專利名稱：一種傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及影像檢測技術(shù)，特別是涉及一種傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著人們自我保健意識的逐漸增強，各種無損傷醫(yī)療檢測方法受到人們的青睞。在諸多的無損傷檢測方法中，計算機斷層掃描技術(shù)已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用到我們的現(xiàn)實生活中。在計算機斷層掃描設(shè)備的組成中，必不可缺的一個部分就是傳感器。傳感器的基本結(jié)構(gòu)如圖I所示，該傳感器12的每個感測單元包括一個光電二極管13和一個場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor, FET) 14，場效應(yīng)晶體管14的柵極與傳感器12的掃描線(Gate Line) 15連接，場效應(yīng)晶體管14的漏極與傳感器12的數(shù)據(jù)線(Data Line) 16連接，光電二極管13與場效應(yīng)晶體管14的源極連接；數(shù)據(jù)線16的一端通·過連接引腳17連接數(shù)據(jù)讀出電路18。傳感器的工作原理為傳感器12通過掃描線15施加驅(qū)動掃描信號來控制場效應(yīng)晶體管14的開關(guān)狀態(tài)。當場效應(yīng)晶體管14被打開時，光電二極管13產(chǎn)生的光電流信號依次通過與場效應(yīng)晶體管14連接的數(shù)據(jù)線16、數(shù)據(jù)讀出電路18而輸出，通過控制掃描線15與數(shù)據(jù)線16上的信號時序來實現(xiàn)光電流信號的采集功能，即通過控制場效應(yīng)管14的開關(guān)狀態(tài)來實現(xiàn)對光電二極管13產(chǎn)生的光電流信號采集的控制作用。目前，傳感器通常采用薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)平板結(jié)構(gòu),這種傳感器在斷面上分為多層，例如在一個感測單元內(nèi)包括基板、柵極層、柵極絕緣層、有源層、源極與漏極層、鈍化層、PIN光電傳感器的PI結(jié)和透明電極窗口層，以及偏壓線層和擋光條層等。當然，不同傳感器由于具體結(jié)構(gòu)的差異，在斷面上的具體圖層也不盡相同。通常，傳感器的各個圖層都是通過構(gòu)圖(MASK)工藝形成的，而每一次MASK工藝通常包括掩模、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工序。現(xiàn)有傳感器在制造時通常需要采用9至11次構(gòu)圖工藝，這樣就對應(yīng)的需要9至11張光罩掩模板，傳感器的制造成本較高，且制造工藝較為復雜，產(chǎn)能較難提升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種傳感器及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的傳感器的制造成本較高，且制造工藝較為復雜，產(chǎn)能較難提升的技術(shù)問題。本發(fā)明傳感器，包括襯底基板、呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線、由所述一組柵線和一組數(shù)據(jù)線所界定的多個呈陣列狀排布的感測單元，每個感測單元包括薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件，其中，所述薄膜晶體管器件包括位于襯底基板之上并與相鄰的柵線連接的柵極；位于柵極之上并覆蓋基板的柵極絕緣層；位于柵極絕緣層之上、柵極上方的有源層；位于有源層之上的歐姆層；位于歐姆層之上并相對而置形成溝道的源極和漏極，所述漏極與相鄰的數(shù)據(jù)線連接；以及位于源極、漏極和溝道之上的鈍化保護層；
所述光電二極管傳感器件包括與源極連接的接收電極、位于接收電極之上的光電二極管、位于光電二極管之上的透明電極，以及在透明電極的上方與透明電極連接的偏壓線，所述偏壓線平行于柵線設(shè)置。本發(fā)明傳感器的制造方法，包括在襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成柵線的圖形、與柵線連接的柵極的圖形；形成覆蓋基板的柵極絕緣層，并在柵極絕緣層之上形成位于柵極上方的有源層的圖形、位于有源層之上的歐姆層的圖形、位于歐姆層之上并相對而置形成溝道的源極和漏極的圖形、與漏極連接的數(shù)據(jù)線的圖形和與源極連接的接收電極的圖形；通過一次構(gòu)圖工藝形成位于源極、漏極和溝道之上的鈍化保護層的圖形；通過一次構(gòu)圖工藝形成位于接收電極之上的光電二極管的圖形，以及位于光電二·極管之上的透明電極的圖形；通過一次構(gòu)圖工藝形成第一鈍化層的圖形，所述第一鈍化層在透明電極的上方具有通孔；通過一次構(gòu)圖工藝形成位于第一鈍化層之上、并在透明電極的上方通過通孔與透明電極連接的偏壓線的圖形，以及位于源極、漏極及溝道上方的擋光條的圖形。本發(fā)明所提出的傳感器的薄膜晶體管器件為底柵型，傳感器可共采用七次或八次構(gòu)圖工藝制作形成，對比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。


