本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：
由于對(duì)具有電力控制電路電力或諸如逆變器或變換器的電力變換器電路的功能的電力設(shè)備的需求增加，所以對(duì)具有電力半導(dǎo)體元件的電力半導(dǎo)體裝置和設(shè)置有電力半導(dǎo)體裝置的電力半導(dǎo)體模塊的需求正在增大。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）用作電力半導(dǎo)體元件。IGBT是用場(chǎng)效應(yīng)晶體管（稱為“FET”）的柵極替代雙極型晶體管的基極的一種半導(dǎo)體元件。IGBT具有電流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)雙極型晶體管那樣的高速度和電力持久性并能夠如電壓驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)雙極型晶體管那樣節(jié)約電力消耗。公開(kāi)號(hào)為2001-308263(JP2001-308263A)的日本專利申請(qǐng)描述了兩個(gè)這種IGBT被串聯(lián)連接在高階電源和低階電源之間的示例。對(duì)應(yīng)于高側(cè)和低側(cè)的兩個(gè)IGBT被設(shè)置為從左到右排列。高側(cè)IGBT被設(shè)置為上下翻轉(zhuǎn)（flip），并且低側(cè)IGBT被設(shè)置為不上下翻轉(zhuǎn)。高側(cè)IGBT的高階電源側(cè)的主電極表面被連接至高側(cè)板，所述高側(cè)板是高側(cè)上的金屬板。高側(cè)IGBT的低階電源側(cè)的主電極表面和低側(cè)IGBT的高階電源側(cè)的主電極表面被連接至中側(cè)板，所述中側(cè)板是在高側(cè)與低側(cè)中間的金屬板。低側(cè)IGBT的低階電源側(cè)的主電極表面被連接至低側(cè)板，所述低側(cè)板是低側(cè)上的金屬板。然而，上述的半導(dǎo)體裝置具有下列問(wèn)題。高側(cè)IGBT和低側(cè)IGBT中的一個(gè)IGBT被上下翻轉(zhuǎn)，而另一個(gè)不被上下翻轉(zhuǎn)。結(jié)果，當(dāng)配置IGBT時(shí)，必須增加使IGBT中的一個(gè)上下翻轉(zhuǎn)的過(guò)程。而且，當(dāng)集電電極被形成在IGBT的高階電源側(cè)的電極表面上，且發(fā)射電極被形成在IGBT的低階電源側(cè)的電極表面上時(shí)，用于熱量釋放或高度調(diào)整的隔離件可以被設(shè)置在發(fā)射電極側(cè)上。另外，隔離件和高側(cè)IGBT的發(fā)射電極以及隔離件和中側(cè)板通過(guò)例如焊接接合而被電連接和熱連接。另外，隔離件和低側(cè)IGBT的發(fā)射電極以及隔離件和低側(cè)板通過(guò)例如焊接接合而被電連接和熱連接。如上所述，當(dāng)一個(gè)IGBT被上下翻轉(zhuǎn)時(shí)，IGBT的接合位置的在高側(cè)上的高度不同于在低側(cè)上的高度。例如，當(dāng)檢查接合位置處的接合狀態(tài)時(shí)，諸如當(dāng)執(zhí)行焊接接合位置的空隙檢查時(shí)，必須執(zhí)行為各個(gè)接合位置高度設(shè)置焦點(diǎn)的檢查。因此，檢查花費(fèi)更多時(shí)間來(lái)執(zhí)行。而且，上述問(wèn)題在兩個(gè)IGBT被并聯(lián)配置的半導(dǎo)體裝置之中也是普遍的。此外，上述問(wèn)題不限于IGBT，而且在包括三端子元件或二端子元件的各種類型的半導(dǎo)體元件中的任兩個(gè)半導(dǎo)體元件被并聯(lián)或串聯(lián)連接的半導(dǎo)體裝置之中也是普遍的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
因此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，其不要求當(dāng)配置半導(dǎo)體時(shí)使半導(dǎo)體元件上下翻轉(zhuǎn)，從而能夠縮短檢查時(shí)間。本發(fā)明的第一方案涉及半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括：第一半導(dǎo)體元件；第一厚板部，所述第一厚板部被電連接到所述第一半導(dǎo)體元件的下表面?zhèn)鹊碾姌O上，并且所述第一厚板部由導(dǎo)體形成；第二半導(dǎo)體元件，所述第二半導(dǎo)體元件被配置成所述第二半導(dǎo)體元件的主表面面向所述第一半導(dǎo)體元件的主表面；第二厚板部，所述第二厚板部被電連接到所述第二半導(dǎo)體元件的下表面?zhèn)鹊碾姌O上，并且所述第二厚板部由導(dǎo)體形成；第三厚板部，所述第三厚板部被電連接到所述第一半導(dǎo)體元件的上表面?zhèn)鹊碾姌O上，并且所述第三厚板部由導(dǎo)體形成；第四厚板部，所述第四厚板部被電連接到所述第二半導(dǎo)體元件的上表面?zhèn)鹊碾姌O上，并且所述第四厚板部由導(dǎo)體形成；第一薄板部，所述第一薄板部由導(dǎo)體形成并被設(shè)置在所述第二厚板部上，且所述第一薄板部比所述第二厚板部??；以及第二薄板部，所述第二薄板部由導(dǎo)體形成并被設(shè)置在所述第三厚板部上，且所述第二薄板部比所述第三厚板部薄。所述第一薄板部和所述第二薄板部被固定在一起并且被電連接。在該半導(dǎo)體裝置中，所述第一薄板部可以被設(shè)置在所述第二厚板部的所述第一厚板部側(cè)上，所述第二薄板部可以被設(shè)置在所述第三厚板部的所述第四厚板部側(cè)上，并且在所述第一半導(dǎo)體元件的厚度方向上，所述第一薄板部和所述第二薄板部可以被電連接在所述第一厚板部的位置與所述第三厚板部的位置之間的位置處。在該半導(dǎo)體裝置中，在所述第一半導(dǎo)體元件的所述厚度方向上，所述第一薄板部和所述第二薄板部可以被電連接在所述第一厚板部的所述位置與所述第三厚板部的所述位置之間的中間位置處。在上述的半導(dǎo)體裝置中，所述第一薄板部可以被設(shè)置在所述第二厚板部的所述第一厚板部側(cè)上，所述第二薄板部可以被設(shè)置在所述第三厚板部的所述第四厚板部側(cè)上，所述第二薄板部可以水平地延伸并且與所述第三厚板部的下表面具有同一平面，并且所述第一薄板部可以包括向上彎曲以形成與所述第二薄板部的下表面接觸的接合表面的形狀部。上述的半導(dǎo)體裝置還可以包括覆蓋所述第一半導(dǎo)體元件、所述第二半導(dǎo)體元件、所述第一薄板部以及所述第二薄板部的樹(shù)脂。該半導(dǎo)體裝置還可以包括被電連接到所述第一厚板部、第二厚板部、第三厚板部和第四厚板部中的一個(gè)厚板部上的外部引線，并且所述外部引線露出于所述樹(shù)脂的外部，所述第一薄板部和所述第二薄板部各自的厚度可以等于或大于所述外部引線的厚度。上述的半導(dǎo)體裝置還可以包括被配置在所述第一厚板部上且與所述第一半導(dǎo)體元件相距預(yù)定間隔的第三半導(dǎo)體元件，并且所述樹(shù)脂的側(cè)表面可以具有凹陷部，在包括所述預(yù)定間隔的區(qū)域中，所述凹陷部在與所述第二薄板部相對(duì)的一側(cè)上向內(nèi)凹陷。上述的半導(dǎo)體裝置還可以包括被配置在所述第二厚板部上且與所述第二半導(dǎo)體元件相距預(yù)定間隔的第四半導(dǎo)體元件，并且所述樹(shù)脂的側(cè)表面可以具有凹陷部，在包括所述預(yù)定間隔的區(qū)域中，所述凹陷部在與所述第一薄板部相對(duì)的一側(cè)上向內(nèi)凹陷。在上述的半導(dǎo)體裝置中，在形成于所述第一薄板部上并且接觸所述第二薄板部的下表面的接合表面和形成于所述第二薄板部上并且接觸所述第一薄板部的上表面的接合表面中的至少一個(gè)接合表面的區(qū)域上可以形成凹槽。本發(fā)明的第二方案涉及半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括：第一半導(dǎo)體元件；第二半導(dǎo)體元件，所述第二半導(dǎo)體元件與所述第一半導(dǎo)體元件面向同一方向，其中所述第二半導(dǎo)體元件設(shè)置有同側(cè)表面以與所述第一半導(dǎo)體元件的一個(gè)表面大致齊平，所述同側(cè)表面為與所述第一半導(dǎo)體元件的所述一個(gè)表面在同一側(cè)上的表面；第一厚板部，所述第一厚板部被電連接到所述第一半導(dǎo)體元件的所述一個(gè)表面上，并且所述第一厚板部由導(dǎo)體形成；第二厚板部，所述第二厚板部被電連接到所述第二半導(dǎo)體元件的所述同側(cè)表面上，并且所述第二厚板部由導(dǎo)體形成；第三厚板部，所述第三厚板部被電連接到與所述第一半導(dǎo)體元件的所述一個(gè)表面相對(duì)的一側(cè)的表面上，并且所述第三厚板部由導(dǎo)體形成；第四厚板部，所述第四厚板部被電連接到與所述第二半導(dǎo)體元件的所述同側(cè)表面相對(duì)的一側(cè)的表面上，并且所述第四厚板部由導(dǎo)體形成；第一薄板部，所述第一薄板部由比所述第一厚板部和所述第二厚板部更薄的導(dǎo)體形成，并且所述第一薄板部被電連接到所述第一厚板部和所述第二厚板部上；以及第二薄板部，所述第二薄板部由比所述第三厚板部和所述第四厚板部更薄的導(dǎo)體形成，并且所述第二薄板部被電連接到所述第三厚板部和所述第四厚板部上。在該半導(dǎo)體裝置中，所述第二半導(dǎo)體元件可以是與所述第一半導(dǎo)體元件類型相同的半導(dǎo)體元件，第一電極可以被形成在所述第一半導(dǎo)體元件的所述一個(gè)表面和所述第二半導(dǎo)體元件的所述同側(cè)表面上，第二電極可以被形成在與所述第一半導(dǎo)體元件的所述一側(cè)相對(duì)的側(cè)的表面和與所述第二半導(dǎo)體元件的所述同側(cè)表面相對(duì)的側(cè)的表面上，所述第一厚板部可以被電連接到所述第一半導(dǎo)體元件的所述第一電極上；所述第二厚板部可以被電連接到所述第二半導(dǎo)體元件的所述第一電極上，所述第三厚板部可以被電連接到所述第一半導(dǎo)體元件的所述第二電極上，并且所述第四厚板部可以被電連接到所述第二半導(dǎo)體元件的所述第二電極上。在該半導(dǎo)體裝置中，所述第一半導(dǎo)體元件和所述第二半導(dǎo)體元件都是IGBT，并且所述第一電極是集電電極，而所述第二電極是發(fā)射電極。本發(fā)明的第三方案涉及半導(dǎo)體裝置制造方法。