專利名稱：基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于疊片結(jié)構(gòu)制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法。
背景技術(shù)：
在機(jī)械結(jié)構(gòu)中經(jīng)常需要使用疊片結(jié)構(gòu)。例如，在電機(jī)、變壓器、繼電器、電磁軸承等工作在交變磁場(chǎng)下的設(shè)備中，為了減小渦流損失，通常將鐵芯設(shè)計(jì)為硅鋼片疊片的形式。疊片的形式需要根據(jù)具體工作環(huán)境確定，對(duì)于交變磁場(chǎng)的鐵芯而言，需要根據(jù)工作狀態(tài)下可能出現(xiàn)的主要渦流方向確定。制造疊片的主要方法包括線切割和沖壓。在某些特定場(chǎng)合，工作環(huán)境決定了疊片結(jié)構(gòu)復(fù)雜，每片疊片都具有復(fù)雜的空間形狀，且形狀各不相同。在這種情況下，現(xiàn)有的技術(shù)方案存在以下問題不采用疊片結(jié)構(gòu)，直接 使用整體式結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致不能完全滿足工作要求，以交變磁場(chǎng)的鐵芯為例，整體式結(jié)構(gòu)渦流能量損失大，鐵芯發(fā)熱嚴(yán)重，且由于渦流儲(chǔ)能，磁場(chǎng)響應(yīng)速度變慢；采用線切割工藝制造疊片，導(dǎo)致只能制造平面結(jié)構(gòu)或者簡(jiǎn)單空間結(jié)構(gòu)，無法制造復(fù)雜空間結(jié)構(gòu)；采用沖壓工藝制造疊片，導(dǎo)致對(duì)于每種形狀的疊片需要制造一件模具，當(dāng)疊片種類很多時(shí)，生產(chǎn)模具的成本極其高昂，且生產(chǎn)用時(shí)很長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的問題是復(fù)雜疊片結(jié)構(gòu)制造困難，成本高昂，本發(fā)明的目的是提出一種成本低廉、生產(chǎn)用時(shí)短的復(fù)雜疊片結(jié)構(gòu)生產(chǎn)工藝。(二)技術(shù)方案為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法，其包括SI、根據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制定工藝要求；S2、制作結(jié)構(gòu)模具；S3、向所述模具噴鍍第一層鍍層；S4、待上一層鍍層穩(wěn)定后，向其上噴鍍新一層鍍層；S5、若工藝要求中的所有鍍層都已噴鍍完畢，則結(jié)束；否則轉(zhuǎn)至S4。優(yōu)選地，所述模具的作用是作為疊片結(jié)構(gòu)的骨架。本發(fā)明還提供了一種基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法，其包括SI、根據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制定工藝要求；S2、制作芯材；S3、向所述芯材噴鍍第一層鍍層；S4、待上一層鍍層穩(wěn)定后，向其上噴鍍新一層鍍層；S5、若工藝要求中的所有鍍層都已噴鍍完畢，則結(jié)束；否則轉(zhuǎn)至S4。優(yōu)選地，所述芯材的作用是作為疊片結(jié)構(gòu)的骨架。本發(fā)明又提供了一種基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法，其特包括SI、根據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制定工藝要求；S2、制作外殼；S3、向所述外殼噴鍍第一層鍍層；S4、待上一層鍍層穩(wěn)定后，向其上噴鍍新一層鍍層；S5、若工藝要求中的所有鍍層都已噴鍍完畢，則結(jié)束；否則轉(zhuǎn)至S4。優(yōu)選地，所述外殼的作用是作為疊片結(jié)構(gòu)的骨架。
優(yōu)選地，噴鍍材料和厚度由工藝要求決定。優(yōu)選地，通過化學(xué)鍍替代噴鍍。優(yōu)選地，通過電鍍替代噴鍍。優(yōu)選地，通過涂層替代噴鍍。(三)有益效果與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案并非對(duì)片狀型材進(jìn)行切割和彎曲等操作制造疊片結(jié)構(gòu)，而是用噴鍍方式直接制造，因此不受材料切割、彎曲等性能的影響，可以適用于多種材料。


