專(zhuān)利名稱(chēng)：一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池的減反射膜結(jié)構(gòu)，尤其是疊層減反射膜結(jié)構(gòu)，具體是一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池是把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置，太陽(yáng)能電池片的轉(zhuǎn)換效率一般定義為電池片的輸出功率與入射到電池片表面的太陽(yáng)光總功率之比。太陽(yáng)光照射到電池片表面是會(huì)發(fā)生反射和折射，為提高電池片的轉(zhuǎn)換效率，則要盡量減少反射損失。減反射膜的制作直接影響著太陽(yáng)能電池對(duì)入射光的反射率，對(duì)太陽(yáng)能電池效率的提高起著非常重要的作用。
目前在晶體硅太陽(yáng)能電池的大規(guī)模生產(chǎn)中主要使用PEV⑶方法鍍單層或雙層氮化硅膜、二氧化硅膜、二氧化鈦膜或者其中兩種膜的組合來(lái)降低太陽(yáng)能電池表面的反射損失，增加太陽(yáng)能電池的鈍化效果，從而提高晶體硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。但現(xiàn)有的單層或雙層膜，雖然已經(jīng)能夠起到較好的鈍化和減反射效果，但其反射率依然很高，單層膜的反射率在6. 5%-7%，雙層膜的反射率在5. 8%-6. 1%，仍然存在較多的反射損失，晶體硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率依然很低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，通過(guò)一種降低電池表面對(duì)光的反射，提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的晶體硅太陽(yáng)能電池四層減反射膜。本發(fā)明的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于包括在硅片表面依次沉積氮氧化硅膜層、二氧化鈦膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層。所述的氮氧化硅膜層的厚度為5-12nm，折射率為2. 16-2. 35。所述的氮氧化硅膜層的厚度為8nm。所述的二氧化鈦膜層的厚度為15-20nm，折射率為1. 96-2. 08。所述的二氧化鈦膜層的厚度為18nm。所述的氮化硅膜層的厚度為25-35nm，折射率為1. 78-1. 92nm。所述的氮化硅膜層的厚度為30nm。所述的二氧化硅膜層的厚度為40-50nm，折射率為1. 44-1. 55。所述的二氧化硅膜層的厚度為45nm。所述四個(gè)膜層的折射率從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次減小，所述四個(gè)膜層的厚度從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次增大。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明提供的減反射膜，包括依次沉積在硅片上的氮氧化硅膜層、二氧化鈦膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層，其中二氧化鈦膜層對(duì)電池片生產(chǎn)過(guò)程中的大多數(shù)化學(xué)物質(zhì)都有很好的化學(xué)穩(wěn)定性，其折射率高和吸收率低，氮化硅膜層對(duì)硅片具有良好的鈍化效果，二氧化硅膜層具有高損傷閾值和優(yōu)良的光學(xué)性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的優(yōu)良特性，因此，能夠很好地提高光學(xué)轉(zhuǎn)換效率。


圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、硅片，2、氮氧化硅膜層，3、二氧化鈦膜層，4、氮化硅膜層，5、二氧化硅膜層。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
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如圖1所示。一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，在太陽(yáng)能電池硅片I表面依次沉積氮氧化硅膜層2、二氧化鈦膜層3、氮化硅膜層4和二氧化硅膜層5。本發(fā)明使用的氮氧化硅膜層2的厚度為8nm，折射率為2. 16 ;二氧化鈦膜層3的厚度為18nm，折射率為2. 02 ;氮化硅膜層4的厚度為30nm，折射率為1. 85 ;二氧化硅膜層5的厚度為45nm，折射率為1. 48。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于包括在硅片表面依次沉積氮氧化硅膜層、二氧化鈦膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于所述的氮氧化硅膜層的厚度為5-12nm，折射率為2. 16-2. 35。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于所述的氮氧化硅膜層的厚度為8nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于所述的二氧化鈦膜層的厚度為15-20nm，折射率為1. 96-2. 08。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于所述的二氧化鈦膜層的厚度為18nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于所述的氮化硅膜層的厚度為25-35nm，折射率為1. 78-1. 92nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于所述的氮化硅膜層的厚度為30nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于所述的二氧化硅膜層的厚度為40-50nm，折射率為1. 44-1. 55。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于所述的二氧化硅膜層的厚度為45nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于所述四個(gè)膜層的折射率從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次減小，所述四個(gè)膜層的厚度從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次增大。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射膜，其特征在于包括在硅片表面依次沉積氮氧化硅膜層、二氧化鈦膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層。四個(gè)膜層的折射率從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次減小，所述四個(gè)膜層的厚度從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次增大。其中二氧化鈦膜層對(duì)電池片生產(chǎn)過(guò)程中的大多數(shù)化學(xué)物質(zhì)都有很好的化學(xué)穩(wěn)定性，其折射率高和吸收率低，氮化硅膜層對(duì)硅片具有良好的鈍化效果，二氧化硅膜層具有高損傷閾值和優(yōu)良的光學(xué)性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的優(yōu)良特性，因此，本發(fā)明的減反射膜能夠很好地提高光學(xué)轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號(hào)H01L31/0216GK103000705SQ20121040169
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月22日
發(fā)明者張晨, 張森林 申請(qǐng)人:江蘇晨電太陽(yáng)能光電科技有限公司