專利名稱：：電磁輻射解耦器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電磁輻射隔離或衰減裝置領(lǐng)域，更具體而言，涉及將能量耦合到RF(射頻)標(biāo)簽內(nèi)的領(lǐng)域。本發(fā)明允許使RF標(biāo)簽與降低標(biāo)簽性能的表面，例如金屬表面解耦(即隔離)。本發(fā)明涉及任何RF標(biāo)簽，尤其是依賴傳播波相互作用(與磁標(biāo)簽所表現(xiàn)出的電感耦合相對(duì)照)的RF標(biāo)簽，因而我們的優(yōu)選實(shí)施例涉及對(duì)長(zhǎng)3巨離系統(tǒng)標(biāo)簽(例如，UHF范圍和微波范圍標(biāo)簽)的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：RF標(biāo)簽廣泛應(yīng)用于物品的識(shí)別和跟蹤，尤其是商店或倉(cāng)庫(kù)環(huán)境下的物品的識(shí)別和跟蹤。就這樣的標(biāo)簽而言，通常遇到的一項(xiàng)缺點(diǎn)是，如果直接放置在金屬表面上(或者放置在與之相距幾亳米的范圍內(nèi))，那么所述標(biāo)簽的讀取范圍就會(huì)降至無(wú)法接受的水平，在更典型的情況下，將無(wú)法讀取或詢問(wèn)所述標(biāo)簽。這是因?yàn)閭鞑ゲ≧F標(biāo)簽采用內(nèi)部天線接收入射輻射天線的尺寸和幾何形狀決定著其諧振頻率，并由此左右所述標(biāo)簽的工作頻率(對(duì)于UHF(超高頻)范圍標(biāo)簽而言通常為866MHz或915MHz,對(duì)于微波范圍標(biāo)簽而言通常為2.4-2.5GHz或5.8GHz)。在將標(biāo)簽放在金屬表面附近或者使之與金屬表面直接接觸時(shí)，所述標(biāo)簽的導(dǎo)電天線與所述表面相互作用，因而劣化或者在更典型的情況下消除了其諧振特性。因此，采用UHFRF標(biāo)簽很難實(shí)現(xiàn)對(duì)盒子或箱子等金屬物品的跟蹤，因而必須采用諸如GPS的其他更為昂貴的定位系統(tǒng)。在應(yīng)用于與RF(射頻)電磁波相互作用的其他表面，例如，某些類型的玻璃以及具有相當(dāng)高的含水量的表面(例子包括具有高含水量或高樹(shù)液含量的某些類型的林材)時(shí)，UHFRFID標(biāo)簽也面臨著類似的問(wèn)題。在為含有/容納水的材料，例如，水瓶、飲料罐或人體等添加標(biāo)簽時(shí)，也會(huì)遇到問(wèn)題。解決這一問(wèn)題的一種方法是在RF標(biāo)簽和所述表面之間放置泡沫間隔體，以防止天線和所述表面之間的相互作用。就當(dāng)前可用的系統(tǒng)而言，所述泡沫間隔體通常必須至少為10-15mm厚，才能真正地4吏所述RF標(biāo)簽與所述表面間隔足夠的距離。顯然，具有這一厚度的間隔體對(duì)于很多種應(yīng)用來(lái)說(shuō)是不切實(shí)際的，并且易于受到無(wú)意中的碰撞和損壞。其他方法涉及提供獨(dú)特構(gòu)圖的天線，所述天線被設(shè)計(jì)為在特定環(huán)境下與特定的RF標(biāo)簽阻抗匹配。例如，AveryDenmson的國(guó)際專利申請(qǐng)WO2004/093249、WO2004/093246和WO2004/093242嘗試采用具有攜帶補(bǔ)償元件的天線的標(biāo)簽解決這一問(wèn)題。在考慮表面影響的情況下設(shè)計(jì)所述天線，并對(duì)其進(jìn)行調(diào)諧，以適應(yīng)特定環(huán)境或一定范圍內(nèi)的可能的環(huán)境。這一方案不需要大間隔體，但是需要相對(duì)復(fù)雜的天線設(shè)計(jì)，所述天線設(shè)計(jì)必須是阻抗匹配的，因而對(duì)于每一標(biāo)簽是不同的，因此增加了制造的成本和復(fù)雜性。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供一種起著電磁輻射解耦器材料的作用的RF標(biāo)簽的固定件，其至少能夠緩解某些與現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)相關(guān)的問(wèn)題，即，厚度、尺寸和靈活性方面的問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于電子器件的輻射解耦器，所述解耦器包括夾在至少一個(gè)第一導(dǎo)體層和至少一個(gè)第二導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)電介質(zhì)層，其中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)體層具有至少一個(gè)缺失區(qū)域，在所述缺失區(qū)域處，所述第一導(dǎo)體層未覆蓋所述電介質(zhì)層，所述解耦器適于在使用中使電磁場(chǎng)在所述第一導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域附近受到增強(qiáng)。所述第二導(dǎo)體層的長(zhǎng)度優(yōu)選是至少與所述第一導(dǎo)體層的長(zhǎng)度相同的長(zhǎng)度。更優(yōu)選地，所述第二導(dǎo)體層長(zhǎng)于所述第一導(dǎo)體層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于RF標(biāo)簽的輻射解耦器，其用于在入皿到Xmax的波長(zhǎng)范圍內(nèi)使輻射與表面解耦，所述解耦器包括夾在第一和第二導(dǎo)體層之間的電介質(zhì)層，其中，所述第一導(dǎo)體層包括通過(guò)至少一個(gè)具有亞波長(zhǎng)尺寸的開(kāi)口分隔的兩個(gè)或更多島，其中，將所述解耦器的諧振頻率選擇為與所述RF標(biāo)簽和/或RF讀取器的諧振頻率基本匹配。所述開(kāi)口為空隙或者所述第一導(dǎo)體層材料的缺失區(qū)域。兩個(gè)或更多島之間的徹底的電隔離并不是本發(fā)明的必要特征。所述第一導(dǎo)體層上的島可以是基本與相鄰的導(dǎo)電材料區(qū)域隔離的導(dǎo)電材料區(qū)域。所述的兩個(gè)或更多島優(yōu)選相互電隔離。所述電子器件或RF標(biāo)簽優(yōu)選基本位于所述缺失區(qū)域之上。還可以使電磁場(chǎng)在電介質(zhì)芯層的某些邊緣處得到增強(qiáng)，因此還可以方便地使所述電子器件位于表現(xiàn)出了增強(qiáng)的電場(chǎng)的電介質(zhì)芯層的至少一個(gè)邊緣上。至少一個(gè)具有亞波長(zhǎng)尺寸的缺失區(qū)域是指所述缺失區(qū)域沿至少一個(gè)尺寸小于入mm?？梢詫F標(biāo)簽i殳計(jì)為在任何頻率下工作，例如，所述頻率處于100MHz到600GHz的范圍內(nèi)。