高速直調(diào)v型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器。它包括半波耦合器、波長參考FP諧振腔和波長調(diào)諧FP諧振腔；所述波長參考FP諧振腔由短腔有源波導(dǎo)和短腔無源波導(dǎo)串接構(gòu)成，波長調(diào)諧FP諧振腔由長腔有源波導(dǎo)和長腔無源波導(dǎo)串接構(gòu)成；短腔有源波導(dǎo)與短腔無源波導(dǎo)的光學(xué)長度比例等于長腔有源波導(dǎo)與長腔無源波導(dǎo)的光學(xué)長度比例，這樣激光器在高速直接調(diào)制時，不會跳模。該激光器還可以進一步包含在半波耦合器頂部增加的一段薄膜電阻來增大調(diào)諧范圍；包含腔外增加的兩段有源波導(dǎo)和深刻蝕槽來減小激光器閾值，并提供片上集成的光功率計。本發(fā)明可以覆蓋C波段甚至更大范圍的調(diào)諧，并對每個通信波長實現(xiàn)10Gbps以上的直接調(diào)制性能。
【專利說明】高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器，尤其涉及一種高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光 器。
【背景技術(shù)】
[0002]高速直調(diào)的寬帶可調(diào)諧的半導(dǎo)體激光器在接入網(wǎng)和數(shù)據(jù)交換網(wǎng)中有著非常廣泛 的應(yīng)用。不僅可以用作備份光源，減少庫存成本，還可以用來設(shè)計更加智能的光網(wǎng)絡(luò)或者光 模塊。例如，可調(diào)諧激光器和波分復(fù)用器件一起可以實現(xiàn)可重構(gòu)光上載下載復(fù)用器；可調(diào)諧 激光器還可以與半導(dǎo)體光放大器一起構(gòu)成波長轉(zhuǎn)換器。
[0003]目前所提出的單片集成的大范圍可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器大多數(shù)都是基于光柵選模， 這些激光器由于需要制作光柵，工藝十分復(fù)雜，而且所需要的外延片面積也比較大，導(dǎo)致成 本很高，阻礙了很多應(yīng)用的推廣。例如，圖1為基于調(diào)制光柵Y型(MG-Y)可調(diào)諧半導(dǎo)體激 光器的結(jié)構(gòu)不意圖，被報道于"High-speed direct modulation of widely tunable MG-Y laser" , IEEE Photonics Technology Letters, 17 (6) (2005): 1157-1159.這種 MG-Y 可 調(diào)諧半導(dǎo)體激光器包含一個增益區(qū)，一個共同相位區(qū)，一個MMI耦合器，一個微分相位區(qū)以 及兩個光柵，結(jié)構(gòu)十分復(fù)雜；該激光器實現(xiàn)單模穩(wěn)定工作和波長調(diào)諧需要調(diào)節(jié)共同相位區(qū)、 微分相位區(qū)和光柵上的注入電流，這種多電極協(xié)調(diào)的調(diào)諧算法十分復(fù)雜，不利于激光器驅(qū) 動電路的設(shè)計和激光器高效批量化生產(chǎn)，而且高昂的成本阻止了應(yīng)用的推廣。
[0004]為了提供廉價的可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器，何建軍于2006年提出了一種基于V型腔結(jié) 構(gòu)的半導(dǎo)體激光器，公開于中國發(fā)明專利:"V型耦合腔波長可切換半導(dǎo)體激光器"，專利 號ZL 200610154587.7。這種激光器可以實現(xiàn)約20多個信道，IOOGHz間隔的數(shù)字式切換，但 是由于該設(shè)計只在構(gòu)成V腔的兩個FP諧振腔中的一個FP諧振腔設(shè)置了一個無源調(diào)諧區(qū)， 激光器其余部分都為有源，雖然可以實現(xiàn)20多個信道的切換，激射電流閾值比較低，但是 高速直接調(diào)制的速度受到腔內(nèi)載流子濃度變化引起的波長跳模的限制，因為在激光器耦合 器注入微波信號后，兩個FP諧振腔的載流子水平變化不一致，很容易發(fā)生激射模式跳變， 這樣極大程度的限制了該設(shè)計的應(yīng)用；而且該設(shè)計想擴大調(diào)諧范圍覆蓋整個C波段或者更 