本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：
近年來，顯示技術(shù)得到快速的發(fā)展，如薄膜晶體管技術(shù)由原來的a-Si（非晶硅）薄膜晶體管發(fā)展到現(xiàn)在的LTPS（低溫多晶硅）薄膜晶體管、MILC（金屬誘導(dǎo)橫向晶化）薄膜晶體管、Oxide（氧化物）薄膜晶體管等。而發(fā)光技術(shù)也由原來的LCD（液晶顯示器）、PDP（等離子顯示屏）發(fā)展為現(xiàn)在的OLED（有機發(fā)光二極管）等。目前，氧化物薄膜晶體管以其諸多優(yōu)勢日益受到重視。使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層的薄膜晶體管的遷移率高，均一性好，透明，開關(guān)特性更優(yōu)，可以適用于需要快速響應(yīng)和較大電流的應(yīng)用，如高頻、高分辨率、大尺寸的顯示器以及有機發(fā)光顯示器等。但是，現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物薄膜晶體管陣列基板制作工藝較為復(fù)雜，一般要經(jīng)過6道光刻工藝，如圖1所示為現(xiàn)有氧化物薄膜晶體管陣列基板典型結(jié)構(gòu)圖，該氧化物薄膜晶體管陣列基板包括基板1、柵極2、柵極絕緣層3、氧化物有源層4、刻蝕阻擋區(qū)5、漏極602、源極601、鈍化層7和像素電極8。這種結(jié)構(gòu)的氧化物薄膜晶體管陣列基板需要通過6道光刻分別形成包括柵極2，氧化物有源層4，刻蝕阻擋區(qū)5，源極601和漏極602，鈍化層7過孔和像素電極8的圖案?？梢?，這種結(jié)構(gòu)的氧化物薄膜晶體管陣列基板制作工藝復(fù)雜，制作成本較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的氧化物薄膜晶體管陣列基板制作工藝復(fù)雜，制作成本較高的問題，提供一種制作工藝簡單，制作成本低的陣列基板的制作方法。解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括：柵極、柵極絕緣層、源極、漏極、像素電極和有源區(qū)，所述陣列基板的制作方法包括以下步驟：在基板上通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖形，并形成柵極絕緣層；在完成上述步驟的基板上通過構(gòu)圖工藝形成包括有源區(qū)和刻蝕阻擋區(qū)的圖形；形成透明導(dǎo)電層薄膜，通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成包括源極、漏極的圖形；通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成包括像素電極的圖形。優(yōu)選的是，所述通過構(gòu)圖工藝形成包括有源區(qū)和刻蝕阻擋區(qū)的圖形具體包括：依次形成有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，其中，有源層薄膜與所述柵極對應(yīng)的部分構(gòu)成有源區(qū)，并在刻蝕阻擋層薄膜上涂覆光刻膠層；對光刻膠層進行曝光、顯影，保留刻蝕阻擋區(qū)的光刻膠層；去除無光刻膠遮擋的刻蝕阻擋層薄膜，形成刻蝕阻擋區(qū)的圖形；去除剩余的光刻膠層。優(yōu)選的是，所述形成透明導(dǎo)電層薄膜，通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成包括源極、漏極的圖形具體包括：依次形成透明導(dǎo)電層薄膜、過渡層薄膜、金屬層薄膜；通過構(gòu)圖工藝去除與有源區(qū)相對應(yīng)的金屬層薄膜、過渡層薄膜和透明導(dǎo)電層薄膜，以及各像素單元之間區(qū)域的金屬層薄膜、過渡層薄膜、透明導(dǎo)電層薄膜和有源層薄膜，形成包括源連接層、源過渡層、源極和漏極的圖形。進一步優(yōu)選的是，所述陣列基板包括多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)，所述通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成像素電極的圖形具體包括：形成鈍化層，并在鈍化層上涂覆光刻膠層；對光刻膠層進行曝光、顯影，其中顯示區(qū)無剩余光刻膠層；通過干刻法去除顯示區(qū)無光刻膠層遮擋的鈍化層；通過濕刻法去除顯示區(qū)無光刻膠層遮擋的金屬層薄膜；通過干刻法去除顯示區(qū)無光刻膠遮擋的過渡層薄膜，使透明導(dǎo)電層薄膜暴露形成像素電極；去除剩余的光刻膠層。