圖I為現(xiàn)有傳感器的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明傳感器的一個感測單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明傳感器的制造方法第一實施例的流程示意圖；圖4為本發(fā)明傳感器的制造方法第二實施例的流程示意圖；圖5為圖2的A-A處在第一次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖6為圖2的B-B處在第一次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖7為圖2的A-A處在第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖8為圖2的B-B處在第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖9為圖2的A-A處在第三次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖10為圖2的B-B處在第三次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖11為圖2的A-A處在第四次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖12為圖2的B-B處在第四次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖13為圖2的A-A處在第五次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖14為圖2的B-B處在第五次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖15為圖2的A-A處在第六次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖16為圖2的B-B處在第六次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖17為圖2的A-A處在第七次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖18為圖2的B-B處在第七次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖19為圖2的A-A處在本發(fā)明方法第二實施例的第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖20為圖2的B-B處在本發(fā)明方法第二實施例的第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖。附圖標記12-傳感器13-光電二極管(現(xiàn)有技術(shù))14-場效應(yīng)晶體管15-掃描線16-數(shù)據(jù)線(現(xiàn)有技術(shù))17-連接引腳18-數(shù)據(jù)讀出電路30-柵線31-數(shù)據(jù)線32-襯底基板33-源極34-漏極35-歐姆層36-有源層37-柵極絕緣層38-柵極39-接收電極40-光電二極管·41-透明電極57-第二鈍化層40a_N型半導體40b_I型半導體40c-P型半導體43-第一鈍化層42-偏壓線52-擋光條53-鈍化保護層55-有源材料層56-歐姆材料層
具體實施例方式為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的傳感器的制造成本較高，且制造工藝較為復雜的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種傳感器及其制造方法。在本發(fā)明以下實施例中，所述傳感器包含多種類型，例如X射線傳感器等。如圖2、圖17和圖18所示，本發(fā)明傳感器，包括襯底基板32、呈交叉排列的一組柵線30和一組數(shù)據(jù)線31、由所述一組柵線30和一組數(shù)據(jù)線31所界定的多個呈陣列狀排布的感測單元，每個感測單元包括薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件，其中，所述薄膜晶體管器件包括位于襯底基板32之上并與相鄰的柵線30連接的柵極38 ;位于柵極38之上并覆蓋基板的柵極絕緣層37 ;位于柵極絕緣層37之上、柵極38上方的有源層36 ;位于有源層36之上的歐姆層35 ;位于歐姆層35之上并相對而置形成溝道的源極33和漏極34，所述漏極34與相鄰的數(shù)據(jù)線31連接；以及位于源極33、漏極34和溝道之上的鈍化保護層53 ；所述光電二極管傳感器件包括與源極33連接的接收電極39、位于接收電極39之上的光電二極管40、位于光電二極管40之上的透明電極41，以及在透明電極41的上方與透明電極41連接的偏壓線42，所述偏壓線42平行于柵線30設(shè)置。