專利名稱：制造電磁輻射探測(cè)器的方法及通過該方法獲得的探測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開內(nèi)容涉及電磁輻射探測(cè)器，并且更具體地涉及用于制造這種探測(cè)器的方法。本公開內(nèi)容更具體地涉及紅外光譜范圍并且特別地涉及近紅外范圍以及可見光范圍。
背景技術(shù)：
電磁輻射探測(cè)器通常由用于探測(cè)待探測(cè)的電磁波的電子電路形成，因此對(duì)對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)范圍是靈敏的，并且以已知的方式，連續(xù)地將電磁輻射轉(zhuǎn)變成電信號(hào)。這樣的探測(cè)電路與意圖轉(zhuǎn)換由探測(cè)電路生成的電信號(hào)的電子讀取電路相關(guān)聯(lián)，尤其是通過放大電信號(hào)以使得其能夠經(jīng)受后續(xù)處理來關(guān)聯(lián)?！じ唧w地，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種探測(cè)器，該探測(cè)器通過公知的倒裝芯片技術(shù)，利用混接凸點(diǎn)(hybridization bump)或微凸點(diǎn)(microbump),由與通常由娃制成的讀取電路相混接的探測(cè)電路形成，并且從背側(cè)探測(cè)目標(biāo)輻射。所考慮的探測(cè)器包括基于通式為HgCdTe的合金來形成其探測(cè)電路的那些探測(cè)器，所述合金材料對(duì)紅外電磁輻射的吸收是公知的。該材料通常通過液相外延或氣相外延獲得，或者通過分子束外延獲得，所述分子束外延是基于由固體CdZnTe合金形成的襯底，或者，作為一個(gè)變化方案，基于Si、Ge或AsGa型的半導(dǎo)體襯底，其中在所述基于Si、Ge或AsGa型的半導(dǎo)體襯底上已經(jīng)預(yù)先沉積基于CdTe或CdZnSeTe的網(wǎng)格參數(shù)適配層(meshparameter adaptation layer)。在下面的描述中，除非另有說明，如果該襯底由固體CdZnTe或涂有CdTe或CdZnSeTe層的半導(dǎo)體制成，則將用通式Cd(Zn)Te表示。這樣的Cd(Zn)Te襯底的厚度可能通常在200微米與800微米之間變化。其幾乎不吸收待探測(cè)的輻射，尤其是紅外線。但是，當(dāng)期望探測(cè)器對(duì)近紅外范圍靈敏或?qū)梢姽夥秶`敏時(shí)，產(chǎn)生了問題。實(shí)際上，Cd(Zn)Te襯底吸收在近紅外波長(zhǎng)范圍或可見光波長(zhǎng)范圍內(nèi)的入射輻射，由此，探測(cè)到的信號(hào)減少并且并沒有實(shí)現(xiàn)Cd(Zn)Te襯底的用途。由于相同的原因，在天文學(xué)方面產(chǎn)生相同的問題，因?yàn)檫@樣的Cd (Zn) Te襯底也吸收宇宙輻射，該宇宙輻射之后以HgCdTe吸收材料變得靈敏的波長(zhǎng)被再次發(fā)射，這導(dǎo)致產(chǎn)生不期望的幻像。為了解決這些難題，因此期望在讀取電路上混接探測(cè)電路之后能夠移除Cd(Zn)Te生長(zhǎng)襯底。出于該目的，一種已知的方法包括在讀取電路上混接探測(cè)電路的步驟之后對(duì)Cd(Zn)Te襯底進(jìn)行機(jī)械拋光或化學(xué)-機(jī)械拋光，以將其從幾百微米的標(biāo)稱厚度降至幾十微米的厚度，通常為5微米至80微米。 這樣的拋光步驟可以繼之以在HgCdTe上使用溶液選擇性地蝕刻CdZnTe的化學(xué)蝕刻步驟或用其代替。在HgCdTe上通過化學(xué)溶液蝕刻CdZnTe的選擇性是由于兩種材料在其界面處的汞和鎘組成的差異而引起的。