該半導(dǎo)體裝置制造方法包括：第一步驟：配置由導(dǎo)體形成的第一導(dǎo)電板，所述第一導(dǎo)電板包括第一厚板部、第二厚板部、以及被設(shè)置在所述第一厚板部與所述第二厚板部之間并且比所述第一厚板部和所述第二厚板部?jī)烧叨急〉牡谝槐“宀浚沟盟龅谝缓癜宀拷佑|第一半導(dǎo)體元件的一個(gè)表面，并且所述第二厚板部接觸第二半導(dǎo)體元件的與所述一個(gè)表面在同一側(cè)上的同側(cè)表面，所述第二半導(dǎo)體元件被設(shè)置為與所述第一半導(dǎo)體元件面向同一方向；第二步驟：配置由導(dǎo)體形成的第二導(dǎo)電板，所述第二導(dǎo)電板包括第三厚板部、第四厚板部、以及被設(shè)置在所述第三厚板部與所述第四厚板部之間并且比所述第三厚板部和所述第四厚板部?jī)烧叨急〉牡诙“宀?，使得所述第三厚板部接觸與所述第一半導(dǎo)體元件的所述一側(cè)相對(duì)的側(cè)的表面，并且所述第四厚板部接觸與所述第二半導(dǎo)體元件的所述同側(cè)表面相對(duì)的側(cè)的表面；第三步驟：將所述第一半導(dǎo)體元件的所述一個(gè)表面與所述第一厚板部電連接，將與所述第一半導(dǎo)體元件的所述一個(gè)表面相對(duì)的所述側(cè)的所述表面與所述第三厚板部電連接，將所述第二半導(dǎo)體元件的所述同側(cè)表面與所述第二厚板部電連接，并且將與所述第二半導(dǎo)體元件的所述同側(cè)表面相對(duì)的所述側(cè)的所述表面與所述第四厚板部電連接。上述的半導(dǎo)體裝置制造方法還可以包括第四步驟：將所述第一薄板部與所述第一厚板部分離，并且將所述第二薄板部與所述第四厚板部分離，并且使所分離后的第一薄板部與所分離后的第二薄板部接觸；以及第五步驟：將彼此接觸的所述第一薄板部和所述第二薄板部電連接。在上述的半導(dǎo)體裝置制造方法中，所述第一厚板部的一個(gè)表面、所述第二厚板部的一個(gè)表面、以及所述第一薄板部的一個(gè)表面可以是齊平的；所述第一步驟可以包括：配置所述第一導(dǎo)電板以使得所述第一厚板部的所述一個(gè)表面接觸所述第一半導(dǎo)體元件，并且使得所述第二厚板部的所述一個(gè)表面接觸所述第二半導(dǎo)體元件；所述第三厚板部的一個(gè)表面、所述第四厚板部的一個(gè)表面、以及所述第二薄板部的一個(gè)表面可以是齊平的；并且所述第二步驟可以包括：配置所述第二導(dǎo)電板，使得所述第三厚板部的所述一個(gè)表面接觸所述第一半導(dǎo)體元件，并且使得所述第四厚板部的所述一個(gè)表面接觸所述第二半導(dǎo)體元件。在上述的半導(dǎo)體裝置制造方法中，所述第二半導(dǎo)體元件可以是與所述第一半導(dǎo)體元件類型相同的半導(dǎo)體元件；第一電極可以被形成在所述第一半導(dǎo)體元件的所述一個(gè)表面和所述第二半導(dǎo)體元件的所述同側(cè)表面上；第二電極可以被形成在與所述第一半導(dǎo)體元件的所述一側(cè)相對(duì)的側(cè)的表面和與所述第二半導(dǎo)體元件的所述同側(cè)表面相對(duì)的側(cè)的表面上；并且所述第三步驟可以包括：將所述第一半導(dǎo)體元件的所述第一電極電連接到所述第一厚板部上；將所述第一半導(dǎo)體元件的所述第二電極電連接到所述第三厚板部上；將所述第二半導(dǎo)體元件的所述第一電極電連接到所述第二厚板部上；以及將所述第二半導(dǎo)體元件的所述第二電極電連接到所述第四厚板部上。在該半導(dǎo)體裝置制造方法中，所述第一半導(dǎo)體元件和所述第二半導(dǎo)體元件可以都是IGBT，所述第一電極可以是集電電極；并且所述第二電極可以是發(fā)射電極。根據(jù)本發(fā)明的各種方案的半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置制造方法，當(dāng)配置半導(dǎo)體元件時(shí)上下翻轉(zhuǎn)半導(dǎo)體元件的過(guò)程是不必要的，從而能夠縮短檢查時(shí)間。附圖說(shuō)明下文將參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的特征、優(yōu)點(diǎn)以及技術(shù)和工業(yè)重要性進(jìn)行說(shuō)明，在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，并且其中：圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局（frameformat）的剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局的平面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中使用的引線框架的結(jié)構(gòu)的框架格局的剖視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的框架格局的剖視圖（部分1）；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的框架格局的剖視圖（部分2）；圖7是示出根據(jù)比較示例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局的剖視圖；圖8是設(shè)置有根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的電力控制單元的結(jié)構(gòu)的立體圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例變型例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局的剖視圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局的剖視圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的第二示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖；圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的框架格局的剖視圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置示例的外部立體圖；圖14是根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的塊狀剖視圖，所述塊狀剖視圖示出了沿圖13中的線A–A截取的截面；圖15是根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的第一薄板部之間的接合部的放大視圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的下側(cè)上的厚板部和厚板部的結(jié)構(gòu)的立體圖；圖17是在用樹(shù)脂密封根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置之后的成品的示例的視圖；圖18根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的立體圖；以及圖19A和圖19B是在將熔化的密封樹(shù)脂傾倒至模具中并且執(zhí)行模制成形時(shí)樹(shù)脂流動(dòng)分析結(jié)果的視圖，其中圖19A是在將根據(jù)第三示例實(shí)施例的比較示例的、不存在凹陷部的半導(dǎo)體裝置模制成形時(shí)樹(shù)脂流動(dòng)分析結(jié)果的視圖，并且圖19B是在將根據(jù)第三示例實(shí)施例的、存在凹陷部的半導(dǎo)體裝置模制成形時(shí)樹(shù)脂流動(dòng)分析結(jié)果的視圖。具體實(shí)施方式接下來(lái)，將參照附圖描述本發(fā)明的示例實(shí)施例。（第一示例實(shí)施例）首先，將描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置以及其制造方法。根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置具有作為半導(dǎo)體元件的絕緣柵雙極型晶體管（下文中稱為“IGBT”）。首先，將描述根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。圖1是示出根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局的剖視圖。半導(dǎo)體裝置100包括第一半導(dǎo)體元件10、第二半導(dǎo)體元件20、第一厚板部31、第二厚板部32、第一薄板部33、第三厚板部41、第四厚板部42、第二薄板部43、第一控制電極端子51、第二控制電極端子52、以及密封樹(shù)脂部53。第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20是相同類型的IGBT。在上面的描述中，第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20也分別稱為“IGBT10”和“IGBT20”。IGBT10具有集電電極11、發(fā)射電極12、以及柵電極13。集電電極11被形成在一個(gè)表面10a上。發(fā)射電極12和柵電極13被形成在與表面10a相對(duì)的側(cè)的表面10b上。IGBT20具有集電電極21、發(fā)射電極22、以及柵電極23。集電電極21被形成在表面20a上，表面20a與表面10a在同一側(cè)上。發(fā)射電極22和柵電極23被形成在與表面20a相對(duì)的側(cè)的表面20b上。也就是說(shuō)，IGBT20被設(shè)置為與IGBT10面向同一方向。將IGBT20設(shè)置為使得表面20a與IGBT10的表面10a大致齊平。第一厚板部31由導(dǎo)體形成，并且經(jīng)由接合材料11a電連接至IGBT10的集電電極11。第二厚板部32由導(dǎo)體形成，并且經(jīng)由接合材料21a電連接至IGBT20的集電電極21。第一厚板部31和第二厚板部32可以有相同的厚度。第一薄板部33由導(dǎo)體形成且被設(shè)置在第二厚板部32的第一厚板部31側(cè)上，并且比第一厚板部31和第二厚板部32兩者都薄。如下文將參照?qǐng)D4描述的那樣，例如，第一厚板部31和第二厚板部32的厚度T1可以是2mm至3mm，并且第一薄板部33的厚度T2例如可以是0.5mm。同樣，如在下文根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將要描述的那樣，第一引線框架30在第一厚板部31與設(shè)置有第一薄板部33的第二厚板部32之間斷開(kāi)。