固態(tài)電解電容器之改良制法
【專利摘要】一種固態(tài)電解電容器之改良制法，包括以下步驟：首先，提供一絕緣基板；接著，于該絕緣基板上形成復(fù)數(shù)包含鋁粉末之導(dǎo)電膠體；之后，進(jìn)行一高溫?zé)Y(jié)程序，使該些導(dǎo)電膠體金屬化以形成復(fù)數(shù)鋁質(zhì)基片；之后，于每一鋁質(zhì)基片之表面形成一介電層；之后，于每一介電層上形成一隔絕層，以定義出相互隔絕之一陽(yáng)極區(qū)和一陰極區(qū)；最后，于每一陰極區(qū)之介電層表面形成一導(dǎo)電層即制成一固態(tài)電解電容單元。
【專利說(shuō)明】固態(tài)電解電容器之改良制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明系有關(guān)于一種固態(tài)電解電容器之制造方法，尤指一種制程簡(jiǎn)易之固態(tài)電解電容器之改良制法。
【背景技術(shù)】
[0002]由于半導(dǎo)體技術(shù)的日益演進(jìn)，使得半導(dǎo)體構(gòu)裝產(chǎn)品在市場(chǎng)的高度需求下不斷地發(fā)展成更先進(jìn)、更精密的電子組件。以目前的半導(dǎo)體技術(shù)而言，如覆晶構(gòu)裝的技術(shù)、積層基板的設(shè)計(jì)及被動(dòng)組件的設(shè)計(jì)等，均在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占有不可或缺的地位。
[0003]以覆晶/球格數(shù)組封裝結(jié)構(gòu)為例，芯片系配置于封裝基板的表面上并且相互電性連通；封裝基板系由多層圖案化電路層及多層絕緣層所積集而成，其中圖案化電路層可利用微影蝕刻方法加以定義而成，而絕緣層配置于兩相鄰的圖案化電路層之間。再者，為了得到更佳的電氣特性，封裝基板上還配置有電容、電感以及電阻等被動(dòng)組件，其可經(jīng)由封裝基板之內(nèi)部線路而電性連接于芯片以及其他電子組件。
[0004]上述之被動(dòng)組件中，電容器依電解液的型態(tài)來(lái)分類，則有液態(tài)電解電容器和固態(tài)電解電容器兩種。其中，前者的壽命決定于電解液干涸的時(shí)間，而后者則因使用固態(tài)電解質(zhì)，故無(wú)電解液干涸之虞而具有壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。
[0005]傳統(tǒng)之表面黏著式鉭質(zhì)固態(tài)電容組件結(jié)構(gòu)，其電容器組件本體之內(nèi)部通常具有以鉭金屬粉末制成之陽(yáng)極組件。然在傳統(tǒng)的制造方法中，以鉭金屬粉末制作陽(yáng)極組件具有相當(dāng)高的技術(shù)門坎；舉例來(lái)說(shuō)，為了增加電容量，必須使用粒徑較小的鉭金屬粉末以增加其表面積，并且鉭金屬粉末需經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)步驟后方可成型為鉭燒結(jié)體。
[0006]再者，隨著鉭金屬粉末的粒徑越小，其制作越為困難，亦使得成本增加；此外，粒徑較小的鉭金屬粉末容易造成陰極劑難以滲入，且制程中的高溫?zé)Y(jié)步驟更使得整體制程越加復(fù)雜。
[0007]先前技術(shù)如美國(guó)第US6249424號(hào)專利、美國(guó)第US6421227號(hào)專利和美國(guó)第US6249424號(hào)專利另揭露一種微小型積層電容器，系由多層金屬層與多層介電層相互堆棧所構(gòu)成，雖使得電容器之體積容易微型化，從而增加運(yùn)用范圍。但是，此種結(jié)構(gòu)更具有制程復(fù)雜、成本聞、短路率聞、制造過(guò)程和組裝困難等缺點(diǎn)。
[0008]緣是，本發(fā)明人有感于前述先前技術(shù)之缺點(diǎn)，乃依其從事各種電解電容器之制造經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)累積，針對(duì)上述缺失悉心研究各種解決方法，在經(jīng)過(guò)不斷的研究、實(shí)驗(yàn)與改良后，終于開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)出一種確具實(shí)用性之本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]為了能夠簡(jiǎn)化制程的復(fù)雜度與降低制造成本，并制得高良率之固態(tài)電解電容器，本發(fā)明提供一種固態(tài)電解電容器之改良制法。