當(dāng)材料的組成變得更接近CdZnTe襯底的組成時(shí)，選擇性降低。經(jīng)驗(yàn)顯示，其中在HgCdTe材料上的CdZnTe材料的化學(xué)蝕刻選擇性保持可利用的組成極限在X = O. 5的鎘原子組成時(shí)達(dá)到,其中所述HgCdTe材料用式Hg(1_x)CdxTe描述。在CdZnTe襯底與Hg(1_x)CdxTe材料之間具有逐漸的組成轉(zhuǎn)換。實(shí)際上，在由Hg(1_x)CdxTe合金制成的探測(cè)層在Cd(Zn)Te襯底上的外延生長(zhǎng)期間，在活性Hg(1_x)CdxTe層與襯底之間產(chǎn)生了鎘組成梯度，這起因于■在液相外延情況下的CdZnTe襯底和Hg(1_ x)CdxTe外延之間的相互擴(kuò)散；■或者，分子束外延或氣相外延中生長(zhǎng)參數(shù)的連續(xù)調(diào)節(jié)。襯底與吸收材料之間的轉(zhuǎn)換是逐漸的這一事實(shí)與化學(xué)蝕刻缺乏選擇性相關(guān)聯(lián)，因此，其意味著在外延期間產(chǎn)生的組成梯度的一部分在CdZnTe襯底的化學(xué)蝕刻期間消失。通過化學(xué)拋光或化學(xué)-機(jī)械拋光以及隨后的化學(xué)蝕刻來移除CdZnTe的常規(guī)方法提供了高度起作用的探測(cè)器，所述高度起作用的探測(cè)器具有對(duì)光敏Hg(1_x)CdxTe材料的富汞組成即Xed <0.4的受控制造效率。在可見光波長(zhǎng)內(nèi)，Hg(1_x)CdxTe材料的吸收系數(shù)大約在IO4CnT1與IO5CnT1之間的范圍內(nèi)換言之，目標(biāo)輻射的大部分被非常迅速地吸收(幾百納米)。對(duì)靠近Hg(1_x)CdxTe探測(cè)材料的層的背面的光子的吸收產(chǎn)生了電子-空穴對(duì)(光載流子)。在富汞Hg(1_x)CdxTe的情況下，殘余的鎘組成梯度以及相關(guān)聯(lián)的傳導(dǎo)性和價(jià)電子帶的電位梯度足以將光載流子從背面驅(qū)除而不使光載流子在位于表面處的復(fù)合中心上復(fù)合(不滿意的自由鍵、缺陷...)。之后，光載流子可以擴(kuò)散到正面，在該處光載流子被讀取電路收集。在較低的Hg(1_x)CdxTe汞組成( > O. 4)的情況下，殘余的組成梯度和相關(guān)聯(lián)的電位梯度變得不足以將光電子從背面驅(qū)除，使得所述光載流子在位于表面處的復(fù)合中心上復(fù)合。此時(shí)，當(dāng)光載流子在靠近表面處生成并且因此光載流子對(duì)應(yīng)具有最高吸收因數(shù)的短波長(zhǎng)的光子時(shí)，光載流子復(fù)合更加影響光載流子。因此，可以觀測(cè)到根據(jù)探測(cè)器區(qū)域變化的低波長(zhǎng)中的靈敏性的損失。換言之，由Cd(Zn)Te襯底與HgCdTe探測(cè)材料之間的外延所產(chǎn)生的組成梯度產(chǎn)生了將載流子斥向背側(cè)的帶隙梯度，使得位于汞原子組成大于O. 6的HgCdTe材料的表面處的可能復(fù)合中心不影響探測(cè)功能。相反地，移除CdZnTe生長(zhǎng)襯底的方法在CdZnTe與HgCdTe之間選擇性不足，其導(dǎo)致在外延期間產(chǎn)生的鎘組成梯度(以及，補(bǔ)充地，汞組成梯度)的部分或全部消失，使得位于HgCdTe材料的表面處的復(fù)合中心引起靠近背側(cè)的光生載流子的復(fù)合，因此引起探測(cè)器在低波長(zhǎng)中的靈敏性的損失。