因此，第一厚板部31、第二厚板部32、以及第一薄板部33可以由相同類型的導(dǎo)體形成，并且第二厚板部32和第一薄板部33可以一體成型。例如，導(dǎo)體可以由銅（Cu）、鎳（Ni）或鋁（Al）等等的金屬板形成，或者由鍍有例如銀（Ag）或金（Au）等等的Cu、Ni、或Al等等的金屬板形成。同樣，例如，錫型的焊料可以用作接合材料11a和接合材料21a。第三厚板部41由導(dǎo)體形成，并且經(jīng)由隔離件14電連接至IGBT10的集電電極12。也就是說(shuō)，經(jīng)由接合材料14a將第三厚板部41電連接至隔離件14，并且經(jīng)由接合材料12a將隔離件14電連接至IGBT10的發(fā)射電極12。第四厚板部42由導(dǎo)體形成，并且經(jīng)由隔離件24電連接至IGBT20的集電電極22。也就是說(shuō)，經(jīng)由接合材料24a將第四厚板部42電連接至隔離件24，并且經(jīng)由接合材料22a將隔離件24電連接至IGBT20的發(fā)射電極22。第二薄板部43由導(dǎo)體形成且被設(shè)置在第三厚板部41的第四厚板部42側(cè)上，并且比第三厚板部41和第四厚板部42兩者都薄。如下文參照?qǐng)D4將要描述的那樣，第三厚板部41和第四厚板部42的厚度T1可以是例如2mm至3mm，并且第二薄板部43的厚度T2可以是例如0.5mm。同樣，如在下文根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將要描述的那樣，第二引線框架40在第三厚板部41與設(shè)置有第二薄板部43的第四厚板部42之間斷開(kāi)。因此，第三厚板部41、第四厚板部42、以及第二薄板部43可以由相同類型的導(dǎo)體形成，并且第三厚板部41和第二薄板部33可以一體成型。例如，導(dǎo)體可以由Cu、Ni或Al等等的金屬板形成，或者由鍍有例如銀（Ag）或金（Au）等等的Cu、Ni、或Al等等的金屬板形成。同樣，例如錫型的焊料可以用作接合材料12a、接合材料14a、接合材料22a、接合材料24a。在IGBT10和IGBT20的厚度方向上，第一薄板部33從第二厚板部32側(cè)朝向第四厚板部42側(cè)彎曲。在IGBT10和IGBT20的厚度方向上，第二薄板部43從第三厚板部41側(cè)朝向第一厚板部31側(cè)彎曲。而且，在IGBT10和IGBT20的厚度方向上，在第一厚板部31的位置與第三厚板部41的位置之間的中間位置處電連接第一薄板部33和第二薄板部43。也就是說(shuō)，在IGBT10和IGBT20的厚度方向上，在第二厚板部32的位置與第四厚板部42的位置之間的中間位置處電連接第一薄板部33和第二薄板部43。同樣，在IGBT10和IGBT20的厚度方向上，在第二厚板部32的位置與第三厚板部41的位置之間的中間位置處電連接第一薄板部33和第二薄板部43。例如，經(jīng)由由Al線或Au線等等形成的接合線51a將第一控制電極端子51電連接到IGBT10的柵電極13上。例如，經(jīng)由由Al線或Au線等等形成的接合線52a將第二控制電極端子52電連接到IGBT20的柵電極23上。密封樹(shù)脂部53設(shè)置為將IGBT10和IGBT20、厚板部31、厚板部32、厚板部41和厚板部42、薄板部33和薄板部43、以及控制電極端子51和52部分或全部密封。如圖1所示，例如，將IGBT10和IGBT20全部密封。同樣，在圖1中，密封樹(shù)脂部53覆蓋第一薄板部33下方的部分和第二薄板部43上方的部分，所以第一薄板部33和第二薄板部43沒(méi)有露出于表面上。所以，第一厚板部31與第二厚板部32之間的距離、以及第三厚板部41與第四厚板部42之間的距離被密封樹(shù)脂部53占據(jù)，密封樹(shù)脂部53是絕緣體，所以可以確保第一厚板部31與第二厚板部32之間、以及第三厚板部41與第四厚板部42之間的沿面距離，從而能夠改進(jìn)絕緣性能。如此，在根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100中，能夠確保第一厚板部31與第二厚板部32之間的絕緣、以及第三厚板部41與第四厚板部42之間的絕緣，所以可以將它們緊密地配置在一起，從而使整個(gè)半導(dǎo)體裝置100能夠小些。圖2是根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。在圖2中，由虛線圍成的區(qū)域I包括圖1中所示的半導(dǎo)體裝置，并且由點(diǎn)劃線圍成的區(qū)域II和區(qū)域III可以分別被認(rèn)為是IGBT10和IGBT20。圖2中示出的電路使得逆變器電路設(shè)置在高階側(cè)電源和低階側(cè)電源之間。在此電路中，由虛線圍成的區(qū)域I中示出的電路包括二極管15和二極管25以及IGBT10和IGBT20。分別將二極管15和二極管25反向并聯(lián)連接至IGBT10和IGBT20。也就是說(shuō)，可以將由虛線圍成的區(qū)域I中示出的電路理解為半導(dǎo)體模塊，所述半導(dǎo)體模塊是包括根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的逆變器電路。用于連接到高階側(cè)電源的高階側(cè)電源連接端子16電連接到IGBT10的集電電極11。高階側(cè)電源連接端子16電連接到半導(dǎo)體裝置100的第一厚板部31上。用于連接到低階側(cè)電源的低階側(cè)電源連接端子26電連接到IGBT20的發(fā)射電極22。低階側(cè)電源連接端子26電連接到半導(dǎo)體裝置100的第四厚板部42上。第一控制電極端子51電連接到IGBT10的柵電極13上，并且第二控制電極端子52電連接到IGBT20的柵電極23上。輸出端子54電連接在IGBT10的發(fā)射電極12與IGBT20的集電電極21之間。輸出端子54電連接到半導(dǎo)體裝置100的第二厚板部32和第三厚板部41上。圖3是示出根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局的平面圖。圖3是參照?qǐng)D1從圖1的上方俯視（即：從厚板部41和厚板部42側(cè)俯視）而描述的半導(dǎo)體裝置的視圖。IGBT10和IGBT20設(shè)置為面向同一方向排列。第二薄板部43經(jīng)由第三厚板部41電連接到IGBT10的發(fā)射電極12側(cè)上。第一薄板部33經(jīng)由第二厚板部32電連接到IGBT20的集電電極21側(cè)上。當(dāng)俯視時(shí)，第一薄板部33和第二薄板部43被配置為重合，并且被電連接在一起。當(dāng)俯視時(shí)，第一控制電極端子51和第二控制電極端子52設(shè)置在半導(dǎo)體裝置100的一側(cè)上。第一控制電極端子51電連接到IGBT10的柵電極13上，并且第二控制電極端子52電連接到IGBT20的柵電極23上。高階側(cè)電源連接端子16、低階側(cè)電源連接端子26、以及輸出端子54設(shè)置在半導(dǎo)體裝置100的與設(shè)置第一控制電極端子51和第二控制電極端子52的側(cè)相對(duì)的側(cè)上。高階側(cè)電源連接端子16電連接到第一厚板部31上，低階側(cè)電源連接端子26電連接到第四厚板部42上，并且輸出端子54電連接到第三厚板部41和第二厚板部32。參照?qǐng)D3描述的半導(dǎo)體裝置100以及參照?qǐng)D2描述的二極管15和二極管25可以認(rèn)為是下文將參照?qǐng)D8描述的半導(dǎo)體模塊110。接下來(lái)，將描述根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖4是示出根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中使用的引線框架的結(jié)構(gòu)的框架格局的剖視圖。圖4示出了第一引線框架30和第二引線框架40具有相同形狀的示例。圖5A至圖5C和圖6A和圖6C是示出根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的框架格局的剖視圖。在圖5和圖6中，與圖1中的部分相同的部分將用相同的附圖標(biāo)記表示，并且會(huì)省略這些部分的說(shuō)明。首先，在圖5A中示出的過(guò)程中，配置了IGBT（即：第一半導(dǎo)體元件）10、IGBT（即：第二半導(dǎo)體元件）20以及第一引線框架30。在圖5A中所示的過(guò)程中，首先，配置第一引線框架30。如圖4所示，第一引線框架30包括第一厚板部31、第二厚板部32、以及第一薄板部33。將第一薄板部33設(shè)置在第一厚板部31和第二厚板部32之間。將第一厚板部31、第二厚板部32以及第一薄板部33一體成型。如上所述，第一薄板部33比第一薄板部31和第二厚板部32兩者都薄。例如，第一厚板部31和第二厚板部32的厚度T1可以是例如2mm至3mm，并且第一薄板部33的厚度T2可以是例如0.5mm。而且，可以通過(guò)例如軋制由Cu、Ni或Al等等的金屬板或由鍍有例如Ag或Au等等的Cu、Ni或Al等等的金屬板形成的導(dǎo)體來(lái)形成第一引線框架30。第一引線框架30可以被認(rèn)為是本發(fā)明的第一導(dǎo)電板。首先，第一厚板部31的一個(gè)表面31a、第二厚板部32的一個(gè)表面32a、以及第一薄板部33的一個(gè)表面33a可以是齊平的，即：可以形成同一表面。結(jié)果，在下文將描述的圖6A中所示的過(guò)程中，第一薄板部33和第一厚板部31能夠通過(guò)從與第一薄板部33的一個(gè)表面33a相對(duì)的側(cè)施加壓力而容易斷開(kāi)。然后，配置IGBT10使得第一厚板部31的一個(gè)表面31a經(jīng)由接合材料11a而接觸IGBT10的集電電極11。同樣，配置IGBT20使得第二厚板部32的一個(gè)表面32a經(jīng)由接合材料21a而接觸IGBT20的集電電極21。也就是說(shuō)，IGBT20被配置為與IGBT10面向同一方向。例如，當(dāng)接合材料11a和接合材料21a是錫型的焊料時(shí)，可以在圖5A所示的過(guò)程中執(zhí)行通過(guò)熱處理進(jìn)行的焊接接合。同樣，當(dāng)接合材料11a和接合材料21a是例如銅金屬箔或鋁金屬箔時(shí)，可以在圖5A所示的過(guò)程中執(zhí)行超聲波接合。同樣，可以在圖6A所示的過(guò)程之后使上述接合與通過(guò)其他接合材料的接合一起執(zhí)行。