薄膜晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管，包含柵極、源極、漏極、柵絕緣層以及氧化物半導(dǎo)體層。氧化物半導(dǎo)體層包含銦鎵鋅氧化物，其化學(xué)式為InxGayZnzOw，其中x、y及z滿足數(shù)學(xué)式：1.5≤(y/x)≤2以及1.5≤(y/z)≤2。柵絕緣層位于柵極與氧化物半導(dǎo)體層之間。源極和漏極分別連接氧化物半導(dǎo)體層的不同兩側(cè)。
【專利說明】
薄膜晶體管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管，尤其是涉及一種具有銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管。

【背景技術(shù)】
[0002]金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(Metal Oxide Semiconductor Transistor)是利用金屬氧化物作為半導(dǎo)體層的薄膜晶體管。相對于非晶硅薄膜晶體管，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管具有較高的載流子遷移率(Mobility)，因此金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管擁有較佳的電性表現(xiàn)。此外，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法也比低溫多晶硅薄膜晶體管簡單，所以金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管具有較高的生產(chǎn)效率。然而，一般的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的電性表現(xiàn)并不穩(wěn)定。舉例而言，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的臨界電壓常常會發(fā)生無法預(yù)期的偏移現(xiàn)象，這種不穩(wěn)定性也造成金屬氧化物半導(dǎo)體的應(yīng)用受到限制。因此，目前極需要一種改良的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，期待能夠改善金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的穩(wěn)定性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種薄膜晶體管，以便能夠改善薄膜晶體管的可靠度，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，此薄膜晶體管的載流子遷移率大于lOcmVVs，臨界電壓偏移量小于1.3V,次臨界擺幅(subthreshold swing)小于0.6V/dec。此薄膜晶體管包含柵極、源極、漏極、柵絕緣層以及氧化物半導(dǎo)體層。氧化物半導(dǎo)體層包含銦鎵鋅氧化物，其以化學(xué)式InxGayZnzOw表示,其中x、y、z及w分別表示銦、鎵、鋅及氧的原子數(shù)比,且x、y及z滿足數(shù)學(xué)式:1.5 < (y/x) < 2以及1.5 < (y/z) ( 2。柵絕緣層位于柵極與氧化物半導(dǎo)體層之間。源極和漏極分別連接氧化物半導(dǎo)體層的不同兩側(cè)。
[0004]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，X及z滿足以下數(shù)學(xué)式:0.9 ( (x/z)彡1.1。
[0005]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，y及w滿足以下數(shù)學(xué)式:0.375 ( (y/w)彡0.5。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，當(dāng)定義(x+y+z)為I時(shí),X滿足數(shù)學(xué)式:0.25彡X彡0.3 ;y滿足數(shù)學(xué)式:0.42 ^ y ^ 0.5 ；z滿足數(shù)學(xué)式:0.25彡z彡0.3。
[0007]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，當(dāng)定義(x+y+z+w)為I時(shí)，X滿足數(shù)學(xué)式:0.125 ^ X ^ 0.134 ；y 滿足數(shù)學(xué)式:0.2 彡 y 彡 0.25 ；z 滿足數(shù)學(xué)式:0.125 ^ z ^ 0.134 ；w滿足數(shù)學(xué)式:0.5 < w < 0.54。
