專利名稱：一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法，其用封裝材料以及該封裝材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝技術(shù)，具體涉及全固態(tài)薄膜鋰離子電池方法，該方法采用的封裝材料以及封裝材料的制備方法。
背景技術(shù)：
隨著電子工業(yè)的發(fā)展，目前很多微電子設(shè)備需要可集成低電流輸出的微型電源，例如，微型移植醫(yī)學(xué)設(shè)備(心律調(diào)節(jié)器、神經(jīng)刺激器及藥劑輸送系統(tǒng))、基于CMOS的集成電路、銀行防盜跟蹤系統(tǒng)、電子防盜保護(hù)、微型氣體傳感器、微型庫侖計(jì)、“智能”安全卡、平坦曲線無線資產(chǎn)跟蹤標(biāo)識(shí)、電子記錄跟蹤系統(tǒng)以及其它微型設(shè)備均需要超薄、輕便、高能量電 源。全固態(tài)薄膜鋰離子電池是鋰離子電池發(fā)展的最新領(lǐng)域，其厚度可達(dá)毫米甚至微米級(jí)，除了有重量輕、容量密度高、壽命長、抗震、耐沖撞和體積小等優(yōu)點(diǎn)外，還具有以下優(yōu)點(diǎn)
(I)可根據(jù)產(chǎn)品的要求設(shè)計(jì)成任意形狀；(2)可組裝在不同材料的基底上；(3)可用標(biāo)準(zhǔn)的沉積條件實(shí)現(xiàn)薄膜電池的制備；(4)工作溫度窗口寬(-15 150°C ); (5)沒有固液接觸界面，減小了固液界面電阻；(6)電池工作時(shí)沒有氣體產(chǎn)物，安全系數(shù)高。全固態(tài)薄膜鋰離子電池所具有的上述優(yōu)點(diǎn)使其成為微電子器件的理想電源。在全固態(tài)薄膜鋰離子電池的生產(chǎn)中，封裝是決定電池成品率和壽命的重要步驟，在封裝時(shí)，需保證電池在數(shù)微米的薄膜上充分控制水蒸氣和氧分子透過量的性能?，F(xiàn)有技術(shù)對(duì)于全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法是在電池表面涂一層高分子膠，所得封裝層的致密度小，封裝性能不夠理想，且穩(wěn)定性差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種新的全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法，所得封裝層的致密度高、環(huán)境穩(wěn)定性好。本發(fā)明同時(shí)還要提供一種致密度高、環(huán)境穩(wěn)定性好的全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料。本發(fā)明同時(shí)還要提供一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料的制備方法，由其所得封裝材料致密度高、環(huán)境穩(wěn)定性好。為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明采取的一種技術(shù)方案是
一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法，該封裝方法是以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，通過射頻磁控濺射方法在其外表面依次形成厚度為3(T500nm的硅氮化合物層和厚度為3(T500nm的硅氧化合物層。根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步和優(yōu)選方案所述的封裝方法具體包括如下步驟
①、以純度大于等于99. 999%的高純硅作為靶材，以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，安裝好靶材和基片后，關(guān)閉濺射室，將濺射室抽真空至I. OX 10_4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的由氦氣與氮?dú)獍大w積比O. 2 1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. I 3Pa ；
②、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；
③、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氮化合物層；
④、將濺射室抽真空至1.0X10_4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的氦氣與氧氣按體積比O. 2^1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. Γ3Ρβ ；
⑤、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；
⑥、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氧化合物層。優(yōu)選地，在濺射過程中，控制襯底的溫度為12(T350°C。將襯底控制在該溫度下，可 以獲得良好的硅氮化合物層和硅氧化合物層，提高微電池的可靠性。 優(yōu)選地，步驟①中，所述高純硅由粉末冶金方法制得。優(yōu)選地，步驟①中，所述高純硅的晶粒度為1(Γ 5μπι，相對(duì)密度大于等于99%，直徑為55 65mm。本發(fā)明采取的又一技術(shù)方案是一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料，其為硅氮化合物層和形成在硅氮化合物層上的硅氧化合物層構(gòu)成的薄膜硅氮化合物層和硅氧化合物層均通過射頻磁控濺射方法形成，二者的厚度獨(dú)立地為3(T500nm。進(jìn)一步地，所述封裝材料通過如下步驟制備得到
①、以純度大于等于99.999%的高純硅作為靶材，以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，安裝好靶材和基片后，關(guān)閉濺射室，將濺射室抽真空至I. OX 10_4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的由氦氣與氮?dú)獍大w積比O. 2 1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. I 3Pa ；
