專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)的制造方法以及導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及畫素結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的圖案化制程一般以微影蝕刻制程來進(jìn)行。微影蝕刻制程是于導(dǎo)體層上覆蓋光阻材料，再以具有特定圖案的罩幕進(jìn)行曝光程序。接著，進(jìn)行顯影程序移除部分的光阻材料后，完成圖案化光阻層。然后，再以圖案化光阻層為罩幕對(duì)導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻程序，并完成具有特定圖案的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在微影蝕刻制程中，導(dǎo)體的線寬以及導(dǎo)體間距通常是取決于曝光機(jī)的曝光解析度。以畫素結(jié)構(gòu)中的薄膜電晶體而言，汲極與源極的圖案可由微影蝕刻制程來定義，其中汲極與源極的圖案尺寸以及汲極與源極之間的距離決定了薄膜電晶體的通道寬度/ 通道長(zhǎng)度比(W/L)。然而，受限于曝光機(jī)的曝光解析度，最小約3 ym左右，因此薄膜電晶體的通道寬度/通道長(zhǎng)度比提升的裕度有限，不利于提升薄膜電晶體的開電流(Ion)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其可以有效地減少汲極與源極之間的間距。本發(fā)明的另一目的是提供一種導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其可以有效地減少導(dǎo)體圖案之間的間距。本發(fā)明提出一種畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下的步驟。于基板上形成閘極、絕緣層以及通道層，其中絕緣層覆蓋閘極，通道層配置于絕緣層上且對(duì)應(yīng)閘極設(shè)置。接著，于基板上形成第一導(dǎo)體層，第一導(dǎo)體層覆蓋絕緣層以及通道層。接著，于第一導(dǎo)體層上形成第一圖案化光阻層，第一圖案化光阻層覆蓋部分第一導(dǎo)體層且暴露出第一導(dǎo)體層的第一部分。第一圖案化光阻層具有由第一圖案化光阻層的側(cè)面往內(nèi)部延伸一段距離的第一邊緣區(qū)。接著，以第一圖案化光阻層為罩幕，對(duì)第一導(dǎo)體層進(jìn)行等向性移除制程以形成第一圖案化導(dǎo)體層。等向性移除制程移除第一導(dǎo)體層的第一部分以暴露出通道層的一第一表面區(qū)。等向性移除制程移除位于第一邊緣區(qū)下方的第一導(dǎo)體層的第二部分以暴露出通道層的第二表面區(qū)，并于第一邊緣區(qū)的第一圖案化光阻層與通道層之間形成斷差。接著，形成第二導(dǎo)體層，第二導(dǎo)體層在斷差自斷開而包括覆蓋于第一圖案化光阻層的剝除部分以及位于第一表面區(qū)上的保留部分。移除圖案化光阻層以及覆蓋于第一圖案化光阻層的剝除部分且保留位于第一表面區(qū)上的保留部分以形成第二圖案化導(dǎo)體層，其中第一圖案化導(dǎo)體層與第二圖案化導(dǎo)體層之間具有間隙，且間隙暴露出第二表面區(qū)。本發(fā)明提出一種導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下的步驟。于底層上形成第一導(dǎo)體層。接著，于第一導(dǎo)體層上形成第一圖案化光阻層。第一圖案化光阻層覆蓋部分第一導(dǎo)體層且暴露出第一導(dǎo)體層的第一部分。第一圖案化光阻層具有由第一圖案化光阻層的側(cè)面往內(nèi)部延伸一段距離的第一邊緣區(qū)。接著，以第一圖案化光阻層為罩幕，對(duì)第一導(dǎo)體層進(jìn)行等向性移除制程以形成第一圖案化導(dǎo)體層。等向性移除制程移除第一導(dǎo)體層的第一部分以暴露出底層的第一表面區(qū)，且等向性移除制程移除位于第一邊緣區(qū)下方的第一導(dǎo)體層的第二部分以暴露出底層的第二表面區(qū)。位于第一邊緣區(qū)的第一圖案化光阻層與底層之間形成斷差。接著，形成第二導(dǎo)體層，第二導(dǎo)體層在斷差自斷開(self-separated)而包括覆蓋于第一圖案化光阻層的剝除部分以及位于第一表面區(qū)上的保留部分。