[0008]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，此薄膜晶體管包含柵極、柵絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層、源極以及漏極，其特征在于，氧化物半導(dǎo)體層包含銦鎵鋅氧化物，銦鎵鋅氧化物以化學(xué)式InxGayZnzOw表示,其中x、y、z及w分別表示銦、鎵、鋅及氧的原子數(shù)比,x、y及z滿足以下數(shù)學(xué)式:0.25 ^ x/ (x+y+z) ^ 0.3 ;0.42 ^ y/ (x+y+z) ^ 0.5 ；以及 0.25 ^ ζ/ (x+y+z) < 0.3。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的薄膜晶體管的剖面示意圖。
[0010]圖2為本發(fā)明一實(shí)施方式的薄膜晶體管柵極電壓與漏極電流的關(guān)系圖。
[0011]圖3為本發(fā)明一比較例的薄膜晶體管的柵極電壓與漏極電流的關(guān)系圖
[0012]圖4為本發(fā)明另一實(shí)施方式的薄膜晶體管的剖面示意圖。
[0013]圖5為本發(fā)明另一實(shí)施方式的薄膜晶體管的剖面示意圖。
[0014]圖6為本發(fā)明又一實(shí)施方式的薄膜晶體管的剖面示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]為了使本發(fā)明公開內(nèi)容的敘述更加詳盡與完備，下文針對本發(fā)明的實(shí)施方式與具體實(shí)施例提出了說明性的描述；但這并非實(shí)施或運(yùn)用本發(fā)明具體實(shí)施例的唯一形式。以下所公開的各實(shí)施方式或?qū)嵤├谟幸娴那樾蜗驴上嗷ソM合或取代，也可在一實(shí)施例中附加其他的實(shí)施例，而無須進(jìn)一步的記載或說明。
[0016]在以下描述中，將詳細(xì)敘述許多特定細(xì)節(jié)以使讀者能夠充分理解以下的實(shí)施例。然而，可在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例。在其他情況下，為簡化附圖，熟知的結(jié)構(gòu)與裝置僅示意性地展示于圖中。
[0017]圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的薄膜晶體管100的剖面示意圖。薄膜晶體管100包含柵極110、柵絕緣層120、氧化物半導(dǎo)體層130、源極140及漏極150。
[0018]柵極110配置在基板102上，基板102可為玻璃基板或硅基板?？墒褂美鐬R鍍、脈沖激光蒸汽沉積法、電子束蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積等方法形成柵極110。柵極110可以是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。柵極110的材料可為具有導(dǎo)電性的金屬材料，例如鉬、金、鎳、鋁、鑰、銅、釹、鉻上述材料的合金或上述材料的組合。此外，可利用光刻工藝過程以形成圖案化的柵極110。在其他實(shí)施方式中，可使用重?fù)诫sP-型的娃(heavily doped p-type Si)作為柵極110的材料，其為本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員所熟知的。
[0019]柵絕緣層120覆蓋柵極110。在一實(shí)施方式中，使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma-enhanced chemical vapor deposit1n, PECVD)來形成柵絕緣層 120。柵絕緣層120的材料可為氮化硅(SiNx)、氧化硅(S1x)等無機(jī)材料或是具有介電特性的高分子有機(jī)材料。
[0020]氧化物半導(dǎo)體層130位于柵絕緣層120上，并作為薄膜晶體管100的主動(dòng)層(active layer)。柵絕緣層120位于柵極110與氧化物半導(dǎo)體層130之間，以避免氧化物半導(dǎo)體層130直接接觸柵極110。氧化物半導(dǎo)體層130包含銦鎵鋅氧化物，銦鎵鋅氧化物的化學(xué)式為InxGayZnzOw,其中X、y、ζ及w分別表示銦、鎵、鋅及氧的原子數(shù)(摩爾數(shù))比。X、y及ζ滿足以下數(shù)學(xué)式:
[0021]1.5 < (y/x) ^ 2 以及 1.5 < (y/z) d