本發(fā)明的目的是克服這些問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的第一個(gè)目的是一種能夠處理混接在讀取電路上的探測(cè)電路的由HgCdTe制成的探測(cè)層的背側(cè)的具體方法，所述方法在常規(guī)的機(jī)械處理或化學(xué)機(jī)械過程和/或作為替代的化學(xué)蝕刻過程之后進(jìn)行，趨向于移除CdZnTe生長(zhǎng)襯底，以抑制復(fù)合中心在所述表面上存在，并由此避免光載流子與所述復(fù)合載流子復(fù)合。因此，本發(fā)明的目的特別用于移除通過液相外延或氣相外延或通過分子束外延由Hg(1_x)CdxTe制成的電磁輻射探測(cè)電路的CdZnTe生長(zhǎng)襯底并且隨后處理生長(zhǎng)襯底與移除所述生長(zhǎng)襯底之后獲得的探測(cè)材料之間的界面的方法，其中所述電磁輻射特別為在紅外或可見光范圍內(nèi)的電磁輻射，并且所述探測(cè)電路混接在讀取電路上。
該方法包括使生長(zhǎng)襯底經(jīng)受機(jī)械拋光或化學(xué)-機(jī)械拋光或化學(xué)蝕刻以移除所述襯底，并且隨后使由此獲得的組合件經(jīng)受碘處理。換言之，本發(fā)明包括執(zhí)行傳統(tǒng)的生長(zhǎng)襯底移除方法，特別是通過機(jī)械拋光或化學(xué)-機(jī)械拋光和/或通過化學(xué)蝕刻移除生長(zhǎng)襯底，并且之后，在執(zhí)行這些常規(guī)步驟之后，使組合件經(jīng)受化學(xué)碘處理，尤其是通過浸沒在具有適當(dāng)成分的浴中，通常浸沒在酸性KI/I2/HBr或ΗΙ/Ι2水溶液中。因此，通過例如KI/I2/HBr的水溶液對(duì)執(zhí)行常規(guī)的機(jī)械拋光或化學(xué)-機(jī)械拋光和/或常規(guī)的化學(xué)蝕刻之后所獲得的組件進(jìn)行處理，導(dǎo)致形成非常薄的表面單質(zhì)碘膜，其直接交聯(lián)在表面上并且隨時(shí)間和溫度穩(wěn)定。該表面膜使得能夠抑制或至少中和在HgCdTe吸收材料的表面處存在的復(fù)合中心換言之，碘膜誘導(dǎo)所述表面鈍化。所述浴也可以由溶解在醇中的分子碘形成，并且特別是I2_MeOH?？梢栽O(shè)想在化學(xué)酸性碘處理以前，但是在拋光之后，使所述生長(zhǎng)襯底經(jīng)受化學(xué)蝕刻以移除殘余的CdZnTe厚度。在任何情況下，本發(fā)明的方法的目的是鈍化HgCdTe材料的背面且同時(shí)盡可能少地蝕刻它。在下面的結(jié)合附圖的對(duì)具體實(shí)施方式
的非限制性的描述中，將討論本發(fā)明的在前的和其他的特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖IA至IC是根據(jù)本發(fā)明的電磁輻射探測(cè)器的簡(jiǎn)化橫截面圖，其示出用于從HgCdTe探測(cè)材料移除CdZnTe生長(zhǎng)襯底的方法的不同步驟。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的探測(cè)電路由通過對(duì)紅外輻射透明的支撐4上的金相生長(zhǎng)而獲得的HgCdTe合金的層3形成。在描述的示例中，生長(zhǎng)襯底或支撐4由CdZnTe合金制成。作為一個(gè)變化方案，其可以用單晶半導(dǎo)體襯底(Si、Ge或AsGa)代替，在生長(zhǎng)相之前在所述單晶生長(zhǎng)襯底上已經(jīng)沉積了具有幾微米厚度的基于CdTe的網(wǎng)格適配層。例如，形成該層的材料可以是CdSeZnTe型的四元合金。通過液相外延、氣相外延或甚至分子束外延來執(zhí)行生長(zhǎng)。該生長(zhǎng)方法導(dǎo)致在實(shí)際的吸收層3與CdZnTe襯底4之間產(chǎn)生在某種程度上位于區(qū)域3與襯底4之間的界面處的鎘組成變化區(qū)域5。