在優(yōu)選實(shí)施例中，所述RF標(biāo)簽為UHF(超高頻)標(biāo)簽，例如，具有芯片和天線并在866MHz、915MHz或954MHz上工作的標(biāo)簽，或者在2.4-2.5GHz或5.8GHz上工作的樣支波范圍標(biāo)簽。所述電子器件的工作波長(zhǎng)優(yōu)選與所述解耦器的基波諧振頻率基本匹配，更優(yōu)選地，所述解耦器可以在人皿n到Xmax的范圍內(nèi)為所述電子器件提供增大的讀取范圍，因而所述電子器件的工作波長(zhǎng)優(yōu)選處于入mm到入n^的范圍內(nèi)。應(yīng)當(dāng)注意，本文中所提及的波長(zhǎng)都是指真空波長(zhǎng)，除非另作說(shuō)明。所述缺失區(qū)域可以是小的分立的十字形或L形，但是更方便地可以是狹縫寬度小于入mm的狹縫。狹縫可以是導(dǎo)體層材料中的任何直線或曲充所述狹縫。本發(fā)明提供了一種起著輻射解耦器件的作用的多層結(jié)構(gòu)。第一和第二導(dǎo)體層夾著電介質(zhì)芯。在第一導(dǎo)體層含有通過(guò)缺失區(qū)域或狹縫分離的至少兩個(gè)島時(shí)，所述一個(gè)或多個(gè)缺失區(qū)域?yàn)閬啿ㄩL(zhǎng)缺失區(qū)域(即，沿至少一個(gè)尺寸小于入)或者更優(yōu)選為亞波長(zhǎng)寬度狹縫，其將所述電介質(zhì)芯暴露至空氣。方便地，在缺失區(qū)域出現(xiàn)在解耦器的周圍以形成單島時(shí)，或者在電介質(zhì)芯的至少一個(gè)邊緣形成了所述缺失區(qū)域時(shí)，所述缺失區(qū)域的寬度不必滿足亞波長(zhǎng)。應(yīng)當(dāng)注意導(dǎo)體層未必一定要與電介質(zhì)芯層直接接觸。例如，可以存可以采用在感興趣的電磁波長(zhǎng)上具有金屬或相反的導(dǎo)電響應(yīng)的任何材料作為相應(yīng)的導(dǎo)體層內(nèi)的導(dǎo)電材料。適當(dāng)?shù)牟牧系睦訛榻饘?、金屬合金、金屬?gòu)?fù)合材料或碳。這樣的導(dǎo)電材料的厚度必須滿足使其相對(duì)于所采用的電磁輻射的頻率至少部分不透明(其由阻抗失配和趨膚深度計(jì)算二者確定，所述計(jì)算是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的)。所述導(dǎo)體層材料的厚度可以大于0.10微米，所述厚度優(yōu)選處于0.25到5微米的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于1到2微米的范圍內(nèi)。如果希望，可以使該厚度增大到超過(guò)5微米，由其是在需要這樣做來(lái)確保所選擇的導(dǎo)電材料對(duì)目標(biāo)波長(zhǎng)提供了至少部分不透明的阻擋的情況下。但是，任何厚度的顯著提高都可能影響柔軟性并提高造價(jià)。顯然，對(duì)第二導(dǎo)體層沒(méi)有最大厚度要求。方便地，可以從與第一導(dǎo)體層相同的范圍內(nèi)選擇第二導(dǎo)體層的厚度?？赡芟Ｍㄟ^(guò)這樣做來(lái)保持柔軟性。解耦器結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)芯和第一導(dǎo)體層的厚度之和可以小于該結(jié)構(gòu)的總厚度中的四分之一波長(zhǎng)，因此與現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)相比更薄、更輕。電介質(zhì)層的選擇能夠使解耦器變得柔軟，從而能夠?qū)⑵涫┘拥椒瞧矫姹砻婊蚯姹砻嫔?。方便地，所述解耦器可以不是平面的，其可以采取非平面幾何形狀或曲面幾何形狀的形式。本發(fā)明的上述方面提供了兩個(gè)導(dǎo)體層來(lái)形成解耦器。但是，在將所述材料直接施加到金屬表面(例如，汽車、集裝箱、船只、機(jī)身或滾籠(rollcage))上，或者使所述材料形成所述金屬表面的組成部分的情況下，只需要第一導(dǎo)體層和電介質(zhì)芯層，因?yàn)橐坏┧霾牧闲纬闪说谝粚?dǎo)體層，并將電介質(zhì)芯施加到所述金屬結(jié)構(gòu)上，那么所述金屬結(jié)構(gòu)自身將起著第二導(dǎo)體層的作用。因此，本發(fā)明的另一方面提供了一種用于電子器件的輻射解耦器，其用于使輻射與導(dǎo)電表面解耦，所述解耦器包括與至少一個(gè)電介質(zhì)層接觸的至少一個(gè)第一導(dǎo)體層，其中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)體層具有至少一個(gè)缺失區(qū)域，在所述缺失區(qū)域處，所述第一導(dǎo)體層未覆蓋所述電介質(zhì)層，所述解耦器適于在使用中使電磁場(chǎng)在所述第一導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域附近受到增強(qiáng)。所述電子器件優(yōu)選為RF標(biāo)簽。相應(yīng)地，本發(fā)明的另一方面提供了一種用于RF標(biāo)簽的輻射解耦器，其用于在人mm到入max的范圍內(nèi)使輻射與金屬表面解耦，所述輻射解耦器包括與電介質(zhì)層接觸的導(dǎo)體層，其中，所述導(dǎo)體層包括通過(guò)至少一個(gè)具有亞波長(zhǎng)尺寸的開(kāi)口分離的兩個(gè)或更多的島，其中，將所述解耦器的諧振頻率選擇為與RF標(biāo)簽和/或RF讀取系統(tǒng)的諧振頻率基本匹配。在某些應(yīng)用中，解耦器的尺寸或覆蓋面積不重要，例如，在處于運(yùn)銷容器上時(shí)。但是，越來(lái)越多的批量生成和成批供貨的消費(fèi)品需要通過(guò)RF標(biāo)簽裝置跟蹤。因此，非常希望得到一種具有較小覆蓋面積的解耦器，因此提供了一種用于RF標(biāo)簽的單島解耦器，其用于在入腿到入max的范圍內(nèi)使輻射與表面解耦，所述解耦器包括夾在第一和第二導(dǎo)體層之間的電介質(zhì)層，其中，所述第一導(dǎo)體層包括基本位于所述解耦器上對(duì)應(yīng)于增強(qiáng)的電磁場(chǎng)的點(diǎn)處的至少一個(gè)缺失區(qū)域，其中，諸如收發(fā)器的電子器件基本位于所述缺失區(qū)域上，此外，將所述解耦器的諧振頻率選擇為與所述RF標(biāo)簽和/或RF詢問(wèn)源的諧振頻率基本匹配?？梢酝ㄟ^(guò)人^2nG確定第一導(dǎo)體層的長(zhǎng)度G,其中，n是電介質(zhì)的折射率，入是解耦器的預(yù)期工作波長(zhǎng)。顯然，這是針對(duì)第一諧波(即基波)頻率的，但是也可以采用其他諧振頻率。方便地，可能希望提供一種解耦器，其具有的長(zhǎng)度G間隔對(duì)應(yīng)于除了基波諧振頻率以外的諧波頻率。因此，可以通過(guò)入《(2nG)/N表示長(zhǎng)度G,其中，N是整數(shù)(N=l表示基波)。在大多數(shù)情況下，希望采用基波頻率，因?yàn)槠渫ǔＤ軌蛱峁┳顝?qiáng)的響應(yīng)。