一種非晶態(tài)碳化硅薄膜的制備方法及其薄膜晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種非晶態(tài)碳化硅薄膜的制備方法，以硅源、碳源作為反應(yīng)源，氬氣作為保護(hù)氣體，在摻雜劑的作用下，通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)得到。本發(fā)明還公開了一種非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，該非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管包括襯底、阻隔層、源電極和漏電極、柵電極、柵絕緣層、溝道層、鈍化層，其中，溝道層采用上述化學(xué)氣相沉積技術(shù)得到的非晶態(tài)碳化硅薄膜。本發(fā)明非晶態(tài)碳化硅薄膜的制作方法操作簡便，適于大面積連續(xù)生產(chǎn)。本發(fā)明非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管是在廉價的襯底上得到的，無需考慮碳化硅本體的翹曲等問題，且得到的薄膜晶體管具有耐壓、抗擊穿的特點。
【專利說明】一種非晶態(tài)碳化硅薄膜的制備方法及其薄膜晶體管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及功能薄膜的制備方法及應(yīng)用領(lǐng)域，尤其涉及一種非晶態(tài)碳化硅功能薄膜的制備方法及非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管。

【背景技術(shù)】
[0002]碳化硅薄膜具有一系列優(yōu)異特性，如:禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)和化學(xué)穩(wěn)定性好等，是制作一種半導(dǎo)體器件的重要材料。
[0003]碳化硅薄膜制備的方法有:物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、電子回旋共振、脈沖激光沉積、反應(yīng)磁控濺射、激光燒結(jié)法液相外延法、分子束外延法和各種外延沉積技術(shù)等。
[0004]西口太郎(申請?zhí)?201180002919.9)提出了一種通過對坩堝內(nèi)的原料進(jìn)行加熱使其升華且將所得原料氣體沉積在晶種上而生長碳化硅晶體的方法。傳統(tǒng)的金屬氧化物型場效應(yīng)管(MOSFET)主要結(jié)構(gòu)包括發(fā)射區(qū)、溝道區(qū)以及漂移區(qū)等組成，通過施加與材料表面垂直的電場，在靠近柵極的表面形成反型層，構(gòu)成導(dǎo)電溝道，由于單極性的導(dǎo)電原理，MOSFET器件具有高開關(guān)速度的優(yōu)點。而更高耐壓的碳化硅MOSFET器件在設(shè)計、應(yīng)用過程中，由于柵極絕緣材料的擊穿導(dǎo)致器件提前穿通的情況，限制了 MOSFET更高耐壓的設(shè)計與應(yīng)用。
[0005]普通的MOSFET結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，盛況等人(申請?zhí)?201010592964.1,201120104328.X)在柵極下的襯底表面增加濃度不高的摻雜區(qū)，使得在器件承受高壓時，柵極絕緣層中的電場減弱，從而降低絕緣層擊穿的幾率，提高碳化硅MOSFET的整體耐壓值；這種器件應(yīng)用于高壓條件下的電氣設(shè)備如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、牽引傳動等場合的新型碳化硅MOSFET。
[0006]片R光浩等人(申請?zhí)?03152590.3)首先提出在一種碳化硅襯底，直接刻蝕溝槽的碳化硅半導(dǎo)體器件。相似的情況，R.西米尼克等人(申請?zhí)?201110231060.0)提出一種延伸到碳化硅半導(dǎo)體本體中，且柵極電介質(zhì)和柵電極在溝槽內(nèi)形成的碳化硅溝槽半導(dǎo)體器件。
[0007]在利用碳化硅的半導(dǎo)體器件中，擊穿電場強(qiáng)度隨晶體平面取向而變化，而具有晶態(tài)成分的碳化硅半導(dǎo)體器件包括比較多的缺陷，因此增加了被擊穿的概率。杉本博司等人(申請?zhí)?200680034006.4)提出在η (ρ)-型碳化硅傾斜的襯底的主表面上形成通過外延生長的方法制成的η (ρ)阻隔層從而提高了碳化硅半導(dǎo)體的電介質(zhì)強(qiáng)度。碳化硅半導(dǎo)體襯底具有相對于(0001)平面或(000-1)平面的偏移角并且具有沿〈11-20〉方向的偏移方向，據(jù)于此，也可設(shè)計一種性能好的碳化硅半導(dǎo)體器件(申請?zhí)?201210009800.0)。A.施普利等人(申請?zhí)?201110283503.0)提供了一種制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法，包括:將包含硅的第一層施加到包含碳化硅的第二層，由此在第一層和第二層之間定義了界面，并氧化第一層的一些或全部。