接下來(lái)，在圖5B所示的過(guò)程中，配置隔離件14使得隔離件14的一個(gè)表面經(jīng)由接合材料12a接觸IGBT10的發(fā)射電極12。同樣，配置隔離件24使得隔離件24的一個(gè)表面經(jīng)由接合材料22a接觸IGBT20的發(fā)射電極22。當(dāng)接合材料12a和接合材料22a是例如錫型的焊料時(shí)，可以在圖5B所示的過(guò)程中執(zhí)行通過(guò)熱處理進(jìn)行的焊接接合。同樣，當(dāng)接合材料12a和接合材料22a是例如銅金屬箔或鋁金屬箔時(shí)，可以在圖5B所示的過(guò)程中執(zhí)行超聲接合。同樣，可以在圖6A所示的過(guò)程之后將上述結(jié)合與通過(guò)其他接合材料的接合一起執(zhí)行。接下來(lái)，在圖5C所示的過(guò)程中，配置引線框架40使得第三厚板部41的表面41a經(jīng)由接合材料14a而接觸隔離件14，并且第四厚板部42的表面42a經(jīng)由接合材料24a而接觸隔離件24。如圖4所示，第二引線框架40具有第三厚板部41、第四厚板部42、以及第二薄板部43。將第二薄板部43設(shè)置在第三厚板部41和第四厚板部42之間。將第三厚板部41、第四厚板部42以及第二薄板部43一體成型。如上所述，第二薄板部43比第三薄板部41和第四厚板部42兩者都薄。例如，第三厚板部41和第四厚板部42的厚度T1可以是例如2mm至3mm，并且第二薄板部43的厚度T2可以是例如0.5mm。同樣，可以通過(guò)例如軋制由Cu、Ni或Al等等的金屬板或由鍍有例如Ag或Au等等的Cu、Ni或Al等等的金屬板形成的導(dǎo)體來(lái)形成第二引線框架40。第二引線框架40可以被認(rèn)為是本發(fā)明的第二導(dǎo)電板。同樣，第三厚板部41的一個(gè)表面41a、第四厚板部42的一個(gè)表面42a、以及第二薄板部43的一個(gè)表面43a可以是齊平的，即：可以形成同一表面。因此，在下文將描述的圖6A中所示的過(guò)程中，第二薄板部43和第四厚板部42能夠通過(guò)從與第二薄板部43的一個(gè)表面43a相對(duì)的側(cè)施加壓力而容易斷開(kāi)。當(dāng)接合材料14a和接合材料24a是例如錫型的焊料時(shí)，可以在圖5C所示的過(guò)程中執(zhí)行通過(guò)熱處理進(jìn)行的焊接接合。同樣，當(dāng)接合材料14a和接合材料24a是例如銅金屬箔或鋁金屬箔時(shí)，可以在圖5C所示的過(guò)程中執(zhí)行超聲接合。同樣，可以在圖6A所示的過(guò)程之后將上述接合與通過(guò)其他接合材料的接合一起執(zhí)行?？梢酝ㄟ^(guò)將構(gòu)件保持在保持框架（未顯示）中而執(zhí)行在圖5A至圖5C中的構(gòu)件的配置。此時(shí)，可以酌情改變圖5A至圖5C的順序。因此，首先可以配置第二引線框架40，其次可以配置隔離件14和隔離件24，然后可以配置IGBT10和IGBT20，而最后可以配置第一引線框架30?；蛘?，可以通過(guò)將第一引線框架30、IGBT10和IGBT20、隔離件14和隔離件24、以及第二引線框架40保持在保持框架（未顯示）中而將它們?nèi)颗渲迷谝黄?。接下?lái)，在圖6A中所示的過(guò)程中，第一薄板部33脫離于第一厚板部31，第二薄板部43脫離于第四厚板部42，并且使均已脫離下來(lái)的第一薄板部33和第二薄板部43彼此接觸。在保持圖5c所示的結(jié)構(gòu)的情況下，通過(guò)壓力機(jī)等等（未顯示）施加壓力以將第一薄板部33和第二薄板部43從上方和下方擠壓在一起。此時(shí)，從一個(gè)表面33a相對(duì)的側(cè)將壓力施加至第一薄板部33，并且從表面43a相對(duì)的側(cè)將壓力施加至第二薄板部43，使得第一薄板部33脫離于第一厚板部31，并且第二薄板部43脫離于第四厚板部42。同樣，通過(guò)施加壓力以將第一薄板部33和第二薄板部43從上方和下方擠壓在一起而使第一薄板部33和第二薄板部43彼此接觸。為了選擇性地使第一薄板部33脫離于第一厚板部31且選擇性使第二薄板部43脫離于第四厚板部42，可以通過(guò)預(yù)先進(jìn)行激光加工等等而執(zhí)行用于選擇性地將它們斷開(kāi)的過(guò)程?；蛘?，通過(guò)向第一薄板部33和第一厚板部31的邊界附近的區(qū)域施加壓力而可以選擇性地使第一薄板部33脫離于第一厚板部31，并且通過(guò)向第二薄板部43和第四厚板部42的邊界附近的區(qū)域施加壓力而可以選擇性地使第二薄板部43脫離于第四厚板部42。接下來(lái)，在圖6B所示的過(guò)程中，處于彼此接觸的第一薄板部33和第二薄板部43被接合。當(dāng)?shù)谝槐“宀?3和第二薄板部43是例如銅或鋁等等的薄金屬板時(shí)，可以執(zhí)行超聲接合。同樣，此時(shí)，如上所述，經(jīng)由接合材料11a、12a、14a、21a、22a以及24a的超聲接合可以全部一起執(zhí)行。或者，在圖6A所示的過(guò)程中，可以經(jīng)由例如錫型的焊料的接合材料（未顯示）使第一薄板部33和第二薄板部43彼此接觸，并且然后在圖6B所示的過(guò)程中可以執(zhí)行通過(guò)熱處理進(jìn)行的焊接接合。同樣，此時(shí)，如上所述，經(jīng)由接合材料11a、12a、14a、21a、22a以及24a的焊接接合可以全部一起執(zhí)行。由于將該過(guò)程執(zhí)行直到如圖6B所示的過(guò)程，所以IGBT10的集電電極11被電連接至第一厚板部31，并且IGBT10的發(fā)射電極12經(jīng)由隔離件14被電連接至第三厚板部41。同樣，第一薄板部33和第二薄板部43被電連接在一起。同樣，IGBT20的集電電極21被電連接至第二厚板部32，并且IGBT20的發(fā)射電極22經(jīng)由隔離件24被電連接至第四厚板部42。同樣，在圖6B所示的過(guò)程中，第一控制電極端子51被配置，并且IGBT10的柵電極13和第一控制電極端子51經(jīng)由接合線51a被電連接，接合線51a由例如Al導(dǎo)線或Au導(dǎo)線等等形成。同樣，第二控制電極端子51被配置，并且IGBT20的柵電極23和第二控制電極端子52經(jīng)由接合線52a被電連接，接合線52a由例如Al導(dǎo)線或Au導(dǎo)線等等形成。接下來(lái)，在圖6c所示的過(guò)程中，使用例如環(huán)氧樹(shù)脂密封圖6B所示的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，IGBT10和IGBT20以及薄板部33和薄板部43被全部密封，并且厚板部31、厚板部32、厚板部41和厚板部42、以及控制電極端子51和控制電極端子52被部分地密封。執(zhí)行以上過(guò)程來(lái)完成半導(dǎo)體裝置100。接下來(lái)，將與比較示例相比較而描述：對(duì)于根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，當(dāng)配置半導(dǎo)體元件時(shí)無(wú)需上下翻轉(zhuǎn)半導(dǎo)體元件的過(guò)程，并且因此能夠縮短檢查時(shí)間。圖7是示出根據(jù)比較示例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局的剖視圖。根據(jù)比較示例的半導(dǎo)體裝置200包括IGBT10和IGBT20、第一厚板部31、第二厚板部32、第三厚板部41、第四厚板部42、第一控制電極端子51、第二控制電極端子52、以及密封樹(shù)脂部53。IGBT20、第四厚板部42、第一控制電極端子51、第二控制電極端子52、以及密封樹(shù)脂部部53具有與根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100的IGBT20、第四厚板部42、第一控制電極端子51、第二控制電極端子52、以及密封樹(shù)脂部53分別相同的結(jié)構(gòu)，因此將省略其說(shuō)明。同樣，第二厚板部32除了與第一厚板部31一體成型之外具有與根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100的第二厚板部32相同的結(jié)構(gòu)。IGBT10除了被上下翻轉(zhuǎn)地設(shè)置之外具有與半導(dǎo)體裝置100的IGBT10相同的結(jié)構(gòu)，包括與隔離件14的上下關(guān)系。第一厚板部31除了與第二厚板部32一體成型，且被電連接至IGBT10的發(fā)射電極12之外具有與半導(dǎo)體裝置100的第一厚板部31相同的結(jié)構(gòu)。第三厚板部41除了未被電連接至第二厚板部32，且被電連接至IGBT10的發(fā)射電極11之外具有與半導(dǎo)體裝置100的第三厚板部41相同的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，第三厚板部41經(jīng)由接合材料11a被電連接至IGBT10的集電電極11。第一厚板部31經(jīng)由接合材料14a、隔離件14、以及接合材料12a被電連接至IGBT10的發(fā)射電極12。在根據(jù)比較示例的半導(dǎo)體裝置200的制造過(guò)程中，當(dāng)配置IGBT10時(shí)，需要上下翻轉(zhuǎn)IGBT10的過(guò)程。同樣，對(duì)于半導(dǎo)體裝置200，至少接合材料12a的高度和接合材料22a的高度是不相同的。因此，例如，當(dāng)在連結(jié)位置處檢查接合狀態(tài)時(shí)，諸如當(dāng)執(zhí)行焊接接合位置的空隙檢查時(shí)，必須為各個(gè)接合材料高度設(shè)置焦點(diǎn)而執(zhí)行檢查，所以檢查花費(fèi)更多的時(shí)間來(lái)執(zhí)行。另一方面，對(duì)于在根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100，IGBT10與IGBT20面向同一方向，而不上下翻轉(zhuǎn)。所以，在半導(dǎo)體裝置100的制造過(guò)程中，當(dāng)配置IGBT10時(shí)上下翻轉(zhuǎn)IGBT10的過(guò)程是不必要的。同樣，對(duì)于半導(dǎo)體裝置100，接合材料12a的高度和接合材料22a的高度是相同的。同樣，接合材料11a的高度和接合材料21a的高度是相同的，接合材料14a的高度和接合材料24a的高度是相同的。也就是說(shuō)，在IGBT10和IGBT20的厚度方向上，接合材料11a的位置和接合材料21a的位置是相同的位置，接合材料12a的位置和接合材料22a的位置是相同的位置，并且接合材料14a的位置和接合材料24a的位置是相同的位置。