移除圖案化光阻層以及覆蓋于第一圖案化光阻層的剝除部分且保留位于第一表面區(qū)上的保留部分以形成第二圖案化導(dǎo)體層，其中第一圖案化導(dǎo)體層與第二圖案化導(dǎo)體層之間具有間隙，且間隙暴露出第二表面區(qū)?；谏鲜?，本發(fā)明要求保護(hù)的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法可藉由等向性移除制程進(jìn)一步移除位于圖案化光阻層邊緣下方的部分第一導(dǎo)體層以完成第一圖案化導(dǎo)體層。第一圖案化導(dǎo)體層暴露出底層的第二表面區(qū)，接著再于圖案化光阻層未被移除時(shí)形成自圖案化的第二圖案化導(dǎo)體層。如此，第一圖案化導(dǎo)體層與第二圖案化導(dǎo)體層之間的間隙即暴露出上述第二表面區(qū)，而上述間隙的尺寸取決于等向性移除制程而不受微影制程的解析度限制。如此一來，本發(fā)明要求保護(hù)的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法可以不受限于曝光機(jī)的解析度限制，而獲得 較小的導(dǎo)體圖案間距。


圖1A至圖1D是本發(fā)明一實(shí)施例中導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。圖2A至圖2D是圖1A至圖1D中導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖3A至圖3F是本發(fā)明一實(shí)施例中畫素結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。圖4A至圖4B是本發(fā)明另一實(shí)施例中畫素結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。圖5A至圖5H是本發(fā)明再一實(shí)施例中畫素結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。主要元件符號(hào)說明
100,200,200a,300 :畫素結(jié)構(gòu)
102 :底層
104 ■ 第一表面區(qū)
106 :第二表面區(qū)
110 :第一導(dǎo)體層
IlOs :第一圖案化導(dǎo)體層
120:圖案化光阻層
112 :第一部分
114 :第二部分
122 :第一邊緣區(qū)
124 :側(cè)面
130 :第二導(dǎo)體層
130a :剝除部分
130b :保留部分
130s :第二圖案化導(dǎo)體層
202,302 :基板210,310 :閘極 220,320 :絕緣層 230,330 :通道層 232、332 :第一表面區(qū) 234、334 :第二表面區(qū) 336 :第三表面區(qū) 236 :側(cè)面
240、340 :歐姆接觸層 250、350 :第一導(dǎo)體層 250s,350s :第一圖案化導(dǎo)體層 252,352 :第一部分 254,354 :第二部分 260、360a 第一圖案化光阻層 360b :第二圖案化光阻層 262,362a :第一邊緣區(qū) 362b :第二邊緣區(qū) 264、364、366 :側(cè)面 270 :第二導(dǎo)體層 270a、370al、370a2 :剝除部分 270b,370b :保留部分 270s :第二圖案化導(dǎo)體層 S1、S2 :源極 D1、D2 :汲極 274 :畫素電極 280,380 :平坦層 280h、380h :開口 290、390 :畫素電極 T1、T2 :薄膜電晶體 d、dl、d2 :間隙 H、H1、H2 :斷差 X、xl、x2 :距離
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下將通過具體實(shí)施例和相關(guān)附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。圖1A至圖1D為本發(fā)明一實(shí)施例中導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。圖2A至圖2D為圖1A至圖1D中導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A以及圖2A，首先，于底層102上依序形成第一導(dǎo)體層110以及圖案化光阻層120，其中圖案化光阻層120覆蓋部分第一導(dǎo)體層110且暴露出第一導(dǎo)體110的第一部分112。