[0022]具體的說，在上述銦鎵鋅氧化物中，鎵(Ga)原子對銦(In)原子的原子數(shù)比值(y/X)(或稱為摩爾數(shù)比)為約1.5至約2。鎵(Ga)原子對銦(In)原子的原子數(shù)比值(y/x)是影響銦鎵鋅氧化物穩(wěn)定性的重要因素，此特征讓本發(fā)明的實(shí)施方式具有特殊的技術(shù)效果。詳細(xì)而言，如果銦鎵鋅氧化物中的鎵(Ga)原子對銦(In)原子的原子數(shù)比值(y/x)小于約1.5，則所制成的薄膜晶體管的可靠度不佳。舉例而言，此薄膜晶體管的臨界電壓(threshold voltage)是不穩(wěn)定的，當(dāng)對同一個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行多次測量時(shí)，所得的臨界電壓的值并不相同，而且其中的差異太大而無法被接受。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)銦鎵鋅氧化物中的鎵(Ga)的原子數(shù)對銦(In)的原子數(shù)的比值(y/x)大于約1.5時(shí)，能夠明顯改善薄膜晶體管的可靠度，讓薄膜晶體管的電性性能以及臨界電壓呈現(xiàn)穩(wěn)定狀態(tài)。換言之，當(dāng)銦鎵鋅氧化物中的鎵(Ga)的原子數(shù)對銦(In)的原子數(shù)的比值(y/x)大于約1.5時(shí)，此銦鎵鋅氧化物的結(jié)構(gòu)是相對穩(wěn)定的，并讓其中的氧空缺濃度呈現(xiàn)穩(wěn)定狀態(tài)。另一方面，如果銦鎵鋅氧化物中的鎵(Ga)原子對銦(In)原子的原子數(shù)比值(y/x)大于約2時(shí)，則銦鎵鋅氧化物的載流子遷移率(mobility)會大幅下降，導(dǎo)致薄膜晶體管的開路電流降低，從而不利于薄膜晶體管的整體電性表現(xiàn)。因此，本發(fā)明的其中一個(gè)特征在于，銦鎵鋅氧化物中鎵(Ga)原子對銦(In)原子的原子數(shù)比值(y/x)為約1.5至約2。
[0023]此外，在上述銦鎵鋅氧化物中，鎵(Ga)原子對鋅(Zn)原子的原子數(shù)比值(y/z)為約1.5至約2。鎵(Ga)原子對鋅(Zn)原子的原子數(shù)比值(y/z)也是影響銦鎵鋅氧化物穩(wěn)定性的重要因素。如果銦鎵鋅氧化物中鎵(Ga)原子對鋅(Zn)原子的原子數(shù)比值(y/z)小于約1.5，則所制成的薄膜晶體管的可靠度不佳。例如，薄膜晶體管的臨界電壓(thresholdvoltage)不穩(wěn)定。反之，如果銦鎵鋅氧化物中鎵(Ga)原子對鋅(Zn)原子的原子數(shù)比值(y/ζ)太高，則會降低薄膜晶體管的載流子遷移率(mobility)，導(dǎo)致薄膜電晶體的開路電流下降。另一方面，如果銦鎵鋅氧化物中鋅(Zn)原子的原子數(shù)比例太低，會造成薄膜晶體管的臨界電壓升高，因此不利于薄膜晶體管的應(yīng)用。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)多次研究分析后發(fā)現(xiàn)，當(dāng)銦鎵鋅氧化物中鎵(Ga)原子對鋅(Zn)原子的原子數(shù)比值(y/z)為約1.5至約2，不僅能夠改善薄膜晶體管的穩(wěn)定性，還能適當(dāng)?shù)母纳戚d流子遷移率以及臨界電壓。
[0024]根據(jù)以上公開的實(shí)施方式，本發(fā)明的其中一個(gè)特征在于，銦鎵鋅氧化物中鎵(Ga)原子對銦(In)原子的原子數(shù)比值(y/x)為約1.5至約2，而且鎵(Ga)原子對鋅(Zn)原子的原子數(shù)比值(y/z)為約1.5至約2。當(dāng)滿足上述兩個(gè)條件時(shí)，能夠明顯改善薄膜晶體管的可靠度，而且讓薄膜晶體管的載流子遷移率大于lOcmVVs，薄膜晶體管經(jīng)過I小時(shí)的負(fù)偏壓電壓測試(negative bias stress NBS)后,其臨界電壓偏移量將小于1.3V,且薄膜晶體管的次臨界擺幅(subthreshold swing)小于 0.6V/dec。
[0025]在一實(shí)施方式中，銦鎵鋅氧化物(InxGayZnzOw)的x及ζ滿足以下數(shù)學(xué)式:0.9^ (x/z) ( 1.1。更明確地說，銦鎵鋅氧化物中銦原子對鋅原子的原子數(shù)比(摩爾數(shù)比)為約0.9至約1.1。在一實(shí)例中，銦鎵鋅氧化物中銦(In)原子的摩爾數(shù)實(shí)質(zhì)上等于鋅(Zn)原子的摩爾數(shù)。
[0026]在另一實(shí)施方式中，銦鎵鋅氧化物(InxGayZnzOw)的y及w滿足以下數(shù)學(xué)式:0.375 ^ (y/w) <0.5。更明確地說，銦鎵鋅氧化物中鎵(Ga)原子對氧(0)原子的原子數(shù)比(摩爾數(shù)比)為約0.375至約0.5。舉例而言,銦鎵鋅氧化物的化學(xué)式可為In1Gah5Zn1O4'In1Gah6Zn1O0 In1Ga17Zn1O4^ In1Ga1 SZn1O4^ In1Gah9Zn1OpjI^ In1Ga2Zn1O40
[0027]銦鎵鋅氧化物的化學(xué)式有多種的表示方法，例如In1Gah5Zn1O4也可以表示為1% 133Ga0.2Zn0.13300.533 (其中將銦、鎵、鋅及氧的原子數(shù)比例總和定義為I)或者表示為In0.286Ga0.429Zn0.2860L143 (其中將銦、鎵及鋅的原子數(shù)比例總和定義為I)。因此，在一實(shí)施方式中，當(dāng)將銦鎵鋅氧化物(InxGayZnzOw)的(x+y+z)定義為I來表示銦鎵鋅氧化物的化學(xué)式時(shí)，X滿足數(shù)學(xué)式:0.25 ^ X ^ 0.3 ；y滿足數(shù)學(xué)式:0.42 ^ y ^ 0.5 ；z滿足數(shù)學(xué)式:0.25 ^ z ^ 0.3。更具體的說，以銦鎵鋅氧化物中的金屬成分(亦即，銦、鎵及鋅)為100%，則銦原子在金屬成分中的原子百分比為約25%至約30%，鎵原子在金屬成分中的原子百分比為約42%至約50%，鋅原子在金屬成分中的原子百分比為約25%至約30%。換言之，銦、鎵、及鋅的原子數(shù)比X、y及ζ滿足以下數(shù)學(xué)式:0.25 ( x/ (x+y+z) ^ 0.3 ；0.42 ( y/(x+y+z) ^ 0.5 ;以及 0.25 ^ ζ/ (x+y+z) < 0.3。
