專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且尤其涉及一種適用于發(fā)光元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管的通道層以氧化物半導(dǎo)體來制作(此稱氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管)， 可有效提升元件的載子移動(dòng)率。同時(shí)，由于氧化物半導(dǎo)體具有透明、導(dǎo)電、非晶態(tài)、低溫工藝等特性，因此氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管適于應(yīng)用在顯示面板上。然而，將氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管應(yīng)用于主動(dòng)式矩陣液晶顯示器(active matrix liquid crystal display,AMLCD)或主動(dòng)式矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器(active matrix organic light emitting display, AMOLED)時(shí)，需要在封裝或是透明化(UV-bleach)的過程進(jìn)行紫外光(UV-Iight)照射。如此，因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體薄膜晶體管的通道層受到紫外光照射，將導(dǎo)致元件特性的不穩(wěn)定，例如可能發(fā)生漏極引發(fā)能障降低(Drain Induced Barrier Lowering, DIBL)效應(yīng)，而使元件容易產(chǎn)生漏電流現(xiàn)象，影響顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可有效防止光線照射元件造成的元件特性變異。本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N有機(jī)電致發(fā)光元件，應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)來提供良好、穩(wěn)定的元件特性。在此提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于一基板上。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一柵極、一柵絕緣層、一通道層、一源極、一漏極、一介電層以及一導(dǎo)電遮光圖案層。柵極與柵絕緣層配置于基板上，且柵絕緣層覆蓋柵極。通道層位于柵絕緣層上，且位于柵極上方。通道層沿一通道方向上具有一通道長(zhǎng)度L，且通道層具有一第一側(cè)邊以及相對(duì)于該第一側(cè)邊的一第二側(cè)邊。源極以及漏極位于通道層的相對(duì)兩側(cè)，且分別電性連接通道層的第一側(cè)邊與第二側(cè)邊。 介電層覆蓋源極、漏極以及通道層。導(dǎo)電遮光圖案層配置于介電層上。導(dǎo)電遮光圖案層跟部份源極與通道層在垂直投影上重迭，其中導(dǎo)電遮光圖案層跟通道層具有一重迭長(zhǎng)度dl， 且 0. 3 彡 dl/L 彡 0. 85。在一實(shí)施例中，通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。在一實(shí)施例中，氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電遮光圖案層沿通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊。第四側(cè)邊跟通道層重迭，其中重迭長(zhǎng)度等于第四側(cè)邊跟通道層的第一側(cè)邊在通道方向上的距
1 O在一實(shí)施例中，通道層覆蓋部分的源極以及部分的漏極。在一實(shí)施例中，源極以及漏極分別覆蓋部分的通道層。在一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括一蝕刻阻擋層(etching stop layer)，配置于通道層上，且源極以及漏極更分別覆蓋部分的蝕刻阻擋層。在一實(shí)施例中，漏極沿通道方向具有一第五側(cè)邊，其中第五側(cè)邊跟通道層重迭，第五側(cè)邊與第二側(cè)邊在通道方向上相距tl，且0 < tl/L < 0. 15。此外，本申請(qǐng)?zhí)岢龅挠袡C(jī)電致發(fā)光元件包括設(shè)置于基板上的前述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)； 一有機(jī)發(fā)光層，配置于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電遮光圖案層上；以及，一上電極，配置于有機(jī)發(fā)光層上。其中，該通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。