技術(shù)編號：7138673
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及對無定型硅或氧化硅等含有硅原子的含硅膜進行蝕刻的方法及裝置。背景技術(shù)氧化硅膜可通過含有氟化氫等氟系反應(yīng)氣體的處理氣體進行蝕刻。無定型硅等幾乎全部由硅原子構(gòu)成的硅膜可通過混合了氟化氫等氟系反應(yīng)氣體和臭氧等氧化性反應(yīng)氣體的處理氣體進行蝕刻。例如，在專利文獻1、2中記載了 利用臭氧使晶片表面的硅氧化，形成氧化硅(式I)，在此基礎(chǔ)上使用氫氟酸進行蝕刻。氫氟酸在氫氟酸蒸汽發(fā)生器中被蒸發(fā)，再將其導(dǎo)入晶片表面。專利文獻3中記載了 通過在CF4等氟系氣體中引發(fā)大...
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