[0008]總之，目前碳化硅半導(dǎo)體器件基本都是依據(jù)碳化硅本體或外延的特點而設(shè)計和制備的，為此，井上博揮等人(申請?zhí)?201080045944.0)還專門提出了一種碳化硅襯底。
[0009]但無論如何，在碳化硅襯底上形成有源層、電極等來制作半導(dǎo)體器件，需要利用步進(jìn)機(jī)等的曝光步驟，因此無法避免在曝光過程中，碳化硅襯底發(fā)生翹曲的問題。為避免碳化硅本體在制作器件時出現(xiàn)的翹曲等問題，本發(fā)明提供了一種新的非晶態(tài)碳化硅薄膜和非晶態(tài)碳化硅薄膜半導(dǎo)體器件的制備方法，通過該方法制作器件具有耐壓、抗擊穿等特點；另外本制作方法具有操作簡便，適于大面積連續(xù)生產(chǎn)的優(yōu)點。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種非晶態(tài)碳化硅薄膜的制備方法，由此方法得到的碳化硅薄膜在制作半導(dǎo)體器件時，能夠避免現(xiàn)有技術(shù)中以碳化硅作為襯底時出現(xiàn)的翹曲問題。
[0011]本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題采取如下技術(shù)方案:
[0012]一種非晶態(tài)碳化硅薄膜的制備方法，以硅源、碳源作為反應(yīng)源，氬氣作為保護(hù)氣體，在摻雜劑的作用下，通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)得到；
[0013]所述的硅源選自三氯氫硅、四氯化硅、乙硅烷或硅烷；
[0014]所述的碳源選自甲烷；
[0015]所述的摻雜劑為η型摻雜劑或ρ型摻雜劑；
[0016]其中，摻雜劑和硅源流量混合比例為1%~20%，碳源和硅源流量混合比例為1:2 ~1:1。
[0017]其中的η型摻雜劑、ρ型摻雜劑可分別選擇磷烷和氨氣。
[0018]作為一種優(yōu)選方式，所述的化學(xué)氣相沉積技術(shù)是指等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)，腔室壓強(qiáng)為20~200Pa ;射頻功率為50~350W ;襯底溫度為室溫至350°C。
[0019]作為另一種優(yōu)選方式，所述的化學(xué)氣相沉積技術(shù)是指大氣壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)，腔室壓強(qiáng)為常壓；射頻功率為50~350W ;襯底溫度為100~400°C。
[0020]本發(fā)明還提供了一種以上述化學(xué)氣相沉積技術(shù)得到的非晶態(tài)碳化硅薄膜作為溝道層的碳化硅薄膜晶體管，具有耐壓、抗擊穿等特點。
[0021]一種非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，包括由下至上依次疊置的襯底、柵絕緣層、溝道層、鈍化層；
[0022]配置于所述襯底上、被柵絕緣層包覆的的柵電極；
[0023]配置于所述溝道層上、被鈍化層包覆的源電極、漏電極；
[0024]分別向上延伸出鈍化層的柵外延電極、源外延電極、漏外延電極；
[0025]所述的溝道層為利用上述化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備的非晶態(tài)碳化硅薄膜，厚度為10 ~lOOOnm。
[0026]上述薄膜晶體管中的空間相對術(shù)語，如“配置于……上”等用來描述如附圖中示出的一個元件或特征與其他元件或特征的關(guān)系，應(yīng)該理解的是，空間相對術(shù)語意在包括除附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其他元件“以下”的元件將隨后被定位為“在”其他元件“之上”。
[0027]上述薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，當(dāng)然也可以制作頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，在溝道層、源電極和漏電極上形成柵絕緣層，在柵絕緣層上形成柵電極，具體結(jié)構(gòu)如下:
[0028]一種非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，包括由下至上依次疊置的襯底、阻隔層、溝道層、柵絕緣層、鈍化層；
[0029]配置于所述阻隔層上、被溝道層包覆的源電極、漏電極；
[0030]被柵絕緣層及鈍化層共同包覆的柵電極；
[0031]分別向上延伸出鈍化層的柵外延電極、源外延電極、漏外延電極；
[0032]所述的溝道層為利用上述化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備的非晶態(tài)碳化硅薄膜，厚度為10 ?lOOOnm。