圖案化光阻層120具有邊緣區(qū)122，其中邊緣區(qū)122例如是自圖案化光阻層120的側(cè)面124往圖案化光阻層120的內(nèi)部延伸一段距離x所定義出的區(qū)域。第一導(dǎo)體層110的材質(zhì)例如是金屬、透明導(dǎo)電材料或是其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B以及圖2B，以圖案化光阻層120為罩幕，對(duì)第一導(dǎo)體層110進(jìn)行等向性移除制程以形成第一圖案化導(dǎo)體層110s。舉例而言，等向性移除制程例如是濕式蝕刻制程。濕式蝕刻制程移除第一導(dǎo)體層110的第一部分112后，暴露出底層102的第一表面區(qū)104。此外，由于濕式蝕刻制程的等向蝕刻特性，濕式蝕刻制程會(huì)具有側(cè)向蝕刻的現(xiàn)象，因而進(jìn)一步側(cè)向移除位于邊緣區(qū)122下方的第一導(dǎo)體層110的第二部分114，據(jù)此，暴露出底層102的第二表面區(qū)106。此時(shí)，第一圖案化導(dǎo)電層IlOs自圖案化光阻層120的側(cè)面124之處內(nèi)縮一段距離X，其中距離X的大小取決于上述側(cè)向移除的程度，并且圖案化光阻層120的邊緣區(qū)122與底層102之間定義出高度上的斷差H (step)0 接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1C以及圖2C，形成第二導(dǎo)體層130。第二導(dǎo)體層130的材質(zhì)例如是金屬、透明導(dǎo)電材料或是其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。第二導(dǎo)體層130覆蓋圖案化光阻層120以及第一導(dǎo)體層110的第一表面區(qū)104。由于圖案化光阻層120與底層102之間具有高度上的斷差H，因此第二導(dǎo)體層130在斷差H之處會(huì)自斷開而形成剝除部分130a以及保留部分130b，其中剝除部分130a覆蓋于圖案化光阻層120上，而保留部分130b位于第一表面區(qū)104 上。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1D以及圖2D，移除圖案化光阻層120以及覆蓋于圖案化光阻層120上的剝除部分130a，并且保留位于第一表面區(qū)104上的保留部分130b。第二導(dǎo)體層130的保留部分130b即形成第二圖案化導(dǎo)體層130s。承上述，第一圖案化導(dǎo)體層IlOs與第二圖案化導(dǎo)體層130s之間具有間隙d，且間隙d暴露出第二表面區(qū)106。須說明的是，間隙d的大小實(shí)質(zhì)上與距離X相同。換言之，第一圖案化導(dǎo)體層IlOs與第二圖案化導(dǎo)體層130s之間的距離大小是取決于濕式蝕刻制程之側(cè)向移除的程度。在本實(shí)施例中，間隙d的寬度為小于O. 3 μ m。圖3A至圖3F為本發(fā)明一實(shí)施例中畫素結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3A，首先，于基板202上形成閘極210、絕緣層220以及通道層230，其中絕緣層220覆蓋閘極210，通道層230配置于絕緣層220上且對(duì)應(yīng)閘極210設(shè)置。此時(shí)，可以選擇性地形成歐姆接觸層240。歐姆接觸層240覆蓋通道層230。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3B，于基板202上形成第一導(dǎo)體層250以及第一圖案化光阻層260。第一導(dǎo)體層250覆蓋絕緣層220、通道層230以及歐姆接觸層240。第一圖案化光阻層260覆蓋部分第一導(dǎo)體層250且暴露出第一導(dǎo)體250的第一部分252。第一圖案化光阻層260具有第一邊緣區(qū)262，其中第一邊緣區(qū)262例如是自第一圖案化光阻層260的側(cè)面264往第一圖案化光阻層260的內(nèi)部延伸一段距離X所定義出的區(qū)域。第一導(dǎo)體層250的材質(zhì)例如是金屬、透明導(dǎo)電材料或是其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)體層250的材質(zhì)是以金屬為例說明。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，以第一圖案化光阻層260為罩幕，對(duì)第一導(dǎo)體層250進(jìn)行等向性移除制程以形成第一圖案化導(dǎo)體層250s。