半導(dǎo)體光發(fā)射裝置制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體光發(fā)射裝置，包括半導(dǎo)體本體(1)，該半導(dǎo)體本體具有表面發(fā)射性的包括垂直發(fā)射極層(3)的垂直發(fā)射極區(qū)域(2)，至少一個設(shè)置用于光學(xué)抽運所述垂直發(fā)射極層(3)的抽運源(4)，和輻射穿透表面(26)，在所述垂直發(fā)射極層中產(chǎn)生的電磁輻射(31)通過該輻射穿透表面(26)離開，其特征在于還包括：光學(xué)變頻非線性晶體（32），諧振腔反射鏡（43），在所述光學(xué)變頻非線性晶體靠近所述反射鏡（43）的一側(cè)形成有光學(xué)涂層（42），諧振腔反射鏡（34）靠近非線性晶體（32）的一側(cè)的反射面與所述涂層(42)靠近上述反射面的一側(cè)的表面之間的距離設(shè)置為使得對于所述垂直發(fā)射極層(3)發(fā)射的基礎(chǔ)波和經(jīng)過非線性晶體(32)后的變頻波而言，不滿足駐波產(chǎn)生的條件。
【專利說明】 半導(dǎo)體光發(fā)射裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于信息【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種半導(dǎo)體光發(fā)射裝置，特別是一種半導(dǎo)體激光器。
【背景技術(shù)】
[0002]光通信系統(tǒng)中，信號源通常是利用半導(dǎo)體激光器作為光發(fā)射源。半導(dǎo)體激光器是成熟較早、進(jìn)展較快的一類激光器，由于它的波長范圍寬，制作簡單、成本低、易于大量生產(chǎn)，并且由于體積小、重量輕、壽命長，因此，品種發(fā)展快，應(yīng)用范圍廣，目前已超過300種，半導(dǎo)體激光器的最主要應(yīng)用領(lǐng)域是Gb局域網(wǎng)，850nm波長的半導(dǎo)體激光器適用于)IGh/0局域網(wǎng)，1300nm-1550nm波長的半導(dǎo)體激光器適用于IOGb局域網(wǎng)系統(tǒng)。1978年,半導(dǎo)體激光器開始應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng)，半導(dǎo)體激光器可以作為光纖通信的光源和指示器以及通過大規(guī)模集成電路平面工藝組成光電子系統(tǒng).由于半導(dǎo)體激光器有著超小型、高效率和高速工作的優(yōu)異特點，所以這類器件的發(fā)展，一開始就和光通信技術(shù)緊密結(jié)合在一起，它在光通信、光變換、光互連、并行光波系統(tǒng)、光信息處理和光存貯、光計算機(jī)外部設(shè)備的光禍合等方面有重要用途.半導(dǎo)體激光器的問世極大地推動了信息光電子技術(shù)的發(fā)展，到如今，它是當(dāng)前光通信領(lǐng)域中發(fā)展最快、最為重要的激光光纖通信的重要光源.半導(dǎo)體激光器再加上低損耗光纖，對光纖通信產(chǎn)生了重大影響，并加速了它的發(fā)展。因此可以說，沒有半導(dǎo)體激光器的出現(xiàn)，就沒有當(dāng)今的光通信，因此，半導(dǎo)體激光器的光輸出性能直接影響著整個通信系統(tǒng)的通信質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的任務(wù)是，為解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種新型的半導(dǎo)體光發(fā)射裝置，尤其是一種半導(dǎo)體激光器，該裝置整體結(jié)構(gòu)緊湊，體積較小，發(fā)射光束質(zhì)量較好，信噪比較聞O
[0004]具體技術(shù)方案如下:
[0005]一種半導(dǎo)體光發(fā)射裝置，包括半導(dǎo)體本體(I)，該半導(dǎo)體本體具有