因此，在半導(dǎo)體裝置100的制造過(guò)程中，當(dāng)檢查接合位置處的接合狀態(tài)時(shí)用于設(shè)置焦點(diǎn)的高度位置的數(shù)量更少，所以檢查時(shí)間能夠被縮短。圖8是設(shè)置有根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的電力控制單元的結(jié)構(gòu)的立體圖。如圖8所示，電力控制單元300具有半導(dǎo)體模塊部310和控制電路板320。半導(dǎo)體模塊部310由堆疊在一起的多個(gè)半導(dǎo)體模塊110形成，每個(gè)半導(dǎo)體模塊110均包括參照?qǐng)D3描述的半導(dǎo)體裝置100和參照?qǐng)D2描述的二極管15和二極管25。半導(dǎo)體模塊110被堆疊的方向可以是例如從IGBT10的集電電極11側(cè)朝向IGBT10的發(fā)射電極12側(cè)的方向。同樣，這個(gè)方向是與從IGBT20的集電電極21側(cè)朝向IGBT20的發(fā)射電極22側(cè)的方向相同的方向?？刂齐娐钒?20被設(shè)置在半導(dǎo)體模塊部310的設(shè)置第一引線部101的側(cè)上，第一引線部101由包括每個(gè)半導(dǎo)體模塊110的第一控制電極端子51的各種控制電極端子形成。此控制電路板320被設(shè)置在設(shè)置有第二引線部102的相同側(cè)上，第二引線部102由包括第二控制電極端子52的各種控制電極端子形成。第一引線部101和第二引線部102兩者的控制電極端子均通過(guò)形成在控制電路板320中的通孔（未顯示）被連接至控制電路板320。參照?qǐng)D3描述的半導(dǎo)體裝置100的高階側(cè)電源連接端子16、低階側(cè)電源連接端子26、輸出端子54被設(shè)置在與設(shè)置半導(dǎo)體模塊110的第一引線部101和第二引線部102的側(cè)相對(duì)的側(cè)上。冷卻機(jī)構(gòu)（未顯示）可以被設(shè)置在設(shè)置半導(dǎo)體模塊110的IGBT10和IGBT20的區(qū)域周圍。三個(gè)半導(dǎo)體模塊110被堆疊在一起使得這些半導(dǎo)體模塊110的各輸出端子54分別變成U相位、V相位和W相位，形成半導(dǎo)體模塊部310a。這種由三個(gè)半導(dǎo)體模塊110形成的半導(dǎo)體模塊部310a可以用作逆變器電路，所述逆變器電路用于將包括高階側(cè)電源和低階側(cè)電源的直流電源轉(zhuǎn)換成三相交流（AC）電源并且例如驅(qū)動(dòng)單個(gè)AC電機(jī)。而且，用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)AC電機(jī)的電力控制單元300能夠通過(guò)將多個(gè)半導(dǎo)體模塊部310a堆疊在一起并且用控制電路板320將它們組合而形成。上述的電力控制單元300不僅可以用于車輛，而且可以用于鐵路、空調(diào)、電梯、冰箱和各種其他目的。同樣，形成電力控制單元300的半導(dǎo)體模塊110不限于形成逆變器電路的半導(dǎo)體模塊。也就是說(shuō)，例如，半導(dǎo)體模塊110還可以形成諸如DC/DC升壓變換器的各種各樣的其他電路。上述的電力控制單元300還包括半導(dǎo)體裝置100，所以當(dāng)配置半導(dǎo)體元件時(shí)上下翻轉(zhuǎn)半導(dǎo)體元件的過(guò)程是不必要的，所以能夠縮短檢查時(shí)間。在本示例實(shí)施例中，對(duì)將相同類型的IGBT用作第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件的示例進(jìn)行描述。然而，除了IGBT之外，各種各樣的諸如FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）或雙極晶體管的三端子元件中的任何元件均可以用作第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件。而且，對(duì)于本示例實(shí)施例，第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件可以是不同類型的半導(dǎo)體元件。（第一示例實(shí)施例的變型例）接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的變型例的半導(dǎo)體裝置以及其制造方法。根據(jù)本變型例的半導(dǎo)體裝置不同于根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置之處在于：半導(dǎo)體元件是兩端子元件。圖9是示出根據(jù)本變型例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局的剖視圖。半導(dǎo)體裝置100a包括第一半導(dǎo)體元件10、第二半導(dǎo)體元件20、第一厚板部31、第二厚板部32、第一薄板部33、第三厚板部41、第四厚板部42、第二薄板部43、以及密封樹(shù)脂部53。半導(dǎo)體裝置100a的第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20與半導(dǎo)體裝置100的IGBT10和IGBT20除了都不具有柵電極之外具有相同的結(jié)構(gòu)。將省略相似結(jié)構(gòu)的描述。第一半導(dǎo)體元件10具有電極11和電極12。集電電極11被形成在一個(gè)表面10a上，而發(fā)射電極12被形成在與表面10a相對(duì)的側(cè)的表面10b上。第二半導(dǎo)體元件20具有電極21和電極22。電極21被形成在與表面10a在同一側(cè)的表面20a上。電極22被形成在與表面20a相對(duì)的側(cè)的表面20b上。也就是說(shuō)，第二半導(dǎo)體元件20被設(shè)置為與第一半導(dǎo)體元件10面向同一方向。第一厚板部31經(jīng)由接合材料11a被電連接至第一半導(dǎo)體元件10的集電電極11。第二厚板部32經(jīng)由接合材料21a被電連接至第二半導(dǎo)體元件20的電極21。第三厚板部41經(jīng)由隔離件14被電連接至第一半導(dǎo)體元件10的電極12。第四厚板部42經(jīng)由隔離件24被電連接至第二半導(dǎo)體元件20的電極22。同樣對(duì)于根據(jù)本變型例的半導(dǎo)體裝置100a，半導(dǎo)體元件10和半導(dǎo)體元件20都面向同一方向，而不上下翻轉(zhuǎn)。所以，在半導(dǎo)體裝置100a的制造過(guò)程中，當(dāng)配置第一半導(dǎo)體元件10時(shí)上下翻轉(zhuǎn)第一半導(dǎo)體元件10的過(guò)程是不必要的。同樣，對(duì)于半導(dǎo)體裝置100a，接合材料12a的高度和接合材料22a的高度是相同的。同樣，接合材料11a的高度和接合材料21a的高度是相同的，并且接合材料14a的高度和接合材料24a的高度是相同的。也就是說(shuō)，在半導(dǎo)體元件10和半導(dǎo)體元件20的厚度方向上，接合材料11a的位置和接合材料21a的位置是相同的位置，接合材料12a的位置和接合材料22a的位置是相同的位置，并且接合材料14a的位置和接合材料24a的位置是相同的位置。因此，因?yàn)楫?dāng)檢查接合位置處的接合狀態(tài)時(shí)用于設(shè)置焦點(diǎn)的高度位置的數(shù)量更少，所以檢查時(shí)間能夠被縮短。而且，在半導(dǎo)體裝置100a中，密封樹(shù)脂部53覆蓋第一薄板部33的下部和第二薄板部43的上部，所以第一薄板部33和第二薄板部43未露出于表面上。結(jié)果，第一厚板部31與第二厚板部32之間的距離以及第三厚板部41與第四厚板部42之間的距離被作為絕緣體的密封樹(shù)脂部53占據(jù)，所以可以確保第一厚板部31與第二厚板部32之間以及第三厚板部41與第四厚板部42之間的沿面距離，從而能夠改進(jìn)絕緣性能。以此方式，在根據(jù)本變型例的半導(dǎo)體裝置100a中，能夠確保第一厚板部31與第二厚板部32之間的絕緣以及第三厚板部41與第四厚板部42之間的絕緣，所以能夠?qū)⑺鼈兙o密地配置在一起，從而使整個(gè)半導(dǎo)體裝置100a能夠小些。同樣對(duì)于根據(jù)本變型例的半導(dǎo)體裝置，能夠形成電力控制單元，并且得到的效果類似于在第一示例實(shí)施例中描述的電力控制單元的效果。在本變型例中，諸如二極管的各種各樣的兩端子元件中的任一個(gè)元件可以用作第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件。而且，同樣在本變型例中，第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件可以是不同類型的半導(dǎo)體元件。此外，可以預(yù)先以上下翻轉(zhuǎn)的狀態(tài)準(zhǔn)備第一半導(dǎo)體元件10，并且準(zhǔn)備的第一半導(dǎo)體元件10可以配置成這樣。也就是說(shuō)，第一厚板部31可以被電連接至第一半導(dǎo)體元件10的電極12，并且第三厚板部41可以經(jīng)由隔離件14被電連接至第一半導(dǎo)體元件10的集電電極11。同樣在這種情況下，當(dāng)配置半導(dǎo)體元件時(shí)上下翻轉(zhuǎn)半導(dǎo)體元件的過(guò)程是不必要的，因此能夠縮短檢查時(shí)間。（第二示例實(shí)施例）接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明的第二示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置以及其制造方法。根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置不同于根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置之處在于：兩個(gè)半導(dǎo)體元件并聯(lián)連接。首先，將描述根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。圖10是示出根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框架格局的剖視圖。