此外，顯然，在電介質(zhì)芯層由兩種或更多種成分的復(fù)合材料形成時(shí)，可以將折射率n看作是處于第一和第二導(dǎo)體層之間的所有組成部分的相對(duì)折射率。在分隔兩個(gè)或更多島的缺失區(qū)域或狹縫的寬度在其尺寸上大于亞波長(zhǎng)時(shí)，采用約等號(hào)，因?yàn)樗龉酱嬖谄睢?duì)于可以采用較大面積的解耦器，即，文中定義的2島或更多島的解耦器的情況下；缺失區(qū)域的這些實(shí)例可以采取分立的十字形或L形的形式，或者更方便地采取狹縫的形式。狹縫可以是直線缺失區(qū)域，所述缺失區(qū)域可以部分、全部或基本全部跨越解耦器的寬度和/或長(zhǎng)度延伸。在狹縫整個(gè)跨越解耦器延伸時(shí)，其可以形成兩個(gè)或更多電隔離島(即，在兩個(gè)區(qū)域之間存在非導(dǎo)電路徑，盡管存在共同經(jīng)受的電磁場(chǎng))。但是，如果狹縫不是充分延伸，即部分或基本全部跨越解耦器的表面延伸，那么所述島可能在狹縫的末端電連接。兩個(gè)或更多島之間的徹底的電隔離并不是本發(fā)明的必要特征。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種寬帶解耦器，所述解耦器是可以在一個(gè)以上的諧振頻率上工作的解耦器。在這一實(shí)施例中，所述解耦器還包括與第二電介質(zhì)層相鄰的第三導(dǎo)體層，其中，所述第三導(dǎo)體層具有至少一個(gè)缺失區(qū)域，在所述缺失區(qū)域處，所述第三導(dǎo)體層不覆蓋所述第二電介質(zhì)，并且其中，所述第二電介質(zhì)層位于所述第三導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)體層之間。為了獲得寬帶解耦器，所述第一導(dǎo)體層優(yōu)選與所述第三導(dǎo)體層具有不同的長(zhǎng)度?？梢詫⑦@樣的寬帶解耦器設(shè)置為(例如)在RF標(biāo)簽的公共工作頻率上工作。因而，可以將若干個(gè)不同的RF標(biāo)簽中的任何一個(gè)安裝在解耦器上的適當(dāng)點(diǎn)上，并使其正常工作。此外，在使用當(dāng)中，每者具有不同工作頻率的兩個(gè)不同的電子器件，例如RF標(biāo)簽可以位于適當(dāng)調(diào)諧的第一和第三導(dǎo)體層上?？梢允姑恳粯?biāo)簽與表面影響解耦，并且可以在正確的工作頻率上單獨(dú)讀取每一標(biāo)簽。如果需要，可以進(jìn)一步采用導(dǎo)體層和電介質(zhì)層形成能夠在多個(gè)不同的波長(zhǎng)上工作的解耦器。在備選設(shè)置中，可以提供既位于第二導(dǎo)體層的上表面上又位于其下表面上的至少一個(gè)第一導(dǎo)體層和至少一個(gè)電介質(zhì)層，換言之，第二導(dǎo)體層的兩面均設(shè)有電介質(zhì)層并進(jìn)一步設(shè)有第一導(dǎo)體層。將第一導(dǎo)體層安裝到第二導(dǎo)體層的相對(duì)的兩面上。所述第一導(dǎo)體層可以具有相同或不同的長(zhǎng)度。在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)缺失區(qū)域或狹縫可以基本上與解耦器的邊緣中的至少一個(gè)不平行。這將提供一種具有帶有多個(gè)不同的周期長(zhǎng)度的第一導(dǎo)體層的解耦器，引起其能夠在多個(gè)波長(zhǎng)上工作。因此，采用非直線缺失區(qū)域或非直線狹縫，或者采用呈直線但與解耦器的一個(gè)或多個(gè)邊緣都不平行的缺失區(qū)域或狹縫能夠?qū)崿F(xiàn)擴(kuò)大的工作波長(zhǎng)范圍。可以將其與上文定義的多層寬帶解耦器實(shí)施例結(jié)合使用。采用非直線狹縫或缺失區(qū)域也能夠獲得相同的效果。在使用中，可以使解耦器位于任何表面上，并且與不采用解耦器的情況相比，所述解耦器能夠提供優(yōu)勢(shì)，在下文中將對(duì)其予以說(shuō)明。顯然可以將所述解耦器用在表面上，否則，所述表面在材料內(nèi)部或者基本位于材料表面上的電相互作用的影響下將對(duì)RF標(biāo)簽自身的天線的工作造成不利影響。所述解耦器將允許正確地位于第一導(dǎo)體層的附近的RF標(biāo)簽在對(duì)入射RF輻射不反射或反射的表面上或緊靠該表面處工作，因?yàn)榻怦钇鲗?shí)際上起著對(duì)電磁輻射的進(jìn)一步傳播加以阻擋的作用。在對(duì)入射輻射存在反射或者對(duì)入射輻射存在影響從而不利于電子裝置對(duì)其的接收的表面上，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是顯而易見(jiàn)的。典型地，這樣的RF反射表面可以是導(dǎo)電材料、包括高液體含量的材料或者可以是形成了此類流體的盛納裝置的部分的表面。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，某些類型的玻璃與RF標(biāo)簽相互作用，因而還可以將所述解耦器應(yīng)用到玻璃、硅石或陶瓷上。流體盛納裝置可以是使位于表面的一側(cè)的流體與位于所述表面的另一側(cè)的不同環(huán)境隔離的任何阻擋層、隔膜或容器的部分。所述表面的相反側(cè)可以優(yōu)選是解耦器所處的外表面；所述盛納裝置優(yōu)選是容器的部分，并且可以是食品、飲料或化學(xué)品容器?？梢詫⑺鼋怦钇靼惭b在表面或盛納裝置上，或者所述表面或盛納裝置可以形成解耦器的組成部分，例如，非導(dǎo)電表面或非導(dǎo)電盛納裝置可以部分地包括電介質(zhì)層?；蛘?，對(duì)于導(dǎo)電表面或?qū)щ娛⒓{裝置而言，所述表面或容器可以部分地形成所述第二導(dǎo)體層。典型的RF反射導(dǎo)電材料可以是碳、金屬、金屬合金或金屬?gòu)?fù)合材料。所述RF反射材料還可以是液體，或者諸如纖維素材料的包括高液體含量的材料，例如，某些木材、卡片、紙或任何其他可以具有高含濕量的天然生成的材料。因此，可以將所述解耦器加到處于具有高濕度的環(huán)境或區(qū)域內(nèi)的表面上、潮濕表面上或者部分或全部浸沒(méi)在流體表面下的表面上，例如，所述流體可以是諸如水的液體。因此，所述解耦器和RF標(biāo)簽可以借助適當(dāng)?shù)姆庋b位于飲料或食品容器的外側(cè)或內(nèi)側(cè)。有利地，發(fā)現(xiàn)四島解耦器能夠使位于其上的RF標(biāo)簽提供在所述解耦器和RF標(biāo)簽在徹底浸沒(méi)在水箱內(nèi)時(shí)仍然可讀取的標(biāo)簽。不位于解耦器上的RF標(biāo)簽在浸沒(méi)時(shí)將無(wú)法提供讀取范圍。其在諸如水下施工或油氣施工的應(yīng)用中尤為有利，例如，可以利用其進(jìn)行管道識(shí)別，/人而通過(guò)RF系統(tǒng)容易地識(shí)別部件。顯然，可以在存在RF反射環(huán)境并且妨礙目一見(jiàn)識(shí)別或者無(wú)法進(jìn)行目視識(shí)別的系統(tǒng)中應(yīng)用所述解耦器。所述表面可以形成流體盛納裝置的組成部分。