[0006]-表面發(fā)射性的包括垂直發(fā)射極層(3)的垂直發(fā)射極區(qū)域(2)，
[0007]-至少一個設(shè)置用于光學(xué)抽運所述垂直發(fā)射極層(3)的抽運源(4)，和
[0008]-輻射穿透表面(26)，在所述垂直發(fā)射極層中產(chǎn)生的電磁輻射(31)通過該輻射穿透表面(26)離開，
[0009]其特征在于還包括:光學(xué)變頻非線性晶體(32)，
[0010]諧振腔反射鏡(43)，
[0011]在所述光學(xué)變頻非線性晶體靠近所述反射鏡(43)的一側(cè)形成有光學(xué)涂層(42)
[0012]諧振腔反射鏡(34)靠近非線性晶體(32)的一側(cè)的反射面與所述涂層(42)靠近上述反射面的一側(cè)的表面之間的距離設(shè)置為使得對于所述垂直發(fā)射極層(3)發(fā)射的基礎(chǔ)波和經(jīng)過非線性晶體(32)后的變頻波而言，不滿足駐波產(chǎn)生的條件。[0013]述光發(fā)射裝置為半導(dǎo)體激光器。
[0014]所述非線性晶體直接設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明所述的半導(dǎo)體光發(fā)射裝置的示意剖面圖，
【具體實施方式】
[0016]所述半導(dǎo)體元件包括半導(dǎo)體本體I。該半導(dǎo)體本體I則包括生長基質(zhì)8。所述生長基質(zhì)8比如是η-摻雜的GaAs (砷化鎵)-基質(zhì)。該生長基質(zhì)8優(yōu)選減薄。也就是說，所述生長基質(zhì)8的厚度優(yōu)選在結(jié)束外延生長之后減小。在此也可以將所述生長基質(zhì)8完全去除。
[0017]優(yōu)選所述生長基質(zhì)8的厚度處于100到200微米之間。
[0018]在所述半導(dǎo)體元件的結(jié)合圖1所說明的實施例中，在所述生長基質(zhì)8中加入開口25。所述開口 25比如可以通過蝕刻來產(chǎn)生。在所述開口 25中，露出所述半導(dǎo)體本體I的輻射穿透表面26。在所述開口 25的區(qū)域中優(yōu)選完全去除所述生長基質(zhì)8。
[0019]抽運源4以及垂直發(fā)射極區(qū)域2跟隨在所述生長基質(zhì)8的后面。抽運源4和垂直發(fā)射極區(qū)域2先后外延沉積到所述生長基質(zhì)8上并且由此共同整體地集成到所述半導(dǎo)體本體I中。
[0020]所述垂直發(fā)射極區(qū)域2包括第一反射鏡7。所述第一反射鏡7優(yōu)選是一種布拉格-反射鏡結(jié)構(gòu)。作為替代方案，所述第一反射鏡7也可以構(gòu)造為金屬反射鏡或者電介質(zhì)的反射鏡或者構(gòu)造為所列出的三種反射鏡類型中的至少兩種的組合。特別優(yōu)選所述第一反射鏡7是一種不含摻雜材料的布拉格-反射鏡結(jié)構(gòu)。相對于摻雜的反射鏡，在不含摻雜材料的布拉格-反射鏡結(jié)構(gòu)中，有利地減少了來自所述垂直發(fā)射極區(qū)域2的垂直發(fā)射極層3的自由載流子的吸收。
[0021]所述第一反射鏡7優(yōu)選形成用于在所述垂直發(fā)射極層3中產(chǎn)生的電磁輻射的諧振腔反射鏡。
[0022]在所述半導(dǎo)體元件運行時，從所述垂直發(fā)射極層3中發(fā)射出電磁輻射31，比如紅外的、可見的或紫外的輻射。所述垂直發(fā)射極層3優(yōu)選包含II1-V-化合物半導(dǎo)體材料，尤其是 InxAlyGah_yN、InxAlyGah_yP或者 InxAlyGa1HAs,其中 O = X = I,O = y = I 并且x+y = I。
[0023]此外，所述垂直發(fā)射極層3可以包含I1-VI化合物半導(dǎo)體材料比如ZnSe或ZnO。
[0024]所述垂直發(fā)射極層3比如構(gòu)造為單一-異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙重-異質(zhì)結(jié)構(gòu)、簡單-量子勢講結(jié)構(gòu)(Quantentopfstruktur)或者特別優(yōu)選構(gòu)造為多重-量子勢講結(jié)構(gòu)。