其中，該氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物。其中，該導(dǎo)電遮光圖案層沿該通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，該第四側(cè)邊跟該通道層重迭，其中該重迭長(zhǎng)度等于該第四側(cè)邊跟該通道層的第一側(cè)邊在該通道方向上的距離。其中，該通道層覆蓋部分的該源極以及部分的該漏極。其中，該源極以及該漏極分別覆蓋部分的該通道層。其中，更包括一蝕刻阻擋層，配置于該通道層上，且該源極以及該漏極更分別覆蓋部分的該蝕刻阻擋層。其中，該漏極沿該通道方向具有一第五側(cè)邊，其中該第五側(cè)邊跟該通道層重迭，且該第五側(cè)邊與該第二側(cè)邊在該通道方向上相距tl，且0 < tl/L < 0. 15。本發(fā)明為了改善照光對(duì)薄膜晶體管所造成的影響，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上制作金屬遮光圖案層，借以遮擋光線直射通道層。同時(shí)，考慮遮光層覆蓋元件的漏極可能導(dǎo)致漏電流的發(fā)生，本發(fā)明進(jìn)一步調(diào)整金屬遮光圖案層與通道層的重迭長(zhǎng)度，借以求得遮光效果與元件效能的間的良好平衡。如此，不僅可以有效防止光線照射元件造成的元件特性變異，更可進(jìn)一步提供良好、穩(wěn)定的元件特性。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖IA繪示依照本申請(qǐng)的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖IB繪示圖IA的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。圖2繪示應(yīng)用圖IA與IB的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一種有機(jī)電致發(fā)光元件。圖3A繪示依照本申請(qǐng)的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖;3B繪示圖3A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。圖4A繪示依照本申請(qǐng)的又一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖4B繪示圖4A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。圖5A為依據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例實(shí)際量測(cè)重迭長(zhǎng)度dl相對(duì)于薄膜晶體管的臨界電壓以及載子移動(dòng)率的關(guān)系曲線。圖5B為依據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例實(shí)際量測(cè)重迭長(zhǎng)度dl相對(duì)于薄膜晶體管的次臨界斜率以及漏極引發(fā)能障降低效應(yīng)的關(guān)系曲線。其中，附圖標(biāo)記12 基板20 有機(jī)電致發(fā)光元件100、300、400 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110:柵極
5
120 柵絕緣層130、330、430 通道層140,340,440 源極150、；350、450 漏極160、360:介電層170、370 導(dǎo)電遮光圖案層172 遮光部174:下電極210 有機(jī)發(fā)光層220:上電極200 有機(jī)發(fā)光二極管480 蝕刻阻擋層D 通道方向L 通道長(zhǎng)度dl 導(dǎo)電遮光圖案層與通道層的重迭長(zhǎng)度tl 漏極與通道層的重迭長(zhǎng)度Sl 通道層的第一側(cè)邊S2 通道層的第二側(cè)邊S3 導(dǎo)電遮光圖案層的第三側(cè)邊S4:導(dǎo)電遮光圖案層的第四側(cè)邊S5 漏極的第五側(cè)邊
具體實(shí)施例方式為了改善照光對(duì)薄膜晶體管所造成的影響，例如可能發(fā)生的漏極引發(fā)能障降低 (DIBL)效應(yīng)以及漏電流現(xiàn)象，本申請(qǐng)人利用光掩膜定義出覆蓋元件的遮光層，借以遮擋光線直射通道層。然，若遮光層覆蓋元件的漏極，會(huì)在元件操作時(shí)產(chǎn)生額外的電場(chǎng)，如此將導(dǎo)致高源極電壓驅(qū)動(dòng)下的元件產(chǎn)生臨界電壓(threshold voltage)的漂移與下降，同樣會(huì)導(dǎo)致漏電流的發(fā)生?；?，本申請(qǐng)人進(jìn)一步調(diào)整遮光層的覆蓋區(qū)域，以求得遮光效果與元件效能的間的良好平衡。圖IA繪示依照本申請(qǐng)的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖IB繪示圖IA的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。