已知，諸如水的液體與RF輻射相干擾因而將對(duì)處于其附近的RF標(biāo)簽的性能造成不利影響。因此，所述表面可以是食品、飲料或化學(xué)品容器的表面?？梢栽谥T如水瓶、飲料罐、食品容器或人體等的含有/容納水的材料構(gòu)成的表面上采用解耦器。此外，可以將加標(biāo)簽系統(tǒng)直接或間接應(yīng)用于人或動(dòng)物，以跟蹤其在特定區(qū)域內(nèi)的行蹤或移動(dòng)，具體的例子可以是人尤其是易受傷害的人，例如，醫(yī)院環(huán)境下的兒童或嬰兒。另一種用法是采用光盤(CD和DVD)的金屬層作為第二導(dǎo)體層，采用光盤的電介質(zhì)襯底作為電介質(zhì)芯層，因而第一導(dǎo)體層可以位于襯底上(遠(yuǎn)離所述金屬層一側(cè))以形成完整的解耦器。之后，可以使低QRF標(biāo)簽位于第一導(dǎo)體層的缺失區(qū)域的附近。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在放置到諸如抗靜電袋的金屬涂覆袋內(nèi)時(shí)，所述解耦器和RF標(biāo)簽?zāi)軌蚱鹱饔谩＿@將有利地使計(jì)算機(jī)部件等在不從保護(hù)袋中取出的情況下得到跟蹤。可以應(yīng)用解耦器的環(huán)境的其他例子為在雪或水內(nèi)，在混凝土結(jié)構(gòu)內(nèi)以及在水凍的動(dòng)物畜體內(nèi)?？梢詫⒔怦钇鲬?yīng)用到平直的或基本平直的表面上，或者應(yīng)用到呈單曲或雙曲面的平面上，例如，柱面或球面上。因此，本發(fā)明促進(jìn)了帶有RF標(biāo)簽而不是條型碼的食品或飲料容器的制造?？梢詫⑺鼋怦钇鲬?yīng)用于柱形容器(例如，食品和飲料罐)，從而利用RFID跟蹤技術(shù)確定它們?cè)谑芸丨h(huán)境中的所在之處。顯然，用于RF標(biāo)簽的解耦器的使用不限于跟蹤物品，可以將其用于任何適于使用RF標(biāo)簽的用途，例如，售貨點(diǎn)、智能卡、車輛識(shí)別、收費(fèi)等。下述討論適用于本發(fā)明的兩個(gè)方面，即，解耦器設(shè)有分立的第二導(dǎo)體層，或者施加了RF標(biāo)簽的物品的表面起著解耦器的第二導(dǎo)體層的作用。不對(duì)本發(fā)明的范圍構(gòu)成限制的針對(duì)工作模式的一種解釋是RF標(biāo)簽是諧振電路，并且可以將解耦器看作不同的諧振電路。如果將RF標(biāo)簽電連接到解耦器，即，如果解耦器起著天線的作用，那么由于兩個(gè)系統(tǒng)一般不存在阻抗匹配，因而能量轉(zhuǎn)移非常差。但是，如果沒(méi)有電接觸，則不存在阻抗問(wèn)題。所述解耦器在標(biāo)簽的附近起著與表面無(wú)關(guān)的場(chǎng)增強(qiáng)器的作用，因而能量被耦合到所陷獲的駐波內(nèi)。只要所述標(biāo)簽位于高電場(chǎng)區(qū)域內(nèi)，那么所述標(biāo)簽就會(huì)有效地耦合至輻射本身。因此，本發(fā)明的解耦器能夠與任何在特定頻率下工作的標(biāo)簽設(shè)計(jì)協(xié)同工作，而不像現(xiàn)有技術(shù)調(diào)諧天線系統(tǒng)那樣需要針對(duì)不同標(biāo)簽的單獨(dú)設(shè)計(jì)。還可以設(shè)想其他會(huì)聚或引導(dǎo)能量以建立高能量區(qū)域的手段。方便地，解耦器的厚度(即，通常是第一導(dǎo)體層和電介質(zhì)芯層的厚度之和)遠(yuǎn)小于入射輻射的四分之一波長(zhǎng)。例如，在所述厚度小于等于1/10,優(yōu)選小于1/100，更優(yōu)選小于1/300乃至千分之幾的情況下，輻射將與解耦器發(fā)生相互作用，還可能希望采用入射輻射的波長(zhǎng)小于1/300016乃至1/7000。例如，866MHz的頻率對(duì)應(yīng)于真空中的346mm的波長(zhǎng)，因而，50微米PETG解耦器將構(gòu)成厚度為波長(zhǎng)的1/7000左右的器件。典型地，現(xiàn)有技術(shù)天線系統(tǒng)依賴幾毫米的密度來(lái)實(shí)現(xiàn)一定程度的表面無(wú)關(guān)性。如上所述，所述解耦器的第一導(dǎo)體層可以包括一個(gè)或多個(gè)狹縫或缺失區(qū)域，例如，具有2個(gè)或更多島的解耦器。所述狹縫在第一導(dǎo)體層上的布置將影響能夠與所述結(jié)構(gòu)相互作用的輻射的一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)。所述狹縫布置優(yōu)選是周期性的。在一個(gè)實(shí)施例中，所述狹縫布置包括平行狹縫。已經(jīng)確定，借助平行狹縫布置，具有波長(zhǎng)入的輻射可以根據(jù)下述關(guān)系受到解耦<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>其中，XN是處于發(fā)生最大解耦的Xmin到Xmax的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)，n是芯部的折射率，G是狹縫間隔，N是整數(shù)(>1)。我們的優(yōu)選實(shí)施例利用了N4的情況，其代表第一諧波(即，基波)模式。注意對(duì)于由兩個(gè)或更多島構(gòu)成的解耦器而言，狹縫可以窄于波長(zhǎng)。還假設(shè)，所述輻射線偏振，從而使電場(chǎng)矢量的取向垂直于狹縫的軸(即，其長(zhǎng)度)根據(jù)針對(duì)這一研究領(lǐng)域的典型定義，如果入射面平行于狹縫，那么所述輻射必須是TE-(s-)偏振的(電場(chǎng)矢量垂直于入射面)；如果入射面垂直于狹縫，那么所述輻射必須是TM-(p-)偏振的(電場(chǎng)矢量處于入射面內(nèi))。對(duì)于電》茲學(xué)領(lǐng)域的任何技術(shù)人員而言，顯然所述器件還可以與具有橢圓或圓偏振的電磁輻射協(xié)同工作，因?yàn)樗鲭姶泡椛浔憩F(xiàn)出了適當(dāng)對(duì)準(zhǔn)的電場(chǎng)分量。從上述關(guān)系可以看出，所解耦的輻射的波長(zhǎng)與狹縫間隔G和電介質(zhì)芯層的折射率線性相關(guān)。改變這些參數(shù)中的任一個(gè)將能夠?qū)崿F(xiàn)通過(guò)所述結(jié)構(gòu)對(duì)特定波長(zhǎng)解耦。對(duì)于單島解耦器而言，上述等式仍然適用，其中，G表示第一導(dǎo)體層的長(zhǎng)度。還可以看出，還可以在對(duì)應(yīng)于不同的N值的若干個(gè)波長(zhǎng)處對(duì)輻射解耦。所述頻率中的每者包括作為文中使用的術(shù)語(yǔ)的解耦器的諧振頻率。但是，所述標(biāo)簽的諧振頻率優(yōu)選與解耦器的第一諧振頻率，即N爿時(shí)的諧振頻率匹配。顯然，也可以采用其他諧波頻率提供解耦。上述等式是近似式，其在電介質(zhì)芯層的厚度等于狹縫的寬度時(shí)，以及在這一厚度值大于1毫米左右時(shí)最為精確。