本發(fā)明的陣列基板制作方法，通過構(gòu)圖工藝用同一層透明導(dǎo)電層薄膜形成包括源極、漏極、像素電極的圖形，故其制作工藝簡單，制作成本低。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還包括，針對現(xiàn)有的氧化物薄膜晶體管陣列基板制作工藝復(fù)雜，制作成本較高的問題，提供一種制作工藝簡單，制作成本低的陣列基板。解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)，所述薄膜晶體管區(qū)設(shè)有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵極、柵極絕緣層、有源區(qū)，所述薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)還包括透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層在薄膜晶體管區(qū)構(gòu)成薄膜晶體管的源極和漏極，在顯示區(qū)構(gòu)成像素電極。優(yōu)選的是，所述的陣列基板還包括：位于所述源極上的源過渡層和位于所述源過渡層上的源連接層。進一步優(yōu)選的是，所述源極、源過渡層、源連接層圖案相同。進一步優(yōu)選的是，所述源過渡層的材料為重摻雜的非晶硅；所述源連接層為鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦、銅中的一種或多種材料形成的單層或多層復(fù)合疊層。優(yōu)選的是，所述的陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管區(qū)。優(yōu)選的是，所述有源區(qū)的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。優(yōu)選的是，所述的陣列基板還包括設(shè)于有源區(qū)上的刻蝕阻擋區(qū)。本發(fā)明的陣列基板包括薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)，所述薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)還包括透明導(dǎo)電層，因為本發(fā)明的陣列基板的源極、漏極和像素電極都是由同一層透明導(dǎo)電層產(chǎn)生的，故其制作工藝簡單，制作成本低。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還包括，針對現(xiàn)有的包括氧化物薄膜晶體管陣列基板的顯示裝置制作工藝復(fù)雜，制作成本較高的問題，提供一種制作工藝簡單，制作成本低的顯示裝置。解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括：上述任意一種陣列基板。本發(fā)明顯示裝置的陣列基板包括薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)，所述薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)還包括透明導(dǎo)電層，因為本發(fā)明的陣列基板的源極、漏極和像素電極都是由同一層透明導(dǎo)電層產(chǎn)生的，故其制作工藝簡單，制作成本低。附圖說明圖1為現(xiàn)有的氧化物薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的實施例1的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的實施例2的陣列基板形成包括透明導(dǎo)電層薄膜、過渡層薄膜以及金屬層薄膜的圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明的實施例2的陣列基板形成源連接層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明的實施例2的陣列基板形成源過渡層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明的實施例2的陣列基板形成源極和漏極后沿圖7中A-A方向的剖視圖；圖7為本發(fā)明的實施例2的陣列基板形成源極和漏極后的俯視圖；圖8為本發(fā)明的實施例2的陣列基板形成鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明的實施例2的陣列基板去除顯示區(qū)鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明的實施例2的陣列基板去除顯示區(qū)過渡層薄膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；其中附圖標(biāo)記為：1、基板；2、柵極；3、柵極絕緣層；4、有源層；401、有源區(qū)；5、刻蝕阻擋區(qū)；601、源極；602、漏極；7、鈍化層；8、像素電極；9、源過渡層；10、源連接層；Q1、薄膜晶體管區(qū)；Q2、顯示區(qū)。