換言之，區(qū)域5位于生長(zhǎng)襯底與吸收區(qū)域3之間的界面處。在通過液體外延獲得生長(zhǎng)的情況下，組成變化區(qū)域是沒有被清楚地界定的相互擴(kuò)散區(qū)域。吸收層3的另一表面，即，與組成變化區(qū)域5相對(duì)的表面具有形成于其上的二極管6。借助于凸點(diǎn)或微凸點(diǎn)，特別是由銦2制成的微凸點(diǎn)，通過公知的混接技術(shù)獲得由組合件3、4、5形成的探測(cè)電路與通常由硅技術(shù)制成的讀取電路I之間的連接，并且例如如文件FR2646558中描述的那樣。 該微凸點(diǎn)2確保了探測(cè)組合件與讀取電路I的正機(jī)械連接以及使得由電磁輻射與探測(cè)電路的相互反應(yīng)所產(chǎn)生的電信號(hào)能夠傳遞到讀取電路的電傳導(dǎo)性。如作為發(fā)明背景所指出的，本發(fā)明的探測(cè)器提供了背側(cè)探測(cè)，即，從探測(cè)區(qū)域3的電路的背側(cè)執(zhí)行探測(cè)。因此，出于該目的，應(yīng)移除所述探測(cè)層3的Cd(Zn)Te生長(zhǎng)襯底4。因此，在硅讀取電路1(圖Ia)上混接探測(cè)電路3、4、5之后，實(shí)施化學(xué)-機(jī)械拋光Cd(Zn)Te襯底4的第一步驟。該拋光步驟也可以使用機(jī)械研磨步驟來代替。該步驟使得能夠抑制Cd(Zn)Te支撐的大部分厚度并且可以進(jìn)一步地與通過在HgCdTe與Cd(Zn)Te之間具有選擇性的蝕刻溶液而進(jìn)行的第一化學(xué)作用一起。例如，該溶液由氫氟酸、硝酸和乙酸浴形成。假設(shè)生長(zhǎng)襯底由其上已經(jīng)沉積有CdTe材料的層的單晶半導(dǎo)體形成，則可以通過在所考慮的半導(dǎo)體與CdTe基層之間具有選擇性的簡(jiǎn)單化學(xué)作用引發(fā)對(duì)所述襯底的抑制。這導(dǎo)致圖Ib的簡(jiǎn)化圖，其中只有殘余的組成變化區(qū)域5'與吸收材料區(qū)域或由Hg(1_x)CdxTe制成的探測(cè)層3保持接觸。由于組成變化區(qū)域5'在在前一步驟期間經(jīng)受了部分的機(jī)械或化學(xué)蝕刻，所以該區(qū)域被稱作殘余的組成變化區(qū)域5'。如在發(fā)明背景部分中討論的，區(qū)域5'的自由表面7存在對(duì)近紅外探測(cè)或可見光探測(cè)產(chǎn)生問題的大量活性復(fù)合中心。隨后，可以使由混接在讀取電路上的探測(cè)電路形成的組合件首先經(jīng)受通過浸沒到IM的鹽酸中進(jìn)行的所述區(qū)域5'的表面脫氧處理。在去離子水中沖洗組合件后，隨后通過浸沒使相同的組合件在碘化蝕刻溶液中經(jīng)受從幾秒到幾分鐘或到幾十分鐘變化的時(shí)間段的處理。該溶液通常具有以下成分■分子碘KT1M 至 KT5M ；■氫溴酸HBr，O. 09M 至 9M ；■去離子水。還可以使用同樣為O. 09M至9M的氫碘酸HI來代替氫溴酸,或者通過具有相同的摩爾濃度的鹽酸HCl來代替氫溴酸。還可以設(shè)想在溶液中引入SM至OM的具有加速碘(I2)的溶解和使溶液穩(wěn)定的功能的碘化鉀(KI)。在該溶液的情況下，可以觀察到通常為I至6000納米/每分鐘的殘余組成變化區(qū)域Y的上層的蝕刻速度。隨后，在去離子水和氮吹掃中沖洗大約5分鐘之后，可觀察由碘形成的非常薄的表面膜8的形成，其中所述碘通過共價(jià)鍵直接化學(xué)鍵合到殘余的組成變化區(qū)域5'的與讀取電路上的混接表面相對(duì)的表面。薄膜8用作鈍化層并且實(shí)際上禁止傳統(tǒng)上存在于殘余組成變化區(qū)域5'的表面處的活性復(fù)合中心，所述殘余組成變化區(qū)域5 ^源自使CdZnTe生長(zhǎng)襯底變薄或移除CdZnTe生長(zhǎng)襯底的常規(guī)方法。