[0010]根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施例，所述固態(tài)電解電容器之改良制法包括以下步驟:首先，提供一絕緣基板；接著，于該絕緣基板上形成復(fù)數(shù)包含鋁粉末之導(dǎo)電膠體，其中該等導(dǎo)電膠體呈矩陣排列且相鄰的兩導(dǎo)電膠體間定義有一切割道；之后，進(jìn)行一高溫?zé)Y(jié)程序，將該等導(dǎo)電膠體金屬化以形成復(fù)數(shù)鋁質(zhì)基片；之后，于每ー鋁質(zhì)基片之表面形成一介電層；之后，于每一介電層上形成一隔絕層，以定義出ー陽(yáng)極區(qū)及一陰極區(qū)；最后，于每ー陰極區(qū)之介電層表面覆蓋ー導(dǎo)電層，即制成一固態(tài)電解電容單兀。
[0011]根據(jù)本發(fā)明之另ー實(shí)施例，所述固態(tài)電解電容器之改良制法包括以下步驟:首先，提供鋁粉末；接著，進(jìn)行ー冷壓程序，將該些鋁粉末壓合形成ー鋁錠；之后于該鋁錠之表面包覆一介電層；最后，于該介電層之表面包覆ー導(dǎo)電層。
[0012]綜上所述，本發(fā)明之一實(shí)施例透過(guò)先將包含鋁粉末之導(dǎo)電膠體以局部網(wǎng)印方法成型于絕緣基板上，再將該等導(dǎo)電膠體燒結(jié)形成鋁質(zhì)基片的方式，除了能夠精確地控制所有鋁質(zhì)基片的厚度、尺寸等，以提升電容器的良率外，還能夠有效簡(jiǎn)化制造程序之復(fù)雜度、降低制造成本與減少制程時(shí)間。
[0013]又，本發(fā)明之另ー實(shí)施例透過(guò)將鋁粉末冷壓形成鋁錠而不需經(jīng)由高溫?zé)Y(jié)的方式，能夠形成結(jié)構(gòu)強(qiáng)度更佳的陽(yáng)極組件，并且具備簡(jiǎn)化制造程序之復(fù)雜度、降低制造成本與減少制程時(shí)間等優(yōu)勢(shì)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之改良制法之流程示意圖；
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之剖面示意圖；
圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之上視不意圖；
圖4為本發(fā)明本發(fā)明第二實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之改良制法之流程示意圖；
圖5為本發(fā)明本發(fā)明本發(fā)明第二實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之剖面示意圖；
圖6為本發(fā)明本發(fā)明第三實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之改良制法之流程示意圖；
圖7為本發(fā)明本發(fā)明本發(fā)明第三實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之剖面示意圖。
[0015]【主要組件符號(hào)說(shuō)明】
100固態(tài)電解電容單元
I固態(tài)電解電容器2固態(tài)電解電容器
10絕緣基板21鋁錠
101切割道211引出電極
11鋁質(zhì)基片22介電層
12介電層23導(dǎo)電層
13隔絕層231導(dǎo)電高
分子層
14導(dǎo)電層232碳膠層
141導(dǎo)電高分子層233銀膠層
142碳膠層24封裝結(jié)構(gòu)
143銀膠層25陽(yáng)極電極
15電容陽(yáng)極26陰極電極
16電容陰極 A陽(yáng)極區(qū) C陰極區(qū)
3固態(tài)電解電容器 30電容器芯子 31陽(yáng)極箔 32陰極箔 33隔膜 34引出電極 35高分子層 36鋁殼 37封裝結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0016]本發(fā)明之實(shí)施例提出一種適于制作芯片型固態(tài)電解電容器之改良制法，透過(guò)使用鋁(Al)粉取代鉭(Ta)粉以有效解決利用鉭粉制作電容器的過(guò)程中所產(chǎn)生的問(wèn)題，以及簡(jiǎn)化積層型電容器制程的復(fù)雜度。