具體實施方式為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。實施例1：如圖2所示，本實施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括薄膜晶體管區(qū)Q1和顯示區(qū)Q2，薄膜晶體管區(qū)Q1設(shè)有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵極2、柵極絕緣層3、有源層4，其中有源層4對應(yīng)柵極2的部分為有源區(qū)401。其中，所述柵極2位于基板1上，所述柵極絕緣層3覆蓋所述柵極2，所述有源層4位于所述柵極絕緣層3上。優(yōu)選的是，所述有源區(qū)401的材料（當(dāng)然也就是有源層4的材料）為金屬氧化物半導(dǎo)體。例如其材料可以為氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅或氧化銦鎵錫，優(yōu)選為氧化銦鎵鋅或氧化銦鋅；所述有源層4的厚度優(yōu)選的在10nm至100nm之間。需要說明的是，如圖2所示，從簡化制備工藝的角度考慮，在顯示區(qū)Q2也有所述有源層4，即所述有源層4可以延伸到顯示區(qū)Q2，顯然，此時的有源層4應(yīng)當(dāng)是透明的，而金屬氧化物材料半導(dǎo)體均為透明材料，因此是優(yōu)選的。薄膜晶體管區(qū)Q1和顯示區(qū)Q2還包括透明導(dǎo)電層（例如氧化銦錫層），并且，所述透明導(dǎo)電層在薄膜晶體管區(qū)Q1構(gòu)成薄膜晶體管的源極601和漏極602，在顯示區(qū)Q2構(gòu)成像素電極8。也就是說，源極601、漏極602和像素電極8都是由同一層透明導(dǎo)電層產(chǎn)生的。現(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管的源極601和漏極602由一層源漏金屬產(chǎn)生，像素電極8是由一層透明導(dǎo)電層產(chǎn)生，通常情況，像素電極8是通過源漏金屬上鈍化層7過孔與漏極602形成電連接的，而本發(fā)明的陣列基板中，源極601、漏極602和像素電極8由同一層透明導(dǎo)電層產(chǎn)生，如圖2所示，漏極602與像素電極8直接連接，故其制作工藝簡單，制作成本低。優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括源連接層10。需要說明的是，所述源連接層10是用于與數(shù)據(jù)線（圖中未示出）電連接的，現(xiàn)有技術(shù)中，源極601是直接與數(shù)據(jù)線連接的，本實施例提供的陣列基板中優(yōu)選的通過源連接層10與數(shù)據(jù)線電連接，是因為本實施例中的源極601是由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的，而數(shù)據(jù)線通常是由金屬材料制成的，故二者連接處的導(dǎo)電能力不佳，會使數(shù)據(jù)信號在傳輸?shù)较袼仉姌O8的過程中數(shù)據(jù)信號失真較大，因此本實施例提供的陣列基板還優(yōu)選的包括源連接層10。所述源連接層10材料優(yōu)選的為鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦、銅中的一種或多種材料形成的單層或多層復(fù)合疊層。優(yōu)選的是，本實施例提供的陣列基板還包括源過渡層9。需要說明的是，源過渡層9的作用是使得源連接層10與源極601電連接，因為源連接層10的材料為金屬或合金，源極601則由透明導(dǎo)電層構(gòu)成，如果直接將源連接層10與源極601連接，而不設(shè)置源過渡層9，仍會存在源連接層10與源極601的接觸不良，導(dǎo)致在將源連接層10與數(shù)據(jù)線相連時，數(shù)據(jù)信號不能準(zhǔn)確傳輸?shù)较袼仉姌O8上，從而影響像素電極8電壓的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性，進而影響液晶顯示裝置的顯示效果。