向12和第二方向14垂直的方向指定為第三方向16。
[0044]在將晶片W容納在裝載部20中的同時，轉移晶片W。在這種情況下，裝載部20具有從外面密封的結構。例如，可以將在其前部具有門的前開式晶圓盒(FOUP)用作為裝載部20。在下文中，參照圖1至圖4，詳細地描述各個組件。
[0045]裝載端口 100具有機架120，其上設有容納晶片W的裝載部20。機架120設置有多個。機架120沿第二方向14布置成一排。在圖1中，設置了四個機架120。
[0046]分度器模塊200在設置于裝置端口 100的機架120上的裝載部20和緩沖模塊300之間轉移晶片W。分度器模塊200包括框架210、分度器機械手220和導軌230?？蚣?10具有中空的長方體形狀并且設置在裝載端口 100和緩沖模塊300之間。分度器模塊200的框架210可以具有小于緩沖模塊300的框架310的高度。分度器機械手220和導軌230都設置在框架210中。分度器機械手220具有四軸驅動結構以允許夾持部221直接操作晶片W在第一方向12、第二方向14和第三方向16上移動和旋轉。分度器機械手220包括夾持部221、臂部222、支撐件223和支撐部224。夾持部221緊固并安裝在臂部222上。臂部222具有可伸展并可旋轉的結構。支撐件223設置為允許其長度方向在第三方向16上。臂部222與支撐件223結合以沿支撐件223可移動。支撐件223緊固在支撐部224上并與支撐部224結合。導軌230設置為允許其長度方向在第二方向14上。支撐部224與導軌230結合以沿導軌230在直線上可移動。而且，附圖中未示出，打開和關閉裝載部20的門的開門器進一步設置在框架210中。
[0047]緩沖模塊300包括框架310、第一緩沖器320、第二緩沖器330、冷卻腔室350和緩沖機械手360?？蚣?10具有中空的長方體形狀并且設置在分度器模塊200和操作模塊400之間。第一緩沖器320、第二緩沖器330、冷卻腔室350和緩沖機械手360位于框架310中。冷卻腔室350、第二緩沖器330和第一緩沖器310從下方起依次設置在第三方向16上。第一緩沖器320位于對應于如下所述的操作模塊400的涂覆模塊401的高度處。第二緩沖器330和冷卻腔室350位于對應于如下所述的操作模塊的顯影模塊402的高度處。緩沖機械手360在第二方向14上與第二緩沖器330、冷卻腔室350和第一緩沖器320分離一定的距離。
[0048]第一緩沖器320和第二緩沖器330分別暫時容納多個晶片W。第二緩沖器330包括殼體331和多個支撐件332。多個支撐件332設置在殼體331中并且在第三方向16上彼此分離。一個晶片W設置在一個支撐件332上。殼體331在設置分度器機械手220、緩沖機械手360和如下所述的顯影模塊402的顯影機械手482的方向上包括開口(未示出)，以允許分度器機械手220、緩沖機械手360和顯影機械手482將晶片W裝載到支撐件332上并將晶片W從支撐件332卸載。第一緩沖器320具有與第二緩沖器330大體相似的結構。只不過，第一緩沖器320的殼體321在設置緩沖機械手360和位于如下所述的涂覆模塊401中的涂覆單元機械手432的方向中包括開口。設置在第一緩沖器320中的支撐件322的數(shù)量和設置在第二緩沖器330中的支撐件332的數(shù)量可以彼此相同或者彼此不同。根據(jù)實例，設置在第二緩沖器330中的支撐件332的數(shù)量可以大于設置在第一緩沖器320中的支撐件322的數(shù)量。
[0049]緩沖機械手360在第一緩沖器320和第二緩沖器330之間轉移晶片W。緩沖機械手360包括夾持部361、臂部362和支撐件363。夾持部361緊固并安裝在臂部362中。臂部362是可伸展的以允許夾持部361在第二方向14上移動。臂部362與支撐件363結合以在第三方向16上沿支撐件363在直線上可移動。支撐件363具有從對應于第二緩沖器330的位置延伸到對應于第一緩沖器320的位置的長度。支撐件363可以上下都比該長度更長。第一緩沖機械手360可以允許夾持部361僅為在第二方向14和第三方向16上的兩軸驅動。
[0050]冷卻腔室350冷卻各晶片W。冷卻腔室350包括殼體351和冷卻板352。冷卻板352包括冷卻上表面的冷卻構件353和晶片W，晶片W設置在上表面上?？梢酝ㄟ^使用利用冷卻水或熱電元件的各種方法來冷卻冷卻構件353。而且，使晶片W位于冷卻板352上的升降銷總成(未示出)可以設置在冷卻腔室350中。殼體351在設置分度器機械手220和顯影機械手482的方向上包括開口(未示出)，以允許分度器機械手220和設置在如下所述的顯影模塊402中的顯影機械手482將晶片W裝載在冷卻板352上并將晶片W從冷卻板352卸載。此外，冷卻腔室350可以包括用于關閉上述開口的門(未示出)。
[0051]操作模塊400執(zhí)行利用光致抗蝕劑涂覆晶片W的涂覆處理和在曝光操作之后對晶片W進行顯影的顯影處理。操作模塊400基本上具有長方體形狀。操作模塊400包括涂覆模塊401和顯影模塊402。涂覆模塊401和顯影模塊402設置成通過層互相分離。根據(jù)實例，涂覆模塊401位于顯影模塊402上方。
[0052]涂覆模塊400利用感光溶液執(zhí)行涂覆晶片W的操作，例如諸如在抗蝕劑涂覆操作之前和之后加熱和冷卻晶片W的光致抗蝕劑操作。涂覆模塊401包括抗蝕劑涂覆腔室410、烘烤腔室420和轉移腔室430?？刮g劑涂覆腔室410、烘烤腔室420和轉移腔室430依次設置在第二方向14上。因此，抗蝕劑涂覆腔室410和烘烤腔室420通過在第二方向14上設置在其間的轉移腔室430而彼此分離?？刮g劑涂覆腔室410在第一方向12和第三方向16上分別設置有多個。在附圖中，設置有六個抗蝕劑涂覆腔室410。烘烤腔室420在第一方向12和第三方向16上分別設置有多個。在附圖中，設置有六個烘烤腔室420。然而，不同地，烘烤腔室420可以設置有更多個。
[0053]轉移腔室430平行于緩沖模塊300的第一緩沖器320定位于第一方向12上。涂覆單元機械手432和導軌433位于轉移腔室430中。轉移腔室430基本上具有長方體形狀。涂覆單元機械手432在烘烤腔室420、抗蝕劑涂覆腔室400、緩沖模塊300的第一緩沖器320和如下所述的接口模塊500的第一緩沖器520中轉移晶片W。導軌433布置成允許其長度方向與第一方向12平行。導軌433引導涂覆單兀機械手432在第一方向12上沿直線移動。涂覆單元機械手432包括夾持部434、臂部435、支撐件436和支撐部437。夾持部434緊固并安裝在臂部435中。臂部435可伸展以允許夾持部434水平移動。支撐件436設置成允許其長度方向在第三方向16上。臂部435與支撐件436結合以在第三方向16上沿支撐件436在直線上可移動。支撐件436緊固定到支撐部437上并與支撐部437結合。支撐部437與導軌433結合以沿導軌433可移動。
[0054]抗蝕劑涂覆腔室410全部都具有相同的構造。只不過，不同種類的光致抗蝕劑可以分別由抗蝕劑涂覆腔室410使用。作為實例，化學放大抗蝕劑可以用作為光致抗蝕劑?？刮g劑涂覆腔室410利用光致抗蝕劑涂覆晶片W?？刮g劑涂覆腔室410包括殼體411、支撐板412和噴嘴413。殼體411為敞口式杯狀。支撐板412位于殼體411中并支撐晶片W。支撐板412設置成可旋轉。噴嘴413將光致抗蝕劑供給到設置在支撐板412上的晶片W上。噴嘴413具有圓管形狀并且可以將光致抗蝕劑供給晶片W的中心。選擇性地，噴嘴413可以具有對應于晶片W的直徑的長度，并且噴嘴413的出口可以設置為狹長切口。此外，另外地，用于供給諸如去離子水的清洗溶液的噴嘴414可以進一步設置在抗蝕劑涂覆腔室410中以清洗涂覆有光致抗蝕劑的晶片W的表面。
[0055]烘烤腔室420熱處理晶片W。例如，烘烤腔室420通過在利用光致抗蝕劑涂覆晶片W之前用特定的溫度加熱晶片W來執(zhí)行移除晶片W的表面上的有機材料或水分的預烘烤操作，執(zhí)行在利用光致抗蝕劑涂覆晶片W之后所執(zhí)行的軟烘烤操作以及在相應的加熱操作之后執(zhí)行冷卻晶片W的冷卻操作。烘烤腔室420包括冷卻板421和加熱板422中的一種。冷卻板421設置有使用冷卻水或熱電元件的冷卻構件423。加熱板422設置有使用熱射線或熱電元件的加熱構件424。冷卻板421和加熱板422可以分別設置在烘烤腔室420中。選擇性地，一些烘烤腔室420可以僅包括冷卻板421，并且其它烘烤腔室420可以僅包括加熱板 422。
[0056]顯影模塊402執(zhí)行將顯影溶液供給到晶片W并移除部分光致抗蝕劑以獲取圖案的顯影操作，并且執(zhí)行在顯影操作之前加熱晶片W并在顯影操作之后冷卻晶片W的熱處理操作。顯影模塊402包括顯影腔室460、烘烤腔室470和轉移腔室480。顯影腔室460、烘烤腔室470和轉移腔室480依次布置在第二方向14上。因此，顯影腔室460和烘烤腔室470通過在第二方向14上設置在其間的轉移腔室480而彼此分離。顯影腔室460在第一方向12和第三方向16上分別設置有多個。在附圖中，設置有六個顯影腔室460。烘烤腔室470在第一方向12和第三方向16上分別設置有多個。在附圖中，設置有四個烘烤腔室470。然而，不同地，烘烤腔室470可以設置有更多個。
[0057]轉移腔室480平行于緩沖模塊300的第二緩沖器330定位于第一方向12上。顯影單元機械手482和導軌483位于轉移腔室480中。轉移腔室480基本上具有長方體形狀。顯影單元機械手482在烘烤腔室470、顯影腔室460、緩沖模塊300的第二緩沖器330和以下所述的接口模塊500的第二緩沖器530之間轉移晶片W。導軌483設置成允許其長度方向平行于第一方向12。導軌483引導顯影單兀機械手482在第一方向12上沿直線移動。顯影單元機械手482包括夾持部484、臂部485、支撐件486和支撐部487。夾持部484緊固并安裝在臂部485中。臂部485可伸展以允許夾持部484水平移動。支撐件486設置成允許其長度方向在第三方向16上。臂部485與支撐件486結合以在第三方向16上沿支撐件486在直線上可移動。夾持部486緊固至支撐部487上并與支撐部487結合。支撐部487與導軌483結合以沿導軌483可移動。
[0058]顯影腔室460全部都具有相同的構造。只不過，不同種類的顯影溶液可以分別用在顯影腔室460中。顯影腔室460移除晶片W上的有光發(fā)射到其上的光致抗蝕劑區(qū)域。在這種情況下，還移除有光發(fā)射到其上的保護膜區(qū)域。選擇性地，根據(jù)所使用的光致抗蝕劑的種類，可以僅移動沒有光發(fā)射到其上的光致抗蝕劑區(qū)域和保護膜區(qū)域。
[0059]顯影腔室460包括殼體461、支撐板462和噴嘴463。殼體461為敞口式杯狀。支撐板462位于殼體461中并且支撐晶片W。支撐板462設置成可旋轉的。噴嘴463將顯影溶液供給到設置在支撐板462上的晶片W上。噴嘴463具有圓管形狀并且可以將顯影溶液供給到晶片W的中心。選擇性地，噴嘴463可以具有對應于晶片W的直徑的長度，并且噴嘴463的出口可以設置成狹長切口。此外，用于供給諸如去離子水的清洗溶液的噴嘴464可以進一步地設置成清洗其上供給有顯影溶液的晶片W的表面。
[0060]烘烤腔室470熱處理晶片W。例如，烘烤腔室470在執(zhí)行顯影操作之前執(zhí)行加熱晶片W的后烘烤操作，在后烘烤操作和顯影操作之后執(zhí)行加熱晶片W的硬烘烤操作以及在相應的烘烤操作之后執(zhí)行冷卻被加熱的基板的冷卻操作。烘烤腔室470包括冷卻板471和加熱板472中的一種。冷卻板471設置有使用冷卻水或熱電元件的冷卻構件473。另外，加熱板472設置有使用熱射線或熱電元件的加熱構件474。冷卻板471和加熱板472可以分別設置在一個烘烤腔室470中。選擇性地，一些烘烤腔室470可以僅包括冷卻板471，并且其它烘烤腔室470可以僅包括加熱板472。
[0061]接口模塊500在操作模塊400和曝光模塊600之間轉移晶片W。接口模塊500包括框架510、第一緩沖器520、第二緩沖器530和接口機械手540。第一緩沖器520、第二緩沖器530和接口機械手540位于框架510中。第一緩沖器520和第二緩沖器530彼此設置為相互隔開一定的距離。第一緩沖器520設置為比第二緩沖器530高。第一緩沖器520位于對應于涂覆模塊401的高度處，并且第二緩沖器530設置在對應于顯影模塊402的高度處。在從上面看時，第一緩沖器520與涂覆模塊401的轉移腔室430共同在第一方向12上設置成一排，并且第二緩沖器530與顯影模塊402的轉移腔室480共同在第一方向12上設置成一排。