[0033]由于溝道層為薄膜晶體管的關(guān)鍵部分，上述兩種結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管中的溝道層均采用本發(fā)明化學(xué)氣相沉積技術(shù)得到的非晶態(tài)碳化硅薄膜。對于頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，首先利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)，分別利用三氯氫娃、四氯化娃、乙娃燒、娃燒為娃源，載氣(IS氣、氮氣等)攜帶的去離子水或氧氣為為氧源，為使碳化硅薄膜與襯底形成良好接觸和避免碳化硅薄膜翹曲，首先在襯底表面生長一層二氧化硅(或氮化硅)薄膜阻隔層；然后采用本發(fā)明化學(xué)氣相沉積技術(shù)在襯底上制備非晶態(tài)碳化硅薄膜作為薄膜晶體管的溝道層。對于底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，直接在柵絕緣層上制備非晶態(tài)碳化硅薄膜作為薄膜晶體管的溝道層。
[0034]雖然上述底柵結(jié)構(gòu)和頂柵結(jié)構(gòu)中由于柵電極位置的不同而導(dǎo)致各結(jié)構(gòu)層的位置也存在差異，但并不影響各結(jié)構(gòu)層材料的選擇。
[0035]作為優(yōu)選，所述的襯底為硅片或玻璃。
[0036]所述的阻隔層的材料為二氧化硅或氮化硅，阻隔層的厚度為100?2000nm。
[0037]所述的柵絕緣層的材料為二氧化硅、氮化硅、有機(jī)聚合物或無機(jī)聚合物，柵絕緣層的厚度為200?5000nm。
[0038]所述的柵電極、源電極和漏電極的材料均選用金屬或金屬氧化物，所述的柵電極、源電極和漏電極的厚度均為50?500nm。
[0039]所述的鈍化層的材料選自氧化鋁、二氧化硅或氮化硅，鈍化層的厚度為30?500nmo
[0040]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明非晶態(tài)碳化硅薄膜及非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管的制備方法簡單、制作原材料來源豐富、價格便宜，且無需考慮碳化硅本體發(fā)生翹曲等現(xiàn)象的問題。本發(fā)明非晶態(tài)碳化硅薄膜及非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管的制備工藝與微電子加工工藝兼容，不需改變其他現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備，重復(fù)性和均勻性高，適于大面積連續(xù)生產(chǎn)；本發(fā)明薄膜晶體管具有耐壓、抗擊穿的特點，可在顯示、開關(guān)、變頻、信號轉(zhuǎn)換等控制領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1為本發(fā)明化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖2為本發(fā)明制備的頂柵結(jié)構(gòu)碳化硅薄膜晶體管的剖面圖；
[0043]圖3為本發(fā)明制備的底柵結(jié)構(gòu)碳化硅薄膜晶體管的剖面圖；
[0044]圖中，1，出氣孔；2，勻氣盤；3，樣品；4，襯底；5，溝道層；6，源電極；7，柵絕緣層；8，鈍化層；9，源外延電極；10，柵外延電極；11，柵電極；12，漏外延電極；13，漏電極；14，阻隔層。

【具體實施方式】
[0045]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步說明，但本發(fā)明并不限于此。圖1為本發(fā)明化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，硅源、碳源等從出氣孔I通入化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，經(jīng)過勻氣盤2的作用使反應(yīng)氣體均勻分散開，在襯底上生長一定時間后得到所需樣品3。在圖2和圖3中，為了清晰起見，夸大了層的厚度。
[0046]以下實施例中所用的原材料如下:
[0047]硅烷:濃度為99.9% ；甲烷:濃度為99.9% ;磷烷(氨氣):濃度為99.9% ;氧氣:濃度為99.95% ;氬氣:濃度為99.95%，氮氣濃度為99.95%。
[0048]本發(fā)明非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管制備方法包括如下步驟:
[0049]1、襯底的準(zhǔn)備，其中襯底選用硅片、玻璃、塑料、紙、陶瓷等廉價襯底材料。
[0050]2、柵電極、源電極和漏電極的制備，其中柵電極、源電極和漏電極均選用金屬及導(dǎo)電的金屬氧化物材料。
[0051]3、柵絕緣層的制備，其中柵絕緣層的材料選用二氧化硅、氮化硅、有(無)機(jī)聚合物、高介電常數(shù)等材料。