如果狹縫寬度縮小，將存在向更長(zhǎng)的波長(zhǎng)的漸進(jìn)諧振漂移(確切的漂移與狹縫寬度和芯厚度的比值相關(guān))。還存在這樣的一般事實(shí)，即，電介質(zhì)芯層的厚度的增大，不管是均勻增大還是分立區(qū)域內(nèi)的增大都將趨向于增大諧振波長(zhǎng)，反之亦然。還應(yīng)當(dāng)注意，如果使輻射沿法向入射入射到所述結(jié)構(gòu)上，那么只有N的奇數(shù)值才能引起諧振。所述解耦器可以包括通過(guò)一個(gè)缺失區(qū)域分立的至少兩個(gè)金屬島。在一個(gè)實(shí)施例中，所述RF標(biāo)簽可以跨越所述缺失區(qū)域，從而使標(biāo)簽上的芯片基本按照其中心設(shè)置在所述缺失區(qū)域上，并使天線位于至少兩個(gè)金屬島上。所述島可以是任何幾何形狀，但所述島優(yōu)選為方形或矩形。但是，利用其他多邊形，例如三角形、六角形或圓形島可以獲得關(guān)于(例如)偏振不敏感性的優(yōu)點(diǎn)。可以根據(jù)所采用的RF標(biāo)簽的工作波長(zhǎng)選擇金屬島的長(zhǎng)度(例如，前述等式中的G)。將與芯部材料的折射率相乘的島長(zhǎng)度選擇為約等于RF標(biāo)簽的工作波長(zhǎng)的一半。一些市面可得的RF標(biāo)簽，例如AlienTechnology制造的標(biāo)簽，所攜帶的天線具有可與其工作波長(zhǎng)相比擬的長(zhǎng)度(所述波長(zhǎng)的1/3或更大)。這為典型解耦器的長(zhǎng)度設(shè)置了下限，因?yàn)樵撈骷ǔ１阌跒闃?biāo)簽提供機(jī)械支撐(即，解耦器不小于其支撐的標(biāo)簽往往是方便的)。因而，如下文中定義的，希望找到更小的標(biāo)簽用在解耦器上。可以通過(guò)所選擇的RF標(biāo)簽的尺寸確定導(dǎo)電層金屬島的寬度。僅作為例子而言，對(duì)于平常使用的UHFRF標(biāo)簽而言，所采用的島的寬度是標(biāo)簽的寬度的4到5倍。但是，在需要不太突出的解耦器和標(biāo)簽時(shí)，可以降低解耦器的寬度，從而使其至少為芯片和天線的寬度。解耦器寬度的降低將趨向于縮小RF標(biāo)簽的讀取范圍，反之亦然。優(yōu)選通過(guò)選擇缺失區(qū)域的寬度以及電介質(zhì)芯部材料的電容率和厚度二者提供一種諧振頻率與RF標(biāo)簽的諧振頻率基本相同的解耦器。通過(guò)所述電介質(zhì)芯，以及在一定程度上通過(guò)位于所述電介質(zhì)芯上的第一和第二導(dǎo)體層耗散了能量，因此，這些材料的電容率和磁導(dǎo)率是設(shè)計(jì)過(guò)程中的重要參數(shù)。一種消除對(duì)解耦器相對(duì)于入射輻射的方位取向的依賴性的方法是第一導(dǎo)體層優(yōu)選包括至少一個(gè)狹縫的正交集("二光柵"布局)。其可以提供降低單狹縫陣列("單光柵，，布局)所表現(xiàn)出的偏振相關(guān)效應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于單狹縫陣列而言，在任何取向下只能對(duì)一個(gè)線偏振解耦(即，電場(chǎng)分量垂直于狹縫方向的偏振狀態(tài))。但是，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然任何能夠使入射電場(chǎng)的分量與狹縫垂直交叉的取向都將帶來(lái)一定程度的功能性(即，除了狹縫平行于電偏振矢量之外，在任何取向下都將發(fā)生解耦，但是隨著樣本朝向這一取向旋轉(zhuǎn)，讀取范圍將極大降低)。但是，二光柵布局將對(duì)兩種偏振解耦，因?yàn)槠鋵?duì)于電偏振矢量的分量而言總是具有適當(dāng)對(duì)準(zhǔn)的狹縫。在另一方案中，可以存在具有60度的方位分離度的三組狹縫布局(即，形成三角形圖案)。在下文中定義了趨向于無(wú)窮的高階圖案，例如，環(huán)形。還發(fā)現(xiàn)，對(duì)于"寬"狹縫(即，對(duì)于866MHz的輻射而言，狹縫寬度大于1毫米)而言，解耦波長(zhǎng)根據(jù)輻射入射到第一導(dǎo)體層的表面上所處的角度而變化。隨著隙縫寬度的縮小，角依賴性的顯著性降低。因此，在優(yōu)選實(shí)施例中，消費(fèi)小于有待解耦的輻射的波長(zhǎng)。對(duì)于對(duì)應(yīng)于電磁波譜中的微波波段或接近所述微波區(qū)的波長(zhǎng)入而言(例如，入一般處于毫米到米的范圍內(nèi))，典型的狹縫或缺失區(qū)域的寬度小于1000微米，優(yōu)選小于500微米，更優(yōu)選小于150微米，并且還可以小于等于50微米。因此，對(duì)于其他波段而言，希望缺失區(qū)域可以小于入射輻射的波長(zhǎng)的1/50,更優(yōu)選小于該波長(zhǎng)的1/100。但所述電介質(zhì)芯層的材料:選是非損耗^復(fù)電容率和磁導(dǎo)率的虛部最好為零)。所述電介質(zhì)芯層可以是第一和第二導(dǎo)體層之間的空隙，例如，局部真空或者氣體，例如，所述氣體可以是所述第一和第二導(dǎo)體層之間的部分或全部空氣隙。方便地，采用空隙的芯部可以部分地利用導(dǎo)體層之間的非導(dǎo)電材料加固，例如，波紋紙板、蜂窩結(jié)構(gòu)或具有高孔隙率的泡沫?？梢詮木酆衔镏?，例如，PET、聚苯乙烯、BOPP、聚碳酸酯以及任何低損耗RF層壓體中選擇電介質(zhì)芯層材料?？梢孕纬呻娊橘|(zhì)芯層的部分或基本全部的通常使用的容器材料可以是纖維素材料，例如，紙、卡片、波紋紙板或木材?；蛘?，可以采用某些陶瓷、鐵氧體或玻璃。在一個(gè)實(shí)施例中，被選為在電介質(zhì)芯層中使用的材料具有能夠可控變化的折射率，以控制有待解耦的輻射的波長(zhǎng)。例如，可以采用分散了液晶的聚合物(PDLC)材料作為芯。如果將解耦器解耦設(shè)置為能夠跨越電介質(zhì)芯層材料施加電壓，那么就能夠改變其折射率，從而使解耦波長(zhǎng)按照定制的方式移動(dòng)。由于可以將一個(gè)解耦器用于一定的RF標(biāo)簽波長(zhǎng)范圍，或者可以對(duì)其加以控制以開(kāi)啟和關(guān)閉解耦操作，因而這一方案尤為有利。此外，如果附著解耦器的物體需要用于不同地點(diǎn)(例如，不同國(guó)家)的不同RF標(biāo)簽，那么具有可調(diào)諧折射率的電介質(zhì)芯層材料將允許對(duì)在不同波長(zhǎng)上工作的RF標(biāo)簽采用同一解耦器?；蛘?，可以將所述解耦器使用的RF標(biāo)簽頻率/波長(zhǎng)解耦，例如所述頻率為866MHz、915MHz、2.4到2.5GHz以及5.8GHz。所述解耦器可以具有包括適于不同諧振頻率RF標(biāo)簽的不同周期的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域。RF標(biāo)簽一般由電連接到必要的天線的芯片構(gòu)成，所述天線的長(zhǎng)度通常可以與其工作波長(zhǎng)相比擬(例如，是該波長(zhǎng)的1/3)。