[0062]接口機械手540定位成在第二方向14上與第一緩沖器520和第二緩沖器530分離。接口機械手540在第一緩沖器520、第二緩沖器530和曝光裝置600之間傳輸晶片W。接口機械手540具有與緩沖機械手360大體上相似的結構。
[0063]在將晶片W轉移到曝光裝置600之前，第一緩沖器520暫時存儲在其上由涂覆模塊401執(zhí)行操作的晶片W。此外，在將晶片W轉移到顯影模塊402之前，第二緩沖器530暫時存儲完成曝光裝置600的操作的晶片W。第一緩沖器520包括殼體521和多個支撐件522。支撐件522設置在殼體521中并且在第三方向16上彼此分離。一個晶片W設置在一個支撐件522上。殼體521在設置接口機械手540和涂覆單元機械手432的方向上包括開口，以允許接口機械手540和涂覆單元機械手432將晶片W裝載在殼體521中的支撐件522上并將晶片W從殼體521的支撐件522卸載。第二緩沖器530具有與第一緩沖器520大體上相似的結構。只不過，第二緩沖器530的殼體531在設置接口機械手540和顯影機械手482的方向上包括開口(未示出)。在接口模塊中，在沒有用于在晶片上執(zhí)行特定操作的腔室的情況下，可以設置如上所述地緩沖器和機械手。
[0064]測試模塊700在于操作模塊400中完成操作處理的晶片W上執(zhí)行測試。測試模塊700測試在顯影模塊402中完成顯影操作和烘烤操作的晶片W。測試模塊700通過合并下述裝置而形成:缺陷測試裝置，其用于檢測缺陷和顯影處理的不便；污物測試裝置，其用于測試在晶片W上的污物；臨界尺寸測量裝置，其用于測量形成在晶片W上的光致抗蝕劑膜的圖案的臨界尺寸(CD);重疊配合測試裝置，其用于測試曝光后的晶片W和光掩膜之間的重疊配合的精確度；殘余測試裝置，其用于檢測于顯影處理之后在晶片W上的抗蝕劑殘余；以及散焦測試裝置而形成，缺陷測試裝置，污物測試裝置，其用于檢測由曝光裝置600形成的圖案的位置差異，可以根據(jù)所期望的測試種類適當?shù)拇_定測試模塊700。此外，各個測試單元的數(shù)量和布局可以基于所期望的測試種類或安裝空間確定。
[0065]測試模塊700可以設置在操作模塊400中。測試模塊700包括為執(zhí)行測試提供空間的測試腔室710。測試腔室710可以設置在其中設置有顯影模塊402的操作模塊400的底部上。測試腔室710設置在顯影模塊402的烘烤腔室470和分度器模塊300之間，同時測試腔室710與烘烤腔室470共同在第一方向12上設置成一排?？梢栽O置多個存放在第三方向16上的測試腔室710。
[0066]控制單元800在于操作模塊400中完成操作處理的晶片W之中確定待測試的基板并提供給測試模塊700?？刂茊卧?00確定待測試的基板以允許在用于單元裝載部20中的晶片W的操作處理時間內完成測試處理?？刂茊卧?00計算用于單元裝載部20中的整個晶片W的操作處理的估計需要時間，并且確定待測試的并提供給測試模塊700的基板，以便在操作處理的估計時間內完成測試處理。控制單元800將在操作模塊400中完成操作處理的一些晶片W確定為待測試的基板?？刂茊卧?00可以利用特定的循環(huán)對待在操作模塊400中完成操作處理的晶片W進行取樣，并將取樣的晶片W確定為待測試的基板。不同地，控制單元800可以按照在操作模塊400中完成操作處理的次序將晶片W依次確定為待測試的基板。參照圖5至圖10將詳細描述由控制單元800確定待測試的基板的方法。
[0067]在下文中，將描述使用基板處理設備I處理晶片W的方法。
[0068]容納有晶片W的裝載部20設置在裝載端口 100的機架120上。裝載部20的門通過開門器打開。分度器機械手220從裝載部20取出晶片W并且將晶片W傳輸?shù)降诙彌_器330。緩沖機械手360將容納在第二緩沖器330中的晶片W傳輸?shù)降谝痪彌_器320。涂覆單元機械手432從第一緩沖器320取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)酵扛材K401的烘烤腔室420。烘烤腔室420依次地執(zhí)行預烘烤操作和冷卻操作。涂覆單元機械手432從烘烤腔室420取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)娇刮g劑涂覆腔室410。抗蝕劑涂覆腔室410利用光致抗蝕劑涂覆晶片W。此后，涂覆單兀機械手432從抗蝕劑涂覆腔室410取出晶片W并將晶片W傳輸至烘烤腔室420。烘烤腔室420在晶片W上執(zhí)行軟烘烤操作。
[0069]涂覆單元機械手432從烘烤腔室420取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)浇涌谀K500的第一緩沖器520。接口機械手540將晶片W從第一緩沖器520傳輸?shù)狡毓庋b置600。在曝光裝置600中，在晶片W上執(zhí)行曝光操作。此后，接口機械手540將晶片W從曝光裝置600傳輸?shù)降诙彌_器530。
[0070]顯影單元機械手482從第二緩沖器530取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)斤@影模塊402的烘烤腔室470。烘烤腔室470依次執(zhí)行后烘烤操作和冷卻操作。顯影單元機械手482從烘烤腔室470取出晶片W并將晶片W傳輸至顯影腔室460。顯影腔室460將顯影溶液供給到晶片W并執(zhí)行顯影操作。此后，顯影單元機械手482從顯影腔室460取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)胶婵厩皇?70。烘烤腔室470在晶片W上執(zhí)行硬烘烤操作。
[0071]控制單元800在完成上述涂覆/顯影處理的晶片W之中確定待測試的基板。將確定為待測試的基板的晶片W從烘烤腔室中取出并通過顯影單元機械手482將其傳輸?shù)綔y試腔室710。相反，將未確定為待測試的基板的晶片W取出并通過顯影單元機械手482將其傳輸?shù)骄彌_模塊300的冷卻腔室350。
[0072]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0073]參照圖5，涂覆/顯影處理表明了示出在涂覆模塊401和顯影模塊402中的晶片W上依次執(zhí)行涂覆處理和顯影處理的過程的圖表，并且測試處理表明了控制單元800確定待測試的基板并且將其提供給測試模塊700以在其上執(zhí)行測試處理的過程。需要時間表明用于在單元裝載部20中的晶片W上完成全部涂覆/顯影以及測試處理的時間。根據(jù)本實施例，將七個晶片Wl至W7容納在裝載部20中并將它們依次逐個地提供給涂覆/顯影處理。在本實施例中，測試處理時間長于涂覆處理時間和顯影處理時間。
[0074]控制單元800計算用于在七個晶片Wl至W7上執(zhí)行的整個操作處理的估計需要時間Td?；谒嬎愕墓烙嬓枰獣r間，確定待測試的基板。在第一晶片Wl完成涂覆/顯影處理時，控制單元800確定用于第一晶片Wl的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片Wl確定為待測試的基板。在于第二晶片W2上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片Wl的測試處理持續(xù)。在于第三晶片W3上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片Wl的測試處理完成?？刂茊卧?00確定用于第三晶片W3的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第三晶片W3為待測試的基板。在于第四晶片W4上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第三基板W3的測試處理持續(xù)。在于第五晶片W5上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第三晶片W3的測試處理完成。控制單元800確定用于第五晶片W5的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第五晶片W5確定為待測試的基板。在于第六晶片W6上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第五晶片W5的測試處理持續(xù)，并且在于第七晶片W7上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第五晶片W5的測試處理完成?？刂茊卧?00確定用于第六晶片W6和第七晶片W7的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且未將第六晶片W6和第七晶片W7確定為待測試的基板。根據(jù)上述控制單元的確定，將第一晶片Wl、第三晶片W3和第五晶片W5確定為待測試的基板，并且未將第二晶片W2、第四晶片W4、第六晶片W6和第七晶片W7確定為待測試的基板。因為由于用于待測試的基板的控制單元800的確定，用于單元裝載部20中的晶片W的測試處理早于全部晶片W的涂覆/顯影處理而完成，因此由測試處理引起的備用時間不存在并且防止了用于處理單元裝載部20中的晶片W的時間的增加。在本實施例中，控制單元800利用特定的循環(huán)確定待測試的基板?？刂茊卧?00利用2n-l (在下文中，η是自然數(shù))的循環(huán)來將完成涂覆/顯影處理的晶片W確定為待測試的基板。不同地，控制單元800可以利用3η-1的循環(huán)或3η-2的循環(huán)來確定待測試的基板。用于確定待測試的基板的循環(huán)可以根據(jù)設置在單元裝載部20中的晶片W的數(shù)量和用于單元晶片W的測試處理時間而不同地變化。
[0075]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0076]參照圖6，設置兩個裝載部20a和20b。在第一裝載部20a中，容納η個晶片W。在第二裝載部20b中，容納m個晶片W。η是不同于m的自然數(shù)并且可以大于m。根據(jù)本實施例，η可以為7并且m可以為6。設備I在第一裝載部20中的晶片Wl至W7上執(zhí)行涂覆/顯影處理和測試處理，然后在第二裝載部20b中的晶片W8至W13上執(zhí)行涂覆/顯影處理和測試處理。用于第二裝載部20b中的晶片W8至W13的測試處理時間可以長于用于第一裝載部20a中的晶片Wl至W7的測試處理時間。
[0077]因為用于第一裝載部20a中的晶片Wl至W7的涂覆/顯影處理和測試處理與上述圖5中的實施例相同，因此將省略對其的詳細描述。
[0078]在用于第二裝載部20b的第一晶片W8的涂覆/顯影處理完成時的時間點處，在測試模塊700中不執(zhí)行測試處理。控制單元800確定用于第二裝載部20b的第一晶片W8的估計測試處理完成時間，其不長于用于第二裝載部20b的晶片W8至W13的整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片W8確定為待測試的基板。在于第二晶片W9和第三晶片HO上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片W8的測試處理持續(xù)，并且在于第四晶片Wll上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片W8的測試處理完成。
[0079]因為在將第二晶片W9確定為待測試的基板時，需要長的備用時間直到用于第一晶片W8的測試處理完成，因此控制單元800不將第二晶片W9確定為待測試的基板。
[0080]控制單元800確定用于第三晶片WlO的估計測試處理完成時間，其不長于用于第二裝載部20b的晶片W8至W13的整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第三晶片WlO確定為待測試的基板。在于第五晶片W12和第六晶片W13上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第三晶片WlO的測試處理持續(xù)。因為第三晶片WlO的估計測試處理完成時間確定為長于用于在測試處理第五晶片W12和第六晶片W13時的整個操作處理的估計需要時間，因此控制單元800不將第五晶片W12和第六晶片W13確定為待測試的基板。