舉例而言，等向性移除制程例如是濕式蝕刻制程。濕式蝕刻制程移除第一導(dǎo)體層250的第一部分252后，暴露出通道層230的第一表面區(qū)232、通道層230的側(cè)面236以及局部的絕緣層220。此外，由于濕式蝕刻制程的等向蝕刻特性，濕式蝕刻制程會(huì)具有側(cè)向蝕刻的現(xiàn)象，因而進(jìn)一步側(cè)向移除位于第一邊緣區(qū)262下方的第一導(dǎo)體層250的第二部分254，據(jù)此，暴露出通道層230的第二表面區(qū)234。此時(shí)，第一圖案化導(dǎo)電層250s自第一圖案化光阻層260的側(cè)面264內(nèi)縮一段距離X，其中距離x的大小取決于上述側(cè)向移除的程度，并且第一圖案化光阻層260的第一邊緣區(qū)262與通道層230之間具有高度上的斷差，且第一邊緣區(qū)262例如與歐姆接觸層240之間可以定義出高度上的斷差H。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3D，形成第二導(dǎo)體層270。第二導(dǎo)體層270的材質(zhì)例如是金屬、透明導(dǎo)電材料或是其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)體層270是以透明導(dǎo)電材料，如銦錫氧化物(indium-tin oxide，ITO)為例說明。第二導(dǎo)體層270覆蓋第一圖案化光阻層260、通道層230以及絕緣層220。由于第一圖案化光阻層260與通道層230之間具有高度上的斷差H，因此第二導(dǎo)體層270在斷差H之處會(huì)自斷開而形成剝除部分270a以及保留部分270b，其中剝除部分270a覆蓋于第一圖案化光阻層260上，而保留部分270b位于第一 表面區(qū)232上。另外，在本實(shí)施例中，保留部分270b也會(huì)延伸至上述等向性移除制程中暴露出來的通道層230的側(cè)面236與部分絕緣層220上。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3E，移除第一圖案化光阻層260以及覆蓋于第一圖案化光阻層260上的剝除部分270a，并且保留位于第一表面區(qū)232、通道層230的側(cè)面236與部分絕緣層220上的保留部分270b而形成第二圖案化導(dǎo)體層270s。換言之，第二圖案化導(dǎo)體層270s覆蓋第一表面區(qū)232、通道層230的側(cè)面236與部分絕緣層220。承上述，第一圖案化導(dǎo)體層250s與第二圖案化導(dǎo)體層270s之間具有間隙d，且間隙d暴露出第二表面區(qū)234。間隙d的大小實(shí)質(zhì)上與距離X相同。換言之，第一圖案化導(dǎo)體層250s與第二圖案化導(dǎo)體層270s之間的距離大小是取決于濕式蝕刻制程之側(cè)向移除的程度。在本實(shí)施例中，第一圖案化導(dǎo)體層250s包括源極SI。并且，第二圖案化導(dǎo)體層270s中，位于通道層230上的部分可視為汲極Dl而位于絕緣層220上的部份可以視為與汲極Dl電性連接的畫素電極274。換言之，本實(shí)施例中汲極Dl以及畫素電極274可以同時(shí)制
作且屬于同一膜層。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3F，由于本實(shí)施例中畫素結(jié)構(gòu)200包括歐姆接觸層240，因此可進(jìn)行背通道蝕刻制程以移除位于源極SI與汲極Dl之間的歐姆接觸層240以形成薄膜電晶體Tl。須說明的是，間隙d的寬度為小于O. 3 μ m,間隙d不受限于一般曝光機(jī)的解析度限制，因此第一圖案化導(dǎo)體層250s與第二圖案化導(dǎo)體層270s之間的距離可有效地縮減。以畫素結(jié)構(gòu)200的薄膜電晶體Tl而言，由于源極SI與汲極Dl之間的間隙d可有效地縮減，因此薄膜電晶體Tl的通道寬度/通道長(zhǎng)度比(W/L)提升的裕度增加，有利于提升薄膜電晶體的開電流(Ion)。圖4A至圖4B為本發(fā)明另一實(shí)施例中畫素結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。首先，進(jìn)行圖3A至圖3F所示的步驟，其中第二圖案化導(dǎo)體層270s中，位于通道層230上的部分與絕緣層220上的部份可同時(shí)視為汲極D1。