大的范圍，將必須不斷增大有源區(qū)的電流以產(chǎn)生熱量來移動增益譜，由于大電流的注入，將 會使激光的噪聲水平很高，線寬特性會惡化，不同信道間的功率差異也十分大，且對于激光 器的壽命也會產(chǎn)生明顯影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對【背景技術(shù)】的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半 導(dǎo)體激光器，它可以容易的實現(xiàn)高速直接調(diào)制，同時又具有一個覆蓋整個C波段甚至更大 的波長調(diào)諧范圍，并且可以集成光功率計實現(xiàn)實時片上功率監(jiān)測。
[0006]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
[0007]技術(shù)方案1:[0008]本發(fā)明包括半波耦合器、波長參考FP諧振腔和波長調(diào)諧FP諧振腔；其特征在于:所述波長參考FP諧振腔由短腔有源波導(dǎo)和短腔無源波導(dǎo)串接構(gòu)成，波長調(diào)諧FP諧振腔由長腔有源波導(dǎo)和長腔無源波導(dǎo)串接構(gòu)成；短腔有源波導(dǎo)與短腔無源波導(dǎo)的光學(xué)長度比例等于長腔有源波導(dǎo)與長腔無源波導(dǎo)的光學(xué)長度比例；短腔有源波導(dǎo)和長腔有源波導(dǎo)上設(shè)置有調(diào)制信號電極，長腔無源波導(dǎo)上設(shè)置有波長調(diào)諧電極。
[0009]所述短腔無源波導(dǎo)上設(shè)置有波長微調(diào)電極。
[0010]所述短腔有源波導(dǎo)和長腔有源波導(dǎo)上設(shè)置有加熱薄膜電阻，加熱薄膜電阻在調(diào)制信號電極上方，加熱薄膜電阻和調(diào)制信號電極之間有一層電絕緣薄層；加熱薄膜電阻兩側(cè)分別設(shè)置有上熱空氣隔離槽和下熱空氣隔離槽。
[0011]技術(shù)方案2:
[0012]本發(fā)明包括半波耦合器、波長參考FP諧振腔和波長調(diào)諧FP諧振腔；其特征在于:所述波長參考FP諧振腔由短腔有源波導(dǎo)和短腔無源波導(dǎo)串接構(gòu)成，波長調(diào)諧FP諧振腔由長腔有源波導(dǎo)和長腔無源波導(dǎo)串接構(gòu)成；短腔有源波導(dǎo)與短腔無源波導(dǎo)的光學(xué)長度比例等于長腔有源波導(dǎo)與長腔無源波導(dǎo)的光學(xué)長度比例；短腔有源波導(dǎo)和長腔有源波導(dǎo)上設(shè)置有調(diào)制信號電極，長腔無源波導(dǎo)上設(shè)置有波長調(diào)諧電極，短腔無源波導(dǎo)上設(shè)置有波長微調(diào)電極；所述短腔無源波導(dǎo)通過短腔深刻蝕槽串接有短腔ro有源波導(dǎo)，短腔ro有源波導(dǎo)上設(shè)置有短腔ro電極；長腔無源波導(dǎo)通過長腔深刻蝕槽串接有長腔ro有源波導(dǎo)，長腔ro有源波導(dǎo)上設(shè)置有長腔ro電極。
[0013]所述短腔有源波導(dǎo)和長腔有源波導(dǎo)上設(shè)置有加熱薄膜電阻，加熱薄膜電阻在調(diào)制信號電極上方，加熱薄膜電阻和調(diào)制信號電極之間有一層電絕緣薄層；加熱薄膜電阻兩側(cè)分別設(shè)置有上熱空氣隔離槽和下熱空氣隔離槽。
[0014]本發(fā)明與【背景技術(shù)】相比，具有的有益效果是:
[0015]I)本發(fā)明無需制作光柵，結(jié)構(gòu)簡單，成本低，成品率高。
[0016]2)本發(fā)明無需多電極協(xié)同調(diào)諧，調(diào)諧算法簡單。
[0017]3)本發(fā)明兩個FP諧振腔采用對稱型設(shè)計，都設(shè)置有無源段，大于或等于IOGbps速率的高速直調(diào)時不會跳模，容易實現(xiàn)所有信道的高速直接調(diào)制。
[0018]4)本發(fā)明采用加熱薄膜電阻在半波耦合器區(qū)域來產(chǎn)生熱以移動增益譜，實現(xiàn)整個C波段甚至更大的波長調(diào)諧范圍，卻不會影響激光器的線寬特性、出射功率均衡性、噪聲特性以及工作壽命。