[0081 ] 根據(jù)控制單元800的確定，在第一裝載部20a中，將第一晶片Wl、第三晶片W3和第五晶片W5確定為待測試的基板，并且不將第二晶片W2、第四晶片W4、第六晶片W6和第七晶片W7確定為待測試的基板。此外，在第二裝載部20b中，將第一晶片W8和第三晶片WlO確定為待測試的基板，并且不將第二晶片W9、第四晶片W11、第五晶片W12和第六晶片W13確定為待測試的基板。如上所述，盡管設置在裝載部20a和20b中的晶片的數(shù)量和用于各裝載部20a和20b的晶片測試處理時間彼此不同，但是因為控制單元800靈活地確定待測試的基板以允許在用于晶片的整個操作處理的估計需要時間Td結束之前完成測試處理，因此由測試處理引起的備用時間不存在。
[0082]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的再一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0083]參照圖7，控制單元800執(zhí)行自動數(shù)量連續(xù)測試。在圖5和圖6中，利用特定的循環(huán)確定待測試的基板。在本實施例中，按照完成涂覆/顯影處理的次序將晶片依次確定為待測試的基板。
[0084]將描述作為實例的容納在裝載部20中的七個晶片Wl至W7?？刂茊卧?00計算用于在七個晶片Wl至W7上執(zhí)行的整個操作處理的估計需要時間Td?；谒嬎愕墓烙嬓枰獣r間，確定待測試的基板。在第一晶片Wl完成涂覆/顯影處理時，控制單元800確定用于第一晶片Wl的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片Wl確定為待測試的基板。在于第二晶片W2上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片Wl的測試處理持續(xù)?？刂茊卧?00允許完成涂覆/顯影處理的第二晶片W2備用，并且確定晶片W2是否為待測試的基板?；谕瓿捎糜诘谝痪琖l的測試處理的時間點，估計用于第二晶片W2的測試處理完成時間并確定用于第二晶片W2的測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td。使用上述方法，控制單元800將第三晶片W3和第四晶片W4依次確定為待測試的基板?？刂茊卧?00基于完成用于第四晶片W4的測試處理的時間點來估計用于第五晶片W5的測試處理完成時間，控制單元800確定用于第五晶片W5的測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且不將第五晶片W5確定為待測試的基板?；谂c第五晶片W5相同的原因，不將第六晶片W6和第七晶片W7確定為待測試的基板。
[0085]根據(jù)控制單元800的確定，在裝載部20中，將第一晶片Wl至第四晶片W4確定為待測試的基板，并且不將第五晶片W5至第七晶片W7確定為待測試的基板。如上所述，控制單元800可以按照完成涂覆/顯影處理的次序將晶片W連續(xù)地確定為待測試的基板。
[0086]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的又再一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0087]參照圖8，設置兩個裝載部20a和20b。在第一裝載部20a中，可以容納7個晶片Wl至W7。在第二裝載部20b中，可以容納6個晶片W8至W13。在第一裝載部20的晶片Wl至W7上執(zhí)行涂覆/顯影處理和測試處理，然后在第二裝載部20b的晶片W8至W13上執(zhí)行涂覆/顯影處理和測試處理。用于第二裝載部20b的晶片W8至W13的測試處理時間可以長于用于第一裝載部20a的晶片Wl至W7的測試處理時間。
[0088]因為用于第一裝載部20a的晶片Wl至W7的涂覆/顯影處理和測試處理與上述圖7的實施例相同，因此將省略對其的詳細描述。
[0089]在用于第二裝載部20b的第一晶片W8的涂覆/顯影處理完成時的時間點處，不執(zhí)行測試處理。控制單元800確定用于第二裝載部20b的第一晶片W8的估計測試處理完成時間，其不長于用于第二裝載部20b的晶片W8至W13的整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片W8確定為待測試的基板。在于第二晶片W9至第四晶片Wll上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，在第一晶片W8上的測試處理持續(xù)。控制單元800基于用于第一晶片W8的測試處理完成時的時間點來確定完成涂覆/顯影處理的第二晶片W9是否為待測試的基板?？刂茊卧?00確定用于第二晶片W9的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第二晶片W9確定為待測試的基板。控制單元800基于完成用于第二晶片W9的測試處理時的時間點來估計用于完成涂覆/顯影處理的第三晶片WlO至第六晶片W13的測試處理完成時間，控制單元800確定用于第三晶片WlO至第六晶片W13的測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并不將第三晶片WlO至第六晶片W13確定為待測試的基板。
[0090]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的還再一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。[0091]參照圖9，分別設置多個涂覆腔室Cl至C3和多個顯影腔室Dl至D3。根據(jù)本實施例，設置三個涂覆腔室Cl至C3和三個顯影腔室Dl至D3。在涂覆腔室Cl至C3中，分別執(zhí)行涂覆處理。在顯影腔室Dl至D3中，分別執(zhí)行顯影處理。在本實施例中，將描述作為實例的容納在裝載部20中的七個晶片Wl至W7。
[0092]將容納在裝載部20中的晶片Wl至W7依次逐個地提供給涂覆腔室Cl至C3和顯影腔室Dl至D3。根據(jù)本實施例，在第一涂覆腔室Cl中的第一晶片Wl上執(zhí)行涂覆處理并且在第二顯影腔室D2中的第一晶片Wl上執(zhí)行顯影處理。在第二涂覆腔室C2中的第二晶片W2上執(zhí)行涂覆處理并且在第三顯影腔室D3中的第二晶片W2上執(zhí)行顯影處理。在第三涂覆腔室C3中的第三晶片W3上執(zhí)行涂覆處理并且在第一顯影腔室Dl中的第三晶片W3上執(zhí)行顯影處理。在第一涂覆腔室Cl中的第四晶片W4上執(zhí)行涂覆處理并且在第三顯影腔室D3中的第四晶片W4上執(zhí)行顯影處理。在第二涂覆腔室C2中的第五晶片W5上執(zhí)行涂覆處理并且在第二顯影腔室D2中的第五晶片W5上執(zhí)行顯影處理。在第三涂覆腔室C3中的第六晶片W6上執(zhí)行涂覆處理并且在第三顯影腔室D3中的第六晶片W6上執(zhí)行顯影處理。此夕卜，在第一涂覆腔室Cl中的第七晶片W7上執(zhí)行涂覆處理并且在第三顯影腔室D3中的第七晶片W7上執(zhí)行顯影處理。如上所述，在將晶片Wl至W7設置在彼此不同的涂覆腔室Cl至C3和顯影腔室Dl至D3中的同時，可以分別在晶片Wl至W7上執(zhí)行涂覆/顯影處理。晶片Wl至W7設置在其上的涂覆腔室Dl至D3和顯影腔室Dl至D3的次序可以不同地變化。
[0093]控制單元可以僅將在上述涂覆腔室Cl至C3和顯影腔室Dl至D3之中的某些腔室中完成操作處理的晶片確定為待測試的基板。根據(jù)本實施例，控制單元800可以將在第一涂覆腔室Cl中完成涂覆處理的晶片Wl和W4確定為待測試的基板?？刂茊卧?00確定用于在第一涂覆腔室Cl中完成涂覆處理的第一晶片Wl和第四晶片W4的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片Wl和第四晶片W4確定為待測試的基板。在第七晶片W7的情況下，控制單元800確定估計測試處理完成時間，其不長用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且不將第七晶片W7確定為待測試的基板。
[0094]如上所述，由于控制單元800僅將在特定的腔室Cl中完成操作處理的晶片Wl和W4確定為待測試的基板，因此能夠通過晶片測試檢驗特定腔室Cl的操作處理性能。根據(jù)本實施例，控制單元800可以將在執(zhí)行了維護/修理操作的腔室中完成操作處理的晶片確定為待測試的基板。通過這樣，可以檢驗腔室的維護/修理狀態(tài)。此外，控制單元800可以僅將在特定腔室中完成操作處理的晶片確定為待測試的基板，以便檢驗特定腔室的操作處理功能。
[0095]圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0096]參照圖10，設置兩個裝載部20a和20b。在第一裝載部20a中，可以容納7個晶片Wl至W7。在第二裝載部20b中，可以容納6個晶片W8至W13。
[0097]控制單元800將在第二涂覆腔室C2中完成操作處理的第一裝載部20a的第二晶片W2和第五晶片W5以及第二裝載部20b的第一晶片W8和第四晶片Wll確定為待測試的基板。通過對于第一裝載部20a的第二晶片W2和第五晶片W5以及第二裝載部20b的第一晶片W8和第四晶片Wll的測試處理，可以檢驗第二涂覆腔室C2的測試處理功能。
[0098]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的基板處理設備I’的視圖。參照圖11，設備I’可以設置為單層。涂覆模塊401’和顯影模塊402’可以設置在同一層上。涂覆模塊401’和顯影模塊402’可以在第一方向12上布置成一排。在相對側上,測試模塊700’和烘烤腔室470’可以布置成一排。測試模塊700’可以設置在緩沖模塊300和烘烤腔室470，之間。
[0099]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，由于在基板的處理過程時間內完成測試處理，因此防止了由于基板測試發(fā)生的備用時間。
[0100]以上所公開的主題被認為是例證性的，而非限制性的，隨附的權利要求旨在覆蓋落入本發(fā)明的實質和范圍內的全部變型、改進和其它實施例。因此，在法律所允許的最大保護范圍內，本發(fā)明的保護范圍通過以下權利要求的最大可允許的解釋和等同技術來確定，并且不應被前述詳細描述所限制或限定。
【權利要求】
1.一種處理基板的方法，該方法包括: 提供具有容納在裝載部中的基板的操作模塊并且在所述操作模塊上執(zhí)行操作處理；以及 在于測試模塊中完成所述操作處理的所述基板上執(zhí)行測試處理， 其中，執(zhí)行所述測試處理包括確定提供給所述測試模塊的待測試的基板，以允許在用于單元裝載部中的所述基板的操作處理時間內完成所述測試處理。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行所述測試處理包括:計算用于單元裝載部中的所述基板的整個操作處理的估計需要時間；以及確定所述待測試的基板以允許在所述估計需要時間內完成所述測試處理。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，執(zhí)行所述測試處理包括:當用于提供給所述測試模塊的基板的所述測試處理的估計完成時間點比完成用于在所述單元裝載部中的所述基板之中的在所述操作模塊中最后處理的基板的操作處理的時間點遲時，在未通過所述測試的情況下，將相應的基板容納在所述裝載部中。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，執(zhí)行所述測試處理包括對在所述操作模塊中執(zhí)行所述操作處理的一些基板進行取樣和確定所述待測試的基板。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，執(zhí)行所述測試處理包括按照在所述操作模塊中執(zhí)行所述操作處理的次序將依次完成所述操作處理的基板確定為所述待測試的基板。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行所述操作處理包括: 利用光致抗蝕劑涂覆基板； 以及 在其上涂覆有所述光致抗蝕劑的所述基板上執(zhí)行顯影處理，并且 其中，執(zhí)行所述測試處理包括將完成所述顯影處理的所述基板確定為所述待測試的基板。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，執(zhí)行所述顯影處理包括: 在涂覆有所述光致抗蝕劑的所述基板上執(zhí)行顯影操作；以及 在完成所述顯影操作的所述基板上執(zhí)行熱處理。