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4A，于基板202上形成平坦層280，并于平坦層280中形成開口 280h。開口 280h暴露出汲極D1。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，形成畫素電極290。畫素電極290填入開口 280h而與薄膜電晶體T的汲極Dl電性連接，并且形成畫素結(jié)構(gòu)200a。在本實(shí)施例中，是以第一圖案化導(dǎo)體層250s包括源極SI，而第二圖案化導(dǎo)體層270s包括汲極Dl為例說明。然而，本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，也可以使第一圖案化導(dǎo)體層250s包括汲極，而第二圖案化導(dǎo)體層270s包括源極，其中畫素電極290與汲極電性連接。圖5A至圖5H為本發(fā)明再一實(shí)施例中畫素結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D5A，于基板302上形成閘極310、絕緣層320以及通道層330，其中絕緣層320覆蓋閘極310，通道層330配置于絕緣層320上且對(duì)應(yīng)閘極310設(shè)置。此時(shí)，可以選擇性地形成歐姆接觸層340。歐姆接觸層340覆蓋通道層330。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5B,于基板302上形成第一導(dǎo)體層350、第一圖案化光阻層360a以及第二圖案化光阻層360b。第一導(dǎo)體層350覆蓋絕緣層320、通道層330 以及歐姆接觸層340。第一圖案化光阻層360a覆蓋部分第一導(dǎo)體層350且暴露出第一導(dǎo)體350的第一部分352。第一圖案化光阻層360a具有第一邊緣區(qū)362a,其中第一邊緣區(qū)362a例如是自第一圖案化光阻層360a的側(cè)面364往第一圖案化光阻層360a的內(nèi)部延伸一段第一距離xl所定義出的區(qū)域。承上述，第二圖案化光阻層360b覆蓋部分第一導(dǎo)體層350且暴露出第一導(dǎo)體350的第一部分352。第二圖案化光阻層360b具有第二邊緣區(qū)362b，其中第二邊緣區(qū)362b例如是自第二圖案化光阻層360b的側(cè)面366往第二圖案化光阻層360b的內(nèi)部延伸一段第二距離x2所定義出的區(qū)域。第一導(dǎo)體層350的材質(zhì)例如是金屬、透明導(dǎo)電材料或是其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)體層350的材質(zhì)是以金屬為例說明。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5B與圖5C，以第一圖案化光阻層360a以及第二圖案化光阻層360b為罩幕，對(duì)第一導(dǎo)體層350進(jìn)行等向性移除制程以形成第一圖案化導(dǎo)體層350s。舉例而言，等向性移除制程例如是濕式蝕刻制程。濕式蝕刻制程移除第一導(dǎo)體層350的第一部分352后，暴露出通道層330的第一表面區(qū)332。此外，濕式蝕刻制程進(jìn)一步側(cè)向移除位于第一邊緣區(qū)362a下方的第一導(dǎo)體層350的第二部分354以及位于第二邊緣區(qū)362b下方的第一導(dǎo)體層350的第三部分356。據(jù)此，暴露出通道層330的第二表面區(qū)334以及第三表面區(qū)336,其中第二表面區(qū)334與第三表面區(qū)336分別位于第一表面區(qū)332的相對(duì)兩側(cè)。此時(shí)，第一圖案化導(dǎo)電層350s自第一圖案化光阻層360a的側(cè)面364內(nèi)縮一段第一距離xl，且第一圖案化導(dǎo)電層350s自第二圖案化光阻層360b的側(cè)面366內(nèi)縮一段第二距離x2，其中第一距離xl以及第二距離x2的大小取決于上述側(cè)向移除的程度。第一圖案化光阻層360a的第一邊緣區(qū)362a與通道層330之間具有高度上的斷差，且第一邊緣區(qū)362a例如與歐姆接觸層340之間具有高度上的斷差Hl。第二圖案化光阻層360b的第二邊緣區(qū)362b與通道層330之間具有高度上的斷差，且第二邊緣區(qū)362b例如與歐姆接觸層340之間具有高度上的斷差H2。接著，請(qǐng)參照?qǐng)DK)，形成第二導(dǎo)體層370。