[0019]5)本發(fā)明提供了片上集成光功率計，減少了封裝成本，增加了模塊穩(wěn)定性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為【背景技術(shù)】中基于調(diào)制光柵Y型(MG-Y)可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2是本發(fā)明第I個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖3是第I個實施例中輸出功率和調(diào)制信號電極注入電流之間的功率-電流曲線。
[0023]圖4是第I個實施例中改變波長調(diào)諧電極注入電流得到的靜態(tài)調(diào)諧特性圖。
[0024]圖5是第I個實施例中快速改變波長調(diào)諧電極注入電流得到的波長切換瞬時響應(yīng)圖。[0025]圖6是第I個實施例中進行IOGbps直接調(diào)制的眼圖。
[0026]圖7是本發(fā)明第2個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖8是本發(fā)明第3個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖9是本發(fā)明第4個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖中:1、半波耦合器，2、波長參考FP諧振腔，3、波長調(diào)諧FP諧振腔，101、短腔 有源波導(dǎo)，102、長腔有源波導(dǎo)，103、短腔無源波導(dǎo)，104、長腔無源波導(dǎo)，105、短腔TO有源 波導(dǎo)，106、長腔ro有源波導(dǎo)，111、深刻蝕面，112、上熱空氣隔離槽，113、下熱空氣隔離槽， 114、短腔深刻蝕槽，115、長腔深刻蝕槽，121、調(diào)制信號電極，122、波長微調(diào)電極，123、波長 調(diào)諧電極，124、短腔電極，125、長腔電極，131、加熱薄膜電阻。
【具體實施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步說明。
[0031]如圖2所示，是本發(fā)明高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器的第I個實施例。 本發(fā)明包括半波耦合器1、波長參考FP諧振腔和波長調(diào)諧FP諧振腔；所述波長參考FP諧 振腔2由短腔有源波導(dǎo)101和短腔無源波導(dǎo)103串接構(gòu)成，波長調(diào)諧FP諧振腔3由長腔有 源波導(dǎo)102和長腔無源波導(dǎo)104串接構(gòu)成；短腔有源波導(dǎo)101與短腔無源波導(dǎo)103的光學(xué) 長度比例等于長腔有源波導(dǎo)102與長腔無源波導(dǎo)104的光學(xué)長度比例；短腔有源波導(dǎo)101 和長腔有源波導(dǎo)102上設(shè)置有調(diào)制信號電極121，長腔無源波導(dǎo)104上設(shè)置有波長調(diào)諧電極 123。
[0032]所述短腔無源波導(dǎo)103上設(shè)置有波長微調(diào)電極122。
[0033]無源波導(dǎo)可以通過偏置量子阱技術(shù)或者量子阱混雜等能帶技術(shù)實現(xiàn)。
[0034]激光器工作時，調(diào)制信號電極121上注入帶調(diào)制信號的電流，提供隨信號變化的 增益，還可以通過偏置電流提供一定范圍內(nèi)的相位調(diào)整；改變波長調(diào)諧電極123的注入電 流可以實現(xiàn)快速波長調(diào)諧。對于整個激光器而言，調(diào)制信號電極121和波長調(diào)諧電極123 一起工作就可以保證激光器的正常工作了 ；當然增加波長微調(diào)電極122可以增加激光器波 長調(diào)諧的靈活性，通過波長微調(diào)電極122注入電流也可以切換波長，不過方向與通過波長 調(diào)諧電極123來調(diào)諧相比，切換方向是反方向的，另外，波長微調(diào)電極122與波長調(diào)諧電極 123協(xié)調(diào)調(diào)諧時可以提供相位調(diào)整，用來實現(xiàn)小范圍的波長連續(xù)微調(diào)。