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述操作模塊包括允許執(zhí)行所述操作處理的的多個腔室，并且 其中，執(zhí)行所述測試處理包括僅將在某一個所述腔室中完成所述操作處理的所述基板確定為所述待測試的基板。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述操作模塊包括允許執(zhí)行所述操作處理的多個腔室，并且 其中，執(zhí)行所述測試處理包括將在用于每個腔室的腔室中完成所述操作處理的至少一個所述基板確定為所述待測試的基板。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述裝載部包括容納η個基板的第一裝載部和容納m個基板的第二裝載部， 其中，在所述第一裝載部的所述基板上執(zhí)行所述操作處理和所述測試處理之后，在所述第二裝載部的所述基板上執(zhí)行所述操作處理和所述測試處理， 其中，在所述第一裝載部的所述基板上執(zhí)行所述測試處理包括確定在所述第一裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板，以允許在用于所述第一裝載部的所述基板的操作處理時間內完成用于所述第一裝載部的所述基板的所述測試處理，以及 其中，在所述第二裝載部的所述基板上執(zhí)行所述測試處理包括確定在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板，以允許在用于所述第二裝載部的所述基板的操作處理時間內完成用于所述第二裝載部的所述基板的所述測試處理。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，確定在所述第一裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的次序與確定在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的次序不同。
12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述η是大于所述m的自然數(shù)，并且 其中，確定的在所述第一裝載部的基板之中的所述待測試的基板的數(shù)量大于確定的在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的數(shù)量。
13.—種基板處理設備,其包括: 裝載端口，其上設置有容納多個基板的裝載部； 操作模塊，其在所述基板上執(zhí)行操作處理； 分度器模塊，其位于所述裝載端口和所述操作模塊之間并且包括轉移所述基板的分度器機械手； 測試模塊，其在于所述操作模塊中完成所述操作處理的基板上執(zhí)行測試處理；以及控制單元，其確定提供給所述測試模塊的待測試的基板，以允許在用于所述操作模塊中的單元裝載部的所述基板的操作處理時間內完成所述測試模塊的所述測試處理。
14.根據(jù)權利要求13所述的設備，其中，所述操作模塊包括: 涂覆模塊，其利用光致抗蝕·劑涂覆所述基板；以及 顯影模塊，其在涂覆有所述光致抗蝕劑的所述基板上執(zhí)行顯影處理，并且 其中，所述控制單元將完成所述顯影處理的所述基板確定為所述待測試的基板。
15.根據(jù)權利要求14所述的設備，其中，所述操作模塊具有多層結構，其中所述涂覆模塊設置在所述顯影模塊的頂部上， 其中，所述顯影模塊包括: 多個顯影腔室，它們執(zhí)行顯影操作并布置成一排；以及 烘烤腔室，它們在完成所述顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理并且布置成與所述顯影腔室平行，并且 其中，所述測試模塊包括測試腔室，其位于所述分度器模塊和所述烘烤腔室之間并且測試完成所述熱處理的基板。
16.根據(jù)權利要求14所述的設備，其中，所述操作模塊具有單層結構， 其中，所述顯影模塊包括: 多個顯影腔室，它們執(zhí)行顯影操作；以及 烘烤腔室，它們在完成所述顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理， 其中，所述涂覆模塊包括執(zhí)行所述涂覆處理的多個涂覆腔室， 其中，所述顯影腔室和所述涂覆腔室在一個方向上布置成一排， 其中，所述烘烤腔室與所述顯影腔室和所述涂覆腔室平行地布置成一排，以及其中，所述測試模塊包括測試腔室，其位于所述分度器模塊和所述烘烤腔室之間并且測試完成所述熱處理的基板。
17.根據(jù)權利要求13所述的設備，其中，所述操作模塊包括在所述基板上執(zhí)行相同處理的多個腔室，并且 其中，所述控制單元僅將在某一個所述腔室中完成所述操作處理的基板確定為所述待測試的基板。
18.根據(jù)權利要求13所述的設備，其中，所述操作模塊包括在所述基板上執(zhí)行相同處理的多個腔室，并且 其中，所述控制單元將在各所述腔室中完成所述操作處理的至少一個基板確定為所述待測試的基板。
19.根據(jù)權利要求13所述的設備，其中，所述裝載部包括容納η個基板的第一裝載部和容納m個基板的第二裝載部， 其中，所述控制單元:在于所述第一裝載部的η個基板上完成所述處理之后控制在所述第二裝載部的m個基板上依次執(zhí)行的處理；確定在所述第一裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板，以允許在用于所述第一裝載部的所述η個基板的操作處理時間內完成用于所述第一裝載部的所述基板的所述測試處理；以及確定在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板，以允許在用于所述第二裝載部的所述m個基板的操作處理時間內完成用于所述第二裝載部的所述基板的所述測試處理。
20.根據(jù)權利要求19所述的設備，其中，所述控制單元將確定在所述第一裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的次序控制為與確定在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的次序不同。`
【文檔編號】H01L21/67GK103854974SQ201310629834
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權日:2012年11月30日
【發(fā)明者】黃修敏, 金東浩, 金元振, 姜虎信 申請人:細美事有限公司
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基板處理的方法。所述方法包括提供具有容納在裝載部中的基板的操作模塊并且在其上執(zhí)行操作處理，以及在于測試模塊中完成所述操作處理的所述基板上執(zhí)行測試處理。執(zhí)行所述測試處理包括確定提供給所述測試模塊的待測試的基板，以允許在用于單元裝載部中的所述基板的操作處理時間內完成所述測試處理。
【專利說明】用于處理基板的設備和方法
【背景技術】
[0001]在此公開的本發(fā)明涉及一種用于處理基板的設備和方法，更具體地，涉及一種用于處理基板的包括檢查完成操作處理的晶片的測試模塊設備和方法。
[0002]作為半導體裝置或平面顯示板的制造過程之一，執(zhí)行在基板上形成抗蝕膜、通過使用光掩膜將相應的抗蝕膜暴露于光以及將抗蝕膜顯影的一系列操作。通過使用包括連接至用于利用抗蝕溶液進行涂覆或進行顯影的涂覆-顯影裝置的曝光裝置的系統(tǒng)來執(zhí)行上述處理。在由抗蝕圖案形成的基板上執(zhí)行某些測試，例如，用于抗蝕圖案的臨界尺寸、抗蝕圖案和基底圖案的重疊狀態(tài)以及顯影缺陷的測試。然后，僅將確定為可接受的基板發(fā)送到下一個操作處理。
[0003]在上述基板上的測試通常由與涂覆-顯影裝置分離安裝的獨立式測試裝置來執(zhí)行。然而，可以使用其中基板測試裝置安裝在涂覆-顯影裝置中的內嵌式系統(tǒng)(inlinesystem)。
[0004]作為檢查基板的方法，存在由作為單元的裝載部(lot)依次地檢查全部基板的總測試方法以及測試預先設置各數(shù)量的取樣測試方法。上述測試方法可以產生用于基板測試的備用時間，從而增加用于基板的總必要時間。在基板測試時間長于涂覆-顯影處理時間時，測試備用時間增加。
【發(fā)明內容】
[0005]本發(fā)明提供了一種能夠減小由基板測試時間造成的產量下降的基板處理設備和方法。
[0006]目的不限于此，并且根據(jù)以下的公開這些目的對于本領域的技術人員來說是顯而易見的。
[0007]本發(fā)明的實施例提供了處理基板的方法，其包括提供具有容納在裝載部中的基板的操作模塊并且在所述操作模塊上執(zhí)行操作處理，以及在于測試模塊中完成操作處理的基板上執(zhí)行測試處理。執(zhí)行測試處理可以包括確定提供給測試模塊的待測試的基板，以允許在用于單元裝載部中的基板的操作處理時間內完成測試處理。
[0008]在一些實施例中，執(zhí)行測試處理可以包括:計算用于單元裝載部中的基板的整個操作處理的估計需要時間；以及確定待測試的基板以允許在估計需要時間內完成測試處理。
[0009]在其它實施例中，執(zhí)行測試處理包括:當用于提供給測試模塊的基板的測試處理的估計完成時間點比完成用于在單元裝載部中的基板之中的在操作模塊中最后處理的基板的操作處理的時間點遲時，在未通過測試的情況下，將相應的基板容納在裝載部中。
[0010]仍在其它實施例中，執(zhí)行測試處理可以包括對在操作模塊中執(zhí)行操作處理的一些基板進行取樣和確定待測試的基板。
[0011]還在其它實施例中，執(zhí)行測試處理可以包括以按照在操作模塊中執(zhí)行操作處理的次序將依次完成操作處理的基板確定為待測試的基板。[0012]又在其它實施例中，執(zhí)行操作處理可以包括利用光致抗蝕劑涂覆基板以及在其上涂覆有光致抗蝕劑的基板上執(zhí)行顯影處理。執(zhí)行測試處理可以包括將完成顯影處理的基板確定為待測試的基板。
[0013]在另外的實施例中，執(zhí)行顯影處理包括在涂覆有光致抗蝕劑的基板上執(zhí)行顯影操作以及在完成顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理。
[0014]仍在另外的實施例中，操作模塊可以包括允許執(zhí)行操作處理的多個腔室，并且執(zhí)行測試處理可以包括僅將在某一個腔室中完成操作處理的基板確定為待測試的基板。
[0015]還在另外的實施例中，操作模塊可以包括允許執(zhí)行操作處理的多個腔室，并且執(zhí)行測試處理可以包括將在用于每個腔室的腔室中完成操作處理的至少一個基板確定為待測試的基板。
[0016]又在另外的實施例中，裝載部可以包括容納η個基板的第一裝載部和容納m個基板的第二裝載部。在第一裝載部的基板上執(zhí)行操作處理和測試處理之后，可以在第二裝載部的基板上執(zhí)行操作處理和測試處理。在第一裝載部的基板上執(zhí)行測試處理可以包括確定在第一裝載部的基板之中的待測試的基板以允許在用于第一裝載部的基板的操作處理時間內完成用于第一裝載部的基板的測試處理。在第二裝載部的基板上執(zhí)行測試處理可以包括確定在第二裝載部的基板之中的待測試的基板以允許在用于第二裝載部的基板的操作處理時間內完成用于第二裝載部的基板的測試處理。
[0017]在再一些實施例中，確定在第一裝載部的基板之中的待測試的基板的次序與確定在第二裝載部的基板之中的待測試的基板的次序可以不同。
[0018]仍在再一些實施例中，η可以是大于m的自然數(shù)。確定的在第一裝載部的基板之中的待測試的基板的數(shù)量可以大于確定的在第二裝載部的基板之中的待測試的基板的數(shù)量。
[0019]在本發(fā)明的其它實施例中，基板處理設備包括:裝載端口，其上設置有容納多個基板的裝載部；操作模塊，其在基板上執(zhí)行操作處理；分度器模塊，其位于裝載端口和操作模塊之間并且包括轉移基板的分度器機械手；測試模塊，其在于操作模塊中完成操作處理的基板上執(zhí)行測試處理；以及控制單元，其確定提供給測試模塊的待測試的基板，以允許在用于操作模塊中的單元裝載部的基板的操作處理時間內完成測試模塊的測試處理。
[0020]在一些實施例中，操作模塊可以包括涂覆模塊，其利用光致抗蝕劑涂覆基板；以及顯影模塊，其在涂有光致抗蝕劑的基板上執(zhí)行顯影處理?？刂茊卧梢詫⑼瓿娠@影處理的基板確定為待測試的基板。