本發(fā)明中，所述襯底基板32可以為玻璃基板、塑料基板或其他材料的基板；所述柵線30、柵極38、數(shù)據(jù)線31、源極33、漏極34、接收電極39、偏壓線42和下文中所提及的擋光條52 (其作用是為減少光線對溝道的影響)的材質(zhì)可以為鋁釹合金(AINd)、鋁(Al)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鑰鎢合金(MoW)或鉻(Cr)的單層膜，也可以為這些金屬材料任意組合所構(gòu)成的復合膜，厚度通常在150納米至450納米之間；歐姆層35的材質(zhì)可以為摻雜質(zhì)半導體(n+a-Si);有源層36的材質(zhì)可以為非晶硅(a_Si )，厚度在30納米至250納米之間；柵極絕緣層37的材質(zhì)可以為氮化硅，厚度在300納米至500納米之間；鈍化保護層53可以采用氮化硅或樹脂等，厚度在150納米至400納米之間，可以與下文中的第一鈍化層43和第二鈍化層57采用相同的材質(zhì)，當薄膜晶體管器件形成后，在刻蝕形成光電二極管和透明電極時，鈍化保護層可有效保護溝道不被刻蝕破壞；透明電極41的材質(zhì)可以為氧化銦錫等。在圖18所示的實施例中，所述光電二極管為PIN (positive, intrinsic,negative，簡稱PIN)型光電二極管，包括位于接收電極39之上的N型半導體(n+a_Si)40a，位于N型半導體40a之上的I型半導體(a_Si )40b，以及位于I型半導體40b之上的P型半導體(P+a-Si)40c。PIN型光電二極管具有結(jié)電容小、渡越時間短、靈敏度高等優(yōu)點。在本發(fā)明的其它實施例中，光電二極管還可以采用MIS (metal, insulative, semiconductor,金屬-絕緣體-半導體，簡稱MIS)型光電二極管等。請繼續(xù)參照圖17和圖18所示，所述傳感器，還包括在每條數(shù)據(jù)線31和每個光電二極管傳感器件的接收電極39的下方，依次位于柵極絕緣層37之上的有源材料層55和歐姆材料層56 ；位于鈍化保護層53和透明電極41之上并覆蓋基板的第一鈍化層43，所述第一鈍化層43在透明電極41的上方具有連接透明電極41和偏壓線42的通孔；位于第一鈍化層43之上，并位于源極33、漏極34及溝道上方的擋光條52 ；·
位于擋光條52之上并覆蓋基板的第二鈍化層57，所述第二鈍化層57具有信號引導區(qū)過孔(圖17和圖18為一個感測單元的截面結(jié)構(gòu)，因此位于基板周邊的信號引導區(qū)過孔未在圖中示出)。該優(yōu)選實施例中，所述數(shù)據(jù)線31、源極33、漏極34和接收電極39的材質(zhì)相同；所述擋光條52和偏壓線42的材質(zhì)相同；所述有源材料層55和歐姆材料層56分別與有源層36和歐姆層35的材質(zhì)相同。該結(jié)構(gòu)設(shè)計的目的是為了減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)，有源材料層55和歐姆材料層56在傳感器中并未起到實際作用。第一鈍化層43 (以及下文的第二鈍化層57)可以采用無機絕緣膜，例如氮化硅等，或有機絕緣膜，例如感光樹脂材料或者非感光樹脂材料等，厚度通常在1000納米至2000納米之間。在本發(fā)明技術(shù)方案中，傳感器的薄膜晶體管器件為底柵型，傳感器可共采用七次或八次構(gòu)圖工藝制作形成，對比于現(xiàn)有技術(shù)，可減少制造過程中掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。如圖3所示實施例，本發(fā)明傳感器的制造方法，包括步驟101、在襯底基板32上通過一次構(gòu)圖工藝形成柵線30的圖形、與柵線30連接的柵極38的圖形；第一次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖5和圖6所示；一次構(gòu)圖工藝通常包括基板清洗、成膜、光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序；對于金屬層通常采用物理氣相沉積方式(例如磁控濺射法)成膜，通過濕法刻蝕形成圖形，而對于非金屬層通常采用化學氣相沉積方式成膜，通過干法刻蝕形成圖形，以下步驟道理相同，不再贅述。步驟102、形成覆蓋基板的柵極絕緣層37，并在柵極絕緣層37之上形成位于柵極38上方的有源層36的圖形、位于有源層36之上的歐姆層35的圖形、位于歐姆層35之上并相對而置形成溝道的源極33和漏極34的圖形、與漏極34連接的數(shù)據(jù)線31的圖形和與源極33連接的接收電極39的圖形；第二次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖7和圖8所示。步驟103、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于源極33、漏極34和溝道之上的鈍化保護層53的圖形；第三次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖9和圖10所示；設(shè)置鈍化保護層53的目的是保護薄膜晶體管器件的溝道在步驟104中不被刻蝕破壞。步驟104、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于接收電極39之上的光電二極管40 (40a、40b、40c)的圖形，以及位于光電二極管40 (40a、40b、40c)之上的透明電極41的圖形，具體包括依次沉積N型半導體層、I型半導體層、P型半導體層和透明電極層，通過一次構(gòu)圖工藝形成光電二極管40的圖形和透明電極41的圖形；在該次構(gòu)圖工藝中，透明電極41圖形可以單獨采用濕法刻蝕形成，也可以與光電二極管40的圖形同時通過干法刻蝕形成；第四次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖11和圖12所示。