②、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；
③、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氮化合物層；
④、將濺射室抽真空至1.0X10_4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的氦氣與氧氣按體積比
O.2^1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. Γ3Ρβ ；
⑤、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；
⑥、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氧化合物層。優(yōu)選地，步驟①中，所述高純硅由粉末冶金方法制得。優(yōu)選地，步驟①中，所述高純硅的晶粒度為1(Γ 5μπι，相對(duì)密度大于等于99%。本發(fā)明采取的又一技術(shù)方案是一種上述的全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料的制備方法，其包括如下步驟
①、以純度大于等于99. 999%的高純硅作為靶材，以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，安裝好靶材和基片后，關(guān)閉濺射室，將濺射室抽真空至I. OX KT4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的由氦氣與氮?dú)獍大w積比O. 2 1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至
O.I 3Pa ；②、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；
③、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氮化合物層；
④、將濺射室抽真空至1.0X10_4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的氦氣與氧氣按體積比
O.2^1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. Γ3Ρβ ；
⑤、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；
⑥、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氧化合物層。優(yōu)選地，步驟①中，所述高純硅由粉末冶金方法制得。
優(yōu)選地，步驟①中，所述高純硅的晶粒度為1(Γ 5μπι，相對(duì)密度大于等于99%。優(yōu)選地，在濺射過程中，控制襯底的溫度為12(T350°C。將襯底控制在該溫度下，可以獲得良好的硅氮化合物層和硅氧化合物層，提高微電池的可靠性。由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果
本發(fā)明提供的封裝方法操作簡單、方便，所形成的封裝層與電池表面之間結(jié)合力強(qiáng)，封裝層本身致密度高、環(huán)境穩(wěn)定性好，有助于提高全固態(tài)薄膜鋰離子電池的使用可靠性和延長其壽命。本發(fā)明提供的封裝材料能夠確保電池在反復(fù)充放電的過程中，無水分透過封裝層，且封裝層不出現(xiàn)結(jié)合力小、剝落等現(xiàn)象，是一種理想的全固態(tài)薄膜鋰離子電池理想的封裝層材料。本發(fā)明提供的封裝材料的制備方法，是直接在全固態(tài)薄膜鋰離子電池上形成封裝層，也即完成封裝的方法，具有操作簡單，方便以及所得封裝材料致密度高、環(huán)境穩(wěn)定性好等優(yōu)勢(shì)。


圖I為實(shí)施例I所形成的硅氮化合物層表面的掃描電鏡 圖2為實(shí)施例I所形成的硅氮化合物層在厚度方向上的掃描電鏡 圖3為實(shí)施例I所形成的硅氧化合物層的掃描電鏡 圖4為實(shí)施例I所獲得封裝材料在厚度方向的掃描電鏡圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的說明，但本發(fā)明不限于以下實(shí)施例。實(shí)施例I
本實(shí)施例提供一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法(或全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料的制備方法)，它具體包括如下步驟
①、以高純硅(采用粉末冶金的方法制得，晶粒度1(Γ15微米，相對(duì)密度大于99%，純度大于99. 999%,直徑為60mm)作為祀材，以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，安裝好靶材和基片后,關(guān)閉濺射室,將濺射室抽真空至I. 0Xl(T4Pa，充入I個(gè)大氣壓的由氦氣與氮?dú)獍大w積比O. 3:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. 5Pa ；②、預(yù)濺射15min，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；
③、設(shè)定濺射功率范圍為3W/cm2，靶基距離為60mm，濺射時(shí)間為5小時(shí)，形成薄膜狀的硅氮化合物層(SiNx)；
④、將濺射室抽真空至I.0Xl(T4Pa，充入I個(gè)大氣壓的氦氣與氧氣按體積比O. 4:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至I. 2Pa ；
⑤、預(yù)派射15min,以清理祀材表面的氧化層和雜質(zhì)；
⑥、設(shè)定濺射功率范圍為3W/cm2，靶基距離為60mm，濺射時(shí)間為5小時(shí)，形成薄膜狀的硅氧化合物層(SiOx)；