[0035]如圖3所示，是第I個實施例中輸出功率和調(diào)制信號電極注入電流之間的功 率-電流曲線，該曲線是波長微調(diào)電極122和波長微調(diào)電極122都偏置在18mA時計算得到。 可以看出激光器的激射閾值電流為35mA，調(diào)制信號電極121注入電流為IOOmA時，輸出功率 約為9.5mW，性能比較理想，滿足了大多數(shù)情況下的要求。如圖4所示，是第I個實施例中 改變波長調(diào)諧電極注入電流得到的靜態(tài)調(diào)諧特性圖，該曲線是在波長參考FP諧振腔2和波 長調(diào)諧FP諧振腔I分別為420 y m和440 u m,調(diào)制信號電極121和波長微調(diào)電極122分別 偏置在IOOmA和18mA時計算得到，可以看到21個信道切換可以實現(xiàn)，而且電流變化范圍僅 僅為9mA到24mA，調(diào)諧效率很高。
[0036]如圖5所示，是第I個實施例中快速改變波長調(diào)諧電極注入電流得到的波長切換 瞬時響應(yīng)圖。由于是采用的無源波導(dǎo)利用載流子注入效應(yīng)來進行調(diào)諧，波長切換速率非常 快，由圖中可以看到在低于8ns的情況下，激射波長就可以穩(wěn)定切換到對應(yīng)波長。[0037]對于直接調(diào)制，無論載流子濃度如何變化，只有在滿足:
/7p Zjp /Zot L/^/ * \
[0038]=(I)
Lu L21
[0039]時，才能實現(xiàn)無跳模工作。其中Ln、L12、L21和、L22分別為短腔有源波導(dǎo)101、短腔無源波導(dǎo)103、長腔有源波導(dǎo)102和長腔無源波導(dǎo)104的長度，n12和n22分別是短腔無源波導(dǎo)103和長腔無源波導(dǎo)104對應(yīng)的折射率，只要n12和n22不隨調(diào)制信號變化而變化即可實現(xiàn)無跳模直接調(diào)制。
[0040]載流子濃度由:I \ [j
[0041 ]—-AN-BN2-OVr' -2gv,.P(2)
dt de°
[0042]描述，其中N為載流子濃度，J為注入電流密度，d為有源區(qū)厚度，e為電子電量，A、 B和C分別為非輻射復(fù)合系數(shù)、雙分子復(fù)合系數(shù)和俄歇復(fù)合系數(shù)，g為增益系數(shù)，Vg為群速度，P為光功率。對于有源波導(dǎo)而言，如果光功率發(fā)生變化，式(2)中2gvgP這一項將會明顯影響載流子濃度；但是對于無源波導(dǎo)，由于增益系數(shù)g幾乎為零，2gvgP這一項對載流子濃度的影響可以忽略。
[0043]對于高速直接調(diào)制而言，中國發(fā)明專利:"V型耦合腔波長可切換半導(dǎo)體激光器"(專利號ZL 200610154587.7)的直接調(diào)制速率受到限制，這是由于它的設(shè)計中兩個FP 諧振腔不對稱，其中波長參考FP諧振腔2是全有源的，這樣耦合區(qū)調(diào)制電流在變化時，由于光功率實時變化，受式⑵中2gvgP的影響，參考FP諧振腔2中并非只有耦合器部分的載流子濃度在變化，而是所有區(qū)域的的載流子濃度都在變化；但是波長調(diào)諧FP諧振腔3中只有長腔有源波導(dǎo)102中的載流子濃度在變化，長腔無源波導(dǎo)104中的載流子濃度卻不受影響。 由于波導(dǎo)的折射率隨載流子濃度變化，這樣式(I)就沒法滿足，故直接調(diào)制可能造成跳模。
[0044]但是對于本發(fā)明提出的設(shè)計方案，波長參考FP諧振腔2由短腔有源波導(dǎo)101和短腔無源波導(dǎo)103構(gòu)成，波長調(diào)諧FP諧振腔3由長腔有源波導(dǎo)102和長腔無源波導(dǎo)104構(gòu)成。這樣調(diào)制信號電極121上注入大信號的RF信號時，短腔無源波導(dǎo)103和長腔無源波導(dǎo) 104中的載流子濃度不會隨光功率發(fā)生變化，而且由于短腔有源波導(dǎo)與短腔無源波導(dǎo)的光學(xué)長度比例等于長腔有源波導(dǎo)與長腔無源波導(dǎo)的光學(xué)長度比例，這樣(I)式可以一直被滿足，使得兩諧振腔的諧振模波長隨有源波導(dǎo)中的載流子濃度變化同步移動，不會跳模，可以實現(xiàn)高速直接調(diào)制。
[0045]如圖6所示，是第I個實施例中進行IOGbps直接調(diào)制的眼圖，消光比達到了 8dB， 可以滿足接入網(wǎng)以及一些互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的要求。另外，我們可以通過優(yōu)化電極設(shè)計和波導(dǎo)的寬度，可以實現(xiàn)更高的直接調(diào)制速率。