步驟105、通過一次構(gòu)圖工藝形成第一鈍化層43的圖形，所述第一鈍化層43在透明電極41的上方具有通孔；這是因為下一步形成的偏壓線42需要穿過通孔與透明電極41連接；第五次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖13和圖14所示。步驟106、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于第一鈍化層43之上、并在透明電極41的上方通過通孔與透明電極41連接的偏壓線42的圖形，以及位于源極33、漏極34及溝道上方的擋光條52的圖形；第六次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖15和圖16所示，所述擋光條和偏壓線的材質(zhì)相同。·此外，在步驟106之后，還進一步包括步驟107、通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋基板的第二鈍化層57的圖形，所述第二鈍化層57在基板周邊具有信號引導區(qū)過孔，第七次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖17和圖18所示。所述數(shù)據(jù)線31、源極33、漏極34和接收電極39的材質(zhì)相同，在本發(fā)明一實施例中，有源層36的圖形、歐姆層35的圖形、源極33和漏極34的圖形、數(shù)據(jù)線31的圖形和接收電極39的圖形可僅通過一次構(gòu)圖工藝形成，具體包括依次沉積有源半導體層、歐姆半導體層、數(shù)據(jù)線金屬；涂覆光刻膠；采用具有全透光區(qū)、半透光區(qū)和不透光區(qū)的灰色調(diào)掩模板對基板進行曝光，其中，不透光區(qū)對應(yīng)形成接收電極39、數(shù)據(jù)線31、漏極34和源極33的區(qū)域，半透光區(qū)對應(yīng)形成溝道的區(qū)域；該步驟所采用的掩模板可以具體為灰色調(diào)掩模板或者半色調(diào)掩模板等；顯影，去除全透光區(qū)對應(yīng)區(qū)域的光刻膠；對基板進行刻蝕，形成接收電極39的圖形、數(shù)據(jù)線31的圖形和有源層36的圖形；對基板進行灰化，去除半透光區(qū)對應(yīng)區(qū)域的光刻膠；對基板進行刻蝕和光刻膠剝離，形成歐姆層35的圖形、源極33和漏極34的圖形，所述源極33和漏極34相對而置形成溝道。此外，如圖4所示，在本發(fā)明另一實施例中，步驟102可通過兩次構(gòu)圖工藝形成，具體包括步驟102a、形成覆蓋基板的柵極絕緣層37，并通過一次構(gòu)圖工藝形成位于柵極38上方的有源層36的圖形、位于有源層36之上的歐姆層35的圖形；該次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖19和圖20所示。步驟102b、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于歐姆層35之上并相對而置形成溝道的源極33和漏極34的圖形、與漏極34連接的數(shù)據(jù)線31的圖形和與源極33連接的接收電極39的圖形；該次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖7和圖8所示?？梢姡景l(fā)明傳感器的制造方法可共采用七次或八次構(gòu)圖工藝，對比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)?！?br> 權(quán)利要求
1.一種傳感器，其特征在于，包括襯底基板、呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線、由所述一組柵線和一組數(shù)據(jù)線所界定的多個呈陣列狀排布的感測單元，每個感測單元包括薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件，其中， 所述薄膜晶體管器件包括位于襯底基板之上并與相鄰的柵線連接的柵極；位于柵極之上并覆蓋基板的柵極絕緣層；位于柵極絕緣層之上、柵極上方的有源層；位于有源層之上的歐姆層；位于歐姆層之上并相對而置形成溝道的源極和漏極，所述漏極與相鄰的數(shù)據(jù)線連接；以及位于源極、漏極和溝道之上的鈍化保護層； 所述光電二極管傳感器件包括與源極連接的接收電極、位于接收電極之上的光電二極管、位于光電二極管之上的透明電極，以及在透明電極的上方與透明電極連接的偏壓線，所述偏壓線平行于柵線設(shè)置。
2.如權(quán)利要求I所述的傳感器，其特征在于，還包括 在每條數(shù)據(jù)線和每個光電二極管傳感器件的接收電極的下方，依次位于柵極絕緣層之上的有源材料層和歐姆材料層，所述有源材料層和歐姆材料層分別與有源層和歐姆層的材質(zhì)相同。
3.如權(quán)利要求I或2所述的傳感器，其特征在于，還包括 位于鈍化保護層和透明電極之上并覆蓋基板的第一鈍化層，所述第一鈍化層在透明電極的上方具有連接透明電極和偏壓線的通孔； 位于第一鈍化層之上，并位于源極、漏極及溝道上方的擋光條； 位于擋光條之上并覆蓋基板的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有信號引導區(qū)過孔。