⑦關(guān)閉濺射設(shè)備，待基片冷卻至室溫，將基片取出，測(cè)量。參見圖I至圖4，可見，本實(shí)施例所制備在全固態(tài)薄膜鋰離子電池表面形成的封 裝材料(封裝層)是SiNx/SiOx結(jié)構(gòu)的雙層薄膜，SiNx層和SiOx層的厚度分別約315nm和267nm。SiNx層和SiOx層表面的致密度非常高，可有效控制水蒸氣和氧分子的透過量。此夕卜，與已有的涂高分子膠所形成的封裝層的相比，本發(fā)明所形成的封裝層環(huán)境穩(wěn)定性具有顯著優(yōu)勢(shì)。實(shí)施例2
本實(shí)施例提供一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法(或全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料的制備方法)，它具體包括如下步驟 ①、以高純硅(采用粉末冶金的方法制得，晶粒度1(Γ15微米，相對(duì)密度大于99%，純度大于99. 999%,直徑為60mm)作為祀材，以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，安裝好靶材和基片后,關(guān)閉濺射室,將濺射室抽真空至I. 0Xl(T4Pa，充入I個(gè)大氣壓的由氦氣與氮?dú)獍大w積比I: I構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. 5Pa ；
②、預(yù)濺射15min，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；
③、設(shè)定濺射功率范圍為I.5W/cm2，靶基距離為50mm，濺射時(shí)間為3小時(shí)，形成薄膜狀的硅氮化合物層(SiNx)；
④、將濺射室抽真空至I.OX 10_4Pa，充入I個(gè)大氣壓的氦氣與氧氣按體積比O. 2:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至I. 2Pa ；
⑤、預(yù)派射15min,以清理祀材表面的氧化層和雜質(zhì)；
⑥、設(shè)定濺射功率范圍為I.5W/cm2，靶基距離為50mm，濺射時(shí)間為3小時(shí)，形成薄膜狀的硅氧化合物層(SiOx)；
⑦關(guān)閉濺射設(shè)備，待基片冷卻至室溫，將基片取出，測(cè)量。同樣，用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察和測(cè)量封裝材料的厚度和觀察表面致密性。結(jié)果表明，本實(shí)施例制備的封裝層是SiNx/SiOx結(jié)構(gòu)的雙層薄膜，SiNx層和SiOx層的厚度分別約6Inm和47nm。SiNx層和SiOx層表面的致密度非常高。實(shí)施例3
本實(shí)施例提供一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法(或全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料的制備方法)，它具體包括如下步驟
①、以高純硅(采用粉末冶金的方法制得，晶粒度1(Γ15微米，相對(duì)密度大于99%，純度大于99. 999%,直徑為60mm)作為祀材，以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，安裝好靶材和基片后,關(guān)閉濺射室,將濺射室抽真空至I. 0Xl(T4Pa，充入I個(gè)大氣壓的由氦氣與氮?dú)獍大w積比O. 5:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. 5Pa ；
②、預(yù)濺射15min，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；
③、設(shè)定濺射功率范圍為5W/cm2，靶基距離為80mm，濺射時(shí)間為6小時(shí)，形成薄膜狀的硅氮化合物層(SiNx)；
④、將濺射室抽真空至I.0X10_4Pa，充入I個(gè)大氣壓的氦氣與氧氣按體積比1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至I. 2Pa ；
⑤、預(yù)派射15min,以清理祀材表面的氧化層和雜質(zhì)；
⑥、設(shè)定濺射功率范圍為5W/cm2，靶基距離為80mm，濺射時(shí)間為6小時(shí)，形成薄膜狀的硅氧化合物層(SiOx)；
⑦關(guān)閉濺射設(shè)備，待基片冷卻至室溫，將基片取出，測(cè)量。同樣，用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察和測(cè)量封裝材料的厚度和觀察表面致密 性。結(jié)果表明，本實(shí)施例制備的封裝層是SiNx/SiOx結(jié)構(gòu)的雙層薄膜，SiNx層和SiOx層的厚度分別約419nm和388nm。SiNx層和SiOx層表面的致密度非常高。上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法，其特征在于所述封裝方法是以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，通過射頻磁控濺射方法在其外表面依次形成厚度為3(T500nm的硅氮化合物層和厚度為3(T500nm的硅氧化合物層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法，其特征在于所述的封裝方法具體包括如下步驟 ①、以純度大于等于99.999%的高純硅作為靶材，以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，安裝好靶材和基片后，關(guān)閉濺射室，將濺射室抽真空至I. OX KT4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的由氦氣與氮?dú)獍大w積比O. 2 1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. I 3Pa ； ②、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)；③、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氮化合物層； ④、將濺射室抽真空至1.0X10_4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的氦氣與氧氣按體積比O. 2^1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. Γ3Ρβ ； ⑤、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)； ⑥、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氧化合物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法，其特征在于在濺射過程中，控制襯底的溫度為12(T350°C。