[0021]在其它實施例中，操作模塊可以具有多層結構，其中涂覆模塊設置在顯影模塊的頂部上。顯影模塊可以包括:多個顯影腔室，它們執(zhí)行顯影操作并布置成一排；以及烘烤腔室，它們在完成顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理并且布置成與顯影腔室平行。測試模塊可以包括測試腔室，其位于分度器模塊和烘烤腔室之間并且測試完成熱處理的基板。
[0022]仍在其它實施例中，操作模塊可以具有單層結構。顯影模塊可以包括:多個顯影腔室，它們執(zhí)行顯影操作；以及烘烤腔室，它們在執(zhí)行了顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理。涂覆模塊可以包括執(zhí)行涂覆處理的多個涂覆腔室。顯影腔室和涂覆腔室可以在一個方向上布置成一排。烘烤腔室可以與顯影腔室和涂覆腔室平行地布置成一排。測試模塊可以包括測試腔室，其位于分度器模塊和烘烤腔室之間并且測試完成熱處理的基板。
[0023]還在其它實施例中，操作模塊可以包括在基板上執(zhí)行相同處理的多個腔室?？刂茊卧獌H將在某一個腔室中完成操作處理的基板確定為待測試的基板。
[0024]又在其它實施例中，操作模塊可以包括在基板上執(zhí)行相同處理的多個腔室。控制單元可以將在各腔室中完成操作處理的至少一個基板確定為待測試的基板。
[0025]在再一些實施例中，裝載部可以包括容納η個基板的第一裝載部和容納m個基板的第二裝載部?？刂茊卧梢?在于第一裝載部的η個基板上完成處理之后控制在第二裝載部的m個基板上依次執(zhí)行的處理；確定在第一裝載部的基板之中的待測試的基板，以允許在用于第一裝載部的η個基板的操作處理時間內完成用于第一裝載部的基板的測試處理；以及確定在第二裝載部的基板之中的待測試的基板，以允許在用于第二裝載部的m個基板的操作處理時間內完成用于第二裝載部的基板的測試處理。
[0026]仍在再一些實施例中，控制單元可以將確定在第一裝載部的基板之中的待測試的基板的次序控制為與確定在第二裝載部的基板之中的待測試的基板的次序不同。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0027]所包括的附圖提供了對本發(fā)明的進一步的理解，并且附圖并入本說明書中并且構成本說明書的一部分。此附圖示出了本發(fā)明的示例性實施方式，其連同【專利附圖】
【附圖說明】一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0028]圖1是示出基板處理設備的側向橫截面視圖；
[0029]圖2是從圖1所示的A-A方向示出的設備的視圖；
[0030]圖3是從圖1所示的B-B方向示出的設備的視圖；
[0031 ] 圖4是從圖2所示的C-C方向示出的設備的視圖；
[0032]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0033]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0034]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的再一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0035]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0036]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；
[0037]圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例控制單元確定待測試的基板的次序的視圖；以及
[0038]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的基板處理設備的視圖。
【具體實施方式】
[0039]下面將參照附圖更加詳細地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，本發(fā)明可以以不同形式體現(xiàn)，并不應構造為限制于此處所闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開更加全面與完整，且將本發(fā)明的范圍充分表達給了本領域的技術人員。
[0040]在下文中，將參照附圖詳細地描述本發(fā)明的實施例。本發(fā)明的實施例可以修改為不同形式，并且本發(fā)明的范圍不限于以下實施例。提供實施例以向本領域技術人員更加完全地說明本發(fā)明。因此，為了更加精確地描述，放大了附圖中元件的形狀。
[0041]根據(jù)本實施例的設備用于在諸如半導體晶片和平面顯示板的基板上執(zhí)行光刻處理。具體地，該設備用于在基板上執(zhí)行涂覆處理和顯影處理。在下文中，將晶片用作基板的案例作為實例來描述。
[0042]圖1至圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板處理設備的視圖。圖1是是示出設備I的側向橫截面視圖；圖2是從圖1所示的A-A方向示出的設備的視圖；圖3是從圖1所示的B-B方向示出的設備的視圖；圖4是從圖2所示的C-C方向示出的設備的視圖。
[0043]設備I包括裝載端口 100、分度器模塊200、緩沖模塊300、操作模塊400、接口模塊500、測試模塊700和控制單元800。裝載端口 100、分度器模塊200、緩沖模塊300、操作模塊400和接口模塊500依次沿一個方向布置成一排。在下文中，將布置分度器模塊200、緩沖模塊300、操作模塊400和接口模塊500的方向指定為第一方向12。在從上方看時，將與第一方向12垂直的方向指定為第二方向14。將分別與第一方向12和第二方向14垂直的方向指定為第三方向16。
[0044]在將晶片W容納在裝載部20中的同時，轉移晶片W。在這種情況下，裝載部20具有從外面密封的結構。例如，可以將在其前部具有門的前開式晶圓盒(FOUP)用作為裝載部20。在下文中，參照圖1至圖4，詳細地描述各個組件。
[0045]裝載端口 100具有機架120，其上設有容納晶片W的裝載部20。機架120設置有多個。機架120沿第二方向14布置成一排。在圖1中，設置了四個機架120。
[0046]分度器模塊200在設置于裝置端口 100的機架120上的裝載部20和緩沖模塊300之間轉移晶片W。分度器模塊200包括框架210、分度器機械手220和導軌230?？蚣?10具有中空的長方體形狀并且設置在裝載端口 100和緩沖模塊300之間。分度器模塊200的框架210可以具有小于緩沖模塊300的框架310的高度。分度器機械手220和導軌230都設置在框架210中。分度器機械手220具有四軸驅動結構以允許夾持部221直接操作晶片W在第一方向12、第二方向14和第三方向16上移動和旋轉。分度器機械手220包括夾持部221、臂部222、支撐件223和支撐部224。夾持部221緊固并安裝在臂部222上。臂部222具有可伸展并可旋轉的結構。支撐件223設置為允許其長度方向在第三方向16上。臂部222與支撐件223結合以沿支撐件223可移動。支撐件223緊固在支撐部224上并與支撐部224結合。導軌230設置為允許其長度方向在第二方向14上。支撐部224與導軌230結合以沿導軌230在直線上可移動。而且，附圖中未示出，打開和關閉裝載部20的門的開門器進一步設置在框架210中。
[0047]緩沖模塊300包括框架310、第一緩沖器320、第二緩沖器330、冷卻腔室350和緩沖機械手360?？蚣?10具有中空的長方體形狀并且設置在分度器模塊200和操作模塊400之間。第一緩沖器320、第二緩沖器330、冷卻腔室350和緩沖機械手360位于框架310中。冷卻腔室350、第二緩沖器330和第一緩沖器310從下方起依次設置在第三方向16上。第一緩沖器320位于對應于如下所述的操作模塊400的涂覆模塊401的高度處。第二緩沖器330和冷卻腔室350位于對應于如下所述的操作模塊的顯影模塊402的高度處。緩沖機械手360在第二方向14上與第二緩沖器330、冷卻腔室350和第一緩沖器320分離一定的距離。
[0048]第一緩沖器320和第二緩沖器330分別暫時容納多個晶片W。第二緩沖器330包括殼體331和多個支撐件332。多個支撐件332設置在殼體331中并且在第三方向16上彼此分離。一個晶片W設置在一個支撐件332上。殼體331在設置分度器機械手220、緩沖機械手360和如下所述的顯影模塊402的顯影機械手482的方向上包括開口(未示出)，以允許分度器機械手220、緩沖機械手360和顯影機械手482將晶片W裝載到支撐件332上并將晶片W從支撐件332卸載。第一緩沖器320具有與第二緩沖器330大體相似的結構。只不過，第一緩沖器320的殼體321在設置緩沖機械手360和位于如下所述的涂覆模塊401中的涂覆單元機械手432的方向中包括開口。設置在第一緩沖器320中的支撐件322的數(shù)量和設置在第二緩沖器330中的支撐件332的數(shù)量可以彼此相同或者彼此不同。根據(jù)實例，設置在第二緩沖器330中的支撐件332的數(shù)量可以大于設置在第一緩沖器320中的支撐件322的數(shù)量。
[0049]緩沖機械手360在第一緩沖器320和第二緩沖器330之間轉移晶片W。緩沖機械手360包括夾持部361、臂部362和支撐件363。夾持部361緊固并安裝在臂部362中。臂部362是可伸展的以允許夾持部361在第二方向14上移動。臂部362與支撐件363結合以在第三方向16上沿支撐件363在直線上可移動。支撐件363具有從對應于第二緩沖器330的位置延伸到對應于第一緩沖器320的位置的長度。支撐件363可以上下都比該長度更長。第一緩沖機械手360可以允許夾持部361僅為在第二方向14和第三方向16上的兩軸驅動。
[0050]冷卻腔室350冷卻各晶片W。冷卻腔室350包括殼體351和冷卻板352。冷卻板352包括冷卻上表面的冷卻構件353和晶片W，晶片W設置在上表面上?？梢酝ㄟ^使用利用冷卻水或熱電元件的各種方法來冷卻冷卻構件353。而且，使晶片W位于冷卻板352上的升降銷總成(未示出)可以設置在冷卻腔室350中。殼體351在設置分度器機械手220和顯影機械手482的方向上包括開口(未示出)，以允許分度器機械手220和設置在如下所述的顯影模塊402中的顯影機械手482將晶片W裝載在冷卻板352上并將晶片W從冷卻板352卸載。此外，冷卻腔室350可以包括用于關閉上述開口的門(未示出)。
[0051]操作模塊400執(zhí)行利用光致抗蝕劑涂覆晶片W的涂覆處理和在曝光操作之后對晶片W進行顯影的顯影處理。操作模塊400基本上具有長方體形狀。操作模塊400包括涂覆模塊401和顯影模塊402。涂覆模塊401和顯影模塊402設置成通過層互相分離。根據(jù)實例，涂覆模塊401位于顯影模塊402上方。
[0052]涂覆模塊400利用感光溶液執(zhí)行涂覆晶片W的操作，例如諸如在抗蝕劑涂覆操作之前和之后加熱和冷卻晶片W的光致抗蝕劑操作。涂覆模塊401包括抗蝕劑涂覆腔室410、烘烤腔室420和轉移腔室430?？刮g劑涂覆腔室410、烘烤腔室420和轉移腔室430依次設置在第二方向14上。因此，抗蝕劑涂覆腔室410和烘烤腔室420通過在第二方向14上設置在其間的轉移腔室430而彼此分離?？刮g劑涂覆腔室410在第一方向12和第三方向16上分別設置有多個。在附圖中，設置有六個抗蝕劑涂覆腔室410。烘烤腔室420在第一方向12和第三方向16上分別設置有多個。在附圖中，設置有六個烘烤腔室420。然而，不同地，烘烤腔室420可以設置有更多個。
[0053]轉移腔室430平行于緩沖模塊300的第一緩沖器320定位于第一方向12上。涂覆單元機械手432和導軌433位于轉移腔室430中。轉移腔室430基本上具有長方體形狀。涂覆單元機械手432在烘烤腔室420、抗蝕劑涂覆腔室400、緩沖模塊300的第一緩沖器320和如下所述的接口模塊500的第一緩沖器520中轉移晶片W。導軌433布置成允許其長度方向與第一方向12平行。導軌433引導涂覆單兀機械手432在第一方向12上沿直線移動。涂覆單元機械手432包括夾持部434、臂部435、支撐件436和支撐部437。夾持部434緊固并安裝在臂部435中。臂部435可伸展以允許夾持部434水平移動。支撐件436設置成允許其長度方向在第三方向16上。臂部435與支撐件436結合以在第三方向16上沿支撐件436在直線上可移動。支撐件436緊固定到支撐部437上并與支撐部437結合。支撐部437與導軌433結合以沿導軌433可移動。