因此，本實施例提供的陣列基板上，在源極601和源連接層10之間還設(shè)置了源過渡層9。所述源過渡層9的材料為重摻雜的非晶硅（N+a-Si），這種材料能保證其良好的導(dǎo)電性能，也就保證了數(shù)據(jù)信號能準(zhǔn)確的傳輸?shù)较袼仉姌O8上。進一步優(yōu)選的是，所述源過渡層9與所述源連接層10圖案相同。如圖2所示，源連接層10、源過渡層9和源極601的圖案相同，這主要是為了制作工藝簡單（即這些結(jié)構(gòu)可在一次構(gòu)圖工藝中產(chǎn)生），事實上，源連接層10、源過渡層9和源極601的圖案可以不同，根據(jù)具體需要具體設(shè)定。需要進一步說明的是，圖2中，在漏極602上方也有兩層，分別為：與源過渡層9同層形成的過渡層薄膜和與源連接層10同層形成的金屬層薄膜。這兩層的存在對薄膜晶體管的性能并無影響，故從簡化工藝的角度可將其保留，當(dāng)然它們可以通過一定方式被去除。本實施例提供的陣列基板還優(yōu)選的包括：覆蓋所述薄膜晶體管區(qū)Q1和像素單元之間區(qū)域的鈍化層7。該鈍化層的作用在于保護薄膜晶體管等結(jié)構(gòu)，如圖2所示，在薄膜晶體管區(qū)Q1有鈍化層7，而顯示區(qū)Q2像素電極8上方?jīng)]有鈍化層7，可以理解的是，像素電極8要與公共電極形成電場，上方不能設(shè)置鈍化層7。優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括設(shè)于有源區(qū)401上的刻蝕阻擋區(qū)5，不難理解的是，所述刻蝕阻擋區(qū)5的作用是確保在對透明導(dǎo)電層薄膜刻蝕時，有源區(qū)401不被刻蝕。需要說明的是，本實施例提供的陣列基板的薄膜晶體管是以底柵型為例進行說明的，事實上，本發(fā)明所提及的技術(shù)方案也同樣適用于包括頂柵型結(jié)構(gòu)薄膜晶體管的陣列基板，只要源極601、漏極602與像素電極8由同層透明導(dǎo)電層薄膜產(chǎn)生即可。需要說明的是，本實施例提供的陣列基板是以不包括公共電極（即公共電極設(shè)于彩膜基板上）的形式為例的，但若公共電極也設(shè)于陣列基板上（即為IPS模式或ADS模式的陣列基板），也是可行的，只要其源極601、漏極602與像素電極8由同層透明導(dǎo)電層薄膜產(chǎn)生即可。另外，圖中沒有顯示出數(shù)據(jù)線，但數(shù)據(jù)線只要與源連接層10相連（可使用過孔，也可直接連接等）即可。本發(fā)明的陣列基板包括薄膜晶體管區(qū)Q1和顯示區(qū)Q2，所述薄膜晶體管區(qū)Q1和顯示區(qū)Q2還包括透明導(dǎo)電層，因為本發(fā)明的陣列基板的源極601、漏極602和像素電極8都是由同一層透明導(dǎo)電層薄膜產(chǎn)生的，故其制作工藝簡單，制作成本低。實施例2：本實施例提供一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括：柵極2、柵極絕緣層3、源極601、漏極602、像素電極8和有源區(qū)401，如圖3至10所示，具體包括以下步驟：S01、在基板1上通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極2的圖形。所述構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。其中，柵極2的材料為鉬（Mo）、鉬鈮合金（MoNb）、鋁（Al）、鋁釹合金（AlNd）、鈦（Ti）、銅（Cu）中的一種或多種材料形成的單層或多層復(fù)合疊層。優(yōu)選為鉬（Mo）、鋁（Al）或含鉬（Mo）、鋁（Al）的合金組成的單層或多層復(fù)合膜；優(yōu)選厚度為100nm～3000nm。S02、在完成上述步驟的基板1上形成包括柵極絕緣層3的圖形。其中柵極絕緣層3由硅的氧化物（SiOx）、硅的氮化物（SiNx）、鉿的氧化物（HfOx）、硅的氮氧化物（SiON）、鋁的氧化物（AlOx）等中的一種或兩種組成的多層復(fù)合膜組成。所述柵極絕緣層3優(yōu)選的用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)形成。上述兩步可以根據(jù)不同的需要具體設(shè)定，例如，其中還可包括形成柵極線等步驟（例如與柵極2同步形成），本發(fā)明不做限定。S03、在完成上述步驟的基板1上通過構(gòu)圖工藝形成包括有源區(qū)401和刻蝕阻擋區(qū)5的圖形。