[0017]〔第一實(shí)施例〕
請(qǐng)參閱圖1，其顯示本發(fā)明第一實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之改良制法的流程示意圖；并配合參閱圖2及3，以下將詳細(xì)說(shuō)明各步驟之具體特征。
[0018]步驟ー:提供ー絕緣基板10。所述絕緣基板10以氧化鋁(Al2O3)基板最為合適。
[0019]步驟ニ:形成包含鋁粉末之導(dǎo)電膠體(圖未示)。所述導(dǎo)電膠體包含有0至50重量百分比之熱固性樹脂、30至100重量百分比之鋁粉末及0至50重量百分比之固化劑。具體而言，熱固性樹脂以環(huán)氧樹脂最為合適，但不限制于此；再者，為了具有更佳的導(dǎo)電度，鋁粉末之粒徑應(yīng)介于0.05至5微米之間，并且鋁粉末之表面可先經(jīng)過(guò)前處理以形成凹凸?fàn)钪黄秸砻妫瑥亩哂懈弑缺砻娣e；固化劑則以潛伏性固化性最為合適。
[0020]此外，為了達(dá)到減少線性膨脹之目的，可于導(dǎo)電膠體內(nèi)添加0至50重量百分比之無(wú)機(jī)填充劑，而可用作無(wú)機(jī)填充劑之材料可以是硅石、氧化鋁或氫氧化鋁。
[0021]上述之包含鋁粉末之導(dǎo)電膠體能以印刷、噴涂等方法涂布于絕緣基板10上，其中該等導(dǎo)電膠體系呈矩陣排列，并且每?jī)上噜彽膶?dǎo)電膠體之間定義有一切割道101，以利于后續(xù)進(jìn)行切割程序。較佳地，該等導(dǎo)電膠體系以局部網(wǎng)印方法形成于絕緣基板10上，藉此能夠精確地控制每一導(dǎo)電膠體的尺吋、厚度，并且降低制造成本和整體制程時(shí)間。
[0022]步驟三:進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)程序。具體而言，系透過(guò)高溫?zé)Y(jié)程序?qū)⒊尚陀诮^緣基板上10的導(dǎo)電膠體加以固化(金屬化)，以形成復(fù)數(shù)鋁質(zhì)基片11 (即導(dǎo)電膠體之燒結(jié)體)。較佳地，高溫?zé)Y(jié)程序的溫度范圍應(yīng)介于300°C至550°C之間，而烘烤燒結(jié)的時(shí)間應(yīng)介于0.5至1.5小時(shí)之間。
[0023]步驟四:形成介電層12。在本步驟中，系將絕緣基板10與成型于絕緣基板10上的鋁質(zhì)基片11進(jìn)行ー化成程序，藉由化成處理(即陽(yáng)極氧化)使氧化被覆膜(即絕緣性之氧化鋁膜)形成于該等鋁質(zhì)基片11之表面，以制成介電層12。
[0024]再者，上述之化成反應(yīng)可依不同的化成電壓、化成液來(lái)控制介電層12的厚度；在本實(shí)施例中系以己ニ酸銨系、鄰酸系或兩者混合之化成液來(lái)制作上述之介電層12?；蛘?，在一變化實(shí)施例中，可將絕緣基板10與成型于絕緣基板10上的鋁質(zhì)基片11泡入電解液中，并且交叉進(jìn)行氧化和熱處理，亦可制成致密之介電層12 (即氧化被覆膜)。
[0025]步驟五:形成隔絕層13，用于在絕緣基板10上定義出一陽(yáng)極區(qū)A和一陰極區(qū)C。所述隔絕層13 (例如絕緣樹脂)系形成于每一介電層12之中央表面上，使而后成型于隔絕層13之相對(duì)二側(cè)的電容陽(yáng)極15和電容陰極16相互絕緣。
[0026]步驟六:形成導(dǎo)電層14。在本具體實(shí)施例中，形成導(dǎo)電層14的步驟包括:首先，于每一陰極區(qū)C之介電層12的表面上成型一導(dǎo)電高分子層141 ;接著，于每一導(dǎo)電高分子層141上成型一碳膠層142 ;之后，于每一碳膠層142上成型一銀膠層143。換言之,導(dǎo)電層14可由導(dǎo)電高分子層141配合碳膠層142、銀膠層143等所構(gòu)成。
[0027]更詳細(xì)地說(shuō)，導(dǎo)電高分子層141系以場(chǎng)效機(jī)能控制之精密涂布法，將導(dǎo)電性高分子溶液均勻涂布于各介電層12之表面上而形成的導(dǎo)電高分子薄膜，用以作為固態(tài)電解質(zhì)；而上述之導(dǎo)電性高分子可選自聚苯胺(polyaniline)、聚批咯(polypyrrole)或聚噻吩(polythiophen),其中又以聚苯胺最為合適,此導(dǎo)電性高分子溶液的組成包括苯胺、氧化劑及慘雜劑。