[0052]4、溝道層的制備，其中溝道層選用η (ρ)型摻雜碳化硅薄膜。
[0053]5、鈍化層的制備，其中鈍化層選用氧化鋁、二氧化硅、氮化硅等鈍化材料。
[0054]實施例1:
[0055]I)如圖2所示，選用玻璃作為襯底4，對襯底4進(jìn)行嚴(yán)格清洗。依次將襯底4浸入酒精、去離子水超聲清洗10分鐘；再用去離子水反復(fù)沖洗；最后用氮氣槍吹干。
[0056]2)利用PECVD技術(shù)生長厚度為200nm的二氧化硅，作為阻隔層14。
[0057]3)利用磁控濺射技術(shù)生長厚度為10nm的ITO源電極6和漏電極13，其中源電極6和漏電極13生長時，采用掩模技術(shù)生成圖案，長度為50 μ m，寬度為1000 μ m。
[0058]4)利用PECVD技術(shù)生長厚度為200nm的η型碳化硅薄膜作為溝道層5。通入流量為1sccm的甲烷，流量為20SCCm的硅烷，流量為4sCCm的磷烷作為η型摻雜劑；控制反應(yīng)腔室壓強(qiáng)為40Pa ;調(diào)整射頻功率為100W ;襯底溫度為室溫至350°C;生長時間約為20分鐘。
[0059]5)利用PECVD技術(shù)生長厚度為I μ m的二氧化硅，作為柵絕緣層7。
[0060]6)利用磁控濺射技術(shù)生長厚度為10nm的IZO柵電極11。
[0061]7)利用ALD技術(shù)沉積厚度為300nm的氧化鋁，作為薄膜晶體管的鈍化層8。
[0062]8)利用磁控派射技術(shù)生長金屬招外延電極(包括柵外延電極9、源外延電極10和漏外延電極12)。
[0063]9)完成如圖2所示的頂柵結(jié)構(gòu)薄膜晶體管器件的制作。
[0064]實施例2:
[0065]I)如圖2所示，選用玻璃作為襯底4，對襯底4進(jìn)行嚴(yán)格清洗。依次將襯底浸入酒精、去離子水超聲清洗10分鐘；再用去離子水反復(fù)沖洗；最后用氮氣槍吹干。
[0066]2)利用PECVD技術(shù)生長厚度為10nm的氮化硅薄膜，作為阻隔層14。
[0067]3)利用磁控濺射技術(shù)生長厚度為60nm的IZO源電極6和漏電極13，其中源電極6和漏電極13生長時，采用掩模技術(shù)生成圖案，長度為50 μ m，寬度為1000 μ m。
[0068]4)利用大氣壓CVD技術(shù)生長厚度為200nm的ρ型碳化硅薄膜作為溝道層5。通入流量為30SCCm的甲烷，流量為40SCCm的硅烷，流量為5sCCm的氨氣作為ρ型摻雜劑；調(diào)整射頻功率為150W ;襯底溫度為室溫至350°C ;生長時間約為20分鐘。
[0069]5)利用PECVD技術(shù)生長厚度為I μ m的二氧化硅，作為柵絕緣層7。
[0070]6)利用磁控濺射技術(shù)生長厚度為60nm的ITO柵電極11。
[0071]7)利用ALD技術(shù)沉積厚度為10nm的氧化鋁，作為薄膜晶體管的鈍化層8。
[0072]8)利用磁控派射技術(shù)生長金屬招外延電極(包括柵外延電極9、源外延電極10和漏外延電極12)。
[0073]9)完成如圖2所示的頂柵結(jié)構(gòu)薄膜晶體管器件的制作。
[0074]實施例3:
[0075]I)如圖3所示，選用玻璃作為襯底4，對襯底4進(jìn)行嚴(yán)格清洗。依次將襯底浸入酒精、去離子水超聲清洗10分鐘；再用去離子水反復(fù)沖洗；最后用氮氣槍吹干。
[0076]2)利用磁控濺射技術(shù)生長厚度為60nm的ITO柵電極11。
[0077]3)利用PECVD技術(shù)生長厚度為I μ m的二氧化硅，作為柵絕緣層7。
[0078]4)利用PECVD技術(shù)生長厚度為200nm的ρ型碳化硅薄膜作為溝道層5。通入流量為1sccm的甲烷，流量為20SCCm的硅烷，流量為4sCCm的氨氣作為ρ型摻雜劑；控制反應(yīng)腔室壓強(qiáng)為40Pa ;調(diào)整射頻功率為100W ;襯底溫度為室溫至350°C;生長時間約為20分鐘。
[0079]5)利用磁控濺射技術(shù)生長厚度為60nm的IZO源電極6和漏電極13，其中源電極6和漏電極13生長時，采用掩模技術(shù)生成圖案，長度為50 μ m，寬度為1000 μ m。
[0080]6)利用ALD技術(shù)沉積厚度為10nm的氧化鋁，作為薄膜晶體管的鈍化層8。
[0081]7)利用磁控派射技術(shù)生長金屬招外延電極(包括柵外延電極9、源外延電極10和漏外延電極12)。
[0082]8)完成如圖3所示的底柵結(jié)構(gòu)薄膜晶體管器件的制作。
[0083]實施例4:
[0084]I)如圖3所示，選用玻璃作為襯底4，對襯底4進(jìn)行嚴(yán)格清洗。依次將襯底浸入酒精、去離子水超聲清洗10分鐘；再用去離子水反復(fù)沖洗；最后用氮氣槍吹干。
[0085]2)利用磁控濺射技術(shù)生長厚度為80nm的ITO柵電極11。
[0086]3)利用PECVD技術(shù)生長厚度為1.5 μ m的二氧化硅，作為柵絕緣層7。