半導(dǎo)體裝置100b包括第一半導(dǎo)體元件10、第二半導(dǎo)體元件20、第一厚板部31、第二厚板部32、第一薄板部33、第三厚板部41、第四厚板部42、第二薄板部43、第一控制電極端子51、第二控制電極端子52、以及密封樹(shù)脂部53。半導(dǎo)體裝置100b除了第一厚板部31和第二厚板部32經(jīng)由第一薄板部33被電連接，且第三厚板部41和第四厚板部42經(jīng)由第二薄板部43被電連接之外與根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100具有相同的結(jié)構(gòu)。將省略相似結(jié)構(gòu)的描述。第一厚板部31、第二厚板部32和第一薄板部33一體成型，并且一起形成第一引線框架30。第三厚板部41、第四厚板部42和第二薄板部43一體成型，并且一起形成第二引線框架40。第一引線框架30和第二引線框架40具有類似于上面參照?qǐng)D4描述的第一示例實(shí)施例中的第一引線框架30和第二引線框架40的形狀。圖11是根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。在圖11中，由虛線圍成的區(qū)域I包括圖10中所示的半導(dǎo)體裝置，由點(diǎn)劃線圍成的區(qū)域II和區(qū)域III可以分別被認(rèn)為是IGBT10和IGBT20。圖11中所示的電路是使得圖2所示的逆變器電路中的兩個(gè)電路并聯(lián)地被設(shè)置在高階側(cè)電源和低階側(cè)電源之間。在此電路中，由虛線圍成的區(qū)域I中所示的電路包括二極管15和二極管25以及IGBT10和IGBT20。分別將二極管15和二極管25反向并聯(lián)連接至IGBT10和IGBT20。也就是說(shuō)，由虛線圍成的區(qū)域I中所示的電路被認(rèn)為是半導(dǎo)體模塊的包括根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的高階側(cè)。將用于連接到高階側(cè)電源的高階側(cè)電源連接端子16電連接到第一半導(dǎo)體元件10的集電電極11和第二半導(dǎo)體元件20的集電電極21。將高階側(cè)電源連接端子16電連接到半導(dǎo)體裝置100b的第一引線框架30上。輸出端子54被電連接至第一半導(dǎo)體元件10的發(fā)射電極12和第二半導(dǎo)體元件20的發(fā)射電極22。輸出端子54被電連接至半導(dǎo)體裝置100b的第二引線框架40。類似于根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100，第一控制電極端子51被電連接至第一半導(dǎo)體元件10的柵電極13，并且第二控制電極端子52被電連接至第二半導(dǎo)體元件20的柵電極23。在本示例實(shí)施例中，第一厚板部31和第二厚板部32經(jīng)由第一薄板部33被連接。同樣，第三厚板部41和第四厚板部42經(jīng)由第二薄板部43被連接。第一薄板部33比第一厚板部31和第二厚板部32兩者都薄，所以，例如當(dāng)?shù)谝缓癜宀?1和第二厚板部32的高度不同時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)力能夠被吸收。同樣，第二薄板部43比第三厚板部41和第四厚板部42兩者都薄，所以，例如當(dāng)?shù)谌癜宀?1和第四厚板部42的高度不同時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)力能夠被吸收。接下來(lái)，將描述根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法除了圖6A至圖6C的描述之外與參照?qǐng)D5A至圖5C和圖6A至圖6C描述的根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法相同。因此，將省略相似過(guò)程的描述。在本示例實(shí)施例中，在圖5C所示的過(guò)程之后，執(zhí)行圖12A和圖12B所示的過(guò)程來(lái)代替圖6A至圖6C所示的過(guò)程。圖12是示出根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的框架格局的剖視圖。在圖12中，與圖10中的部分相同的部分將用相同的附圖標(biāo)記表示，并且可以省略這些部分的說(shuō)明。在圖12A所示的過(guò)程中，第一引線框架30和第二引線框架40未被斷開(kāi)。第一控制電極端子51被配置，并且然后IGBT10的柵電極13經(jīng)由由例如Al導(dǎo)線或Au導(dǎo)線等等形成的接合線51a被電連接至第一控制電極端子51。同樣，第二控制電極端子52被配置，并且然后IGBT20的柵電極23經(jīng)由由例如Al導(dǎo)線或Au導(dǎo)線等等形成的接合線52a被電連接至第二控制電極端子52。而且，當(dāng)未在圖12A所示的過(guò)程之前的過(guò)程執(zhí)行接合時(shí)，IGBT10的集電電極11通過(guò)例如焊接接合或超聲接合等等被電連接至第一厚板部31，并且IGBT10的發(fā)射電極12通過(guò)例如焊接接合或超聲接合等等經(jīng)由隔離件14被電連接至第三厚板部41。同樣，IGBT20的電極21被電連接至第二厚板部32，并且IGBT20的發(fā)射電極22經(jīng)由隔離件24被電連接至第四厚板部42。接下來(lái)，在圖12B所示的過(guò)程中，如圖6C所示的過(guò)程一樣，使用例如環(huán)氧樹(shù)脂密封圖12A所示的結(jié)構(gòu)。執(zhí)行以上過(guò)程來(lái)完成半導(dǎo)體裝置100b。同樣對(duì)于根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100b，IGBT10和IGBT20都面向同一方向，而不上下翻轉(zhuǎn)。所以，在半導(dǎo)體裝置100b的制造過(guò)程中，當(dāng)配置IGBT10時(shí)上下翻轉(zhuǎn)IGBT10的過(guò)程是不必要的。同樣，對(duì)于半導(dǎo)體裝置100b，接合材料12a的高度和接合材料22a的高度是相同的。同樣，接合材料11a的高度和接合材料21a的高度是相同的，接合材料14a的高度和接合材料24a的高度是相同的。也就是說(shuō)，在IGBT10和IGBT20的厚度方向上，接合材料11a的位置和接合材料21a的位置是相同的位置，接合材料12a的位置和接合材料22a的位置是相同的位置，并且接合材料14a的位置和接合材料24a的位置是相同的位置。因此，在半導(dǎo)體裝置100b的制造過(guò)程中，當(dāng)檢查接合位置處的接合狀態(tài)時(shí)用于設(shè)置焦點(diǎn)的高度位置的數(shù)量更少，所以檢查時(shí)間能夠被縮短。同樣對(duì)于根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，能夠形成電力控制單元，并且能夠得到的效果類似于在第一示例實(shí)施例中描述的電力控制單元的效果。同樣在本示例實(shí)施例中，對(duì)將相同類型的IGBT用作第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件兩者的示例進(jìn)行描述。然而，除了IGBT之外，諸如FET或雙極晶體管的各種的三端子元件中的任一個(gè)元件可以用作第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件。而且，同樣在本示例實(shí)施例中，諸如二極管的各種的兩端子元件中的任一個(gè)元件可以用作第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件。而且，同樣對(duì)于本示例實(shí)施例，第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件可以是不同類型的半導(dǎo)體元件。（第三示例實(shí)施例）圖13是根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c的示例的外部立體圖。在本第三示例實(shí)施例中，與目前為止描述的示例實(shí)施例中的組成元件相同的組成元件將由相同的附圖標(biāo)記表示，并且將省略這些組成元件的說(shuō)明。在圖13中，根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c包括第三厚板部41、第四厚板部42、密封樹(shù)脂55、高階側(cè)電源連接端子16、低階側(cè)電源連接端子26、輸出端子54、第一控制電極端子51、以及第二控制電極端子52。在圖13中，由第三厚板部41、第四厚板部42以及密封樹(shù)脂55形成的中央部分是半導(dǎo)體元件承載部，所述半導(dǎo)體元件承載部包括第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20。高階側(cè)電源連接端子16、低階側(cè)電源連接端子26、以及輸出端子54是外部端子部，所述外部端子部從外部供應(yīng)電力并且將信號(hào)輸出到外部。第一控制電極端子51和第二控制電極端子52是接收信號(hào)的信號(hào)輸入端子部。在圖13中，電極結(jié)構(gòu)配置與第一示例實(shí)施例的圖1所示的配置不同之處在于：低階側(cè)電源連接端子26被配置在中央，并且輸出端子54被配置在右側(cè)上。然而，實(shí)質(zhì)的電路配置與第一示例實(shí)施例的電路配置相同，所以將使用相同的附圖標(biāo)記并且將省略電路配置的說(shuō)明。圖14是根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c的塊狀剖視圖，所述塊狀剖視圖示出了沿圖13中的線A–A截取的截面。在圖14中，根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括第一半導(dǎo)體元件10、第二半導(dǎo)體元件20、第一厚板部31、第二厚板部32、第三厚板部41、第四厚板部42、隔離件14和隔離件24、第一薄板部33、第二薄板部44、以及密封樹(shù)脂55。在圖14中，不同于圖1、圖5、圖6、圖7、圖9、圖10和圖12，配置在第一半導(dǎo)體元件10、第二半導(dǎo)體元件20、以及隔離件14和隔離件24的上方和下方的各種電極被省略。然而，圖14中的結(jié)構(gòu)類似于圖1、圖5、圖6、圖7、圖9、圖10和圖12中的結(jié)構(gòu)，所以各種電極可以被設(shè)置在第一半導(dǎo)體元件10、第二半導(dǎo)體元件20、以及隔離件14和隔離件24的上方和下方。