[0028]碳膠層142可以是由導(dǎo)電碳膠、碳糊或碳膏所制成，并且形成于導(dǎo)電高分子層141之表面上，銀膠層143則系形成于碳膠層142之表面上，以作為電容陰極16，而未被導(dǎo)電層14覆蓋之鋁質(zhì)基片11即為向外突出之電容陽(yáng)極15。如此，即制成固態(tài)電解電容單元100。
[0029]步驟七:切割成型。沿著絕緣基板10之切割道進(jìn)行切割，將固態(tài)電解電容單元100分割成多數(shù)個(gè)固態(tài)電解電容器I。
[0030]步驟八:形成封裝結(jié)構(gòu)(圖未示)。具體而言，可將電容陽(yáng)極15和電容陰極16分別固定于一導(dǎo)線架的支腳上(圖未示)，以作為引出兩者的終端電極；并且利用被覆材料(例如絕緣、隔熱之樹脂)覆蓋于固態(tài)電解電容器1，再經(jīng)由固化、熟化(aging)等程序以形成封裝結(jié)構(gòu)，使其能夠利用表面貼裝技術(shù)(surface-mount technology, SMT)焊接于電路板上。
[0031]〔第二實(shí)施例〕
請(qǐng)參閱圖4，其顯示為本發(fā)明第二實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之改良制法的流程示意圖；并請(qǐng)配合圖5，以下將詳細(xì)說(shuō)明各步驟之具體特征。
[0032]步驟一:提供鋁粉末。所述鋁粉末中還能添加黏結(jié)劑，例如樟腦、硬脂酸、聚乙烯醇、萘等，而黏結(jié)劑的添加量大致為3至5 wt%。
[0033]步驟二，成型鋁錠；具體而言，系先將上述鋁粉末與黏結(jié)劑充分混合后，再進(jìn)行一冷壓程序，利用壓模將鋁粉末壓制成型為矩體狀的鋁錠21 ;較佳地，冷壓時(shí)之荷重為3至15 MN (Mega Newton)/m2，藉以使冷壓后之鋁錠21具有更佳的體密度。再者，上述之冷壓程序中，更包括將一引出電極211插設(shè)于鋁粉末中，以使引出電極211與鋁粉末共同被壓合成型，并且相互電性連通。
[0034]引出電極211可以是鋁線或鉭絲，由于目前鋁線的厚度較鉭絲為薄，故于本實(shí)施例中，引出電極211系選用厚度約為20μ m之鋁線，以進(jìn)一步縮小電容組件之尺寸，但本發(fā)明不以此為限，引出電極211仍可根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用而選擇合適電極材料。
[0035]此外，為使制成之電容器具備電容量大及漏電流小等優(yōu)點(diǎn)，可在進(jìn)行冷壓程序之前利用蝕刻方法于鋁粉末之表面形成海綿狀之不平整表面；例如將鋁粉末浸滯于酸性蝕刻液中，讓鋁粉末之表面被侵蝕而形成有凹凸?fàn)钪黄秸砻?，以提高鋁粉末的比表面積，從而使所壓制之鋁錠21可用于提供更佳的電容特性。
[0036]步驟三:形成介電層22。在本步驟中，系將壓制出之鋁錠21進(jìn)行ー化成程序，藉由化成處理(即陽(yáng)極氧化)于鋁錠21之表面形成氧化被覆膜(即絕緣性之氧化鋁膜)，以制成介電層22。
[0037]同樣地，上述化成反應(yīng)可依不同的化成電壓、化成液來(lái)控制介電層22的厚度，在本實(shí)施例中系以己ニ酸銨系、鄰酸系或兩者混合之化成液來(lái)制作上述介電層22?；蛘撸谝蛔兓瘜?shí)施例中，可將鋁錠21泡入電解液中，并且交叉進(jìn)行氧化和熱處理，亦可制成致密之介電層22 (即氧化被覆膜)。
[0038]步驟四:形成導(dǎo)電層22。在本具體實(shí)施例中，形成導(dǎo)電層23的步驟中包括:首先，于介電層22之表面成型ー導(dǎo)電高分子層231 ;接著,于導(dǎo)電高分子層231上成型一碳膠層232 ;之后，于碳膠層142上成型一銀膠層233，以作為電容陰極(未標(biāo)示)，而連接于鋁錠21之引出電極211即作為向外突出之電容陽(yáng)極(未標(biāo)示)。形成導(dǎo)電層22的具體方法可參考前一實(shí)施例，故在此不予贅述。