[0087]4)利用大氣壓CVD技術(shù)生長厚度為150nm的η型碳化硅薄膜作為溝道層5。通入流量為30SCCm的甲烷，流量為40SCCm的硅烷，流量為5sCCm的磷烷作為η型摻雜劑；調(diào)整射頻功率為150W ;襯底溫度為室溫至350°C ;生長時間約為20分鐘。
[0088]5)利用磁控濺射技術(shù)生長厚度為60nm的IZO源電極6和漏電極13，其中源電極6和漏電極13生長時，采用掩模技術(shù)生成圖案，長度為50 μ m，寬度為1000 μ m。
[0089]6)利用ALD技術(shù)沉積厚度為200nm的氧化鋁，作為薄膜晶體管的鈍化層8。
[0090]7)利用磁控派射技術(shù)生長金屬招外延電極(包括柵外延電極9、源外延電極10和漏外延電極12)。
[0091]8)完成如圖3所示的底柵結(jié)構(gòu)薄膜晶體管器件的制作。
【權(quán)利要求】
1.一種非晶態(tài)碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，以硅源、碳源作為反應(yīng)源，氬氣作為保護(hù)氣體，在摻雜劑的作用下，在襯底上通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)得到； 所述的硅源選自三氯氫硅、四氯化硅、乙硅烷或硅烷； 所述的碳源選自甲烷； 所述的摻雜劑為η型摻雜劑或P型摻雜劑； 其中，摻雜劑和硅源流量混合比例為1%?20%，碳源和硅源流量混合比例為1:2?1:1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶態(tài)碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述的化學(xué)氣相沉積技術(shù)是指等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)，腔室壓強(qiáng)為20?200Pa ;射頻功率為50?350W ;襯底溫度為室溫至350°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶態(tài)碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積技術(shù)是指大氣壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)，腔室壓強(qiáng)為常壓；射頻功率為50?350W ;襯底溫度為100?4000C ο
4.一種非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，包括由下至上依次疊置的襯底、柵絕緣層、溝道層、鈍化層； 配置于所述襯底上、被柵絕緣層包覆的的柵電極； 配置于所述溝道層上、被鈍化層包覆的源電極、漏電極； 分別向上延伸出鈍化層的柵外延電極、源外延電極、漏外延電極； 其特征在于，所述的溝道層為利用權(quán)利要求1的方法制備的非晶態(tài)碳化硅薄膜，厚度為 10 ?lOOOnm。
5.一種非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，包括由下至上依次疊置的襯底、阻隔層、溝道層、柵絕緣層、鈍化層； 配置于所述阻隔層上、被溝道層包覆的源電極、漏電極； 被柵絕緣層及鈍化層共同包覆的柵電極； 分別向上延伸出鈍化層的柵外延電極、源外延電極、漏外延電極； 其特征在于，所述的溝道層為利用權(quán)利要求1的方法制備的非晶態(tài)碳化硅薄膜，厚度為 10 ?lOOOnm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，其特征在于，所述的襯底為硅片或玻璃。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，其特征在于，所述的阻隔層的材料為二氧化硅或氮化硅，阻隔層的厚度為100?2000nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，其特征在于，所述的柵絕緣層的材料為二氧化硅、氮化硅、有機(jī)聚合物或無機(jī)聚合物，柵絕緣層的厚度為200?5000nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，其特征在于，所述的柵電極、源電極、漏電極的材料均選用金屬或金屬氧化物，所述的柵電極、源電極、漏電極的厚度均為 50 ?500nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的非晶態(tài)碳化硅薄膜晶體管，其特征在于，所述的鈍化層的材料選自氧化鋁、二氧化硅或氮化硅，鈍化層的厚度為30?500nm。
【文檔編號】H01L29/10GK104051243SQ201310078664
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月12日
【發(fā)明者】郭立強(qiáng), 萬青, 楊園園, 竺立強(qiáng), 吳國棟 申請人:中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所