第二導(dǎo)體層370的材質(zhì)例如是金屬、透明導(dǎo)電材料或是其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)體層370是以金屬為例說明。第二導(dǎo)體層370覆蓋第一圖案化光阻層360a、第二圖案化光阻層360b、通道層330以及絕緣層320。由于第一圖案化光阻層360a以及第二圖案化光阻層360b與歐姆接觸層340之間具有高度上的斷差Hl以及斷差H2，因此第二導(dǎo)體層370在斷差Hl以及斷差H2之處會(huì)自斷開而形成剝除部分370al、剝除部分370a2以及保留部分370b，其中剝除部分370al覆蓋于第一圖案化光阻層360a上，剝除部分370a2覆蓋于第二圖案化光阻層360b上，而保留部分370b位于第一表面區(qū)332上。值得一提的是，在沒有設(shè)置歐姆接觸層340的其他實(shí)施例中，斷差Hl以及斷差H2可以為通道層330與第一圖案化光阻層360a以及通道層330與第二圖案化光阻層360b之間的高度差異。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5E，移除第一圖案化光阻層360a、第二圖案化光阻層360b、覆蓋于第一圖案化光阻層360a上的剝除部分370al以及覆蓋于第二圖案化光阻層360b上的剝除部分370a2，并且保留位于第一表面區(qū)332上的保留部分370b。第二導(dǎo)體層370的保留部分370b形成第二圖案化導(dǎo)體層370s，第二圖案化導(dǎo)體層370s覆蓋第一表面區(qū)332。在本實(shí)施例中，第一圖案化導(dǎo)體層350s包括源極S2以及汲極D2，而第二圖案化導(dǎo)體層370s包括導(dǎo)體圖案372。導(dǎo)體圖案372與源極S2之間夾有第一間隙dl，導(dǎo)體圖案372與汲極D2之間夾有第二間隙d2，其中第一間隙dl暴露出第二表面區(qū)334，第二間隙d2暴露出第三表面區(qū)336。須說明的是，第一間隙dl的大小實(shí)質(zhì)上與第一距離xl相同，第二間隙d2的大小實(shí)質(zhì)上與第二距離x2相同。換言之，第一圖案化導(dǎo)體層350s與第二圖案化導(dǎo)體層370s之間的距離大小是取決于濕式蝕刻制程之側(cè)向移除的程度。在本實(shí)施例中，第一間隙dl的寬度為小于O. 3 μ m,第二間隙d2的寬度為小于O. 3 μ m。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5F，由于本實(shí)施例之畫素結(jié)構(gòu)300包括歐姆接觸層340，因此可進(jìn)行背通道蝕刻制程以移除位于源極S2與汲極D2之間的歐姆接觸層340，并形成薄膜電晶體T2。由于第一間隙dl以及第二間隙d2不受限于一般曝光機(jī)的解析度限制，因此源極S2與導(dǎo)體圖案372的距離以及汲極D2與導(dǎo)體圖案372之間的距離可有效地縮減，因此薄膜電晶體T2的通道寬度/通道長(zhǎng)度比(W/L)提升的裕度增加，有利于提升薄膜電晶體T2的開電流(Ion)。另外，薄膜電晶體T2具有雙通道的設(shè)計(jì)也有助于降低漏電流的情形。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5G，于基板302上形成平坦層380，并于平坦層380中形成開口380h。開口 380h暴露出汲極D2。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5H，形成畫素電極390。畫素電極390填入開口 380h而與汲極D2電性連接，并且形成畫素結(jié)構(gòu)300。綜上所述，本發(fā)明要求保護(hù)的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法可藉由等向性移除制程進(jìn)一步移除位于圖案化光阻層邊緣下方的第一導(dǎo)體層以完成第一圖案化導(dǎo)體層。第一圖案化導(dǎo)體層暴露出底層的第二表面區(qū)，接著再以圖案化光阻層為罩幕形成第二圖案化導(dǎo)體層，上述第二表面區(qū)決定第一導(dǎo)體層與第二圖案化導(dǎo)體層之間的距離。如此一來，本發(fā)明要求保護(hù) 的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法可以不受限于曝光機(jī)的解析度限制，而可取得較小的導(dǎo)體間距。