[0025]優(yōu)選所述垂直發(fā)射極層3的量子勢阱結(jié)構(gòu)適合于吸收在所述抽運源4中產(chǎn)生的電磁輻射。也就是說，抽運輻射的吸收優(yōu)選不是在布置在所述垂直發(fā)射極區(qū)域2中的額外的阻擋層中進(jìn)行，而是所述抽運輻射在所述垂直發(fā)射極層3的量子勢阱結(jié)構(gòu)中被吸收并且在那里激發(fā)產(chǎn)生電磁輻射31。
[0026]朝所述半導(dǎo)體本體I的輻射穿透表面26的方向，在所述垂直發(fā)射極層3的后面在所述垂直發(fā)射極區(qū)域2中跟隨著垂直的波導(dǎo)層14。優(yōu)選為具有最高30微米的層厚度的波導(dǎo)層14選擇比較厚的厚度。特別優(yōu)選所述波導(dǎo)層14的層厚度處于半微米和5微米之間。在該實施例中，所述波導(dǎo)層14的層厚度大約為1.5微米。優(yōu)選所述波導(dǎo)層14包含鋁-鎵-砷化物，其中鋁濃度大約為6%。所述波導(dǎo)層14設(shè)置用于在所述抽運源4中產(chǎn)生的抽運輻射的擴(kuò)展。也就是說，所述抽運輻射優(yōu)選通過所述波導(dǎo)層14的折射率分布導(dǎo)送到所述垂直發(fā)射極層3中，在那里所述抽運輻射至少部分地被吸收并且用于產(chǎn)生輻射。
[0027]朝所述半導(dǎo)體本體I的輻射穿透表面26的方向，在所述波導(dǎo)層14后面跟隨著至少一個蝕刻停止層15。所述蝕刻停止層15—方面形成選擇性的蝕刻停止層。借助于所述蝕刻停止層15，可以使高摻雜的接觸層18暴露在抽運源4下，并且通過這種方式建立臺型結(jié)構(gòu)6，該臺型結(jié)構(gòu)6比如包括所述第一反射鏡7、垂直發(fā)射極層3以及波導(dǎo)層14。另一方面所述蝕刻停止層15用于改進(jìn)抽運輻射從抽運源到所述垂直發(fā)射極層3中的輸入。
[0028]朝所述半導(dǎo)體本體I的輻射穿透表面26的方向，在所述蝕刻停止層15的后面跟隨著高摻雜的接觸層18。高摻雜的接觸層18實現(xiàn)了以微小的接觸和串聯(lián)電阻進(jìn)行類-歐姆的接觸，用于接觸所述抽運源4。優(yōu)選所述接觸層18具有盡可能小的層厚度。所述高摻雜的接觸層18比如摻雜有P-摻雜材料并且具有至少IO19CnT3的摻雜材料濃度。優(yōu)選所述接觸層18布置在所述在垂直發(fā)射極層3中產(chǎn)生的電磁幅射31的光學(xué)的駐波場(Stehwellenfeld)的節(jié)點中。由此有利地減少了可能的損耗機(jī)制(Verlustmechanismen)-比如在高摻雜的接觸層18中自由載流子的吸收。
[0029]為接觸所述抽運源4，優(yōu)選借助于透明的接觸層16來接觸所述高摻雜的接觸層18，所述接觸層16比如可以包含ZnO、ITO或者其它的TCO-材料(TCO-transparentconductive oxide (透明導(dǎo)電氧化物))或者由這些材料中的一種材料制成。此外,從所述垂直發(fā)射極區(qū)域2到抽運源4的過渡區(qū)域可以包括其它的層。
[0030]比如在所述高摻雜的接觸層18和透明的接觸層16之間可以布置多個具有高的鋁濃度的層。比如這些層是局部氧化的AlxGahAs層。高鋁含量的層優(yōu)選在側(cè)面通過蝕刻結(jié)構(gòu)化并且部分地局部氧化。在這些局部氧化的AlxOy區(qū)域中，可以實現(xiàn)所述抽運輻射的特別好的波導(dǎo)效果，其中X比如大于等于0.98。在局部區(qū)域中所述高鋁含量的層的氧化在那里導(dǎo)致較大的大約1.4的折射率變化，并且能夠在局部沿垂直方向?qū)崿F(xiàn)抽運光的強(qiáng)烈的光學(xué)波導(dǎo)。在所述垂直發(fā)射極區(qū)域2中，所述高鋁含量的層沒有氧化。在這種情況下大約0.13的折射率差異是比較小的，從而所述抽運波可以在所述垂直發(fā)射極層3的區(qū)域中傳播并且在那里被吸收到所述量子勢阱結(jié)構(gòu)中。