為清楚表達(dá)圖式內(nèi)容，圖IB僅繪出圖IA的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分構(gòu)件。 如圖IA與IB所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的柵極110配置于基板12上。柵絕緣層120配置于基板12上，并且覆蓋柵極110。通道層130位于柵絕緣層120上，并且位于柵極110上方。在本實(shí)施例中，通道層130的材質(zhì)例如是氧化物半導(dǎo)體(Oxide Semiconductor)材質(zhì)，比如是銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵氧化物(IGO)、銦鋅氧化物(IZO)等半導(dǎo)體材質(zhì)，且較佳是銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體。通道層130沿一通道方向D上，具有一通道長(zhǎng)度L，且通道層130具有一第一側(cè)邊Sl以及相對(duì)于第一側(cè)邊Sl的一第二側(cè)邊S2。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的源極140以及漏極150位于通道層130的相對(duì)兩側(cè)，且源極140以及漏極150分別電性連接通道層130的第一側(cè)邊Sl以及第二側(cè)邊S2。在本實(shí)施例中，通道層130覆蓋部分的源極140以及部分的漏極150。換言之，通道層130的第一側(cè)邊Sl以及第二側(cè)邊S2分別位于源極140以及漏極150上。此外，介電層160覆蓋源極140、漏極 150以及通道層130。本實(shí)施例所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為氧化半導(dǎo)體薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例將導(dǎo)電遮光圖案層170配置于介電層160上，導(dǎo)電遮光圖案層170為電性浮接(electrically floating)，不跟其它電極電性連接，且導(dǎo)電遮光圖案層170跟部份的源極140與部份的通道層130在垂直投影上重迭。導(dǎo)電遮光圖案層170可由金屬層所構(gòu)成，也可由金屬層與透明導(dǎo)電層的迭層所構(gòu)成。此外，導(dǎo)電遮光圖案層170跟通道層130沿通道方向D具有一重迭長(zhǎng)度dl。在本發(fā)明中，導(dǎo)電遮光圖案層可以是任何具有遮光效果的可能的圖形。例如，本實(shí)施例的導(dǎo)電遮光圖案層170為矩形，而沿通道方向D具有一第三側(cè)邊S3與一第四側(cè)邊S4,且第四側(cè)邊S4跟通道層130在垂直投影上重迭。在此，所述重迭長(zhǎng)度dl可進(jìn)一步被定義為第四側(cè)邊S4跟通道層130的第一側(cè)邊Sl在通道方向上D的距離。為了兼顧遮光效果與良好的元件效能，包括漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)，本實(shí)施例中所述重迭長(zhǎng)度dl的范圍較佳是0. 3 ( dl/L ( 0. 85，且更佳是0. 4彡dl/L彡0. 7。 更詳細(xì)而言，導(dǎo)電遮光圖案層170跟通道層130在垂直投影上會(huì)有部份重迭，重迭長(zhǎng)度在 0. 3L以上，可以達(dá)到減少漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)，同時(shí)可以在照光步驟中遮蔽一定數(shù)量的光線(例如紫外光)，降低光線對(duì)通道層130造成的影響。另一方面，導(dǎo)電遮光圖案層170跟通道層130在垂直投影上的重迭長(zhǎng)度被限制在0. 85L以下，使得導(dǎo)電遮光圖案層 170不會(huì)過度接近或甚至覆蓋漏極150，避免在元件操作時(shí)產(chǎn)生額外電場(chǎng)，防止漏電流的發(fā)生。本申請(qǐng)所提出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)適于應(yīng)用在例如有機(jī)電致發(fā)光元件上。請(qǐng)參考圖2，其繪示應(yīng)用圖IA與IB的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的一種有機(jī)電致發(fā)光元件20。有機(jī)電致發(fā)光元件20 包括前述設(shè)置于基板12上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，以及有機(jī)發(fā)光二極管200。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100可以作為一切換晶體管(switching transistor)，經(jīng)由其它電路(未圖標(biāo)) 電性連接至有機(jī)發(fā)光二極管200，如圖2所示。