[0039]步驟五:形成封裝結(jié)構(gòu)24。具體而言，形成封裝結(jié)構(gòu)24的步驟包括:首先，將連接于鋁錠21之引出電極211及導(dǎo)電層23分別通過(guò)導(dǎo)電性接合劑連接ー導(dǎo)電端子，例如ー陽(yáng)極電極24和一明極電極25;接著，利用樹脂等被覆材料包覆引出電極211、導(dǎo)電層23、部分陽(yáng)極電極24與部分陰極電極25;之后，藉由進(jìn)行固化、熟化(aging)等程序以形成封裝結(jié)構(gòu)24，即制成本發(fā)明之固態(tài)電解電容器2。
[0040]〔第三實(shí)施例〕
請(qǐng)參閱圖6，其顯示本發(fā)明第三實(shí)施例之固態(tài)電解電容器之改良制法的流程示意圖；并請(qǐng)配合圖7，以下將詳細(xì)說(shuō)明各步驟`之具體特征。
[0041]步驟ー:制作陽(yáng)極箔31和陰極箔32。具體而言，所述陽(yáng)極箔31系先將鋁粉末噴涂于片狀鋁箔上，待干燥后進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)程序以形成鋁多孔質(zhì)高溫?zé)Y(jié)體，之后于高溫?zé)Y(jié)體之表面化成一氧化膜所制成；其中有關(guān)于高溫?zé)Y(jié)程序的溫度范圍及時(shí)間可參考第一實(shí)施例，故在此不予贅述；在一變化實(shí)施例中，鋁粉末中還可選擇性添加有鈦及/或氫化物等燒結(jié)助劑而成為鋁混合原料粉末。另外，所述陰極箔32可選自一般碳箔、鋁箔或鈦箔，但不限制于此。
[0042]步驟ニ:進(jìn)行卷繞程序。所述卷繞程序系將ー隔膜33夾置在陽(yáng)極箔31和陰極箔32之間，并連同引出電極34 —起卷制成電容器芯子30 ;其中隔膜33可選用馬尼拉麻纖維電解紙，但不限制于此，并且隔膜33的厚度約為30至60 m,而密度約為0.2至0.6 g/
3
cm o
[0043]步驟三:進(jìn)行碳化程序，而碳化溫度約介于200°C至300°C之間。
[0044]步驟四:進(jìn)行化成程序。同樣前述實(shí)施例，系將電容器芯子30泡入電解液中，以于表面形成介電層。
[0045]步驟五:形成高分子層35。具體而言，系先將電容器芯子30浸潰于高分子溶體中，并于取出后加熱固化，以形成一高導(dǎo)電性之高分子層35于電極之間。
[0046]步驟六:進(jìn)行組裝程序。具體而言，系先將電容器芯子30組裝于ー鋁殼36內(nèi)，再以密封性能優(yōu)良的環(huán)氧樹脂或丁基橡膠進(jìn)行封裝，以覆蓋一封裝結(jié)構(gòu)37于電容器芯子30上，并裸露出引出電極34。
[0047]步驟七:附加指定之電壓進(jìn)行老化程序，老化的溫度和時(shí)間可依電容器的種類、容量、電壓而有所調(diào)整，經(jīng)由上述之步驟即制成本發(fā)明第三實(shí)施例之固態(tài)電解電容器3。
[0048]〔實(shí)施例之功效〕
本發(fā)明實(shí)施例所提出的固態(tài)電解電容器之改良制法能藉由鋁粉本身的物化特性以有效簡(jiǎn)化制程的復(fù)雜度。
[0049]舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明之第一實(shí)施例透過(guò)先將包含鋁粉末之導(dǎo)電膠體以局部網(wǎng)印方法成型于絕緣基板上，再將該等導(dǎo)電膠體燒結(jié)形成鋁質(zhì)基片的方式，除了能夠精確地控制所有鋁質(zhì)基片的厚度、尺寸等以提升電容器的良率外，還能夠有效簡(jiǎn)化制造程序之復(fù)雜度、降低制造成本與減少制程時(shí)間。
[0050]另外，本發(fā)明之第二實(shí)施例透過(guò)將鋁粉末冷壓形成鋁錠而不需經(jīng)由高溫?zé)Y(jié)的方式，能夠形成結(jié)構(gòu)強(qiáng)度更佳的陽(yáng)極組件，并且具備簡(jiǎn)化制造程序之復(fù)雜度、降低制造成本與減少制程時(shí)間等優(yōu)勢(shì)。
[0051]再者，所述之鋁粉末可先經(jīng)過(guò)前處理，使之具有高比表面積，進(jìn)而提升制成之電容器的電氣特性。此外，本發(fā)明之改良制法使用鋁粉取代鉭粉，能夠有效解決以鉭粉制作電容器之過(guò)程中所產(chǎn)生的問(wèn)題。
