一種用于提高led出光效率工藝的制作方法
【專(zhuān)利摘要】LED芯片發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分被芯片與外界的界面反射，因此導(dǎo)致LED芯片光的損失；當(dāng)芯片發(fā)出藍(lán)光激發(fā)熒光粉，使熒光粉發(fā)出黃光，這些黃光很容易入射到芯片內(nèi)部，芯片吸收黃光使芯片發(fā)出非藍(lán)光的光。本發(fā)明提出一種用于提高LED芯片出光效率及防止黃光進(jìn)入LED芯片產(chǎn)生干擾光的薄膜及制備薄膜的方法，薄膜沉積在LED芯片表面上，膜系為雙層增透膜，厚度對(duì)藍(lán)光來(lái)說(shuō)是藍(lán)光波長(zhǎng)的四分之一倍；對(duì)黃光來(lái)說(shuō)制作一定厚度的薄膜使黃光通過(guò)薄膜全部反射，無(wú)透射光。薄膜鍍膜方法是采用電子槍蒸發(fā)沉積薄膜方法。在LED芯片上鍍上該膜，使LED出光效率有效提高9％。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種用于提高LED出光效率工藝
[0001]
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明專(zhuān)利涉及一種用于提高LED芯片出光效率及防止干擾光的薄膜和薄膜制備方法。
技術(shù)背景
[0003]半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)在全球已經(jīng)興起。在國(guó)家中長(zhǎng)期科技規(guī)劃戰(zhàn)略研討會(huì)議上，已將“新世紀(jì)照明工程”推薦為重大項(xiàng)目，發(fā)展半導(dǎo)體照明工程已經(jīng)到了新時(shí)期?，F(xiàn)在功率型白光LED的光效100~1201m/W，而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場(chǎng)，其光效還有待提高。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED的量子效率，同時(shí)還要求在LED的封裝及燈具的設(shè)計(jì)制作過(guò)程中盡可能提高出光效率?，F(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界(環(huán)氧樹(shù)脂)的界面反射，因此導(dǎo)致LED芯片光的損失。藍(lán)光芯片激發(fā)黃色熒光粉使熒光粉發(fā)出黃光，芯片吸收黃光光子，會(huì)使芯片發(fā)出雜光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服上述缺點(diǎn)，本發(fā)明提出一種用于提高LED出光效率及防止干擾光的薄膜，該薄膜可以減少藍(lán)光自L(fǎng)ED芯片發(fā)出時(shí)的反射，提高LED芯片的出光效率；及防止熒光粉發(fā)出的黃光進(jìn)入芯片，鍍一層對(duì)黃光全反射膜。其基本原理是:LED芯片材料折射率很高，在可見(jiàn)光 折射率達(dá)到3.6， 如果芯片發(fā)出的光直接出射，則由于界面反射，損失的光能有:
【權(quán)利要求】
1.一種用于提高LED芯片出光效率及防止干擾光的薄膜，其特征在于:薄膜是沉積在LED芯片表面上，膜系為雙層增透膜，材料選取對(duì)藍(lán)光全透膜選TiO2作為膜材料；對(duì)黃光反射膜選ZnS MgF作為膜材料。厚度對(duì)藍(lán)光來(lái)說(shuō)是藍(lán)光波長(zhǎng)的四分之一倍；對(duì)黃光來(lái)說(shuō)制作一定厚度的薄膜使黃光通過(guò)薄膜全部反射，無(wú)透射黃光。
2.一種用于提高LED芯片出光效率及防止干擾光的薄膜，其特征在于:采用電子槍蒸發(fā)沉積薄膜方法。
【文檔編號(hào)】H01L33/44GK103811625SQ201210441734
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月5日
【發(fā)明者】朱忠才 申請(qǐng)人:江蘇穩(wěn)潤(rùn)光電有限公司