該非常薄的碘膜8 (通常是一個(gè)原子單層)在殘余組成變化區(qū)域5'處的形成尤其可通過XPS (X-射線光電光譜學(xué))光譜的變化來觀察，XPS光譜示出了鎘3d和汞4f的能量峰值偏移，該能量峰值偏移表征碘分別與形成殘余組成變化區(qū)域5'的材料的鎘和汞之間的共價(jià)鍵的產(chǎn)生。應(yīng)指出，還可以通過橢圓對(duì)稱探測(cè)到通過酸處理的對(duì)所述層的表面改性，S卩，通過基于光極化變化的特征化和表面分析的光技術(shù)，通過在樣品的平面上反射光；該橢圓對(duì)稱分析導(dǎo)致了 Hg(1_x)CdxTe的實(shí)的光學(xué)指數(shù)和虛的光學(xué)指數(shù)的變化。使由此獲得的組件暴露于高溫，通常在145°C處暴露10分鐘，其不更改處理過的 表面并且因此示出碘化的表面網(wǎng)絡(luò)8的時(shí)間和溫度穩(wěn)定性。由于能夠在移除Cd(Zn)Te襯底之后執(zhí)行熱處理，而不失去通過碘的表面鈍化的益處，因此，該結(jié)果完全有利。因此，這使得能夠?qū)⒌馓幚聿⑷爰t外組件、特別是冷卻的紅外組件的制造中涉及的技術(shù)處理的序列中。就探測(cè)特性而言，該鈍化的獲得使得能夠?qū)⑻綔y(cè)器的脆弱性降低至在選擇性化學(xué)蝕刻步驟中使Cd(Zn)Te襯底與由Hg(1_x)CdxTe制成的活性探測(cè)層之間的組成梯度部分或全部消失。由此，源自靠近表面處吸收的、通常具有400納米至800納米的最短波長(zhǎng)的光子的光載流子不再在探測(cè)電路的背側(cè)上復(fù)合，并且之后可以通過讀取電路收集。在前述實(shí)施例中，已經(jīng)使用了在酸性介質(zhì)中的碘化溶液的具體組成?？梢允褂玫馑徕?KIO3)來代替碘化鉀。本發(fā)明也針對(duì)其中分子碘形成和/或被穩(wěn)定化的任意方法，例如，在前述實(shí)施例中，使用醇來代替水作為溶劑的系統(tǒng)。重要的是在溶液中具有可得到的分子碘。當(dāng)然，本發(fā)明可能具有本領(lǐng)域技術(shù)人員所容易想到的各種替換、更改和改進(jìn)方案。這些替換、更改和改進(jìn)方案也是該公開內(nèi)容的一部分，并且也在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。因此，前面的描述僅是作為示例并且不是意在限制。僅按照下面的權(quán)利要求和權(quán)利要求的等同物來限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底(4)的方法，所述電磁輻射特別是在紅外范圍或可見光范圍內(nèi)的電磁福射，所述探測(cè)電路包括由通過液相外延或氣相外延或通過分子束外延獲得的Hg(1_x)CdxTe制成的探測(cè)所述輻射的層(3)，所述探測(cè)電路混接在讀取電路(I)上，所述方法包括 使所述生長(zhǎng)襯底(4)經(jīng)受機(jī)械拋光或化學(xué)-機(jī)械拋光步驟或化學(xué)蝕刻步驟以減小其厚度，直至所述探測(cè)電路的材料與所述生長(zhǎng)襯底之間的界面區(qū)域； 以及使由此獲得的所述界面經(jīng)受碘處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底⑷的方法，其中碘以分子形式存在于溶液中并且其中其溶劑是水。