本發(fā)明人驚訝地發(fā)現(xiàn)，可以將具有小得多的未調(diào)諧天線的RF標(biāo)簽(即，通常預(yù)計(jì)其無(wú)法在UHF波長(zhǎng)上有效工作)與根據(jù)本發(fā)明的解耦器結(jié)合使用。通常具有這樣的"矮小，，天線(下文稱為低Q天線，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能認(rèn)識(shí)到的)的標(biāo)簽在開(kāi)放空間內(nèi)只具有幾厘米乃至幾毫米的讀取范圍。但是，已經(jīng)令人驚訝地發(fā)現(xiàn)，采用這樣的安裝在本發(fā)明的解耦器上的具有低Q天線的標(biāo)簽可以工作，并且具有有用的讀取范圍，所述讀取范圍接近(乃至超過(guò))不帶解耦器的在自由空間內(nèi)工作的市面可得的優(yōu)化RF標(biāo)簽的讀取范圍。低Q天線的造價(jià)更低，并且可以比常規(guī)調(diào)諧天線占據(jù)更少的表面面積(即，這樣的標(biāo)簽的天線長(zhǎng)度可以短于通常可能的天線長(zhǎng)度)。因此，在尤為優(yōu)選的方案中，可以將具有基本降低的天線面積/長(zhǎng)度的RF標(biāo)簽安裝到根據(jù)本發(fā)明的解耦器上。優(yōu)選地，可以將低QRF標(biāo)簽安裝到上文定義的單島解耦器上，以提供具有降低的面積的解耦器和標(biāo)簽系統(tǒng)，所述系統(tǒng)可以具有基本滿足入"2nG/N的第一導(dǎo)體層長(zhǎng)度，其中，入是產(chǎn)生最大吸收的范圍入min到入max內(nèi)的波長(zhǎng)，n是電介質(zhì)的折射率，G是至少一個(gè)第一導(dǎo)體層的周期，N是大于等于l的整數(shù)。RF標(biāo)簽及其必要的天線通常安裝在或打印在電介質(zhì)襯底上，可以使所述電介質(zhì)襯底與解耦器的表面直接接觸。優(yōu)選地，可以存在放置在RF標(biāo)簽和解耦器材料之間的被定義為間隔體的另一電介質(zhì)材料。在存在間隔體時(shí)，間隔體的長(zhǎng)度和寬度尺寸必須至少與RF標(biāo)簽的金屬區(qū)域(例如，天線)的尺寸相同。所提供的大多數(shù)RF標(biāo)簽已經(jīng)安裝在了其各自的襯底上，所述襯底因制造者的不同的具有厚度差異。RF標(biāo)簽的天線一定不能與第一導(dǎo)體層或第二導(dǎo)體層直接電接觸。所述RF標(biāo)簽的金屬部分和所述解耦器之間的(總)縫隙(即，間隔體厚度+RF標(biāo)簽襯底厚度)小于2000微米，優(yōu)選處于100到1000微米的范圍內(nèi)，優(yōu)選處于175到800樣￡米的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于175到600微米的范圍內(nèi)。如果采用具有損耗性或者折射率異常高或異常低的間隔體或標(biāo)簽襯底(即，如果采用除了諸如PET的標(biāo)準(zhǔn)聚合物襯底之外的某物)，那么這些值可能存在差異。類似地，向更高或更低的工作頻率漂移可能影響間隔體厚度。在存在其他裝置使RF標(biāo)簽位于距第一導(dǎo)體層的固定距離處時(shí)，可以不需要間隔體。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，在2000微米之外還可能在一定程度上存在電場(chǎng)，但是，這一點(diǎn)可能不是特別希望的。已經(jīng)表明電場(chǎng)在缺失區(qū)域內(nèi)具有最大值，并且在解耦器平面之上隨著距該平面的距離的增大而呈指數(shù)下降。一種不對(duì)本發(fā)明的范圍造成限制的、對(duì)間隔體的作用的解釋是在不存在標(biāo)簽的情況下，解耦器按照預(yù)期發(fā)生諧振。但是，由于引入了標(biāo)簽，其與解耦器相互作用，并開(kāi)始干擾其諧振。隨著標(biāo)簽接近解耦器表面，干擾程度增大。最后，干擾程度變得如此大，以致于不再建立諧振，并由此不再建立與解耦器的操作不符的區(qū)域增強(qiáng)場(chǎng)。因而，間隔體是一種在使標(biāo)簽暴露至最大電場(chǎng)和不對(duì)解耦器造成足以破壞解耦機(jī)制的干擾之間折中的手段。因此，顯然，任何RF標(biāo)簽都可以位于上文定義的100到IOOO微米的總距離處，并提供非常有用的讀取范圍。但是，顯然，簡(jiǎn)單的距離測(cè)量可以為指定的RF標(biāo)簽提供距指定解耦器的表面的優(yōu)選距離，這樣可以進(jìn)一步提高RF標(biāo)簽的讀取范圍?？梢酝ㄟ^(guò)普通的處理刻劃RF標(biāo)簽的金屬天線或使其變形。有利地，可以通過(guò)保護(hù)外殼部分地覆蓋或封裝RF標(biāo)簽和解耦器。所述外殼可以是淀積在RF標(biāo)簽和解耦器的表面上的非導(dǎo)電材料。所述非導(dǎo)電材料可以只是(例如)通過(guò)旋涂:忮術(shù)涂覆的另一電介質(zhì)材^K諸如PET、PETGUPVC、ABS的淀積材料或者諸如環(huán)氧樹(shù)脂等的任何適當(dāng)?shù)拿芊鈩?。已?jīng)發(fā)現(xiàn)，這樣的處于250到2000微米的范圍內(nèi)的，乃至高達(dá)5000微米的外殼涂層不會(huì)影響RF標(biāo)簽的讀取范圍。顯然，可以根據(jù)環(huán)境和標(biāo)簽所需的柔軟性選擇外殼的厚度。可以通過(guò)任何已知的工藝制造形成解耦器的導(dǎo)體層，例如對(duì)涂覆金屬的電介質(zhì)表面的蝕刻、光刻、使用諸如碳墨水或高負(fù)載銀墨水的導(dǎo)電墨水、塊箔(blockfoil)的淀積(例如，通過(guò)熱沖壓)、氣相淀積(之后任選進(jìn)行蝕刻)、粘附的金屬箔或者將催化劑墨水與圖案轉(zhuǎn)移機(jī)制結(jié)合使用以實(shí)現(xiàn)加性(additive)無(wú)電淀積和任選的電淀積。相應(yīng)地，就本發(fā)明的另一方面而言，提供了一種形成根據(jù)本發(fā)明的解耦器的方法，其包括的步驟有按照根據(jù)本發(fā)明的圖案采用墨水成分涂覆電介質(zhì)材料，其中，所述墨水成分包括適于印刷有待涂覆的襯底的墨水配方、作為可還原銀鹽的銀和填充劑顆粒，其中，將所述可還原銀鹽選擇為，在能夠還原時(shí)，一旦將經(jīng)涂覆的襯底放到自動(dòng)催化淀積溶液內(nèi)，在催化作用下，金屬就會(huì)從自動(dòng)催化淀積溶液中淀積到襯底的涂覆區(qū)域上，并且其中，所述可還原銀鹽的比例使得所述墨水成分在重量上含有小于10%的銀，任選對(duì)所述涂覆區(qū)域進(jìn)行電淀積。方便地，可以采用諸如未決專利申請(qǐng)No.GB0422386.3中所/>開(kāi)的墨水和/或方法?？梢酝ㄟ^(guò)任何已知的圖案轉(zhuǎn)移機(jī)制，例如，噴墨、凹板印刷、橡膠板或絲網(wǎng)印刷技術(shù)?？