[0028]在其他實(shí)施方式中，當(dāng)銦鎵鋅氧化物(InxGayZnzOw)的(x+y+z+w)定義為I時(shí)，X滿足數(shù)學(xué)式:0.125 < X < 0.134 ;y滿足數(shù)學(xué)式:0.2 < y < 0.25 ;z滿足數(shù)學(xué)式:0.125 ^ z ^ 0.13 ;w滿足數(shù)學(xué)式:0.5 < w < 0.54。換言之，在銦鎵鋅氧化物中，銦原子的百分比為約12.5%至約13.4%，鎵原子的百分比為約20%至約25%，鋅原子的百分比為約
12.5%至約13.4%，氧原子的百分比為約50%至約34%。
[0029]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，能夠使用組成為In1Ga1Zn1O4的靶材，經(jīng)濺鍍工藝過程來形成上述實(shí)施方式的銦鎵鋅氧化物，例如化學(xué)式為In1Gah5Zn1O4' In1Gah6Zn1O4' In1Ga1.,Zn1O4,In1Gah8Zn1(VIn1Ga1^Zn1C)4、或In1Ga2Zn1O4的銦鎵鋅氧化物。在本實(shí)施例中，派鍍工藝過程的功率為約3.5kW至約6.5kW。濺鍍腔室中的氣體為氬氣與氧氣的混合氣體，其中氧氣在混合氣體中的摩爾百分比為約7.5%至約20%。濺鍍腔室的氣體壓力為約0.34Pa至約0.49Pa。
[0030]請回到圖1，源極140和漏極150分別連接氧化物半導(dǎo)體層130的不同兩側(cè)?？梢允褂美鐬R鍍、脈沖激光蒸汽沉積法、電子束蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積等工藝過程以形成源極140和漏極150。源極140和漏極150可包含例如鉬、金、鎳、鋁、鑰、銅、釹等金屬材料或上述材料的組合。
[0031]在一實(shí)施方式中，薄膜晶體管100還包含保護(hù)層160，保護(hù)層160覆蓋半導(dǎo)體層130、源極140和漏極150。保護(hù)層160具有開口 162露出漏極150或源極140的一部分。保護(hù)層160的材料可為氧化硅或氮化硅等無機(jī)材料或適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)高分子材料。此外，薄膜晶體管100還可包含像素電極170，而且像素電極170經(jīng)由開口 162連接至漏極150或源極140。像素電極170可由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等透明導(dǎo)電氧化物所制成。
[0032]圖2為本發(fā)明一實(shí)施方式的薄膜晶體管柵極電壓與漏極電流的關(guān)系圖。在圖2所示的實(shí)施方式中，薄膜晶體管中半導(dǎo)體層的銦鎵鋅氧化物的化學(xué)式為In1Gah6Zn1C^圖2為對同一個(gè)薄膜晶體管連續(xù)測量六次的結(jié)果。從圖2的結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，六次的測量結(jié)果呈現(xiàn)良好的再現(xiàn)性。本實(shí)施方式的薄膜晶體管的載流子遷移率大于約lOcmVVs，薄膜晶體管的臨界電壓偏移量小于約1.3V,薄膜晶體管的次臨界擺幅(subthreshold swing)小于約
0.6V/dec ο
[0033]圖3為本發(fā)明一比較例的薄膜晶體管的柵極電壓與漏極電流的關(guān)系圖，其中半導(dǎo)體層中銦鎵鋅氧化物的化學(xué)式為In1Gaa8Zn1C^圖3為對同一個(gè)薄膜晶體管連續(xù)測量六次的結(jié)果。從圖3的結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，每次測量的柵極電壓與漏極電流的關(guān)系曲線都不相同，明顯有臨界電壓偏移的現(xiàn)象。從圖2及圖3的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，確實(shí)能夠有效地改善薄膜晶體管的穩(wěn)定性及可靠度。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)并不限于圖1所示的結(jié)構(gòu)。圖4為本發(fā)明另一實(shí)施方式的薄膜晶體管10a的剖面示意圖。在薄膜晶體管10a中，柵絕緣層120a為圖案化的柵絕緣層120a，柵絕緣層120a覆蓋柵極110a，但是柵絕緣層120a僅覆蓋基板102的一部分，并未覆蓋全部的基板102。源極140a和漏極150a分別由柵絕緣層120a的相對兩側(cè)延伸至基板102上。半導(dǎo)體層130a的兩端分別位于源極140a和漏極150a上。