[0054]抗蝕劑涂覆腔室410全部都具有相同的構造。只不過，不同種類的光致抗蝕劑可以分別由抗蝕劑涂覆腔室410使用。作為實例，化學放大抗蝕劑可以用作為光致抗蝕劑?？刮g劑涂覆腔室410利用光致抗蝕劑涂覆晶片W?？刮g劑涂覆腔室410包括殼體411、支撐板412和噴嘴413。殼體411為敞口式杯狀。支撐板412位于殼體411中并支撐晶片W。支撐板412設置成可旋轉。噴嘴413將光致抗蝕劑供給到設置在支撐板412上的晶片W上。噴嘴413具有圓管形狀并且可以將光致抗蝕劑供給晶片W的中心。選擇性地，噴嘴413可以具有對應于晶片W的直徑的長度，并且噴嘴413的出口可以設置為狹長切口。此外，另外地，用于供給諸如去離子水的清洗溶液的噴嘴414可以進一步設置在抗蝕劑涂覆腔室410中以清洗涂覆有光致抗蝕劑的晶片W的表面。
[0055]烘烤腔室420熱處理晶片W。例如，烘烤腔室420通過在利用光致抗蝕劑涂覆晶片W之前用特定的溫度加熱晶片W來執(zhí)行移除晶片W的表面上的有機材料或水分的預烘烤操作，執(zhí)行在利用光致抗蝕劑涂覆晶片W之后所執(zhí)行的軟烘烤操作以及在相應的加熱操作之后執(zhí)行冷卻晶片W的冷卻操作。烘烤腔室420包括冷卻板421和加熱板422中的一種。冷卻板421設置有使用冷卻水或熱電元件的冷卻構件423。加熱板422設置有使用熱射線或熱電元件的加熱構件424。冷卻板421和加熱板422可以分別設置在烘烤腔室420中。選擇性地，一些烘烤腔室420可以僅包括冷卻板421，并且其它烘烤腔室420可以僅包括加熱板 422。
[0056]顯影模塊402執(zhí)行將顯影溶液供給到晶片W并移除部分光致抗蝕劑以獲取圖案的顯影操作，并且執(zhí)行在顯影操作之前加熱晶片W并在顯影操作之后冷卻晶片W的熱處理操作。顯影模塊402包括顯影腔室460、烘烤腔室470和轉移腔室480。顯影腔室460、烘烤腔室470和轉移腔室480依次布置在第二方向14上。因此，顯影腔室460和烘烤腔室470通過在第二方向14上設置在其間的轉移腔室480而彼此分離。顯影腔室460在第一方向12和第三方向16上分別設置有多個。在附圖中，設置有六個顯影腔室460。烘烤腔室470在第一方向12和第三方向16上分別設置有多個。在附圖中，設置有四個烘烤腔室470。然而，不同地，烘烤腔室470可以設置有更多個。
[0057]轉移腔室480平行于緩沖模塊300的第二緩沖器330定位于第一方向12上。顯影單元機械手482和導軌483位于轉移腔室480中。轉移腔室480基本上具有長方體形狀。顯影單元機械手482在烘烤腔室470、顯影腔室460、緩沖模塊300的第二緩沖器330和以下所述的接口模塊500的第二緩沖器530之間轉移晶片W。導軌483設置成允許其長度方向平行于第一方向12。導軌483引導顯影單兀機械手482在第一方向12上沿直線移動。顯影單元機械手482包括夾持部484、臂部485、支撐件486和支撐部487。夾持部484緊固并安裝在臂部485中。臂部485可伸展以允許夾持部484水平移動。支撐件486設置成允許其長度方向在第三方向16上。臂部485與支撐件486結合以在第三方向16上沿支撐件486在直線上可移動。夾持部486緊固至支撐部487上并與支撐部487結合。支撐部487與導軌483結合以沿導軌483可移動。
[0058]顯影腔室460全部都具有相同的構造。只不過，不同種類的顯影溶液可以分別用在顯影腔室460中。顯影腔室460移除晶片W上的有光發(fā)射到其上的光致抗蝕劑區(qū)域。在這種情況下，還移除有光發(fā)射到其上的保護膜區(qū)域。選擇性地，根據(jù)所使用的光致抗蝕劑的種類，可以僅移動沒有光發(fā)射到其上的光致抗蝕劑區(qū)域和保護膜區(qū)域。
[0059]顯影腔室460包括殼體461、支撐板462和噴嘴463。殼體461為敞口式杯狀。支撐板462位于殼體461中并且支撐晶片W。支撐板462設置成可旋轉的。噴嘴463將顯影溶液供給到設置在支撐板462上的晶片W上。噴嘴463具有圓管形狀并且可以將顯影溶液供給到晶片W的中心。選擇性地，噴嘴463可以具有對應于晶片W的直徑的長度，并且噴嘴463的出口可以設置成狹長切口。此外，用于供給諸如去離子水的清洗溶液的噴嘴464可以進一步地設置成清洗其上供給有顯影溶液的晶片W的表面。
[0060]烘烤腔室470熱處理晶片W。例如，烘烤腔室470在執(zhí)行顯影操作之前執(zhí)行加熱晶片W的后烘烤操作，在后烘烤操作和顯影操作之后執(zhí)行加熱晶片W的硬烘烤操作以及在相應的烘烤操作之后執(zhí)行冷卻被加熱的基板的冷卻操作。烘烤腔室470包括冷卻板471和加熱板472中的一種。冷卻板471設置有使用冷卻水或熱電元件的冷卻構件473。另外，加熱板472設置有使用熱射線或熱電元件的加熱構件474。冷卻板471和加熱板472可以分別設置在一個烘烤腔室470中。選擇性地，一些烘烤腔室470可以僅包括冷卻板471，并且其它烘烤腔室470可以僅包括加熱板472。
[0061]接口模塊500在操作模塊400和曝光模塊600之間轉移晶片W。接口模塊500包括框架510、第一緩沖器520、第二緩沖器530和接口機械手540。第一緩沖器520、第二緩沖器530和接口機械手540位于框架510中。第一緩沖器520和第二緩沖器530彼此設置為相互隔開一定的距離。第一緩沖器520設置為比第二緩沖器530高。第一緩沖器520位于對應于涂覆模塊401的高度處，并且第二緩沖器530設置在對應于顯影模塊402的高度處。在從上面看時，第一緩沖器520與涂覆模塊401的轉移腔室430共同在第一方向12上設置成一排，并且第二緩沖器530與顯影模塊402的轉移腔室480共同在第一方向12上設置成一排。
[0062]接口機械手540定位成在第二方向14上與第一緩沖器520和第二緩沖器530分離。接口機械手540在第一緩沖器520、第二緩沖器530和曝光裝置600之間傳輸晶片W。接口機械手540具有與緩沖機械手360大體上相似的結構。
[0063]在將晶片W轉移到曝光裝置600之前，第一緩沖器520暫時存儲在其上由涂覆模塊401執(zhí)行操作的晶片W。此外，在將晶片W轉移到顯影模塊402之前，第二緩沖器530暫時存儲完成曝光裝置600的操作的晶片W。第一緩沖器520包括殼體521和多個支撐件522。支撐件522設置在殼體521中并且在第三方向16上彼此分離。一個晶片W設置在一個支撐件522上。殼體521在設置接口機械手540和涂覆單元機械手432的方向上包括開口，以允許接口機械手540和涂覆單元機械手432將晶片W裝載在殼體521中的支撐件522上并將晶片W從殼體521的支撐件522卸載。第二緩沖器530具有與第一緩沖器520大體上相似的結構。只不過，第二緩沖器530的殼體531在設置接口機械手540和顯影機械手482的方向上包括開口(未示出)。在接口模塊中，在沒有用于在晶片上執(zhí)行特定操作的腔室的情況下，可以設置如上所述地緩沖器和機械手。
[0064]測試模塊700在于操作模塊400中完成操作處理的晶片W上執(zhí)行測試。測試模塊700測試在顯影模塊402中完成顯影操作和烘烤操作的晶片W。測試模塊700通過合并下述裝置而形成:缺陷測試裝置，其用于檢測缺陷和顯影處理的不便；污物測試裝置，其用于測試在晶片W上的污物；臨界尺寸測量裝置，其用于測量形成在晶片W上的光致抗蝕劑膜的圖案的臨界尺寸(CD);重疊配合測試裝置，其用于測試曝光后的晶片W和光掩膜之間的重疊配合的精確度；殘余測試裝置，其用于檢測于顯影處理之后在晶片W上的抗蝕劑殘余；以及散焦測試裝置而形成，缺陷測試裝置，污物測試裝置，其用于檢測由曝光裝置600形成的圖案的位置差異，可以根據(jù)所期望的測試種類適當?shù)拇_定測試模塊700。此外，各個測試單元的數(shù)量和布局可以基于所期望的測試種類或安裝空間確定。
[0065]測試模塊700可以設置在操作模塊400中。測試模塊700包括為執(zhí)行測試提供空間的測試腔室710。測試腔室710可以設置在其中設置有顯影模塊402的操作模塊400的底部上。測試腔室710設置在顯影模塊402的烘烤腔室470和分度器模塊300之間，同時測試腔室710與烘烤腔室470共同在第一方向12上設置成一排?？梢栽O置多個存放在第三方向16上的測試腔室710。
[0066]控制單元800在于操作模塊400中完成操作處理的晶片W之中確定待測試的基板并提供給測試模塊700?？刂茊卧?00確定待測試的基板以允許在用于單元裝載部20中的晶片W的操作處理時間內完成測試處理?？刂茊卧?00計算用于單元裝載部20中的整個晶片W的操作處理的估計需要時間，并且確定待測試的并提供給測試模塊700的基板，以便在操作處理的估計時間內完成測試處理。控制單元800將在操作模塊400中完成操作處理的一些晶片W確定為待測試的基板?？刂茊卧?00可以利用特定的循環(huán)對待在操作模塊400中完成操作處理的晶片W進行取樣，并將取樣的晶片W確定為待測試的基板。不同地，控制單元800可以按照在操作模塊400中完成操作處理的次序將晶片W依次確定為待測試的基板。參照圖5至圖10將詳細描述由控制單元800確定待測試的基板的方法。
[0067]在下文中，將描述使用基板處理設備I處理晶片W的方法。
[0068]容納有晶片W的裝載部20設置在裝載端口 100的機架120上。裝載部20的門通過開門器打開。分度器機械手220從裝載部20取出晶片W并且將晶片W傳輸?shù)降诙彌_器330。緩沖機械手360將容納在第二緩沖器330中的晶片W傳輸?shù)降谝痪彌_器320。涂覆單元機械手432從第一緩沖器320取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)酵扛材K401的烘烤腔室420。烘烤腔室420依次地執(zhí)行預烘烤操作和冷卻操作。涂覆單元機械手432從烘烤腔室420取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)娇刮g劑涂覆腔室410。抗蝕劑涂覆腔室410利用光致抗蝕劑涂覆晶片W。此后，涂覆單兀機械手432從抗蝕劑涂覆腔室410取出晶片W并將晶片W傳輸至烘烤腔室420。烘烤腔室420在晶片W上執(zhí)行軟烘烤操作。
[0069]涂覆單元機械手432從烘烤腔室420取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)浇涌谀K500的第一緩沖器520。接口機械手540將晶片W從第一緩沖器520傳輸?shù)狡毓庋b置600。在曝光裝置600中，在晶片W上執(zhí)行曝光操作。此后，接口機械手540將晶片W從曝光裝置600傳輸?shù)降诙彌_器530。
[0070]顯影單元機械手482從第二緩沖器530取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)斤@影模塊402的烘烤腔室470。烘烤腔室470依次執(zhí)行后烘烤操作和冷卻操作。顯影單元機械手482從烘烤腔室470取出晶片W并將晶片W傳輸至顯影腔室460。顯影腔室460將顯影溶液供給到晶片W并執(zhí)行顯影操作。此后，顯影單元機械手482從顯影腔室460取出晶片W并將晶片W傳輸?shù)胶婵厩皇?70。烘烤腔室470在晶片W上執(zhí)行硬烘烤操作。
[0071]控制單元800在完成上述涂覆/顯影處理的晶片W之中確定待測試的基板。將確定為待測試的基板的晶片W從烘烤腔室中取出并通過顯影單元機械手482將其傳輸?shù)綔y試腔室710。相反，將未確定為待測試的基板的晶片W取出并通過顯影單元機械手482將其傳輸?shù)骄彌_模塊300的冷卻腔室350。
[0072]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0073]參照圖5，涂覆/顯影處理表明了示出在涂覆模塊401和顯影模塊402中的晶片W上依次執(zhí)行涂覆處理和顯影處理的過程的圖表，并且測試處理表明了控制單元800確定待測試的基板并且將其提供給測試模塊700以在其上執(zhí)行測試處理的過程。需要時間表明用于在單元裝載部20中的晶片W上完成全部涂覆/顯影以及測試處理的時間。根據(jù)本實施例，將七個晶片Wl至W7容納在裝載部20中并將它們依次逐個地提供給涂覆/顯影處理。在本實施例中，測試處理時間長于涂覆處理時間和顯影處理時間。