4.一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料，其特征在于所述封裝材料為硅氮化合物層和形成在所述硅氮化合物層上的硅氧化合物層構(gòu)成的薄膜，所述硅氮化合物層和所述硅氧化合物層均通過射頻磁控濺射方法形成，二者的厚度獨(dú)立地為3(T500nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料，其特征在于所述封裝材料通過如下步驟制備得到 ①、以純度大于等于99.999%的高純硅作為靶材，以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，安裝好靶材和基片后，關(guān)閉濺射室，將濺射室抽真空至I. OX KT4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的由氦氣與氮?dú)獍大w積比O. 2 1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. I 3Pa ； ②、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)； ③、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氮化合物層； ④、將濺射室抽真空至1.0X10_4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的氦氣與氧氣按體積比O. 2^1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. Γ3Ρβ ； ⑤、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)； ⑥、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氧化合物層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料，其特征在于步驟①中，所述高純硅由粉末冶金方法制得。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料，其特征在于步驟①中，所述高純硅的晶粒度為1(Γ15 μ m,相對(duì)密度大于等于99%。
8.—種如權(quán)利要求4所述的全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料的制備方法，其特征在于包括如下步驟 ①、以純度大于等于99.999%的高純硅作為靶材，以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，安裝好靶材和基片后，關(guān)閉濺射室，將濺射室抽真空至I. OX 10_4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的由氦氣與氮?dú)獍大w積比O. 2 1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. I 3Pa ； ②、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)； ③、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氮化合物層； ④、將濺射室抽真空至1.0X10_4Pa或以下，充入I個(gè)大氣壓的氦氣與氧氣按體積比O. 2^1:1構(gòu)成的混合氣體，再將室內(nèi)氣體壓強(qiáng)抽至O. Γ3Ρβ ； ⑤、預(yù)濺射，以清理靶材表面的氧化層和雜質(zhì)； ⑥、設(shè)定濺射功率范圍為lW/cnT6W/cm2，靶基距離為40mnTl00mm，濺射時(shí)間為2 10小時(shí)，形成薄膜狀的所述硅氧化合物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料的制備方法，其特征在于步驟①中，所述高純硅的晶粒度為1(Γ 5μπι，相對(duì)密度大于等于99%。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的全固態(tài)薄膜鋰離子電池用封裝材料的制備方法，其特征在于在濺射過程中，控制襯底的溫度為12(T350°C。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝方法，其用封裝材料及封裝材料的制備方法，該封裝方法是以待封裝的全固態(tài)薄膜鋰離子電池為襯底，通過射頻磁控濺射方法在其外表面依次形成厚度為30~500nm的硅氮化合物層和厚度為30~500nm的硅氧化合物層。封裝材料即為厚度為30~500nm的硅氮化合物層和厚度為30~500nm的硅氧化合物層構(gòu)成的薄膜；封裝材料的制備方法同電池的封裝方法。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中全固態(tài)薄膜鋰離子電池的封裝層致密度低，環(huán)境穩(wěn)定性差等不足。
文檔編號(hào)H01M2/08GK102832412SQ20121033837
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月13日
發(fā)明者鐘小亮, 王廣欣, 王樹森 申請(qǐng)人:蘇州晶純新材料有限公司