·下面參照附圖并結(jié)合實(shí)例來進(jìn)一步描述本發(fā)明。其中圖I為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。根據(jù)本發(fā)明的噴鍍工藝制造復(fù)雜疊片結(jié)構(gòu)的方法，其步驟包括SI、根據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制定工藝要求；S2、制作結(jié)構(gòu)模具或芯材或外殼；其中，所述模具、芯材、外殼的作用是作為疊片結(jié)構(gòu)的骨架；S3、向所述模具或芯材或外殼上噴鍍第一層鍍層；其中，噴鍍材料和厚度由工藝要求決定；S4、待上一層鍍層穩(wěn)定后，向其上噴鍍新一層鍍層；其中，噴鍍材料和厚度由工藝要求決定；S5、若工藝要求中的所有鍍層都已噴鍍完畢，則結(jié)束；否則轉(zhuǎn)至S4。根據(jù)本發(fā)明的噴鍍工藝制造復(fù)雜疊片結(jié)構(gòu)的方法，其中，可以通過化學(xué)鍍、電鍍或者涂層工藝替代噴鍍工藝。本發(fā)明的技術(shù)方案并非對(duì)片狀型材進(jìn)行切割和彎曲等操作，因此疊片結(jié)構(gòu)形狀不受切割、彎曲等機(jī)床工作能力的限制，原則上可以用于制造具有任意空間形狀的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的技術(shù)方案不需要片狀型材，因此不受型材供貨限制，原則上可以制造任意薄的疊片結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的技術(shù)方案不需要沖壓、折彎等操作，因此不需要沖壓、折彎等模具，僅需要支承工裝，所需模具工裝數(shù)量少，精度要求低，因此總生產(chǎn)時(shí)間短，成本低。本發(fā)明的描述是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無遺漏的或者將本發(fā)明限于所公開的形式。很多修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯然的。選擇和描述實(shí)施例是為了更好說明本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，包括51、根據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制定工藝要求；52、制作結(jié)構(gòu)模具；53、向所述模具噴鍍第一層鍍層；54、待上一層鍍層穩(wěn)定后，向其上噴鍍新一層鍍層；55、若工藝要求中的所有鍍層都已噴鍍完畢，則結(jié)束；否則轉(zhuǎn)至S4。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于所述模具的作用是作為疊片結(jié)構(gòu)的骨架。
3.一種基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，包括51、根據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制定工藝要求；52、制作芯材；53、向所述芯材噴鍍第一層鍍層；54、待上一層鍍層穩(wěn)定后，向其上噴鍍新一層鍍層；55、若工藝要求中的所有鍍層都已噴鍍完畢，則結(jié)束；否則轉(zhuǎn)至S4。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述芯材的作用是作為疊片結(jié)構(gòu)的骨架。
5.一種基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，包括51、根據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制定工藝要求；52、制作外殼；53、向所述外殼噴鍍第一層鍍層；54、待上一層鍍層穩(wěn)定后，向其上噴鍍新一層鍍層；55、若工藝要求中的所有鍍層都已噴鍍完畢，則結(jié)束；否則轉(zhuǎn)至S4。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述外殼的作用是作為疊片結(jié)構(gòu)的骨架。
7.如權(quán)利要求1 6之一所述的方法,其特征在于噴鍍材料和厚度由工藝要求決定。
8.如權(quán)利要求1飛之一所述的方法，其特征在于通過化學(xué)鍍替代噴鍍。
9.如權(quán)利要求1飛之一所述的方法，其特征在于通過電鍍替代噴鍍。
10.如權(quán)利要求1飛之一所述的方法，其特征在于通過涂層替代噴鍍。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種基于噴鍍的疊片結(jié)構(gòu)制造方法，其包括S1、根據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制定工藝要求；S2、制作結(jié)構(gòu)模具；S3、向所述模具噴鍍第一層鍍層；S4、待上一層鍍層穩(wěn)定后，向其上噴鍍新一層鍍層；S5、若工藝要求中的所有鍍層都已噴鍍完畢，則結(jié)束；否則轉(zhuǎn)至S4。與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案并非對(duì)片狀型材進(jìn)行切割和彎曲等操作制造疊片結(jié)構(gòu)，而是用噴鍍方式直接制造，因此不受材料切割、彎曲等性能的影響，可以適用于多種材料。
文檔編號(hào)H01F41/02GK102800474SQ20121024674
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月16日
發(fā)明者孫喆, 于溯源, 趙晶晶, 楊國(guó)軍, 李悅 申請(qǐng)人:清華大學(xué)