優(yōu)選的是，S03步驟具體包括以下：S031、依次形成有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，同時，在刻蝕阻擋層薄膜上方形成光刻膠層，所述形成薄膜通常有沉積、涂敷、濺射等多種方式，其中，有源層薄膜與所述柵極2對應(yīng)的部分構(gòu)成有源區(qū)401，刻蝕阻擋層薄膜與有源區(qū)401相對應(yīng)的部分形成刻蝕阻擋區(qū)5；其中，有源層薄膜為金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，如氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵錫等。蝕刻阻擋層薄膜可以由硅的氧化物（SiOx）、硅的氮化物（SiNx）、鉿的氧化物（HfOx）、（鋁的氧化物）AlOx或由其中兩種或三種組成的多層疊層膜組成。所述蝕刻阻擋層薄膜含有較低的氫含量。S032、對光刻膠層進行曝光、顯影，同時保留與刻蝕阻擋區(qū)相對應(yīng)的光刻膠層；S033、去除無光刻膠遮擋的刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋區(qū)5的圖形；需要說明的是，本步驟保留顯示區(qū)Q2的有源層4，以簡化工藝，但事實上顯示區(qū)Q2的有源層4部分沒有實際作用，去除亦可。去除剩余的光刻膠層。S04、形成透明導(dǎo)電層薄膜，通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成包括源極601、漏極602的圖形。如圖3至7所示，S04步驟優(yōu)選的具體包括以下：S041、依次形成包括透明導(dǎo)電層薄膜、過渡層薄膜以及金屬層薄膜的圖形；其中，透明導(dǎo)電層薄膜優(yōu)選的使用ITO（氧化銦錫）材料制作，用濺射成膜的方法制備非晶態(tài)的ITO（氧化銦錫）薄膜，再通過退火使之晶化。透明導(dǎo)電層薄膜的厚度優(yōu)選的為20～150nm。所述過渡層薄膜優(yōu)選的使用重摻雜的非晶硅（N+a-Si）制成，具體的工藝可以采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)形成過渡層薄膜，沉積溫度在350℃以下，過渡層薄膜的厚度為優(yōu)選為所述金屬層薄膜優(yōu)選的為鉬（Mo）、鉬鈮合金（MoNb）、鋁（Al）、鋁釹合金（AlNd）、Ti、Cr、Cu中的一種或多種材料形成的單層或多層復(fù)合疊層。優(yōu)選為Mo、Al或含Mo、Al的合金組成的單層或多層復(fù)合膜；其厚度優(yōu)選的為100nm～3000nm。S042、通過構(gòu)圖工藝去除與有源區(qū)相對應(yīng)的金屬層薄膜、過渡層薄膜和透明導(dǎo)電層薄膜，以及各像素單元之間區(qū)域的金屬層薄膜、過渡層薄膜、透明導(dǎo)電層薄膜以及有源層薄膜，形成包括源連接層10、源過渡層9、源極601和漏極602的圖形。需要說明的是，如圖4至6所示，去除有源區(qū)401和各像素單元之間區(qū)域的金屬層薄膜、過渡層薄膜、透明導(dǎo)電層薄膜和有源層薄膜的過程是同步進行的，但是因為在有源區(qū)401上方有刻蝕阻擋區(qū)5，因此在同步去除有源層4時，真正去除的只是各像素單元之間區(qū)域的有源層薄膜，有源區(qū)的有源層薄膜不被刻蝕。所述去除與有源區(qū)相對應(yīng)的金屬層薄膜、過渡層薄膜和透明導(dǎo)電層薄膜，以及各像素單元之間區(qū)域的金屬層薄膜、過渡層薄膜、透明導(dǎo)電層薄膜和有源層薄膜優(yōu)選的方法包括：S0421、如圖4所示，對金屬層薄膜進行濕刻，從而形成了包括源連接層10的圖形，但此時去除的只是有源區(qū)和各像素單元之間區(qū)域的金屬層薄膜，而對顯示區(qū)Q2的金屬層薄膜進行保留；S0422、如圖5所示，對過渡層薄膜進行干刻，去除有源區(qū)和各像素單元之間區(qū)域的過渡層薄膜，同理，保留其他區(qū)域的過渡層薄膜（因為其被覆蓋在未被刻蝕的金屬層薄膜之下，故不會被刻蝕）；S0423、如圖6所示，對有源區(qū)的透明導(dǎo)電層薄膜和各像素單元之間區(qū)域的透明導(dǎo)電層薄膜與有源層薄膜進行濕刻，也就是說，在薄膜晶體管區(qū)Q1，所述透明導(dǎo)電層薄膜在有源區(qū)處斷開，同時形成斷開的源極601和漏極602（該漏極602與像素電極8相連）；在各像素單元之間區(qū)域透明導(dǎo)電層薄膜和有源層薄膜同時被去除，也就是各相鄰像素單元之間沒有多余的層。具體的，如圖7所示，所述陣列基板包括多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管區(qū)Q1和顯示區(qū)Q2。