4.如權(quán)利要求3所述的傳感器，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極和接收電極的材質(zhì)相同；所述擋光條和偏壓線的材質(zhì)相同。
5.如權(quán)利要求3所述的傳感器，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，包括位于接收電極之上的N型半導體，位于N型半導體之上的I型半導體，以及位于I型半導體之上的P型半導體。
6.一種傳感器的制造方法，其特征在于，包括 在襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成柵線的圖形、與柵線連接的柵極的圖形； 形成覆蓋基板的柵極絕緣層，并在柵極絕緣層之上形成位于柵極上方的有源層的圖形、位于有源層之上的歐姆層的圖形、位于歐姆層之上并相對而置形成溝道的源極和漏極的圖形、與漏極連接的數(shù)據(jù)線的圖形和與源極連接的接收電極的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于源極、漏極和溝道之上的鈍化保護層的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于接收電極之上的光電二極管的圖形，以及位于光電二極管之上的透明電極的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝形成第一鈍化層的圖形，所述第一鈍化層在透明電極的上方具有通孔； 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于第一鈍化層之上、并在透明電極的上方通過通孔與透明電極連接的偏壓線的圖形，以及位于源極、漏極及溝道上方的擋光條的圖形。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成偏壓線的圖形和擋光條的圖形之后，進一步包括 通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋基板的第二鈍化層的圖形，所述第二鈍化層具有信號引導區(qū)過孔。
8.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，包括N型半導體、I型半導體和P型半導體；所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極和接收電極的材質(zhì)相同；所述擋光條和偏壓線的材質(zhì)相同。
9.如權(quán)利要求6、7或8所述的制造方法，其特征在于，所述有源層的圖形、歐姆層的圖形、源極和漏極的圖形、數(shù)據(jù)線的圖形和接收電極的圖形通過一次構(gòu)圖工藝形成，具體包括 依次沉積有源半導體層、歐姆半導體層、數(shù)據(jù)線金屬，并在數(shù)據(jù)線金屬之上涂覆光刻膠； 采用具有全透光區(qū)、半透光區(qū)和不透光區(qū)的掩模板對基板進行曝光，其中，不透光區(qū)對應(yīng)形成接收電極、數(shù)據(jù)線、漏極和源極的區(qū)域，半透光區(qū)對應(yīng)形成溝道的區(qū)域； 對基板進行顯影、刻蝕，形成接收電極的圖形、數(shù)據(jù)線的圖形和有源層的圖形； 對基板進行灰化、刻蝕和光刻膠剝離，形成歐姆層的圖形、源極和漏極的圖形，所述源極和漏極相對而置形成溝道。
10.如權(quán)利要求6、7或8所述的制造方法，其特征在于，所述有源層的圖形、歐姆層的圖形、源極和漏極的圖形、數(shù)據(jù)線的圖形和接收電極的圖形通過兩次構(gòu)圖工藝形成，具體包括 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于柵極上方的有源層的圖形、位于有源層之上的歐姆層的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于歐姆層之上并相對而置形成溝道的源極和漏極的圖形、與漏極連接的數(shù)據(jù)線的圖形和與源極連接的接收電極的圖形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種傳感器及其制造方法，所述傳感器包括襯底基板、呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線、由所述一組柵線和一組數(shù)據(jù)線所界定的多個呈陣列狀排布的感測單元，每個感測單元包括薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件，其中，所述薄膜晶體管器件為底柵型；所述光電二極管傳感器件包括與源極連接的接收電極、位于接收電極之上的光電二極管、位于光電二極管之上的透明電極，以及在透明電極的上方與透明電極連接的偏壓線，所述偏壓線平行于柵線設(shè)置。對比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提出的傳感器在制造工藝上減少了掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。
文檔編號H01L27/146GK102790063SQ20121026256
公開日2012年11月21日 申請日期2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月26日
發(fā)明者徐少穎, 謝振宇, 陳旭 申請人:北京京東方光電科技有限公司