[0031]與電絕緣的AlxOy-區(qū)域相反，在未氧化的區(qū)域中借助于蝕刻坑與所述抽運源4建立導(dǎo)電接觸?？梢越柚谕该鞯慕佑|層16或者比如包含AuZn或者由AuZn制成的接觸層來進(jìn)行接觸。
[0032]作為替代方案，也可以省去所述高鋁含量的層。在這種情況下，將所述透明的接觸層16盡可能大面積地設(shè)置到所述高摻雜的接觸層18上。所述接觸層16包含透明的導(dǎo)電的氧化物(TCO)比如ZnO或ITO或者優(yōu)選由其制成。優(yōu)選所述接觸層16具有比所述抽運源4的半導(dǎo)體材料低的處于大約1.7和2.2之間的折射率。比如ZnO具有大約1.85的折射率并且ITO具有大約2.0的折射率。
[0033]一種這樣低的折射率以及由此引起的與鄰接的半導(dǎo)體層的高的折射率差異有利地實現(xiàn)了在所述抽運源4中抽運輻射的特別好的波導(dǎo)。為改進(jìn)在所述抽運源4和透明的接觸層16之間的電接觸，可以在所述高摻雜的接觸層18和透明的接觸層16之間布置薄的金屬層，該金屬層優(yōu)選為幾個單層厚，優(yōu)選大約一個單層厚。該金屬層包含下列金屬中的一種金屬或者優(yōu)選由其制成:鉻、鉬、金、鈦、銀。
[0034]作為所述半導(dǎo)體光發(fā)射裝置的結(jié)合圖1所說明的實施方式的替代方案，也可以放棄所述透明的接觸層16以及高摻雜的接觸層18。在這種情況下，在選擇性的雙步驟外延中將摻雜的具有較小折射率的波導(dǎo)層設(shè)置到所述抽運源4上。該層而后比如由具有大約45 %的鋁份額的鋁-鎵-砷化物制成并且具有I * IO17到20 * IO17CnT3的摻雜原子濃度。所述波導(dǎo)層的層厚度優(yōu)選大約為600納米。然后在這個具有較小的折射率的層上設(shè)置高摻雜的覆蓋層，所述覆蓋層比如由具有I * 102°cm_3的摻雜材料濃度的砷化鎵制成。在所述覆蓋層上可以設(shè)置形成歐姆接觸的金屬層。
[0035]朝所述半導(dǎo)體本體I的輻射穿透表面26的方向，在所述高摻雜的接觸層18的后面跟隨著所述抽運源4。所述抽運源4包括防護(hù)層19以及抽運層5。所述抽運源4優(yōu)選形成邊緣發(fā)射的激光器。為此，所述半導(dǎo)體本體I的側(cè)面至少在所述抽運源4的區(qū)域中設(shè)有對抽運輻射來說構(gòu)造為高反射結(jié)構(gòu)的-比如電介質(zhì)的-涂層。
[0036]所述抽運層5優(yōu)選包括pn-結(jié)，該pn-結(jié)設(shè)置用于借助于電泵產(chǎn)生輻射。所述抽運源4的防護(hù)層19比如由摻雜的具有大約20%的鋁濃度的鋁-鎵-砷化物制成并且具有大約兩微米的厚度。
[0037]朝所述半導(dǎo)體本體I的輻射穿透表面26的方向在所述抽運源4的后面跟隨著蝕刻停止層20。所述蝕刻停止層20實現(xiàn)了以指定方式對開口 25進(jìn)行蝕刻，通過該開口 25，在所述垂直發(fā)射極層3中產(chǎn)生的電磁輻射31可以尤其沒有損耗地離開所述半導(dǎo)體本體I。此外，所述蝕刻停止層20優(yōu)選也形成波導(dǎo)層，該波導(dǎo)層對所述抽運源4的抽運輻射來說具有小的折射率。此外，所述蝕刻停止層20優(yōu)選具有大的能帶間隙。通過這種方式，通過所述蝕刻停止層20改進(jìn)了抽運源4中的載流子封入。比如所述蝕刻停止層20由大約460納米厚的鎵-銦-磷化物-層構(gòu)成。
[0038]在所述半導(dǎo)體光發(fā)射裝置的結(jié)合圖1所說明的實施例中，在所述蝕刻停止層20的后面跟隨著波導(dǎo)層21。優(yōu)選所述波導(dǎo)層21是η-摻雜的。該波導(dǎo)層21比如具有IO17CnT3的摻雜材料濃度。該波導(dǎo)層21比如由大約1000納米厚的具有45%的鋁份額的鋁-鎵-砷化物-層構(gòu)成。