[0046]如圖7所示，是本發(fā)明高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器的第2個實施例。 所述短腔有源波導(dǎo)101和長腔有源波導(dǎo)102上設(shè)置有加熱薄膜電阻131，加熱薄膜電阻131 在調(diào)制信號電極121上方，加熱薄膜電阻131和調(diào)制信號電極121之間有一層電絕緣薄層進行隔離；加熱薄膜電阻131兩側(cè)分別設(shè)置有上熱空氣隔離槽112和下熱空氣隔離槽113 對熱進行限制。
[0047]本發(fā)明與第I個實施例的差別在于本發(fā)明在第I個實施例的基礎(chǔ)上增加了加熱薄膜電阻131、上熱空氣隔離槽112和下熱空氣隔離槽113。[0048]可以通過加熱薄膜電阻131加熱半波耦合器I區(qū)域的有源波導(dǎo)，這樣增益材料的增益譜會紅移；半波耦合器I的最佳耦合條件也會紅移，如此該設(shè)計可以取得更大范圍的調(diào)諧范圍，并不會對噪聲和線寬產(chǎn)生影響，而且可以兼得實施方案I中所有的特性。
[0049]這種熱調(diào)諧加電調(diào)諧的設(shè)計無法在所有信道間實現(xiàn)快速調(diào)諧，但是可以在每個自由光譜范圍內(nèi)可以實現(xiàn)快速調(diào)諧，這足以滿足一些應(yīng)用的要求。
[0050]如圖8所示，是本發(fā)明高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器的第3個實施例。本發(fā)明包括半波耦合器1、波長參考FP諧振腔和波長調(diào)諧FP諧振腔；所述波長參考FP諧振腔2由短腔有源波導(dǎo)101和短腔無源波導(dǎo)103串接構(gòu)成，波長調(diào)諧FP諧振腔3由長腔有源波導(dǎo)102和長腔無源波導(dǎo)104串接構(gòu)成；短腔有源波導(dǎo)101與短腔無源波導(dǎo)103的光學(xué)長度比例等于長腔有源波導(dǎo)102與長腔無源波導(dǎo)104的光學(xué)長度比例；短腔有源波導(dǎo)101和長腔有源波導(dǎo)102上設(shè)置有調(diào)制信號電極121，長腔無源波導(dǎo)104上設(shè)置有波長調(diào)諧電極123，短腔無源波導(dǎo)103上設(shè)置有波長微調(diào)電極122 ;所述短腔無源波導(dǎo)103通過短腔深刻蝕槽114串接有短腔ro有源波導(dǎo)105，短腔ro有源波導(dǎo)105上設(shè)置有短腔ro電極124 ;長腔無源波導(dǎo)104通過長腔深刻蝕槽115串接有長腔ro有源波導(dǎo)106，長腔ro有源波導(dǎo)106上設(shè)置有長腔ro電極125。
[0051]本發(fā)明與第I個實施例的差別在于本發(fā)明在第I個實施例的基礎(chǔ)上增加短腔ro有源波導(dǎo)105和長腔ro有源波導(dǎo)106，這兩段波導(dǎo)可以用來作為激光器的光功率計，這樣可以簡化封裝工藝；短腔ro電極124和長腔ro電極125也可以合為一個電極；另外短腔深刻蝕槽114和長腔深刻蝕槽115替代了第I個實施例中的深刻蝕面111，可以更大的反射率，讓整個激光器的閾值更低。
[0052]第3個實施例的制作工藝與第I個實施例的加工工藝一樣，區(qū)別是為了實現(xiàn)更多的功能，第3個實施例占用了更多的外延片面積。
[0053]如圖9所示，是本發(fā)明高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器的第4個實施例。所述短腔有源波導(dǎo)101和長腔有源波導(dǎo)102上設(shè)置有加熱薄膜電阻131，加熱薄膜電阻131在調(diào)制信號電極121上方，加熱薄膜電阻131和調(diào)制信號電極121之間有一層電絕緣薄層進行隔離；加熱薄膜電阻131兩側(cè)分別設(shè)置有上熱空氣隔離槽112和下熱空氣隔離槽113對熱進行限制。
[0054]本發(fā)明與第3個實施例的差別在于本發(fā)明在第3個實施例的基礎(chǔ)上增加了加熱薄膜電阻131、上熱空氣隔離槽112和下熱空氣隔離槽113。其中加熱薄膜電阻131設(shè)置在短腔有源波導(dǎo)101和長腔有源波導(dǎo)102上，加熱薄膜電阻131和調(diào)制信號電極121之間有一層電絕緣薄層進行隔離；加熱薄膜電阻131兩側(cè)設(shè)置有上熱空氣隔離槽112和下熱空氣隔離槽113對熱進行限制。