需要說明的是，為了清楚的顯示結(jié)構(gòu)，圖7中僅畫出了源極601、漏極602、柵極2、像素電極8和刻蝕阻擋層5，并沒有畫出柵絕緣層3、源過渡層9、源連接層10等層，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解并知曉其他層的結(jié)構(gòu)和位置?？梢?，S04步驟后，透明導(dǎo)電層薄膜在有源區(qū)處斷開，裸露出刻蝕阻擋區(qū)5，并形成了源極601（實際上源極601上方還有源過渡層9和源連接層10，未畫出）和漏極602（圖中為了顯示出漏極602與像素電極8直接相連而做出了標(biāo)示，但實際上漏極602上還覆蓋有剩余的過渡層薄膜和金屬層薄膜）。同時，如圖7中所示，也去除了各像素之間區(qū)域的金屬層薄膜、過渡層薄膜、透明導(dǎo)電層薄膜和有源層薄膜，使得各相鄰像素之間沒有多余的層。S05、通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成包括像素電極8的圖形。如圖8至10所示，S05步驟優(yōu)選的具體包括以下：S051、如圖8所示，形成鈍化層7，并在鈍化層7上涂覆光刻膠層；其中，所述鈍化層7優(yōu)選的由硅的氧化物（SiOx）、硅的氮化物（SiNx）、鉿的氧化物（HfOx）、硅的氮氧化物（SiON）、鋁的氧化物（AlOx）或由其中兩種或多種組成的多層疊層膜組成，鈍化層7可以用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)制作，其特點是膜層含有較低的低氫含量、并且有很好的表面特性。S052、對光刻膠層進行曝光、顯影，其中顯示區(qū)Q2無剩余光刻膠層；S053、如圖9所示，通過干刻法去除顯示區(qū)Q2無光刻膠層遮擋的鈍化層7；如圖10所示，通過濕刻法去除顯示區(qū)Q2無光刻膠層遮擋的金屬層薄膜；通過干刻法去除顯示區(qū)Q2無光刻膠遮擋的過渡層薄膜，使透明導(dǎo)電層薄膜暴露形成包括像素電極8的圖形，即形成圖2所示的陣列基板；也就是說，在本步驟（S05）的形成包括像素電極8的圖形的過程中，實際并未對透明導(dǎo)電層薄膜進行刻蝕，只是去除了顯示區(qū)Q2中的鈍化層7、金屬層薄膜、過渡層薄膜，從而使顯示區(qū)Q2的透明導(dǎo)電層薄膜暴露形成包括像素電極8的圖形；S054、去除剩余的光刻膠層。需要說明的是，因為過渡層薄膜可以通過干刻法去除，使得位于顯示區(qū)Q2的透明導(dǎo)電層薄膜在去除過渡層薄膜這一步時不會受到不良影響。這是因為對于透明導(dǎo)電層薄膜來說，若位于其上的層需要通過濕刻去除的話，必然也會將透明導(dǎo)電層薄膜去除一部分，干刻法則不能去除透明導(dǎo)電層薄膜。需要進一步說明的是，在顯示區(qū)Q2如果沒有過渡層薄膜和金屬層薄膜也是可行的，也就是說，在S05步驟之前（S04步驟）已經(jīng)去除了透明電極層上的過渡層薄膜和金屬層薄膜，或者本實施例的陣列基板薄膜晶體管區(qū)Q1和顯示區(qū)Q2都不包括過渡層薄膜和金屬層薄膜（這種情況下，數(shù)據(jù)線與源極601的電連接性能不好，但是也是可行的），即顯示區(qū)Q2透明導(dǎo)電層上方就是鈍化層7，可以直接通過干刻法去除所述鈍化層7，也可以形成像素電極8。本實施例提供的陣列基板制作方法，雖然增加了源過渡層9和源連接層10，但是因為這兩層是同源極601和漏極602在一次構(gòu)圖工藝中制作得到的，并沒有增加更多的構(gòu)圖工藝，同時，由于本實施的陣列基板上的源極601、漏極602和像素電極8是由同一層透明導(dǎo)電層薄膜形成的，無需通過鈍化層7過孔使得像素電極8與漏極602連接，將現(xiàn)有技術(shù)中需要通過6道光刻分別形成柵極2，氧化物有源層4，刻蝕阻擋區(qū)5，源極601和漏極602，鈍化層7過孔和像素電極8的氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法簡化為只需4道光刻的陣列基板制作方法，故其制作工藝簡單，制作成本低。實施例3：本實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括實施例1中所述的陣列基板。該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。本實施例的顯示裝置中具有實施例1中的陣列基板，故其制作工藝簡單，制作成本低。當(dāng)然，本實施例的顯示裝置中還可以包括其他常規(guī)結(jié)構(gòu)，如電源單元、顯示驅(qū)動單元等?？梢岳斫獾氖?，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。