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100也可以作為一驅(qū)動(dòng)晶體管(driving transistor)，有機(jī)發(fā)光二極管200可經(jīng)由一接觸窗開口電性連接至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的漏極150，上述部分為該項(xiàng)技藝者所熟知，因此不再贅述。通過制作有機(jī)發(fā)光二極管200的下電極174時(shí)，同時(shí)制作導(dǎo)電遮光圖案層172。在本實(shí)施例中，制作導(dǎo)電層170的圖案時(shí)，除了形成用以遮蔽部份源極140與部份通道層130的導(dǎo)電遮光圖案層172的外，還同時(shí)形成下電極174。換言之，導(dǎo)電遮光圖案層172以及下電極174是對(duì)同一層的材料層進(jìn)行圖案化來獲得。有機(jī)發(fā)光層210配置于導(dǎo)電遮光圖案層170上。上電極 220配置于有機(jī)發(fā)光層210上。借此，可經(jīng)由上電極220與下電極174施加電壓，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光層210發(fā)光。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電層170可以是金屬層，或是金屬層與透明導(dǎo)電層的迭層，導(dǎo)電層170圖案化后形成導(dǎo)電遮光圖案層172以及下電極174，接著制作有機(jī)發(fā)光層210與上電極220，此時(shí)上電極220為透明導(dǎo)電層，可形成向上發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光元件20。在另一實(shí)施例中，導(dǎo)電層170可以是金屬層與透明導(dǎo)電層的迭層，導(dǎo)電層170圖案化后形成導(dǎo)電遮光圖案層172以及下電極174，并且移除下電極174上的金屬層而僅剩下透明導(dǎo)電層，接著制作有機(jī)發(fā)光層210與上電極220，此時(shí)上電極220可為不透明導(dǎo)電層，借此可形成向下發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光元件20。前述實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)還可能因?qū)嶋H需求而有其它變化。圖3A繪示依照本申請(qǐng)的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖:3B繪示圖3A 的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。為清楚表達(dá)圖式內(nèi)容，圖3B僅繪出圖3A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分構(gòu)件。如圖3A與;3B所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300與前述實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100類似，除了兩者的源極；340、漏極350以及通道層330的相對(duì)位置不同。更具體而言，本實(shí)施例的源極340以及漏極350分別覆蓋部分的通道層330，即通道層330的第一側(cè)邊Sl以及第二側(cè)邊S2分別位于源極340以及漏極350下。介電層360覆蓋源極340、漏極350以及通道層330。導(dǎo)電遮光圖案層370配置于介電層360上。類似地，導(dǎo)電遮光圖案層370跟通道層330在通道方向D上的重迭長(zhǎng)度為dl，且較佳是0. 3彡dl/L彡0. 85，且更佳是0. 4彡dl/L彡0. 7。另外，由于源極340以及漏極350分別覆蓋部分的通道層330，本實(shí)施例可以考慮進(jìn)一步限定漏極350與通道層330的重迭位置，以避免導(dǎo)電遮光圖案層370覆蓋漏極350。 在本實(shí)施例中，漏極350沿通道方向D具有一第五側(cè)邊S5，且第五側(cè)邊S5跟通道層330重迭。如此，第五側(cè)邊S5與第二側(cè)邊S2在通道方向D的距離即被定義為漏極350與通道層 330的重迭長(zhǎng)度tl。對(duì)比前述導(dǎo)電遮光圖案層170與通道層130的重迭長(zhǎng)度dl的范圍較佳為0. 3彡dl/L彡0. 85，且更佳是0. 4彡dl/L彡0. 7，本實(shí)施例可以將漏極350與通道層 330的重迭長(zhǎng)度tl的范圍較佳為0 < tl/L < 0. 15。如此，便可確保導(dǎo)電遮光圖案層370 不會(huì)過度接近或甚至覆蓋漏極350，避免在元件操作時(shí)產(chǎn)生額外電場(chǎng)，防止漏電流的發(fā)生。圖4A繪示依照本申請(qǐng)的又一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖4B繪示圖4A 的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。