[0055]與第2個實施例一樣，本實施例可以通過加熱薄膜電阻131加熱來取得更大范圍的調(diào)諧范圍，并不會對噪聲和線寬產(chǎn)生影響，而且可以兼得實施方案3中所有的特性。
【權(quán)利要求】
1.一種高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器，包括半波耦合器(I)、波長參考FP諧振腔和波長調(diào)諧FP諧振腔；其特征在于:所述波長參考FP諧振腔(2)由短腔有源波導(dǎo)(101)和短腔無源波導(dǎo)(103)串接構(gòu)成，波長調(diào)諧FP諧振腔(3)由長腔有源波導(dǎo)(102)和長腔無源波導(dǎo)(104)串接構(gòu)成；短腔有源波導(dǎo)(101)與短腔無源波導(dǎo)(103)的光學(xué)長度比例等于長腔有源波導(dǎo)(102)與長腔無源波導(dǎo)(104)的光學(xué)長度比例；短腔有源波導(dǎo)(101)和長腔有源波導(dǎo)(102)上設(shè)置有調(diào)制信號電極(121 )，長腔無源波導(dǎo)(104)上設(shè)置有波長調(diào)諧電極(123)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述短腔無源波導(dǎo)(103)上設(shè)置有波長微調(diào)電極(122)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述短腔有源波導(dǎo)(101)和長腔有源波導(dǎo)(102)上設(shè)置有加熱薄膜電阻(131)，加熱薄膜電阻(131)在調(diào)制信號電極(121)上方，加熱薄膜電阻(131)和調(diào)制信號電極(121)之間有一層電絕緣薄層；加熱薄膜電阻(131)兩側(cè)分別設(shè)置有上熱空氣隔離槽(112)和下熱空氣隔離槽(113)。
4.一種高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器，包括半波耦合器(I)、波長參考FP諧振腔和波長調(diào)諧FP諧振腔；其特征在于:所述波長參考FP諧振腔(2)由短腔有源波導(dǎo)(101)和短腔無源波導(dǎo)(103)串接構(gòu)成，波長調(diào)諧FP諧振腔(3)由長腔有源波導(dǎo)(102)和長腔無源波導(dǎo)(104)串接構(gòu)成；短腔有源波導(dǎo)(101)與短腔無源波導(dǎo)(103)的光學(xué)長度比例等于長腔有源波導(dǎo)(102)與長腔無源波導(dǎo)(104)的光學(xué)長度比例；短腔有源波導(dǎo)(101)和長腔有源波導(dǎo)(102)上設(shè)置有調(diào)制信號電極(121 )，長腔無源波導(dǎo)(104)上設(shè)置有波長調(diào)諧電極(123)，短腔無源波導(dǎo)(103)上設(shè)置有波長微調(diào)電極(122);所述短腔無源波導(dǎo)(103)通過短腔深刻蝕槽(114)串接有短腔ro有源波導(dǎo)(105)，短腔ro有源波導(dǎo)(105)上設(shè)置有短腔ro電極(124);長腔無源波導(dǎo)(104)通過長腔深刻蝕槽(115)串接有長腔H)有源波導(dǎo)(106)，長腔ro有源波導(dǎo)(106)上設(shè)置有長腔ro電極(125)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高速直調(diào)V型耦合腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述短腔有源波導(dǎo)(101)和長腔有源波導(dǎo)(102)上設(shè)置有加熱薄膜電阻(131)，加熱薄膜電阻(131)在調(diào)制信號電極(121)上方，加熱薄膜電阻(131)和調(diào)制信號電極(121)之間有一層電絕緣薄層；加熱薄膜電阻(131)兩側(cè)分別設(shè)置有上熱空氣隔離槽(112)和下熱空氣隔離槽(113)。
【文檔編號】H01S5/14GK103579900SQ201310545457
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月5日
【發(fā)明者】武林, 鄧浩瑜, 孟劍俊, 何建軍 申請人:浙江大學(xué)