[0074]控制單元800計算用于在七個晶片Wl至W7上執(zhí)行的整個操作處理的估計需要時間Td?；谒嬎愕墓烙嬓枰獣r間，確定待測試的基板。在第一晶片Wl完成涂覆/顯影處理時，控制單元800確定用于第一晶片Wl的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片Wl確定為待測試的基板。在于第二晶片W2上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片Wl的測試處理持續(xù)。在于第三晶片W3上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片Wl的測試處理完成?？刂茊卧?00確定用于第三晶片W3的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第三晶片W3為待測試的基板。在于第四晶片W4上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第三基板W3的測試處理持續(xù)。在于第五晶片W5上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第三晶片W3的測試處理完成。控制單元800確定用于第五晶片W5的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第五晶片W5確定為待測試的基板。在于第六晶片W6上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第五晶片W5的測試處理持續(xù)，并且在于第七晶片W7上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第五晶片W5的測試處理完成?？刂茊卧?00確定用于第六晶片W6和第七晶片W7的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且未將第六晶片W6和第七晶片W7確定為待測試的基板。根據(jù)上述控制單元的確定，將第一晶片Wl、第三晶片W3和第五晶片W5確定為待測試的基板，并且未將第二晶片W2、第四晶片W4、第六晶片W6和第七晶片W7確定為待測試的基板。因為由于用于待測試的基板的控制單元800的確定，用于單元裝載部20中的晶片W的測試處理早于全部晶片W的涂覆/顯影處理而完成，因此由測試處理引起的備用時間不存在并且防止了用于處理單元裝載部20中的晶片W的時間的增加。在本實施例中，控制單元800利用特定的循環(huán)確定待測試的基板?？刂茊卧?00利用2n-l (在下文中，η是自然數(shù))的循環(huán)來將完成涂覆/顯影處理的晶片W確定為待測試的基板。不同地，控制單元800可以利用3η-1的循環(huán)或3η-2的循環(huán)來確定待測試的基板。用于確定待測試的基板的循環(huán)可以根據(jù)設置在單元裝載部20中的晶片W的數(shù)量和用于單元晶片W的測試處理時間而不同地變化。
[0075]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0076]參照圖6，設置兩個裝載部20a和20b。在第一裝載部20a中，容納η個晶片W。在第二裝載部20b中，容納m個晶片W。η是不同于m的自然數(shù)并且可以大于m。根據(jù)本實施例，η可以為7并且m可以為6。設備I在第一裝載部20中的晶片Wl至W7上執(zhí)行涂覆/顯影處理和測試處理，然后在第二裝載部20b中的晶片W8至W13上執(zhí)行涂覆/顯影處理和測試處理。用于第二裝載部20b中的晶片W8至W13的測試處理時間可以長于用于第一裝載部20a中的晶片Wl至W7的測試處理時間。
[0077]因為用于第一裝載部20a中的晶片Wl至W7的涂覆/顯影處理和測試處理與上述圖5中的實施例相同，因此將省略對其的詳細描述。
[0078]在用于第二裝載部20b的第一晶片W8的涂覆/顯影處理完成時的時間點處，在測試模塊700中不執(zhí)行測試處理。控制單元800確定用于第二裝載部20b的第一晶片W8的估計測試處理完成時間，其不長于用于第二裝載部20b的晶片W8至W13的整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片W8確定為待測試的基板。在于第二晶片W9和第三晶片HO上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片W8的測試處理持續(xù)，并且在于第四晶片Wll上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片W8的測試處理完成。
[0079]因為在將第二晶片W9確定為待測試的基板時，需要長的備用時間直到用于第一晶片W8的測試處理完成，因此控制單元800不將第二晶片W9確定為待測試的基板。
[0080]控制單元800確定用于第三晶片WlO的估計測試處理完成時間，其不長于用于第二裝載部20b的晶片W8至W13的整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第三晶片WlO確定為待測試的基板。在于第五晶片W12和第六晶片W13上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第三晶片WlO的測試處理持續(xù)。因為第三晶片WlO的估計測試處理完成時間確定為長于用于在測試處理第五晶片W12和第六晶片W13時的整個操作處理的估計需要時間，因此控制單元800不將第五晶片W12和第六晶片W13確定為待測試的基板。
[0081 ] 根據(jù)控制單元800的確定，在第一裝載部20a中，將第一晶片Wl、第三晶片W3和第五晶片W5確定為待測試的基板，并且不將第二晶片W2、第四晶片W4、第六晶片W6和第七晶片W7確定為待測試的基板。此外，在第二裝載部20b中，將第一晶片W8和第三晶片WlO確定為待測試的基板，并且不將第二晶片W9、第四晶片W11、第五晶片W12和第六晶片W13確定為待測試的基板。如上所述，盡管設置在裝載部20a和20b中的晶片的數(shù)量和用于各裝載部20a和20b的晶片測試處理時間彼此不同，但是因為控制單元800靈活地確定待測試的基板以允許在用于晶片的整個操作處理的估計需要時間Td結束之前完成測試處理，因此由測試處理引起的備用時間不存在。
[0082]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的再一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0083]參照圖7，控制單元800執(zhí)行自動數(shù)量連續(xù)測試。在圖5和圖6中，利用特定的循環(huán)確定待測試的基板。在本實施例中，按照完成涂覆/顯影處理的次序將晶片依次確定為待測試的基板。
[0084]將描述作為實例的容納在裝載部20中的七個晶片Wl至W7?？刂茊卧?00計算用于在七個晶片Wl至W7上執(zhí)行的整個操作處理的估計需要時間Td?；谒嬎愕墓烙嬓枰獣r間，確定待測試的基板。在第一晶片Wl完成涂覆/顯影處理時，控制單元800確定用于第一晶片Wl的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片Wl確定為待測試的基板。在于第二晶片W2上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，用于第一晶片Wl的測試處理持續(xù)?？刂茊卧?00允許完成涂覆/顯影處理的第二晶片W2備用，并且確定晶片W2是否為待測試的基板?；谕瓿捎糜诘谝痪琖l的測試處理的時間點，估計用于第二晶片W2的測試處理完成時間并確定用于第二晶片W2的測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td。使用上述方法，控制單元800將第三晶片W3和第四晶片W4依次確定為待測試的基板?？刂茊卧?00基于完成用于第四晶片W4的測試處理的時間點來估計用于第五晶片W5的測試處理完成時間，控制單元800確定用于第五晶片W5的測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且不將第五晶片W5確定為待測試的基板?；谂c第五晶片W5相同的原因，不將第六晶片W6和第七晶片W7確定為待測試的基板。
[0085]根據(jù)控制單元800的確定，在裝載部20中，將第一晶片Wl至第四晶片W4確定為待測試的基板，并且不將第五晶片W5至第七晶片W7確定為待測試的基板。如上所述，控制單元800可以按照完成涂覆/顯影處理的次序將晶片W連續(xù)地確定為待測試的基板。
[0086]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的又再一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0087]參照圖8，設置兩個裝載部20a和20b。在第一裝載部20a中，可以容納7個晶片Wl至W7。在第二裝載部20b中，可以容納6個晶片W8至W13。在第一裝載部20的晶片Wl至W7上執(zhí)行涂覆/顯影處理和測試處理，然后在第二裝載部20b的晶片W8至W13上執(zhí)行涂覆/顯影處理和測試處理。用于第二裝載部20b的晶片W8至W13的測試處理時間可以長于用于第一裝載部20a的晶片Wl至W7的測試處理時間。
[0088]因為用于第一裝載部20a的晶片Wl至W7的涂覆/顯影處理和測試處理與上述圖7的實施例相同，因此將省略對其的詳細描述。
[0089]在用于第二裝載部20b的第一晶片W8的涂覆/顯影處理完成時的時間點處，不執(zhí)行測試處理。控制單元800確定用于第二裝載部20b的第一晶片W8的估計測試處理完成時間，其不長于用于第二裝載部20b的晶片W8至W13的整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片W8確定為待測試的基板。在于第二晶片W9至第四晶片Wll上執(zhí)行涂覆/顯影處理的同時，在第一晶片W8上的測試處理持續(xù)。控制單元800基于用于第一晶片W8的測試處理完成時的時間點來確定完成涂覆/顯影處理的第二晶片W9是否為待測試的基板?？刂茊卧?00確定用于第二晶片W9的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第二晶片W9確定為待測試的基板。控制單元800基于完成用于第二晶片W9的測試處理時的時間點來估計用于完成涂覆/顯影處理的第三晶片WlO至第六晶片W13的測試處理完成時間，控制單元800確定用于第三晶片WlO至第六晶片W13的測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并不將第三晶片WlO至第六晶片W13確定為待測試的基板。
[0090]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的還再一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。[0091]參照圖9，分別設置多個涂覆腔室Cl至C3和多個顯影腔室Dl至D3。根據(jù)本實施例，設置三個涂覆腔室Cl至C3和三個顯影腔室Dl至D3。在涂覆腔室Cl至C3中，分別執(zhí)行涂覆處理。在顯影腔室Dl至D3中，分別執(zhí)行顯影處理。在本實施例中，將描述作為實例的容納在裝載部20中的七個晶片Wl至W7。
[0092]將容納在裝載部20中的晶片Wl至W7依次逐個地提供給涂覆腔室Cl至C3和顯影腔室Dl至D3。根據(jù)本實施例，在第一涂覆腔室Cl中的第一晶片Wl上執(zhí)行涂覆處理并且在第二顯影腔室D2中的第一晶片Wl上執(zhí)行顯影處理。在第二涂覆腔室C2中的第二晶片W2上執(zhí)行涂覆處理并且在第三顯影腔室D3中的第二晶片W2上執(zhí)行顯影處理。在第三涂覆腔室C3中的第三晶片W3上執(zhí)行涂覆處理并且在第一顯影腔室Dl中的第三晶片W3上執(zhí)行顯影處理。在第一涂覆腔室Cl中的第四晶片W4上執(zhí)行涂覆處理并且在第三顯影腔室D3中的第四晶片W4上執(zhí)行顯影處理。在第二涂覆腔室C2中的第五晶片W5上執(zhí)行涂覆處理并且在第二顯影腔室D2中的第五晶片W5上執(zhí)行顯影處理。在第三涂覆腔室C3中的第六晶片W6上執(zhí)行涂覆處理并且在第三顯影腔室D3中的第六晶片W6上執(zhí)行顯影處理。此夕卜，在第一涂覆腔室Cl中的第七晶片W7上執(zhí)行涂覆處理并且在第三顯影腔室D3中的第七晶片W7上執(zhí)行顯影處理。如上所述，在將晶片Wl至W7設置在彼此不同的涂覆腔室Cl至C3和顯影腔室Dl至D3中的同時，可以分別在晶片Wl至W7上執(zhí)行涂覆/顯影處理。晶片Wl至W7設置在其上的涂覆腔室Dl至D3和顯影腔室Dl至D3的次序可以不同地變化。
