專利名稱：含硅膜的蝕刻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)無定型硅或氧化硅等含有硅原子的含硅膜進(jìn)行蝕刻的方法及裝置。
背景技術(shù)：
氧化硅膜可通過含有氟化氫等氟系反應(yīng)氣體的處理氣體進(jìn)行蝕刻。無定型硅等幾乎全部由硅原子構(gòu)成的硅膜可通過混合了氟化氫等氟系反應(yīng)氣體和臭氧等氧化性反應(yīng)氣體的處理氣體進(jìn)行蝕刻。例如，在專利文獻(xiàn)1、2中記載了 利用臭氧使晶片表面的硅氧化，形成氧化硅(式I)，在此基礎(chǔ)上使用氫氟酸進(jìn)行蝕刻。氫氟酸在氫氟酸蒸汽發(fā)生器中被蒸發(fā)，再將其導(dǎo)入晶片表面。專利文獻(xiàn)3中記載了 通過在CF4等氟系氣體中引發(fā)大氣壓附近放電而生成HF、COF2等，COF2與事先混合于CF4等中的水反應(yīng)而生成HF(式2)，通過由上述方式得到的HF對(duì)氧化硅進(jìn)行蝕刻(式3)。
權(quán)利要求
1.一種含硅膜的蝕刻裝置，是對(duì)基底膜上層疊了含硅膜的被處理物進(jìn)行蝕刻的裝置，其特征在于，具有 將含有氟系反應(yīng)成分的處理氣體供給于所述被處理物的處理氣體供給體系；和 使所述處理氣體在被處理物上的流速根據(jù)蝕刻的進(jìn)行而發(fā)生變化的流速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述流速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)隨著蝕刻的進(jìn)行而增大所述流速。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述流速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)隨著蝕刻的進(jìn)行而階段性地增大所述流速。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述流速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)直到在所述含硅膜的要蝕刻的部分中的大部分被蝕刻為止使所述流速相對(duì)較小，在蝕刻殘留的含硅膜時(shí)使所述流速相對(duì)較大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述流速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)調(diào)節(jié)所述處理氣體的流量。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述處理氣體供給體系包括 形成大氣壓附近的等離子體空間的等離子體生成部；和 將成為所述氟系反應(yīng)成分的含有氟系原料且添加了 H20或含OH基的化合物的氟系原料氣體導(dǎo)入所述等離子體空間的原料供給線， 其中，所述流速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)在所述原料供給線中混合流速調(diào)節(jié)用氣體或者停止混合，且根據(jù)該流速調(diào)節(jié)用氣體的流量調(diào)節(jié)所述流速。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述處理氣體供給體系包括 形成大氣壓附近的等離子體空間的等離子體生成部；和 將成為所述氟系反應(yīng)成分的含有氟系原料且添加了 H20或含OH基的化合物的氟系原料氣體導(dǎo)入所述等離子體空間的原料供給線， 其中，所述流速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)在所述等離子體空間的下游側(cè)的處理氣體供給體系中混合流速調(diào)節(jié)用氣體或者停止混合，且根據(jù)該流速調(diào)節(jié)用氣體的流量調(diào)節(jié)所述流速。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述處理氣體供給體系包括 將含有所述氟系反應(yīng)成分的氟系反應(yīng)氣體供給于所述被處理物的氟系反應(yīng)氣體供給體系；和 將含有氧化性反應(yīng)成分的氧化性反應(yīng)氣體供給于所述被處理物的氧化性反應(yīng)氣體供給體系， 其中，所述流速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)調(diào)節(jié)所述氧化性反應(yīng)氣體供給體系的供給氣體流量。
9.一種含硅膜的蝕刻裝置，是對(duì)基底膜上層疊了含硅膜的被處理物進(jìn)行蝕刻的裝置，其特征在于，包括 多個(gè)處理氣體供給體系，其噴出含有氟系反應(yīng)成分的處理氣體；和切換機(jī)構(gòu)，其根據(jù)蝕刻的進(jìn)行選擇性地切換將處理氣體吹附至所述被處理物的處理氣體供給體系，其中，來自所述多個(gè)處理氣體供給體系中的至少2個(gè)處理氣體供給體系的處理氣體被吹附到被處理物時(shí)，在被處理物上的流速互不相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述切換機(jī)構(gòu)選擇隨著蝕刻的進(jìn)行所述流速相對(duì)較大的處理氣體供給體系。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述切換機(jī)構(gòu)直到在所述含硅膜的要蝕刻的部分中的大部分被蝕刻為止選擇所述流速相對(duì)較小的處理氣體供給體系，在蝕刻殘留的含硅膜時(shí)選擇所述流速相對(duì)較大的處理氣體供給體系。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述多個(gè)處理氣體供給體系中的至少2個(gè)處理氣體供給體系的處理氣體的流量互不相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于， 各處理氣體供給體系包括 形成大氣壓附近的等離子體空間的等離子體生成部；和 將成為所述氟系反應(yīng)成分的含有氟系原料且添加了 H20或含OH基的化合物的氟系原料氣體導(dǎo)入所述等離子體空間的原料供給線， 其中，至少一個(gè)處理氣體供給體系的原料供給線與使流速調(diào)節(jié)用氣體合流的流速調(diào)節(jié)用氣體供給部連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于， 各處理氣體供給體系包括 形成大氣壓附近的等離子體空間的等離子體生成部；和 將成為所述氟系反應(yīng)成分的含有氟系原料且添加了 H20或含OH基的化合物的氟系原料氣體導(dǎo)入所述等離子體空間的原料供給線， 其中，至少一個(gè)處理氣體供給體系的所述等離子體空間的下游側(cè)的處理氣體供給體系與使流速調(diào)節(jié)用氣體合流的流速調(diào)節(jié)用氣體供給部連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求6、7、13、14中任一項(xiàng)所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述流速調(diào)節(jié)用氣體為惰性氣體。
16.根據(jù)權(quán)利要求6、7、13、14中任一項(xiàng)所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述流速調(diào)節(jié)用氣體為氧化性反應(yīng)氣體。
全文摘要
本發(fā)明可抑制基底膜的蝕刻，且沒有殘?jiān)腋咚俾实貙?duì)硅或氧化硅的含硅膜進(jìn)行蝕刻。本發(fā)明中使含有氟系反應(yīng)成分和氧化性反應(yīng)成分的處理氣體與被處理物(90)接觸，對(duì)基底膜(92)上的含硅膜(93)進(jìn)行蝕刻。利用流速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)(60)，根據(jù)蝕刻的進(jìn)行使處理氣體在被處理物(90)上的流速發(fā)生變化。優(yōu)選調(diào)節(jié)處理氣體的流量使氣體流速發(fā)生變化。更優(yōu)選在處理氣體供給體系(10)中混合流速調(diào)節(jié)用氣體或停止混合，調(diào)節(jié)處理氣體的流量。
文檔編號(hào)H01L21/3213GK103035516SQ20121055475
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2009年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月25日
發(fā)明者功刀俊介, 佐藤崇 申請(qǐng)人:積水化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社