[0039]在所述波導(dǎo)層21的后面布置了生長基質(zhì)8。優(yōu)選所述生長基質(zhì)8被減薄，并且具有處于100和200微米之間的、優(yōu)選大約150微米的厚度。所述生長基質(zhì)比如由η-摻雜的具有大約2 * IO18cnT3的摻雜材料濃度的砷化鎵構(gòu)成。
[0040]在所述生長基質(zhì)8上設(shè)置了接觸金屬噴涂層22，該接觸金屬噴涂層22比如可以包含金或者由金制成。所述接觸金屬噴涂層22具有大約200納米的層厚度。
[0041]所述半導(dǎo)體本體I以其背向所述輻射穿透表面26的一面設(shè)置在散熱器(?rmespreizer) 11上。比如可以借助于比如包含錫的焊接層10將所述半導(dǎo)體本體I設(shè)置到所述散熱器11上。所述焊接層10的厚度優(yōu)選大約為兩微米。所述散熱器11比如是包含導(dǎo)熱性能良好的材料如銅或陶瓷材料的支座。
[0042]在透明的接觸層16、臺型結(jié)構(gòu)6和散熱器11之間的區(qū)域優(yōu)選被填上材料9。所述材料9是導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能特別好的材料。優(yōu)選所述材料9是金屬。
[0043]所述材料9在所述臺型結(jié)構(gòu)的環(huán)境中設(shè)置到所述半導(dǎo)體本體上，也就是說設(shè)置到高摻雜的接觸層18及所述臺型結(jié)構(gòu)的限定該臺型結(jié)構(gòu)的側(cè)面上。
[0044]優(yōu)選所述材料9是銀-或金-電鍍層。在此，銀和/或金由于其良好的導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能適合使用。優(yōu)選借助于低溫電鍍過程將所述材料9設(shè)置到所述半導(dǎo)體本體I上。
[0045]在電鍍沉積中較低的大約處于20和100攝氏度之間的過程溫度特別有利，因為所述用作半導(dǎo)體本體I的基礎(chǔ)材料的半導(dǎo)體材料以及材料9具有不同的熱膨脹系數(shù)。這比如在基于砷化物-化合物半導(dǎo)體比如GaAs (砷化鎵)的半導(dǎo)體層序列中就是這樣的情況，所述半導(dǎo)體層序列具有大約6 * IO-fV1的熱膨脹系數(shù)，在此將金層以電鍍方式設(shè)置到所述半導(dǎo)體層序列上，所述金層則具有大約14 * IO-fV1的熱膨脹系數(shù)。
[0046]在所述半導(dǎo)體光發(fā)射裝置的結(jié)合圖1所說明的實施例中，所述散熱器11以其背向所述半導(dǎo)體本體I的一面安裝到支座12上。所述散熱器11在此借助于焊接層13與所述支座12進(jìn)行機(jī)械及電連接。所述焊接層13比如由錫制成，并且具有大約兩微米的厚度。所述支座12比如可以是連接支座比如金屬芯印制電路板，借助于所述連接支座能夠電接觸所述抽運源4。
[0047]諧振腔反射鏡34，諧振腔反射鏡34和輻射穿透表面26形成外部空腔，空腔內(nèi)部設(shè)置有變頻元件32，其為頻率變換的晶體，優(yōu)選光學(xué)非線性晶體，所述在光學(xué)上非線性的晶體包括以下晶體中的至少一種:三硼酸鋰比如LiB3O5(LBO)、硼酸鉍比如BiB3O6(BiBO)、磷酸氧鈦鉀KTiOPO4(KTP)、摻雜氧化鎂的匹配適應(yīng)的鈮酸鋰比如MgO =LiNbO3(MgO:LN)、摻雜氧化鎂的化學(xué)當(dāng)量的鈮酸鋰比如MgO =S-LiNbO3(MgO:SLN)、摻雜氧化鎂的化學(xué)當(dāng)量的鉭酸鋰比如MgO =LiTaO3 (MgO:SLT)、化學(xué)當(dāng)量的LiNbO3 (SLN)、化學(xué)當(dāng)量的LiTaO3 (SLT)、RTP (RbTiOPO4)、KTA (KTiOAsO4)、RTA (RbTiOAsO4)、CTA (CsTiOAsO4)。