[0093]控制單元可以僅將在上述涂覆腔室Cl至C3和顯影腔室Dl至D3之中的某些腔室中完成操作處理的晶片確定為待測試的基板。根據(jù)本實施例，控制單元800可以將在第一涂覆腔室Cl中完成涂覆處理的晶片Wl和W4確定為待測試的基板?？刂茊卧?00確定用于在第一涂覆腔室Cl中完成涂覆處理的第一晶片Wl和第四晶片W4的估計測試處理完成時間，其不長于用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且將第一晶片Wl和第四晶片W4確定為待測試的基板。在第七晶片W7的情況下，控制單元800確定估計測試處理完成時間，其不長用于整個操作處理的估計需要時間Td，并且不將第七晶片W7確定為待測試的基板。
[0094]如上所述，由于控制單元800僅將在特定的腔室Cl中完成操作處理的晶片Wl和W4確定為待測試的基板，因此能夠通過晶片測試檢驗特定腔室Cl的操作處理性能。根據(jù)本實施例，控制單元800可以將在執(zhí)行了維護/修理操作的腔室中完成操作處理的晶片確定為待測試的基板。通過這樣，可以檢驗腔室的維護/修理狀態(tài)。此外，控制單元800可以僅將在特定腔室中完成操作處理的晶片確定為待測試的基板，以便檢驗特定腔室的操作處理功能。
[0095]圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例控制單元800確定待測試的基板的次序的視圖。
[0096]參照圖10，設置兩個裝載部20a和20b。在第一裝載部20a中，可以容納7個晶片Wl至W7。在第二裝載部20b中，可以容納6個晶片W8至W13。
[0097]控制單元800將在第二涂覆腔室C2中完成操作處理的第一裝載部20a的第二晶片W2和第五晶片W5以及第二裝載部20b的第一晶片W8和第四晶片Wll確定為待測試的基板。通過對于第一裝載部20a的第二晶片W2和第五晶片W5以及第二裝載部20b的第一晶片W8和第四晶片Wll的測試處理，可以檢驗第二涂覆腔室C2的測試處理功能。
[0098]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的基板處理設備I’的視圖。參照圖11，設備I’可以設置為單層。涂覆模塊401’和顯影模塊402’可以設置在同一層上。涂覆模塊401’和顯影模塊402’可以在第一方向12上布置成一排。在相對側上,測試模塊700’和烘烤腔室470’可以布置成一排。測試模塊700’可以設置在緩沖模塊300和烘烤腔室470，之間。
[0099]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，由于在基板的處理過程時間內完成測試處理，因此防止了由于基板測試發(fā)生的備用時間。
[0100]以上所公開的主題被認為是例證性的，而非限制性的，隨附的權利要求旨在覆蓋落入本發(fā)明的實質和范圍內的全部變型、改進和其它實施例。因此，在法律所允許的最大保護范圍內，本發(fā)明的保護范圍通過以下權利要求的最大可允許的解釋和等同技術來確定，并且不應被前述詳細描述所限制或限定。
【權利要求】
1.一種處理基板的方法，該方法包括: 提供具有容納在裝載部中的基板的操作模塊并且在所述操作模塊上執(zhí)行操作處理；以及 在于測試模塊中完成所述操作處理的所述基板上執(zhí)行測試處理， 其中，執(zhí)行所述測試處理包括確定提供給所述測試模塊的待測試的基板，以允許在用于單元裝載部中的所述基板的操作處理時間內完成所述測試處理。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行所述測試處理包括:計算用于單元裝載部中的所述基板的整個操作處理的估計需要時間；以及確定所述待測試的基板以允許在所述估計需要時間內完成所述測試處理。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，執(zhí)行所述測試處理包括:當用于提供給所述測試模塊的基板的所述測試處理的估計完成時間點比完成用于在所述單元裝載部中的所述基板之中的在所述操作模塊中最后處理的基板的操作處理的時間點遲時，在未通過所述測試的情況下，將相應的基板容納在所述裝載部中。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，執(zhí)行所述測試處理包括對在所述操作模塊中執(zhí)行所述操作處理的一些基板進行取樣和確定所述待測試的基板。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，執(zhí)行所述測試處理包括按照在所述操作模塊中執(zhí)行所述操作處理的次序將依次完成所述操作處理的基板確定為所述待測試的基板。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行所述操作處理包括: 利用光致抗蝕劑涂覆基板； 以及 在其上涂覆有所述光致抗蝕劑的所述基板上執(zhí)行顯影處理，并且 其中，執(zhí)行所述測試處理包括將完成所述顯影處理的所述基板確定為所述待測試的基板。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，執(zhí)行所述顯影處理包括: 在涂覆有所述光致抗蝕劑的所述基板上執(zhí)行顯影操作；以及 在完成所述顯影操作的所述基板上執(zhí)行熱處理。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述操作模塊包括允許執(zhí)行所述操作處理的的多個腔室，并且 其中，執(zhí)行所述測試處理包括僅將在某一個所述腔室中完成所述操作處理的所述基板確定為所述待測試的基板。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述操作模塊包括允許執(zhí)行所述操作處理的多個腔室，并且 其中，執(zhí)行所述測試處理包括將在用于每個腔室的腔室中完成所述操作處理的至少一個所述基板確定為所述待測試的基板。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述裝載部包括容納η個基板的第一裝載部和容納m個基板的第二裝載部， 其中，在所述第一裝載部的所述基板上執(zhí)行所述操作處理和所述測試處理之后，在所述第二裝載部的所述基板上執(zhí)行所述操作處理和所述測試處理， 其中，在所述第一裝載部的所述基板上執(zhí)行所述測試處理包括確定在所述第一裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板，以允許在用于所述第一裝載部的所述基板的操作處理時間內完成用于所述第一裝載部的所述基板的所述測試處理，以及 其中，在所述第二裝載部的所述基板上執(zhí)行所述測試處理包括確定在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板，以允許在用于所述第二裝載部的所述基板的操作處理時間內完成用于所述第二裝載部的所述基板的所述測試處理。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，確定在所述第一裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的次序與確定在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的次序不同。
12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述η是大于所述m的自然數(shù)，并且 其中，確定的在所述第一裝載部的基板之中的所述待測試的基板的數(shù)量大于確定的在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的數(shù)量。
13.—種基板處理設備,其包括: 裝載端口，其上設置有容納多個基板的裝載部； 操作模塊，其在所述基板上執(zhí)行操作處理； 分度器模塊，其位于所述裝載端口和所述操作模塊之間并且包括轉移所述基板的分度器機械手； 測試模塊，其在于所述操作模塊中完成所述操作處理的基板上執(zhí)行測試處理；以及控制單元，其確定提供給所述測試模塊的待測試的基板，以允許在用于所述操作模塊中的單元裝載部的所述基板的操作處理時間內完成所述測試模塊的所述測試處理。
14.根據(jù)權利要求13所述的設備，其中，所述操作模塊包括: 涂覆模塊，其利用光致抗蝕·劑涂覆所述基板；以及 顯影模塊，其在涂覆有所述光致抗蝕劑的所述基板上執(zhí)行顯影處理，并且 其中，所述控制單元將完成所述顯影處理的所述基板確定為所述待測試的基板。
15.根據(jù)權利要求14所述的設備，其中，所述操作模塊具有多層結構，其中所述涂覆模塊設置在所述顯影模塊的頂部上， 其中，所述顯影模塊包括: 多個顯影腔室，它們執(zhí)行顯影操作并布置成一排；以及 烘烤腔室，它們在完成所述顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理并且布置成與所述顯影腔室平行，并且 其中，所述測試模塊包括測試腔室，其位于所述分度器模塊和所述烘烤腔室之間并且測試完成所述熱處理的基板。
16.根據(jù)權利要求14所述的設備，其中，所述操作模塊具有單層結構， 其中，所述顯影模塊包括: 多個顯影腔室，它們執(zhí)行顯影操作；以及 烘烤腔室，它們在完成所述顯影操作的基板上執(zhí)行熱處理， 其中，所述涂覆模塊包括執(zhí)行所述涂覆處理的多個涂覆腔室， 其中，所述顯影腔室和所述涂覆腔室在一個方向上布置成一排， 其中，所述烘烤腔室與所述顯影腔室和所述涂覆腔室平行地布置成一排，以及其中，所述測試模塊包括測試腔室，其位于所述分度器模塊和所述烘烤腔室之間并且測試完成所述熱處理的基板。
17.根據(jù)權利要求13所述的設備，其中，所述操作模塊包括在所述基板上執(zhí)行相同處理的多個腔室，并且 其中，所述控制單元僅將在某一個所述腔室中完成所述操作處理的基板確定為所述待測試的基板。
18.根據(jù)權利要求13所述的設備，其中，所述操作模塊包括在所述基板上執(zhí)行相同處理的多個腔室，并且 其中，所述控制單元將在各所述腔室中完成所述操作處理的至少一個基板確定為所述待測試的基板。
19.根據(jù)權利要求13所述的設備，其中，所述裝載部包括容納η個基板的第一裝載部和容納m個基板的第二裝載部， 其中，所述控制單元:在于所述第一裝載部的η個基板上完成所述處理之后控制在所述第二裝載部的m個基板上依次執(zhí)行的處理；確定在所述第一裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板，以允許在用于所述第一裝載部的所述η個基板的操作處理時間內完成用于所述第一裝載部的所述基板的所述測試處理；以及確定在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板，以允許在用于所述第二裝載部的所述m個基板的操作處理時間內完成用于所述第二裝載部的所述基板的所述測試處理。
20.根據(jù)權利要求19所述的設備，其中，所述控制單元將確定在所述第一裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的次序控制為與確定在所述第二裝載部的所述基板之中的所述待測試的基板的次序不同。`
【文檔編號】H01L21/67GK103854974SQ201310629834
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權日:2012年11月30日
【發(fā)明者】黃修敏, 金東浩, 金元振, 姜虎信 申請人:細美事有限公司
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