為清楚表達(dá)圖式內(nèi)容，圖4B僅繪出圖4A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分構(gòu)件。如圖4A與4B所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400與前述實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300類似，除了 本實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400更包括一蝕刻阻擋層480，配置于通道層430上，且源極440以及漏極450更分別覆蓋部分的蝕刻阻擋層480。本實(shí)施例的其它構(gòu)件以及重迭長(zhǎng)度dl、tl等結(jié)構(gòu)參數(shù)都可沿用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的設(shè)計(jì)，因此不再贅述。此外，如圖3A、3B以及圖4A、4B所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300與400同樣可應(yīng)用在如圖 2所示的有機(jī)電致發(fā)光元件200上，以得到類似的技術(shù)效果。圖5A為依據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例實(shí)際量測(cè)重迭長(zhǎng)度dl相對(duì)于薄膜晶體管的臨界電壓(threshold voltage)以及載子移動(dòng)率(carrier mobility)的關(guān)系曲線。圖5B為依據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例實(shí)際量測(cè)重迭長(zhǎng)度dl相對(duì)于薄膜晶體管的次臨界斜率(sub-threshold swing)以及漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)的關(guān)系曲線。在圖5A與圖5B的實(shí)施例中，薄膜晶體管的通道層的長(zhǎng)度約為23微米(μ m)，而圖5A與圖5B的相關(guān)曲線表示了導(dǎo)電遮光圖案層跟通道層由相互遠(yuǎn)離(-6μπι)到相互重迭QO μ m)所造成的薄膜晶體管的前述電氣特性的變化。由圖5A與圖5B可知，薄膜晶體管的載子移動(dòng)率以及次臨界斜率在不同的重迭長(zhǎng)度下維持穩(wěn)定。此外，薄膜晶體管的漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)在重迭長(zhǎng)度大于4μπι 的后有顯著的改善，此時(shí)薄膜晶體管的臨界電壓也趨于穩(wěn)定。本實(shí)施例的重迭長(zhǎng)度dl較佳是不超過20 μ m,以避免導(dǎo)電遮光圖案層與漏極重迭。在重迭長(zhǎng)度dl為7 20 μ m的區(qū)間內(nèi)，漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)獲得更為良好的改善，且在10 16μπι的區(qū)間內(nèi)更佳。 此范圍為7 20 μ m的重迭長(zhǎng)度dl與通道層的長(zhǎng)度(Mym)的比值大致符合上文提到的 0. 3 彡 dl/L 彡 0. 85，且更佳是 0. 4 ^ dl/L 彡 0. 7。
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綜上所述，本發(fā)明為了改善照光對(duì)薄膜晶體管所造成的影響，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上制作金屬遮光圖案層，借以遮擋光線直射通道層。同時(shí)，考慮遮光層覆蓋元件的漏極可能導(dǎo)致漏電流的發(fā)生，本發(fā)明進(jìn)一步調(diào)整金屬遮光圖案層與通道層的重迭長(zhǎng)度，借以求得遮光效果與元件效能的間的良好平衡。如此，不僅可以有效防止光線照射元件造成的元件特性變異，更可進(jìn)一步提供良好、穩(wěn)定的元件特性。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一基板上，其特征在于，包括 一柵極，配置于該基板上；一柵絕緣層，配置于該基板上，并且覆蓋該柵極；一通道層，位于該柵絕緣層上，且位于該柵極上方，該通道層沿一通道方向上，具有一通道長(zhǎng)度L，該通道層具有一第一側(cè)邊，以及一第二側(cè)邊相對(duì)于該第一側(cè)邊；一源極以及一漏極，位于該通道層的相對(duì)兩側(cè)，且分別電性連接該通道層的該第一側(cè)邊與該第二側(cè)邊；一介電層，覆蓋該源極、該漏極以及該通道層；以及一導(dǎo)電遮光圖案層，配置于該介電層上，該導(dǎo)電遮光圖案層跟部份該源極與該通道層在垂直投影上重迭，其中該導(dǎo)電遮光圖案層跟該通道層具有一重迭長(zhǎng)度dl，且0. 