此外，以畫素結(jié)構(gòu)的薄膜電晶體而言，由于源極與汲極之間的間隙可有效地縮減，因此源極與汲極之間的通道寬度/通道長(zhǎng)度比提升的裕度增加，有利于提升薄膜電晶體的開電流，進(jìn)而提升畫素結(jié)構(gòu)的電性表現(xiàn)。上列較佳實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括 于一基板上形成一閘極、一絕緣層以及一通道層，其中該絕緣層覆蓋該閘極，該通道層配置于該絕緣層上且對(duì)應(yīng)該閘極設(shè)置； 于該基板上形成一第一導(dǎo)體層，該第一導(dǎo)體層覆蓋該絕緣層以及該通道層； 于該第一導(dǎo)體層上形成一第一圖案化光阻層，該第一圖案化光阻層覆蓋部分該第一導(dǎo)體層，且暴露出該第一導(dǎo)體層的一第一部分，該第一圖案化光阻層具有由該第一圖案化光阻層的側(cè)面往內(nèi)部延伸一段距離的一第一邊緣區(qū)； 以該第一圖案化光阻層為罩幕，對(duì)該第一導(dǎo)體層進(jìn)行一等向性移除制程以形成一第一圖案化導(dǎo)體層，其中該等向性移除制程移除該第一導(dǎo)體層的該第一部分以暴露出該通道層的一第一表面區(qū)，該等向性移除制程移除位于該第一邊緣區(qū)下方的該第一導(dǎo)體層的一第二部分以暴露出該通道層的一第二表面區(qū)，并于該第一邊緣區(qū)的該第一圖案化光阻層與該通道層之間形成一斷差； 形成一第二導(dǎo)體層，該第二導(dǎo)體層在該斷差自斷開而包括覆蓋于該第一圖案化光阻層的一剝除部分以及位于該第一表面區(qū)上的一保留部分；以及 移除該第一圖案化光阻層以及覆蓋于該第一圖案化光阻層的該剝除部分且保留位于該第一表面區(qū)上的該保留部分以形成一第二圖案化導(dǎo)體層，其中該第一圖案化導(dǎo)體層與該第二圖案化導(dǎo)體層之間具有一間隙，且該間隙暴露出該第二表面區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包括于移除該第一導(dǎo)體層的該第一部分而暴露出該通道層的該第一表面區(qū)時(shí)，同時(shí)暴露出該通道層的一側(cè)面，且在形成該第二圖案化導(dǎo)體層后，該第二圖案化導(dǎo)體層覆蓋該第一表面區(qū)以及該通道層的該側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該第一圖案化導(dǎo)體層包括一源極，該第二圖案化導(dǎo)體層包括一汲極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該第二圖案化導(dǎo)體層更包括一畫素電極，該畫素電極與該汲極電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該第一圖案化導(dǎo)體層包括一汲極，該第二圖案化導(dǎo)體層包括一源極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包括形成一畫素電極，該畫素電極與該第一圖案化導(dǎo)體層或該第二圖案化導(dǎo)體層電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包括在形成該第一導(dǎo)體層之前形成一歐姆接觸層，該歐姆接觸層位于該通道層與該第一圖案化導(dǎo)體層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該等向性移除制程包括一濕式蝕刻制程。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其該間隙的寬度為小于0. 3 u m0
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包括 在形成該第一圖案化光阻層的同時(shí)形成一第二圖案化光阻層，該第二圖案化光阻層具有由該第二圖案化光阻層的側(cè)面往內(nèi)部延伸一段距離的一第二邊緣區(qū)；以及 對(duì)該第一導(dǎo)體層進(jìn)行該等向性移除制程，更以該第二圖案化光阻層為罩幕，以移除位于該第二邊緣區(qū)下方的該第一導(dǎo)體層的一第三部分，以暴露出該底層的一第三表面區(qū)，其中該第二表面區(qū)與該第三表面區(qū)分別位于該第一表面的相對(duì)兩側(cè)，使得該第一圖案化導(dǎo)體層與該第二圖案化導(dǎo)體層之間的該間隙包括一第一間隙以及一第二間隙，該第一間隙暴露出該第二表面區(qū)且該第二間隙暴露出該第三表面區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該第一間隙的寬度為小于0. 3 1 m,該第二間隙的寬度為小于0. 3 1 m。