[0052]以上所述僅為本發(fā)明之較佳可行實(shí)施例，非因此局限本發(fā)明之專利范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書及圖示內(nèi)容所為之等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明之范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種固態(tài)電解電容器之改良制法，包括以下步驟: 提供一絕緣基板； 于該絕緣基板上形成復(fù)數(shù)包含鋁粉末之導(dǎo)電膠體，其中 相鄰的兩導(dǎo)電膠體間定義有一切割道； 進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)程序，將該等導(dǎo)電膠體金屬化以形成復(fù) 數(shù)鋁質(zhì)基片； 于每一招質(zhì)基片之表面形成一介電層； 于每一介電層上形成一隔絕層，以定義出一陽(yáng)極區(qū)及一 陰極區(qū)；以及 于每一陰極區(qū)之介電層表面覆蓋一導(dǎo)電層，以制成固態(tài) 電解電容單元。
2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器之改良制法，其特征在于:其中該覆蓋導(dǎo)電層的步驟中，更包括以下之步驟: 于每一陰極區(qū)之介電層表面成型一導(dǎo)電高分子層； 于每一導(dǎo)電高分子層上成型一碳膠層；以及 于每一碳膠層上成型一銀膠層。
3.如權(quán)利要求2所述的固態(tài)電解電容器之改良制法，其特征在于:其中該碳膠層系由導(dǎo)電碳膠、碳糊或碳膏所制成。
4.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器之改良制法，其特征在于:其中該些包含鋁粉末之導(dǎo)電膠體包括: O至50重量百分比之熱固性樹脂； 30至100重量百分比之鋁粉末； O至50重量百分比之固化劑；以及 O至50重量百分比之無(wú)機(jī)填充劑。
5.如權(quán)利要求4所述的固態(tài)電解電容器之改良制法，其特征在于:其中該些鋁粉末之粒徑介于0.05至5微米之間。
6.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器之改良制法，其特征在于:其中該些導(dǎo)電膠體系以局部網(wǎng)印的方式形成于該絕緣基板上，該高溫?zé)Y(jié)程序之溫度范圍介于300°C至550°C之間且時(shí)間介于0.5至1.5小時(shí)之間。
7.一種固態(tài)電解電容器之改良制法，包括以下步驟: 提供招粉末； 進(jìn)行冷壓程序，將該些鋁粉末壓合形成一鋁錠； 于該鋁錠之表面包覆一介電層；以及 于該介電層之表面包覆一導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求7所述的固態(tài)電解電容器之改良制法，其特征在于:其中該包覆導(dǎo)電層的步驟中，更包括以下之步驟: 于該介電層之表面包覆一導(dǎo)電高分子層； 于該導(dǎo)電高分子層之表面包覆一碳膠層；以及 于該碳膠層之表面包覆一銀膠層。
9.如權(quán)利要求7所述的固態(tài)電解電容器之改良制法，其特征在于:其中該些鋁粉末具有海綿狀之不平整表面。
10.如權(quán)利要求7所述的固態(tài)電解電容器之改良制法，其特征在于:其中該形成鋁錠的步驟中，更包括先將ー引出電極插設(shè)于該些鋁粉末中，再以壓模將該些鋁粉末與該引出電極共同冷壓成型，并且冷壓時(shí)之荷重介于3至15 MN (Mega Newton)/m2之間。
11.一種固態(tài)電解電容器之改良制法，包括以下步驟: 提供一陽(yáng)極箔及一陰極箔；以及 進(jìn)行卷繞程序，將ー隔膜夾置于該陽(yáng)極箔及該陰極箔之間，并與復(fù)數(shù)引出電極重迭卷繞成ー筒狀芯子； 其中該陽(yáng)極箔系將鋁粉末噴涂于一基箔上，待干燥后進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)程序以形成ー鋁多孔質(zhì)高溫 燒結(jié)體，之后于該鋁多孔質(zhì)高溫?zé)Y(jié)體之表面化成一氧化膜所制成。
【文檔編號(hào)】H01G9/15GK103456502SQ201310324387
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月5日
【發(fā)明者】林清封, 陳明宗, 林書伃 申請(qǐng)人:鈺邦電子（無(wú)錫）有限公司