梢詫?duì)所淀積的墨水實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)電淀積技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)催化淀積?？赡芟Ｍ捎秒姷矸e進(jìn)一步提高無(wú)電淀積的金屬的厚度，這一點(diǎn)可以通過(guò)巻到巻工藝實(shí)現(xiàn)。例如，金屬食品容器可以起著第二導(dǎo)體層的作用，可以將其施加由電介質(zhì)材料構(gòu)成的薄涂層以形成電介質(zhì)層。之后，可以通過(guò)任何已知的手段在電介質(zhì)芯層材料上按照預(yù)期的解耦器圖案淀積第一導(dǎo)體層。可以任選涂^隻另一電介質(zhì)以形成間隔體材料。RF標(biāo)簽可以位于缺失區(qū)域或開(kāi)口之上，并且任選具有印刷或涂覆到所述標(biāo)簽和/或解耦器之上的保護(hù)外殼。所述保護(hù)外殼可以包括用于所要出售的貨品的精致的彩色設(shè)計(jì)?？赡芟Ｍ怦钇魑挥诮饘偈称啡萜鞯谋砻鎯?nèi)的凹陷中，從而使最終的解耦器和RF標(biāo)簽與所述容器的表面平齊。顯然，第一導(dǎo)體層必須與金屬食品容器的導(dǎo)電材料電隔離?？梢酝ㄟ^(guò)確保第一導(dǎo)體層不恰好抵達(dá)解耦器的邊緣或者通過(guò)采用非導(dǎo)電保護(hù)外殼容易地實(shí)現(xiàn)這一目的。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可以構(gòu)造柔性的解耦器。如果在其背面設(shè)置粘合劑，那么就能夠?qū)⑵湟阅z帶或補(bǔ)貼膜的形式施加到任何感興趣的表面上。構(gòu)建非常薄(相對(duì)于有待解耦的輻射的波長(zhǎng)而言)的解耦器的能力是指能夠有效地將其模制成任何表面輪廓。在通過(guò)金屬表面或向其施加解耦器的物品提供第二導(dǎo)體層時(shí)，可以利用位于電介質(zhì)層上的粘合劑將第一導(dǎo)體層和電介質(zhì)層粘附至所述金屬表面。本發(fā)明的另一方面提供了安裝在解耦器表面上的RF標(biāo)簽，如下文所述。還提供了一種基本與表面無(wú)關(guān)的RF標(biāo)簽，其包括安裝在解耦器上的RF標(biāo)簽，如上文中所定義的。一種可能的有利的做法是將一個(gè)以上的RF標(biāo)簽安裝到所述缺失區(qū)域上，例如通過(guò)疊置布局。已經(jīng)表明所述解耦器可以與Gen1和Gen2協(xié)議標(biāo)簽協(xié)同工作。因此，如果不同的受體采用不同的協(xié)議標(biāo)簽，那么能夠?qū)⑺鰳?biāo)簽安裝在相同的解耦器上，任選通過(guò)疊置布局將其安裝在相同的缺失區(qū)域內(nèi)。顯然，RF標(biāo)簽可以遵守相同的協(xié)議，因而可以只是為用戶提供不同的識(shí)別用途。就本發(fā)明的另一方面而言，提供了一種表面，其中，所述表面的部分在上文定義的解耦器或與表面無(wú)關(guān)的RF標(biāo)簽中被局部覆蓋、基本覆^L(o還提供了一種物體或容器，其包括至少一個(gè)上文定義的表面。在一個(gè)實(shí)施例中，所述的至少一個(gè)表面可以是曲面。在另一優(yōu)選實(shí)施例中，所述物體或容器可以是諸如滾籠、堆裝架的運(yùn)銷容器或者食品或飲料容器，具體的例子可以是飲料罐或罐頭食品。就本發(fā)明的另一方面而言，可以才是供一種根據(jù)上述實(shí)施例中的任何一個(gè)所述的解耦器，其中，所述電介質(zhì)層可以部分地或者基本全部由非導(dǎo)電盛納裝置形成。具體地，所述非導(dǎo)電盛納裝置的優(yōu)選材料可以是天然或人造纖維、塑料、纖維素、玻璃或陶資。在這一設(shè)置中，由非導(dǎo)電材料(例如塑料或卡片)構(gòu)成的諸如瓶或紙盒的容器可以部分地形成所述電介質(zhì)層。因此，可以在所述容器的任一側(cè)上利用上文定義的任何手段形成第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層，從而對(duì)所述導(dǎo)體層協(xié)同定位，以形成根據(jù)本發(fā)明的解耦器。一種可能的方便的做法是采用位于非導(dǎo)電盛納裝置的一面或兩面上的另一電介質(zhì)材料(即，形成多層電介質(zhì)芯)，以改善電介質(zhì)芯的電介質(zhì)特性。層形成解耦器的電介質(zhì)芯。具有一個(gè)或多個(gè)狹縫或缺失區(qū)域并且與具有定向天線(即，優(yōu)先與具有特定取向的線偏振相互作用的天線)的RF標(biāo)簽結(jié)合使用的解耦器可能只在讀取器和安裝在解耦器上的標(biāo)簽基本平行時(shí)實(shí)現(xiàn)大的場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)。可以釆用利用圓偏振或橢圓偏振的發(fā)射器/接收器系統(tǒng)或者多個(gè)不同對(duì)準(zhǔn)的天線緩和這一影響?；蛘撸捅景l(fā)明的另一方面而言，提供了一種與偏振無(wú)關(guān)的解耦器，使得RF標(biāo)簽在解耦器上的位置和接下來(lái)的啟動(dòng)與入射輻射的偏振或取向無(wú)關(guān)。相應(yīng)地，第一導(dǎo)體層的缺失區(qū)域包括至少一個(gè)非直線缺失區(qū)域，優(yōu)選包括基本上為曲線或更優(yōu)選具有圓形圖案的缺失區(qū)域，更優(yōu)選可以在第一導(dǎo)體層內(nèi)形成圓形狹縫。也可以采用三角形、六角形或其他多邊形島形狀。作為本發(fā)明的又一方面，提供了一種金屬容器，其中，所述容器的表面的部分在如上文定義的解耦器或與表面無(wú)關(guān)的RF標(biāo)簽中受到覆運(yùn)銷容器(例如，滾籠、托架等)的類型只是用于在運(yùn)銷鏈中傳輸貨物的有輪帶罩容器的類屬名。在所有類型的供銷系統(tǒng)中，例如，在超市、郵局、快遞、航空或奶場(chǎng)中均可以找到它們的蹤影。顯然，有待跟蹤的任何運(yùn)銷容器或貨品均可以裝有包括文中定義的與表面無(wú)關(guān)的RF標(biāo)簽的加標(biāo)簽系統(tǒng)，例如，集裝箱、海運(yùn)貨拒、超市手推車或籃子、醫(yī)院的床和/或設(shè)備、衣物、動(dòng)物、人、食品和飲料容器。例如，諸如滾籠的運(yùn)銷容器通常帶有標(biāo)識(shí)板，其通常顯示條型碼或目牙見(jiàn)識(shí)別特征，即，書寫/打印標(biāo)識(shí)手段。如上所述，在標(biāo)識(shí)板上已經(jīng)安裝了前述采用厚泡沫間隔體的用于RFID的解耦器，但這些器件從板的表面突出，易于受到撞擊，并在無(wú)意中從板上脫落。本發(fā)明的另一方面提供了一種諸如滾籠的運(yùn)銷容器，其包括根據(jù)本發(fā)明的解耦器或加標(biāo)簽系統(tǒng)。還提供了一種包括凹陷部分的標(biāo)識(shí)板，所述部分包括上文定義的加標(biāo)簽系統(tǒng)和保護(hù)層，以形成基本平齊的標(biāo)識(shí)板。可以從與上文定義的保護(hù)外殼相同的材料范圍內(nèi)選擇所述保護(hù)層。