12.—種導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括 于一底層上形成一第一導(dǎo)體層； 于該第一導(dǎo)體層上形成一第一圖案化光阻層，該第一圖案化光阻層覆蓋部分該第一導(dǎo)體層，且暴露出該第一導(dǎo)體層的一第一部分，該第一圖案化光阻層具有由該第一圖案化光阻層的側(cè)面往內(nèi)部延伸一段距離的一第一邊緣區(qū)； 以該第一圖案化光阻層為罩幕，對(duì)該第一導(dǎo)體層進(jìn)行一等向性移除制程以形成一第一圖案化導(dǎo)體層，其中該等向性移除制程移除該第一導(dǎo)體層的該第一部分以暴露出該底層的一第一表面區(qū)，且該等向性移除制程移除位于該第一邊緣區(qū)下方的該第一導(dǎo)體層的一第二部分以暴露出該底層的一第二表面區(qū)，位于該第一邊緣區(qū)的該第一圖案化光阻層與該底層之間形成一斷差； 形成一第二導(dǎo)體層，該第二導(dǎo)體層在該斷差自斷開而包括覆蓋于該第一圖案化光阻層的一剝除部分以及位于該第一表面區(qū)上的一保留部分；以及 移除該圖案化光阻層以及覆蓋于該第一圖案化光阻層的該剝除部分且保留位于該第一表面區(qū)上的該保留部分以形成一第二圖案化導(dǎo)體層，其中該第一圖案化導(dǎo)體層與該第二圖案化導(dǎo)體層之間具有一間隙，且該間隙暴露出該第二表面區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該等向性移除制程包括一濕式蝕刻制程。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該第一圖案化導(dǎo)體層的材質(zhì)包括金屬以及透明導(dǎo)電材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該第二圖案化導(dǎo)體層的材質(zhì)包括金屬以及透明導(dǎo)電材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該間隙的寬度為小于0. 3 u mo
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包括 在形成該第一圖案化光阻層的同時(shí)形成一第二圖案化光阻層，該第二圖案化光阻層具有由該第二圖案化光阻層的側(cè)面往內(nèi)部延伸一段距離的一第二邊緣區(qū)；以及 對(duì)該第一導(dǎo)體層進(jìn)行該等向性移除制程，更以該第二圖案化光阻層為罩幕，以移除位于該第二邊緣區(qū)下方的該第一導(dǎo)體層的一第三部分，以暴露出該底層的一第三表面區(qū)，其中該第二表面區(qū)與該第三表面區(qū)分別位于該第一表面的相對(duì)兩側(cè)，使得該第一圖案化導(dǎo)體層與該第二圖案化導(dǎo)體層之間的該間隙包括一第一間隙以及一第二間隙，該第一間隙暴露出該第二表面區(qū)且該第二間隙暴露出該第三表面區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該第一間隙的寬度為小于0. 3 ii m,該第二間隙的寬度為小于0. 3 ii m。
全文摘要
一種導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。于底層上形成第一導(dǎo)體層與第一圖案化光阻層。以第一圖案化光阻層為罩幕，對(duì)第一導(dǎo)體層進(jìn)行等向性移除制程以形成第一圖案化導(dǎo)體層。等向性移除制程移除第一導(dǎo)體層的第一部分以及位于部分第一圖案化光阻層下方的第二部分以暴露出底層的第一表面區(qū)以及第二表面區(qū)。形成第二導(dǎo)體層，其自斷開而包括覆蓋第一圖案化光阻層的剝除部分以及位于第一表面區(qū)上的保留部分。移除第一圖案化光阻層以及剝除部分且留下保留部分以形成第二圖案化導(dǎo)體層。第一圖案化導(dǎo)體層與第二圖案化導(dǎo)體層之間具有暴露出第二表面區(qū)的間隙。
文檔編號(hào)H01L21/336GK103000532SQ20121055059
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月18日
發(fā)明者高金字, 呂雅茹, 吳國(guó)偉, 歐陽志升 申請(qǐng)人:福建華映顯示科技有限公司, 中華映管股份有限公司