發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管，包括殼體、第一電極、第二電極、第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片、導(dǎo)線及封裝體，第一電極的末端及第二電極的末端相向凸伸出打線區(qū)域，第一電極的打線區(qū)域與第二電極的打線區(qū)域通過絕緣區(qū)域錯開，第一發(fā)光芯片與第一電極電連接并通過導(dǎo)線電連接至第二電極的打線區(qū)域，第二發(fā)光芯片與第二電極電連接并通過導(dǎo)線電連接至第一電極的打線區(qū)域。發(fā)光二極管的打線過程更加可靠，從而獲得較高的產(chǎn)品良率。
【專利說明】發(fā)光二極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種二極管，特別是指一種發(fā)光二極管。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管作為新興的光源，已被廣泛地應(yīng)用于各種用途當(dāng)中。為提升發(fā)光亮度， 業(yè)界設(shè)計(jì)出集成多個芯片的發(fā)光二極管，以通過各芯片同時發(fā)光來輸出較高的光強(qiáng)。
[0003] 現(xiàn)有的多芯片發(fā)光二極管通常是由殼體、嵌設(shè)于殼體內(nèi)的二電極、安裝于電極上 的多個芯片及封裝芯片的封裝體所組成。每一芯片通過打線的方式與二電極連接。然而， 由于殼體內(nèi)的芯片數(shù)量較多，需要打線的數(shù)量也相應(yīng)地較多，而電極上可供打線的區(qū)域面 積有限，導(dǎo)致在打線過程中容易發(fā)生打線不牢的情況發(fā)生，進(jìn)而影響到產(chǎn)品良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 因此，有必要提供一種良率較高的發(fā)光二極管。
[0005] -種發(fā)光二極管，包括殼體、第一電極、第二電極、第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片、 導(dǎo)線及封裝體，第一電極的末端及第二電極的末端相向凸伸出打線區(qū)域，第一電極的打線 區(qū)域與第二電極的打線區(qū)域通過絕緣區(qū)域錯開，第一發(fā)光芯片與第一電極電連接并通過導(dǎo) 線電連接至第二電極的打線區(qū)域，第二發(fā)光芯片與第二電極電連接并通過導(dǎo)線電連接至第 一電極的打線區(qū)域。
[0006] 由于分別在第一電極及第二電極上形成凸出的二打線區(qū)域，使得第一電極及第二 電極用于打線的區(qū)域面積得到增加，因此第一發(fā)光芯片及第二發(fā)光芯片的導(dǎo)線可方便、可 靠地打在二打線區(qū)域上，從而防止出現(xiàn)打線不牢的情況，進(jìn)而提升產(chǎn)品的良率。
[0007] 下面參照附圖，結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面示意圖。
[0009] 圖2為圖1的發(fā)光二極管的俯視圖。
[0010]圖3與圖1相似，其中發(fā)光二極管的第一發(fā)光芯片及第二發(fā)光芯片被隱藏。
[0011] 圖4為圖3的俯視圖。
[0012] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管，包括殼體、第一電極、第二電極、第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片、導(dǎo) 線及封裝體，其特征在于；第一電極的末端及第二電極的末端相向凸伸出打線區(qū)域，第一電 極的打線區(qū)域與第二電極的打線區(qū)域通過絕緣區(qū)域錯開，第一發(fā)光芯片與第一電極電連接 并通過導(dǎo)線電連接至第二電極的打線區(qū)域，第二發(fā)光芯片與第二電極電連接并通過導(dǎo)線電 連接至第一電極的打線區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于；第一電極及第二電極均包括固晶區(qū) 域，第一發(fā)光芯片固定于第一電極的固晶區(qū)域上，第二發(fā)光芯片固定于第二電極的固晶區(qū) 域上。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于；打線區(qū)域與固晶區(qū)域連接。
4. 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于；打線區(qū)域包括連接固晶區(qū)域內(nèi)側(cè)邊 的第一側(cè)邊及連接第一側(cè)邊的第二側(cè)邊，第一電極的打線區(qū)域的第二側(cè)邊與第二電極的固 晶區(qū)域的內(nèi)側(cè)邊正對，第二電極的打線區(qū)域的第二側(cè)邊與第一電極的固晶區(qū)域的內(nèi)側(cè)邊正 對。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于；打線區(qū)域的第二側(cè)邊平行于固晶區(qū) 域的內(nèi)側(cè)邊，第一側(cè)邊相對第二側(cè)邊傾斜。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于；第一電極的打線區(qū)域的第二側(cè)邊平 行于第一電極的打線區(qū)域的第二側(cè)邊。
7. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于；第一電極的打線區(qū)域的第二側(cè)邊相 比第一電極的固晶區(qū)域的內(nèi)側(cè)邊更遠(yuǎn)離第一發(fā)光芯片。
8. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：絕緣區(qū)域呈S形。
9. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于；第一電極及第二電極均包括插設(shè)于 殼體內(nèi)的接合區(qū)域，固晶區(qū)域位于接合區(qū)域及接線區(qū)域之間。
10. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于；第一電極及第二電極還包括位于殼 體之外的外接區(qū)域，接合區(qū)域連接外接區(qū)域。
【文檔編號】H01L25/075GK104347603SQ201310335171
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月5日
【發(fā)明者】胡必強(qiáng), 許時淵 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司