3.根據(jù)權(quán)利要求I和2中任一項(xiàng)所述的用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底(4)的方法，其中所述碘處理在酸性介質(zhì)中進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底(4)的方法，其中所述碘處理通過將由所述機(jī)械拋光和/或化學(xué)-機(jī)械拋光步驟和/或由所述化學(xué)蝕刻獲得的所述探測(cè)器大體上浸沒到具有以下成分的浴中來進(jìn)行 ■分子碘=KT1M至KT5M ； ■O. 09M至9M的氫溴酸HBr或氫碘酸HI ； ■去離子水。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底(4)的方法，其中在機(jī)械拋光和/或化學(xué)-機(jī)械拋光步驟或通過使組合件經(jīng)受鹽酸浴的化學(xué)蝕刻步驟之后獲得的殘余組成變化區(qū)域(5')的表面(7)的脫氧動(dòng)作之后，進(jìn)行在酸性介質(zhì)中的所述碘處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底(4)的方法，其中所述碘處理通過將由所述機(jī)械拋光和/或化學(xué)-機(jī)械拋光步驟和/或由所述化學(xué)蝕刻獲得的所述探測(cè)器大體上浸沒到具有以下成分的浴中來進(jìn)行 ■分子碘=KT1M至KT5M ； ■O. 09M至9M的鹽酸HCl ； ■去離子水。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底(4)的方法，其中碘以分子形式存在于溶液中并且其中其溶劑是醇，并且特別是I2_MeOH。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底(4)的方法，其中所述生長(zhǎng)襯底由固體Cd(Zn)Te材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底(4)的方法，其中所述生長(zhǎng)襯底由單晶半導(dǎo)體形成，在所述單晶半導(dǎo)體上已經(jīng)預(yù)先沉積有具有幾微米厚度的基于CdTe的網(wǎng)格參數(shù)適配層。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至9中任一項(xiàng)所述的用于移除電磁輻射探測(cè)電路(3、4、5)的生長(zhǎng)襯底(4)的方法，其中在使所述組合件經(jīng)受所述碘處理之前，但是在所述機(jī)械拋光或化學(xué)-機(jī)械拋光步驟或所述化學(xué)蝕刻步驟之后，使所述組合件經(jīng)受化學(xué)蝕刻以移除所述生長(zhǎng)襯底的殘余厚度。
全文摘要
一種用于移除電磁輻射探測(cè)電路的生長(zhǎng)襯底的方法，所述電磁輻射特別是在紅外范圍或可見光范圍內(nèi)的電磁輻射，所述探測(cè)電路包括由通過液相外延或氣相外延或通過分子束外延而獲得的Hg(1-x)CdxTe制成的探測(cè)所述輻射的層，所述探測(cè)電路混接在讀取電路上。該方法包括使生長(zhǎng)襯底經(jīng)受機(jī)械拋光或化學(xué)-機(jī)械拋光步驟或化學(xué)蝕刻步驟以減小其厚度，直至探測(cè)電路的材料與生長(zhǎng)襯底之間的界面區(qū)域；以及使由此獲得的界面經(jīng)受碘處理。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102856429SQ201210219570
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者克里斯托夫·波泰, 阿諾·埃切伯里, 亞歷山大·考西耶, 伊莎貝爾·熱拉爾 申請(qǐng)人:法國(guó)紅外探測(cè)器公司, 國(guó)家科學(xué)研究中心