[0048]所述頻率變換的晶體32在其朝向輻射穿透表面26的輻射穿透表面上具有涂層41，該涂層對變換頻率的輻射來說是高反射性的。在所述涂層41上設(shè)置了另外的涂層40，所述涂層40對所述基礎(chǔ)波長的輻射31來說構(gòu)造為消除反射的。
[0049]在所述在光學(xué)上非線性的晶體32的背向所述半導(dǎo)體本體I的輻射穿透表面26的輻射穿透表面上施加了涂層42，該涂層42對基礎(chǔ)波長的輻射來說構(gòu)造為消除反射的。所述諧振腔反射鏡34對基礎(chǔ)波長的輻射來說構(gòu)造成反射性的，該諧振腔反射鏡對變換頻率的輻射來說是發(fā)送性的。
[0050]所述在光學(xué)上非線性的晶體32在這里直接安裝在所述半導(dǎo)體本體I上。通過這種方式實現(xiàn)特別緊湊的激光模塊，在該激光模塊中可以使用小于等于10毫米的諧振腔長度。這樣短的諧振腔長度允許特別高的大于IOMHz的調(diào)制頻率，而不需要處于諧振腔外部的調(diào)制裝置。
[0051]諧振腔反射鏡34靠近非線性晶體32的一側(cè)的反射面與所屬涂層42靠近上述反射面的一側(cè)的表面之間的距離設(shè)置為使得對于激光器產(chǎn)生的基礎(chǔ)波和經(jīng)過非線性晶體32后的變頻波而言，不滿足駐波產(chǎn)生的條件，這樣設(shè)置的好處在于:可以有效防止在上述反射鏡34和非線性晶體32的兩個相對的表面之間產(chǎn)生駐波，其降低了光線在上述兩個面之間來回反射，產(chǎn)生諧振的可能性，有利于進(jìn)一步提高激光器的輸出光的質(zhì)量，提高信噪比。
[0052]除此以外，可以在所述激光諧振腔中布置其它的光學(xué)元件，比如波型耦合的光學(xué)元件、相位補(bǔ)償?shù)墓鈱W(xué)元件、光學(xué)成像的元件如透鏡尤其是菲涅耳透鏡和/或可調(diào)制的部件。這些光學(xué)元件也可以部分地直接設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體(I)上或者與所述半導(dǎo)體本體(I)集成為整體。
[0053]本發(fā)明不局限于借助于所述實施例所作的說明。更確切地說，本發(fā)明包括每種新特征以及每種特征組合，這尤其包含在權(quán)利要求中所述特征的每種組合，即使這種特征或者說這種組合本身沒有明確地在權(quán)利要求或者實施例中得到說明。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體光發(fā)射裝置，包括半導(dǎo)體本體(I)，該半導(dǎo)體本體具有 -表面發(fā)射性的包括垂直發(fā)射極層(3)的垂直發(fā)射極區(qū)域(2)， -至少一個設(shè)置用于光學(xué)抽運所述垂直發(fā)射極層(3)的抽運源(4)，和 -輻射穿透表面(26)，在所述垂直發(fā)射極層中產(chǎn)生的電磁輻射(31)通過該輻射穿透表面(26)離開， 其特征在于還包括:光學(xué)變頻非線性晶體(32)， 諧振腔反射鏡(43)， 在所述光學(xué)變頻非線性晶體靠近所述反射鏡(43)的一側(cè)形成有光學(xué)涂層(42)諧振腔反射鏡(34)靠近非線性晶體(32)的一側(cè)的反射面與所述涂層(42)靠近上述反射面的一側(cè)的表面之間的距離設(shè)置為使得對于所述垂直發(fā)射極層(3)發(fā)射的基礎(chǔ)波和經(jīng)過非線性晶體(32)后的變頻波而言，不滿足駐波產(chǎn)生的條件。
2.如權(quán)利要求1所述的光發(fā)射裝置，所述光發(fā)射裝置為半導(dǎo)體激光器。
3.如權(quán)利要求1所述的光發(fā)射裝置，所述非線性晶體直接設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體上。
【文檔編號】H01S5/14GK103811996SQ201210442010
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月7日
【發(fā)明者】耿振民 申請人:無錫華御信息技術(shù)有限公司