3 ( dl/ L 彡 0. 85。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電遮光圖案層沿該通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，該第四側(cè)邊跟該通道層在垂直投影上重迭，其中該重迭長(zhǎng)度dl等于該第四側(cè)邊跟該通道層的第一側(cè)邊在該通道方向上的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該通道層覆蓋部分的該源極以及部分的該漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極以及該漏極分別覆蓋部分的該通道層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括一蝕刻阻擋層，配置于該通道層上，且該源極以及該漏極更分別覆蓋部分的該蝕刻阻擋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極沿該通道方向具有一第五側(cè)邊，其中該第五側(cè)邊跟該通道層重迭，且該第五側(cè)邊與該第二側(cè)邊在該通道方向上相距 tl，且 0 < tl/L < 0. 15。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，設(shè)置于一基板上，其特征在于，包括 一柵極，配置于該基板上；一柵絕緣層，配置于該基板上，并且覆蓋該柵極；一通道層，位于該柵絕緣層上，且位于該柵極上方，該通道層沿一通道方向上，具有一通道長(zhǎng)度L，該通道層具有一第一側(cè)邊，以及一第二側(cè)邊相對(duì)于該第一側(cè)邊；一源極以及一漏極，位于該通道層的相對(duì)兩側(cè)，且分別電性連接該通道層的該第一側(cè)邊與該第二側(cè)邊；一介電層，覆蓋該源極、該漏極以及該通道層；一導(dǎo)電遮光圖案層，配置于該介電層上，該導(dǎo)電遮光圖案層跟部份該源極與該通道層在垂直投影上重迭，其中該導(dǎo)電遮光圖案層跟該通道層具有一重迭長(zhǎng)度dl，且0. 3 ( dl/ L 彡 0. 85 ；一有機(jī)發(fā)光層，配置于該導(dǎo)電遮光圖案層上；以及一上電極，配置于該有機(jī)發(fā)光層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該導(dǎo)電遮光圖案層沿該通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，該第四側(cè)邊跟該通道層重迭，其中該重迭長(zhǎng)度等于該第四側(cè)邊跟該通道層的第一側(cè)邊在該通道方向上的距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該通道層覆蓋部分的該源極以及部分的該漏極。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該源極以及該漏極分別覆蓋部分的該通道層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，更包括一蝕刻阻擋層，配置于該通道層上，且該源極以及該漏極更分別覆蓋部分的該蝕刻阻擋層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該漏極沿該通道方向具有一第五側(cè)邊，其中該第五側(cè)邊跟該通道層重迭，且該第五側(cè)邊與該第二側(cè)邊在該通道方向上相距tl，且0 < tl/L < 0. 15。
全文摘要
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及應(yīng)用此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件。其中，柵極與柵絕緣層配置于基板上，且柵絕緣層覆蓋柵極。通道層位于柵絕緣層上，且位于柵極上方。通道層沿一通道方向上具有一通道長(zhǎng)度L，且通道層具有第一側(cè)邊以及相對(duì)于第一側(cè)邊的一第二側(cè)邊。源極以及漏極位于通道層的相對(duì)兩側(cè)，且分別電性連接通道層的第一側(cè)邊與第二側(cè)邊。介電層覆蓋源極、漏極以及通道層。導(dǎo)電遮光圖案層配置于介電層上。導(dǎo)電遮光圖案層跟部份源極與通道層在垂直投影上重迭，其中導(dǎo)電遮光圖案層跟通道層具有重迭長(zhǎng)度d1，且0.3≤d1/L≤0.85。本發(fā)明可遮擋光線直射通道層，并且不僅可以有效防止光線照射元件造成的元件特性變異，更可進(jìn)一步提供良好、穩(wěn)定的元件特性。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102244090SQ20111018474
公開日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月24日
發(fā)明者張志榜, 謝信弘 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司