[0035]圖5為本發(fā)明另一實(shí)施方式的薄膜晶體管10b的剖面示意圖。在薄膜晶體管10b中，半導(dǎo)體層130b形成在基板102上。源極140b和漏極150b位于半導(dǎo)體層130b上。柵絕緣層120b覆蓋一部分的源極140b、一部分的漏極150b以及一部分的半導(dǎo)體層130b (位于源極140b與漏極150b之間的半導(dǎo)體層130b)。柵極IlOb配置在柵絕緣層120b上。
[0036]圖6為本發(fā)明又一實(shí)施方式的薄膜晶體管10c的剖面示意圖。在薄膜晶體管10c中，源極140c和漏極150c形成在基板102上,半導(dǎo)體層130c覆蓋一部分的源極140c、一部分的漏極150c以及一部分的基板102 (位于源極140c與漏極150c之間的基板102)。柵絕緣層120c配置在半導(dǎo)體層130c上，柵極IlOc配置在柵絕緣層120c上。
[0037]雖然本發(fā)明已經(jīng)以實(shí)施方式公開如上，然其并非用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種變動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包含: 氧化物半導(dǎo)體層，包含銦鎵鋅氧化物，其以化學(xué)式InxGayZnzOw表示,其中x、y、z及w分別表示銦、鎵、鋅及氧的原子數(shù)比，且x、y及z滿足以下數(shù)學(xué)式:1.5 < (y/x) <2以及.1.5 ( (y/z) ( 2 ； 柵極； 柵絕緣層，其位于上述柵極與上述氧化物半導(dǎo)體層之間；以及 源極及漏極，其分別連接上述氧化物半導(dǎo)體層的不同兩側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中X及z滿足以下數(shù)學(xué)式:.0.9 彡(x/z)彡 1.1。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中y及w滿足以下數(shù)學(xué)式:.0.375 ( (y/w)彡 0.5。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中當(dāng)定義(x+y+z)為I時(shí)，X滿足以下數(shù)學(xué)式:0.25 ^ X ^ 0.3ο
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中當(dāng)定義(x+y+z)為I時(shí)，y滿足以下數(shù)學(xué)式:0.42 Sy <0.5。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中當(dāng)定義(x+y+z)為I時(shí)，z滿足以下數(shù)學(xué)式:0.25彡z彡0.3。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中當(dāng)定義(x+y+z+w)為I時(shí)，X滿足以下數(shù)學(xué)式:0.125 ^ X ^ 0.134。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中當(dāng)定義(x+y+z+w)為I時(shí)，y滿足以下數(shù)學(xué)式:0.2 < y < 0.25。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中當(dāng)定義(x+y+z+w)為I時(shí)，z滿足以下數(shù)學(xué)式:0.125 ^ z ^ 0.134。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中當(dāng)定義(x+y+z+w)為I時(shí)，w滿足以下數(shù)學(xué)式:0.5 < w < 0.54。
11.一種薄膜晶體管，包含柵極、柵絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層、源極以及漏極，其特征在于，該氧化物半導(dǎo)體層包含銦鎵鋅氧化物，該銦鎵鋅氧化物以化學(xué)式InxGayZnzOw表示，其中X、y、z及w分別表示銦、鎵、鋅及氧的原子數(shù)比，X、y及z滿足以下數(shù)學(xué)式:
.0.25 ^ x/ (x+y+z) ^ 0.3
.0.42 ( y/ (x+y+z) ^ 0.5 ；以及
.0.25 ^ z/ (x+y+z) < 0.3。
【文檔編號】H01L29/786GK104425623SQ201310487270
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月9日
【發(fā)明者】王旨玄, 葉佳俊, 辛哲宏 申請人:元太科技工業(yè)股份有限公司