盡管未在圖14中顯示，但是電極被設(shè)置在第一半導(dǎo)體元件10的上表面?zhèn)群拖卤砻鎮(zhèn)壬?。發(fā)射電極被設(shè)置在上表面?zhèn)壬?，且集電電極被設(shè)置在下表面?zhèn)壬希@與目前為止的示例實(shí)施例中的一樣。所以，第一厚板部31被電連接至第一半導(dǎo)體元件10的集電電極，而隔離件14和第三厚板部41被電連接至第一半導(dǎo)體元件10的發(fā)射電極。類似地，發(fā)射電極被設(shè)置在第二半導(dǎo)體元件20的上表面?zhèn)壬希婋姌O被設(shè)置在第二半導(dǎo)體元件20的下表面?zhèn)壬?。第二厚板?2被電連接至第二半導(dǎo)體元件20的集電電極，而隔離件24和第四厚板部42被電連接至第二半導(dǎo)體元件20的發(fā)射電極。而且，第一薄板部34被設(shè)置為從第二半導(dǎo)體元件20下方的第二厚板部32向第一半導(dǎo)體元件10側(cè)延伸，并且第二薄板部44被設(shè)置為從第一半導(dǎo)體元件10上方的第三厚板部44向第二半導(dǎo)體元件20側(cè)延伸。也就是說(shuō)，第一薄板部34被電連接至第二半導(dǎo)體元件20的集電電極，而第二薄板部44被電連接至第一半導(dǎo)體元件10的發(fā)射電極。在根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100和半導(dǎo)體裝置100a中，第一薄板部33向上彎曲并且第二薄板部43向下彎曲，而第一薄板部33和第二薄板部43在第一厚板部31與第三厚板部41之間的間隔內(nèi)的大致中間位置處接合。然而，根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c不同于根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100和半導(dǎo)體裝置100a之處在于：第二薄板部44水平地延伸，具有與第三厚板部41的下表面相同的表面，而僅僅第一薄板部34向上彎曲并且被接合至第二薄板部44的下表面。第一半導(dǎo)體元件10、第二半導(dǎo)體元件20、第一厚板部31、第二厚板部32、第三厚板部41、第四厚板部42、第一薄板部34、以及第二薄板部44全部通過(guò)密封樹(shù)脂55模制成形使得僅第一厚板部31和第二厚板部32的下表面以及第三厚板部41和第四厚板部42的上表面被露出。密封樹(shù)脂55包圍在比第三厚板部41的上表面更低的第二薄板部44的上表面的上方的周圍，從而覆蓋第二薄板部44。根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c的電路圖與根據(jù)第一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100的圖2所示的電路圖相同。因此，將省略根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c的電路配置的詳細(xì)說(shuō)明。接下來(lái)，將集中于各個(gè)結(jié)構(gòu)和功能而更詳細(xì)地描述根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c的具體結(jié)構(gòu)和功能。圖15是根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c的薄板部之間的接合部的放大圖視圖。圖15示出了第一薄板部34和第二薄板部44的接合部，以及第一薄板部34的上表面上的接合表面34a被接合至第二薄板部44的下表面上的接合表面44a的狀態(tài)。在下表面是同一表面的情況下，第二薄板部44從第三厚板部41起水平地延伸。相比較之下，第一薄板部34向上彎曲以形成與第二薄板部44接合的接合表面34a。此處，通過(guò)諸如焊料的接合材料形成第二薄板部44的接合表面44a與第一薄板部34的接合表面34a之間的接合。此時(shí)，凹槽45被設(shè)置在接合表面44a周圍以吸收任何過(guò)多的接合材料。凹槽45被形成在第一薄板部34的下表面中從而包圍接合表面44a。典型地，調(diào)整諸如焊料的接合材料的量是非常困難的，并且當(dāng)執(zhí)行接合時(shí)，所供應(yīng)的接合材料可能會(huì)超過(guò)接合所必須的接合材料。用于吸收接合材料的凹槽45被設(shè)置在第二薄板部44的接合表面44a周圍使得剛好在此種情況下能夠吸收過(guò)多的接合材料。而且，用于形成凹槽45的加工通常是容易的，所以能夠形成高精度的凹槽45。如此，能夠以根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c來(lái)吸收過(guò)多的接合材料，所以通過(guò)在第二薄板部44的接合表面44a周圍形成凹槽45，能夠確保必要的電連接。圖16是根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的下側(cè)上的厚板部和厚板部的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖16示出了第一厚板部31、第二厚板部32、以及與第二厚板部32一體的第一薄板部34。而且，高階側(cè)電源連接端子16從第一厚板部31起在近側(cè)上延伸，并且第一控制電極端子51被設(shè)置在第一厚板部31的遠(yuǎn)側(cè)上。類似地，輸出端子54從第二厚板部32起在近側(cè)上延伸，并且第二控制電極端子52被設(shè)置在第二厚板部32的遠(yuǎn)側(cè)上。而且，低階側(cè)電源連接端子26被設(shè)置在高階側(cè)電源連接端子16與輸出端子54之間。低階側(cè)電源連接端子26是被電連接至被配置在上側(cè)上的第四厚板部42的連接端子，并且對(duì)應(yīng)于圖13示出的低階側(cè)電源連接端子26。對(duì)于具有這種結(jié)構(gòu)的下側(cè)上的電極，第二厚板部32和第一薄板部34具有不同的形狀和厚度，所以由具有整體上不同形狀的金屬板將第二厚板部32和第一薄板部34形成為不同的形狀構(gòu)件。第二厚板部32是被連接至第二半導(dǎo)體元件20的集電電極的電極，并且還起到放熱板的作用，所述放熱板散發(fā)第二半導(dǎo)體元件20所產(chǎn)生的熱量。因此，第二厚板部32具有比第二半導(dǎo)體元件20的整個(gè)下表面更大的表面面積，被設(shè)置在第二半導(dǎo)體元件20正下方，并且被形成得較厚。另一方面，第一薄板部34用作用于將第二厚板部32連接至第三厚板部41的內(nèi)部連接引線。在根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c中，第一薄板部34與第二厚板部32一體成型，所以能夠減少使用銅的量，從而能夠降低材料成本。而且，第一薄板部34通過(guò)電極件將并聯(lián)配置并且彼此相鄰的第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20上方和下方的電極直接連接，因此在電氣上是短配線。也就是說(shuō)，當(dāng)使用導(dǎo)線等等時(shí)，長(zhǎng)配線被向周圍牽引，所以導(dǎo)線的電阻和電感增加并且半導(dǎo)體裝置100c的電路運(yùn)行最終變慢。然而，在根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c中，使用具有短配線長(zhǎng)度和比導(dǎo)線更大的截面積的成形如短的電極件的第一薄板部34來(lái)連接電極。因此，降低了電阻和電感，所以電路運(yùn)行能夠更快。而且，在圖16中，第一薄板部34在其內(nèi)將第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20電連接，所以第一薄板部34還可以稱為內(nèi)部引線34。而且，當(dāng)通過(guò)模制進(jìn)行樹(shù)脂密封時(shí)，高階側(cè)電源連接端子16、低階側(cè)電源連接端子26、以及輸出端子54是露出于外部的部分，并且被電連接至外部，所以它們也稱為外部引線16、外部引線26和外部引線54。因此，內(nèi)部引線34、外部引線16、26和54以及第一厚板部31和第二厚板部32之間的關(guān)系如等式（1）所示。外部引線16、26和54≤內(nèi)部引線34<厚板部31和32（1）也就是說(shuō)，內(nèi)部引線34與外部引線16、26和54一樣厚或者比外部引線16、26和54厚，并且比第一厚板部31和第二厚板部32更薄些。使內(nèi)部引線34與外部引線16、26和54一樣厚或者比外部引線16、26和54厚的原因是減少內(nèi)部引線34引起的電感并且減少半導(dǎo)體封裝件內(nèi)部的電感。也就是說(shuō)，將第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20連接的更厚的內(nèi)部引線34產(chǎn)生更低的電阻和電感，這在電氣上是有益的并且使電路運(yùn)行能夠更穩(wěn)定且更快。然而，如果內(nèi)部引線34過(guò)厚，則更難彎曲（即：加工）并且表面更難用密封樹(shù)脂55覆蓋。所以，由于考慮到加工簡(jiǎn)單且保證通過(guò)密封樹(shù)脂55的絕緣，內(nèi)部引線34優(yōu)選為盡可能的厚，所以確保滿足諸如表達(dá)式（1）所示的關(guān)系。外部引線16、外部引線26和外部引線54的厚度可以在0.3mm至0.7mm的范圍內(nèi)并包含端點(diǎn)，例如0.5mm。同樣，內(nèi)部引線的厚度可以在0.7mm至1.2mm的范圍內(nèi)并包含端點(diǎn)，例如1.0mm。而且，第一厚板部31和第二厚板部32可以在1.7mm至3.5mm的范圍內(nèi)并包含端點(diǎn)，例如2.0mm至3.0mm并包含端點(diǎn)。第一厚板部31和第二厚板部32以及第三厚板部41和第四厚板部42通常全部為同一厚度，所以表達(dá)式（1）中的厚板部可以被重寫為厚板部31、32、41和42。而且，在圖16中，與外部引線16、26和54相比較，第一控制電極端子51和第二控制電極端子52可以被構(gòu)造為薄板部。例如，當(dāng)外部引線16、26和54的厚度是0.5mm時(shí)，第一控制電極端子51和第二控制電極端子52也可以被形成為大約0.5mm厚度。