有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管
[0001]本申請(qǐng)要求享有于2014年5月21日在韓國(guó)提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2014-0061126號(hào)的優(yōu)先權(quán)，為了所有目的，通過引用將該申請(qǐng)作為一個(gè)整體結(jié)合在此，如同在此完全闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，尤其涉及一種能夠提高生產(chǎn)效率并且具有輕重量和纖薄外形的OLED。
【背景技術(shù)】
[0003]OLED包括空穴注入電極、有機(jī)發(fā)光層和電子注入電極，并且通過由電子與空穴的結(jié)合產(chǎn)生的激子從激發(fā)態(tài)躍迀到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的能量而發(fā)射光。
[0004]根據(jù)這一原理，OLED具有自發(fā)光特性，并且因?yàn)镺LED不需要光源，所以O(shè)LED能夠具有減小的厚度和重量。此外，由于OLED具有諸如低功耗、高亮度和高響應(yīng)速度這樣的高質(zhì)量，OLED被認(rèn)為是下一代顯示裝置。
[0005]通常，OLED包括:具有有機(jī)發(fā)光層的OLED面板；圍繞OLED面板的邊緣部分的機(jī)殼；設(shè)置在OLED面板的后部上并將OLED面板容納在其中的后蓋；和設(shè)置在OLED面板的前部上并保護(hù)OLED面板的覆蓋窗口(cover window)。
[0006]印刷電路板在OLED面板的邊緣部分處經(jīng)由連接構(gòu)件連接至OLED面板，并且印刷電路板朝后蓋的后表面彎曲并貼合到后蓋的后表面上。
[0007]圖1是圖解根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED的后表面的一部分的不意性透視圖，圖2A和圖2B是圖解根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的其上安裝有系統(tǒng)板的OLED的后表面的示意性透視圖。
[0008]參照?qǐng)D1，經(jīng)由連接構(gòu)件16連接至OLED 10的邊緣部分的印刷電路板18貼合到后蓋20的后表面上并固定。
[0009]多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路元件安裝在印刷電路板18上，并且印刷電路板18由護(hù)罩(covershield) 23覆蓋。護(hù)罩23覆蓋并保護(hù)印刷電路板18免受外部沖擊。
[0010]使用螺釘連接將護(hù)罩23與印刷電路板18組裝并耦接在一起。
[0011]由于印刷電路板18貼合到后蓋20的后表面上，因此OLED 10需要護(hù)罩23來保護(hù)印刷電路板18，并且需要諸如螺釘之類的額外部件來將護(hù)罩23組裝并耦接至印刷電路板18。
[0012]因此，在現(xiàn)有技術(shù)的OLED中，額外部件導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加，并且由于組裝導(dǎo)致生產(chǎn)時(shí)間增加，從而生產(chǎn)效率顯著降低。
[0013]此外，參照?qǐng)D2A，由于OLED 10的后表面具有復(fù)雜的形狀，因此0LED10的后表面的有效面積較小，具體地說，其它部件不能安裝在貼合有印刷電路板18的邊緣部分A處。
[0014]因此，安裝在OLED 10的后表面上的系統(tǒng)板70的位置和面積受到限制。參照?qǐng)D2B，與設(shè)置框架(set frame) 60耦接并作為最終產(chǎn)品完成的OLED 10同樣具有呈復(fù)雜形狀的后表面，因此所述OLED缺乏近來所需的空間適用性、內(nèi)部裝飾和設(shè)計(jì)。
[0015]此外，由于護(hù)罩23導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)的OLED的厚度和重量增加，因此在提供具有輕重量和纖薄外形的OLED方面存在限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]因此，本發(fā)明涉及一種能夠具有輕重量和纖薄外形、提高生產(chǎn)效率和增加OLED的后表面的有效面積的OLED。
[0017]本公開內(nèi)容的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)將在如下的描述中進(jìn)行闡述，一部分根據(jù)該描述將是顯而易見的，或者可以通過對(duì)本公開內(nèi)容的實(shí)施而獲悉。本公開內(nèi)容的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過書面描述、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
[0018]為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體和概括地描述的，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)可包括:0LED面板；貼合到OLED面板的后表面上的印刷電路板；和后蓋，所述后蓋包括第一金屬層和第二金屬層、位于第一金屬層與第二金屬層之間的無機(jī)物層、和位于水平表面中的凹槽(pocket groove)，在所述水平表面上放置有OLED面板，并且所述凹槽對(duì)應(yīng)于印刷電路板，其中所述凹槽是通過去除與所述印刷電路板對(duì)應(yīng)的第一金屬層而暴露所述無機(jī)物層來形成的。
【附圖說明】
[0019]被包括來提供對(duì)本公開內(nèi)容的進(jìn)一步理解且并入本說明書且構(gòu)成本說明書的一部分的附圖圖解了本公開內(nèi)容的實(shí)施方式，并與說明書一起用于解釋本公開內(nèi)容的原理。在附圖中:
[0020]圖1是圖解根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED的后表面的一部分的不意性透視圖；
[0021]圖2A和圖2B是圖解根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的其上安裝有系統(tǒng)板的OLED的后表面的示意性透視圖；
[0022]圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED的示意性透視圖；
[0023]圖4是圖3的OLED的示意性截面圖；
[0024]圖5是圖解根據(jù)所述實(shí)施方式的OLED的后蓋的水平表面的一部分的示意性透視圖；
[0025]圖6A是圖解根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED的一部分的示意性截面圖；
[0026]圖6B是圖解根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED的后表面的一部分的不意性透視圖；和
[0027]圖7A和圖7B是圖解根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED的后表面的示意性透視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]現(xiàn)在將詳細(xì)描述示例性的實(shí)施方式，這些實(shí)施方式的例子在附圖中示出。
[0029]圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED的示意性透視圖，圖4是圖3的OLED的示意性截面圖。
[0030]參照?qǐng)D3和圖4，0LED 100包括用來顯示圖像的OLED面板110、圍繞OLED面板110的邊緣部分的機(jī)殼120、將OLED面板110容納在其中的后蓋130和保護(hù)OLED面板110的覆蓋窗口 140。在這個(gè)實(shí)施方式和其它實(shí)施方式中的OLED的所有部件是操作性地耦接和配置的。
[0031]為了說明的目的，關(guān)于附圖中部件的方向，當(dāng)假設(shè)OLED面板110的顯示表面朝前時(shí)，則后蓋130設(shè)置在OLED面板110的后部上，且覆蓋窗口 140設(shè)置在OLED面板110的前部上。OLED面板110在其后部與后蓋130耦接并且在其前部與覆蓋窗口 140耦接。
[0032]參照?qǐng)D4，OLED面板110包括基板101和用來封裝所述基板101的封裝基板102，在所述基板101上具有多個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr和多個(gè)發(fā)光二極管E。
[0033]半導(dǎo)體層104形成于像素區(qū)域P中，半導(dǎo)體層104可由硅制成并且包括位于中央部分作為溝道的有源區(qū)域104a和位于有源區(qū)域104a兩側(cè)的源極區(qū)域104b和漏極區(qū)域104c，并且源極區(qū)域104b和漏極區(qū)域104c高摻雜雜質(zhì)。
[0034]柵極絕緣層105形成于半導(dǎo)體層104上。
[0035]對(duì)應(yīng)于有源區(qū)域104a的柵極107和沿著一個(gè)方向延伸的柵極線(未示出)形成于柵極絕緣層105上。
[0036]第一層間絕緣層106a整體地形成在柵極107和柵極線上。第一層間絕緣層106a和柵極絕緣層105包括暴露源極區(qū)域104b和漏極區(qū)域104c的第一和第二半導(dǎo)體接觸孔109。
[0037]彼此間隔開的源極108a和漏極108b形成于第一層間絕緣層106a上并通過第一和第二半導(dǎo)體接觸孔109接觸源極區(qū)域104b和漏極區(qū)域104c。
[0038]第二層間絕緣層106b形成于源極108a和漏極108b及第一層間絕緣層106a上，并且第二層間絕緣層106b包括暴露漏極108b的漏極接觸孔112。
[0039]源極108a和漏極108b、半導(dǎo)體層104及位于半導(dǎo)體層104上的柵極和柵極絕緣層105形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr。
[0040]盡管在附圖中未示出，但是與柵極線交叉以限定像素區(qū)域P的數(shù)據(jù)線形成于基板101上。連接至每個(gè)對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的開關(guān)薄膜晶體管形成于基板101上，并且所述開關(guān)薄膜晶體管可具有與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
[0041]在本實(shí)施方式中，描述了利用多晶硅半導(dǎo)體層104而具有共面結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr和開關(guān)薄膜晶體管。或者，這些晶體管可具有其它結(jié)構(gòu)，例如使用本征非晶硅和非本征非晶硅的底柵結(jié)構(gòu)。
[0042]在每個(gè)像素區(qū)域P中，作為發(fā)光二極管E的部件的第一電極111形成于第二層間絕緣層106b上并通過漏極接觸孔112連接至漏極108b。第一電極111可以是陽(yáng)極并且可以由具有相對(duì)$父尚的功函數(shù)的材料制成。
[0043]堤部(bank) 119形成于相鄰的像素區(qū)域P的第一電極111之間。
[0044]換句話說，像素區(qū)域P的第一電極111利用作為每個(gè)像素區(qū)域P的邊界的堤部119彼此間隔開。多個(gè)像素區(qū)域P的每一個(gè)包括(多個(gè))驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr、(多個(gè))開關(guān)薄膜晶體管和(多個(gè))發(fā)光二極管E，它們均操作性地與(多條)數(shù)據(jù)線和/或(多條)柵極線耦接。
[0045]有機(jī)發(fā)光層113形成于第一電極111上。
[0046]有機(jī)發(fā)光層113可具有使用發(fā)光材料的單層結(jié)構(gòu)，