圖14示出了根據(jù)本示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c的截面結(jié)構(gòu)，其也考慮到了在上側(cè)的第二薄板部44的厚度的關(guān)系。在圖14中，第二薄板部44和第一薄板部34的接合部的截面結(jié)構(gòu)被示出，并且第一薄板部34比第二薄板部44略微厚些。如此，第一薄板部34的厚度可以不同于第二薄板部44的厚度。在接合部處，在接合之后的整個(gè)厚度僅需要厚些。在電氣上，第一薄板部34是否比第二薄板部44厚些，或者相反，第二薄板部44是否比第一薄板部34厚些，或者它們是否是厚度相同是沒(méi)有差別的。因此，可以采用容易加工的結(jié)構(gòu)，但是優(yōu)選為：密封樹(shù)脂55覆蓋第二薄板部44上方的第二薄板部44以確保絕緣。而且，在加工方面，容易使上側(cè)的第三厚板部41和第四厚板部42更薄些。因此，對(duì)于上側(cè)的第二薄板部44，優(yōu)選地滿足表達(dá)式（2）中的關(guān)系。外部引線16、26和54≤內(nèi)部引線44<厚板部41和42（2）。也就是說(shuō)，作為內(nèi)部引線的第二薄板部44與外部引線16、26和54一樣厚或者比外部引線16、26和54厚，并且比厚板部41和厚板部42更薄些。例如，當(dāng)外部引線16、26和54為0.5mm時(shí)，內(nèi)部引線也可以就像外部引線16、26和54一樣是0.5mm，并且厚板部41和厚板部42可以是2.0mm至3.0mm厚。而且，在表達(dá)式（2）中，厚板部可以重寫為厚板部31、厚板部32、厚板部41和厚板部42，就像在表達(dá)式（1）中一樣。如此，使內(nèi)部引線34和內(nèi)部引線44與外部引線16、外部引線26、和外部引線54一樣厚或者比外部引線16、外部引線26、和外部引線54厚些且比厚板部31、32、41和42薄些，并且能夠使封裝件中的電感降低。此外，從圖16可以明顯看出第一厚板部31和第二厚板部32以相對(duì)緊密的距離彼此相鄰被并聯(lián)配置。類似地，從圖14可以明顯看出第三厚板部41和第四厚板部42以相對(duì)緊密的距離被相鄰地配置。第二薄板部44被配置在相對(duì)靠攏的第三厚板部41和第四厚板部42之間的空間中，所以第二薄板部44被設(shè)置在面向第四厚板部42的側(cè)上的第三厚板部41的側(cè)表面上，并且朝向第四厚板部42的相對(duì)表面水平地延伸。同時(shí)，在圖13中示出根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置被模制成形之后的結(jié)構(gòu)。當(dāng)半導(dǎo)體裝置100c被模制成形時(shí)，密封樹(shù)脂55覆蓋第二薄板部44的上部，使得第二薄板部44未被露出于上表面上。結(jié)果，第三厚板部41和第四厚板部42之間的距離被作為絕緣體的密封樹(shù)脂55占據(jù)，所以能夠確保第三厚板部41和第四厚板部42之間的沿面距離，從而能夠改進(jìn)絕緣。如此，在根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c中，能夠確保第三厚板部41與第四厚板部42之間的絕緣，所以它們能夠被靠攏地配置，從而能夠使整個(gè)半導(dǎo)體裝置100c是小型的。圖17是在用樹(shù)脂密封根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置之后成品的示例的視圖。在圖17中，用密封樹(shù)脂55使半導(dǎo)體裝置的主體被模制成形，但是存在第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20以及二極管15和二極管25，并且散熱片70和散熱片71被安裝在被第三厚板部41和第四厚板部42覆蓋的位置的上方。而且，高階側(cè)電源連接端子16、低階側(cè)電源連接端子26、以及輸出端子54被設(shè)置為在縱向方向上從一側(cè)上的密封樹(shù)脂55中露出，并且第一控制電極端子51和第二控制電極端子52被設(shè)置為從另一側(cè)上的密封樹(shù)脂52中露出。此處，密封樹(shù)脂55在散熱片70和散熱片71的外側(cè)的側(cè)表面上具有水平向內(nèi)凹陷的凹陷部56。凹陷部56被形成在包括其間配置有第一半導(dǎo)體元件10和二極管15的位置和其間配置有第二半導(dǎo)體元件20和二極管25的位置的區(qū)域內(nèi)。當(dāng)使用密封樹(shù)脂55模制成形時(shí)，凹陷部56被設(shè)計(jì)成防止空氣進(jìn)入，從而防止空隙出現(xiàn)。這將在下文中被詳細(xì)地描述。圖18是根據(jù)本發(fā)明的第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的立體圖。在圖18中，第一半導(dǎo)體元件10和作為第三半導(dǎo)體元件的二極管15以兩者之間在縱向方向上的間隙d而配置在第一厚板部31上。類似地，第二導(dǎo)體元件20和作為第四半導(dǎo)體元件的二極管25以兩者之間在縱向方向上的間隙d而配置在第二厚板部32上。圖17所示的凹陷部56被形成在密封樹(shù)脂55的外部的側(cè)表面上，從而包括間隙d所處的區(qū)域。經(jīng)由由例如Al導(dǎo)線或Au導(dǎo)線等等形成的接合線51a將第一控制電極端子51電連接至IGBT10的柵電極13。類似地，經(jīng)由由例如Al導(dǎo)線或Au導(dǎo)線等等形成的接合線52a將第二控制電極端子52電連接至IGBT20的柵電極23。圖19是當(dāng)將熔化的密封樹(shù)脂55傾倒至模具中并且執(zhí)行模制成形時(shí)樹(shù)脂流動(dòng)分析結(jié)果的視圖。圖19A是在將根據(jù)第三示例實(shí)施例的比較示例的、不存在凹陷部56的半導(dǎo)體裝置模制成形時(shí)樹(shù)脂流動(dòng)分析結(jié)果的視圖。在圖19A中，存在密封樹(shù)脂55從第一半導(dǎo)體元件10與第二半導(dǎo)體元件20之間的中央部流入而產(chǎn)生的流和密封樹(shù)脂55從第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20的外部流入而產(chǎn)生的流，并且這些流顯示為在匯合部J處匯合。此處，當(dāng)比較第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20的外部上的流（即：外部流）和從中央向匯合部J的流時(shí)，明顯的是，外部流更快到達(dá)匯合部J。在這種情況下，外部流首先到達(dá)匯合部J并且在外部形成壁，并且然后密封樹(shù)脂55從中央流入到匯合部J。結(jié)果，當(dāng)密封樹(shù)脂55從中央流入到匯合部J時(shí)，被推動(dòng)到外部的空氣沖擊由外部流形成的壁。所以，空氣無(wú)法逃逸并且事實(shí)上可以產(chǎn)生空隙。也就是說(shuō)，空氣被在匯合部J處攔住，所以空隙會(huì)保持在密封樹(shù)脂55內(nèi)部。圖19B是在將根據(jù)第三示例實(shí)施例的、具有凹陷部56的半導(dǎo)體裝置模制成形時(shí)樹(shù)脂流動(dòng)分析結(jié)果的視圖。在根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c中，模具被定形為在內(nèi)部表面上向內(nèi)凸起，使得外部的模具的側(cè)壁內(nèi)側(cè)與第一半導(dǎo)體元件10和第三半導(dǎo)體元件15的外側(cè)之間的處在包括第一半導(dǎo)體元件10和第三半導(dǎo)體元件15之間的間隔d的區(qū)域處的流動(dòng)路徑，以及外部的模具的側(cè)壁內(nèi)側(cè)與第二半導(dǎo)體元件20和第四半導(dǎo)體元件25的外側(cè)之間的處在包括第二半導(dǎo)體元件20和第四半導(dǎo)體元件25之間的間隔d的區(qū)域處的流動(dòng)路徑是狹窄的，如參照?qǐng)D17和圖18所描述的那樣。因此，沿著第一半導(dǎo)體元件10、第二半導(dǎo)體元件15、第三半導(dǎo)體元件20和第四半導(dǎo)體元件25流動(dòng)的密封樹(shù)脂55的流動(dòng)速率變得更慢，所以外部流與來(lái)自中央的流大致同時(shí)到達(dá)匯合部J。此時(shí)，在來(lái)自中央的流向外部推動(dòng)空氣之前不存在產(chǎn)生壁的密封樹(shù)脂55，從而防止空氣被攔住。結(jié)果，可以防止空隙殘留在密封樹(shù)脂55內(nèi)部，所以能夠提供耐用的、高可靠性的半導(dǎo)體裝置100c。如此，對(duì)于根據(jù)第三示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100c，在包括半導(dǎo)體元件之間的間隔的區(qū)域中形成密封樹(shù)脂55的外部的側(cè)表面的向內(nèi)凹陷的凹陷部56，使防止空隙產(chǎn)生于密封樹(shù)脂55內(nèi)部成為可能，從而能夠形成高可靠性的半導(dǎo)體裝置100c。在第一和第三示例實(shí)施例中，給出了如下示例：第一薄板部33和34以及第二薄板部43和44的接合表面處于在厚度方向上的、第一厚板部31與第三厚板部41之間的中間位置中，或者處于第三厚板部41的下表面上的位置中，但是可以適當(dāng)改變所述位置，只要所述位置是在第一厚板部31的上表面與第三厚板部41的下表面之間。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明不限于這些具體的示例實(shí)施例。也就是說(shuō)，可以在本專利的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)已經(jīng)以各種方式中的任何方式修改或改進(jìn)的實(shí)施方式下實(shí)施本發(fā)明。因此，只要第一至第三示例實(shí)施例是不矛盾的，則它們可以被適當(dāng)?shù)亟M合。例如，第三示例實(shí)施例所描述的內(nèi)部引線和外部引線的厚度關(guān)系和在模制成形期間凹陷部在縱向方向上被形成在側(cè)表面上的結(jié)構(gòu)也可以被應(yīng)用到第一示例實(shí)施例和第二示例實(shí)施例。同樣，如果在第一示例實(shí)施例和第二示例實(shí)施例中形成接合表面的一個(gè)水平區(qū)域比另一個(gè)大，則也可以通過(guò)在具有大區(qū)域的接合表面周圍形成凹槽而應(yīng)用凹槽被設(shè)置在第三示例實(shí)施例所描述的接合表面周圍的結(jié)構(gòu)。