在這一實(shí)施例中，保護(hù)層可以替代對(duì)保護(hù)外殼的需求。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這樣的處于250到2000微米的范圍內(nèi)的，乃至高達(dá)5000微米的保護(hù)層不會(huì)影響RF標(biāo)簽的讀取范圍?？梢酝扛惨后w，例如，可以通過(guò)固化而封裝部件的封裝化合物作為所述保護(hù)層，或者，可以采用鑲到所述標(biāo)識(shí)板內(nèi)的膜或薄板作為所述保護(hù)層。優(yōu)點(diǎn)在于，所述加標(biāo)簽系統(tǒng)(即，解耦器和RF標(biāo)簽)位于所述標(biāo)識(shí)板的表面的下面，從而為所述部件提供了進(jìn)一步的保護(hù)，例如，避免了惡劣天氣等來(lái)自環(huán)境的損害以及碰撞、劃擦等損害。之后可以將包括所述加標(biāo)簽系統(tǒng)的標(biāo)識(shí)板直接焊接或鉚接到所述運(yùn)銷容器或滾籠上。其提供了一種有用的解決方案，因?yàn)榻怦钇髯兂闪诉\(yùn)銷容器或滾籠的內(nèi)在部分。標(biāo)識(shí)板可以由任何適當(dāng)?shù)牟牧现瞥?，例如，金屬及其合金、層壓材料、塑料、橡膠、硅酮或陶瓷。如果所述板由導(dǎo)電材料制造，那么必須使解耦器的金屬部件(而不是襯底)與所述板電隔離。應(yīng)當(dāng)注意，如果所述板為金屬性的，那么所述板可以提供解耦器的襯底層，如先前所述。另一優(yōu)點(diǎn)在于，所述包括加標(biāo)簽系統(tǒng)的標(biāo)識(shí)板可以具有所采用的另一標(biāo)識(shí)手段，例如，常規(guī)使用的標(biāo)識(shí)手段，例子包括條型碼或目視識(shí)別特征(即，書寫/打印識(shí)別手段)。其允許將RF跟蹤系統(tǒng)逐漸集成到工作環(huán)境內(nèi)，并允許不同的公司通過(guò)不同的跟蹤方法監(jiān)視運(yùn)銷容器。就本發(fā)明的另一方面而言，提供了一種金屬物體或容器，其包括位于所述物體或容器的表面內(nèi)的凹陷部分，所述凹陷部分包括與所述表面電隔離的上文定義的解耦器和至少一個(gè)位于所述解耦器上的RF標(biāo)簽以及任選的封裝所述解耦器和RF標(biāo)簽的保護(hù)層，使所述解耦器和所述RF標(biāo)簽至少與所述物體或容器的表面平齊。在所述金屬物體或容器提供了第二導(dǎo)體層時(shí)，必須將所述解耦器設(shè)計(jì)為將所述第一導(dǎo)體層電連接到所述金屬物體或容器。例如，通常使用的飲料罐和食品罐可以具有形成于其表面內(nèi)的簡(jiǎn)單的凹陷來(lái)容納解耦器，從而使罐體保持令人愉悅的美感。零售業(yè)中的RFID的優(yōu)點(diǎn)在于，貨品均可以通過(guò)讀取器受到單遍掃描，從而降低了將各個(gè)貨品掃描到銷售寄存器的電子點(diǎn)內(nèi)的負(fù)擔(dān)。采用凹陷設(shè)計(jì)的另一優(yōu)點(diǎn)在于，不能將標(biāo)簽從貨品上容易地去掉。這將減少未加標(biāo)簽的貨品出現(xiàn)在購(gòu)物推車或籃子中的機(jī)會(huì)。還可以將凹陷解耦器設(shè)計(jì)應(yīng)用到非導(dǎo)電容器或物體中，但是，不需要使第一導(dǎo)體層與容器或物體電隔離。還提供了一種跟蹤物體或容器的方法，其包括的步驟有將在上文中定義的解耦器或加標(biāo)簽系統(tǒng)加到所述物體或容器的表面的部分上，采用RF輻射詢問(wèn)所述至少一個(gè)RF標(biāo)簽，探測(cè)來(lái)自所述至少一個(gè)RF標(biāo)簽的響應(yīng)。所述物體或容器可以由上文定義的任何適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料制造。可以采用市面可得的雙面PCB半成品(即，^!的兩面都具有導(dǎo)電層的PCB半成品)制造效率相對(duì)較低的解耦器(與前述例子相比)。之后將該板切割為約等于入射輻射的波長(zhǎng)的一半的長(zhǎng)度。在這一設(shè)置中，可以將缺失區(qū)域看作暴露的電介質(zhì)。之后，可以將RF標(biāo)簽放在所述板的側(cè)面的邊緣處，從而使所述RF標(biāo)簽與所述板垂直。因此，如果受到限制的讀取范圍足夠大，就能夠通過(guò)這一方法提供與金屬表面的解耦。能夠在自由空間內(nèi)讀取的市面可得的標(biāo)簽可以具有處于10cm的量級(jí)的天線，因而其可能不適于識(shí)別通常在醫(yī)藥、化學(xué)等領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)室內(nèi)出現(xiàn)的很多小的樣本。來(lái)自UHF標(biāo)簽的有源芯片具有1或2毫米的量級(jí)，因此可以容易地布置到小的容器或物品上?；蛘?，可能希望將RF標(biāo)簽放到有待加標(biāo)簽的表面或物品的分立的或有限的區(qū)域內(nèi)。即使將詢問(wèn)系統(tǒng)緊挨著芯片放置，沒(méi)有天線的UHF芯片也不會(huì)起作用。但是，在芯片和任選的間隔體位于文中定義的解耦器上時(shí)，在存在有限的金屬連接，從而將能量耦合至芯片的條件下可以讀取芯片，即使所述金屬連接可能只是金屬截線。此外，可能不適于將解耦器直接放置在小容器或物品上。因此，就本發(fā)明的另一方面而言，提供了一種表面或物品的探測(cè)或識(shí)別方法，其包括的步驟有將包括RF標(biāo)簽或低QRF標(biāo)簽的表面與任選的間隔體放到一起，并使其接近文中定義的解耦器，-詢問(wèn)所述RF標(biāo)簽，其中，所述RF標(biāo)簽只有在非常接近所述解耦器時(shí)才能被讀取。在可以將具有優(yōu)化的尺寸的解耦器(用于與讀取裝置通信)容易地采用到小的物體或容器上時(shí)，這一點(diǎn)尤為有用。可能希望RF發(fā)射器/讀取器系統(tǒng)包括作為組成部分的解耦器。因此，優(yōu)點(diǎn)在于，可用采用根據(jù)本發(fā)明的解耦器成功地詢問(wèn)小的物體，所述物體的表面上可能只具有容納帶有低Q天線的RF標(biāo)簽的空間。例如，可以將所述標(biāo)簽和任選的間隔體放到任何有待識(shí)別的小的容器、器皿、表面或套件零件上?？赡艿睦影ㄡt(yī)療樣本、手術(shù)設(shè)備、載玻片、小瓶或瓶子，因而在使帶有RF標(biāo)簽和任選間隔體的表面緊靠所述解耦器時(shí)，將能夠被詢問(wèn)裝置讀取。就本發(fā)明的另一方面而言，提供了一種低Q標(biāo)簽，其中，所述天線具有基本上小于2cm的主要尺寸，更優(yōu)選所述天線具有基本小于lcm的主要尺寸。還提供了一種適于與文中定義的解耦器結(jié)合使用的低QRF標(biāo)簽，其中，所述低QRF標(biāo)簽任選安裝在間隔體上，所述間隔體和所述低QRF標(biāo)簽的總共的厚度處于175到800微米的范圍內(nèi)。另一優(yōu)點(diǎn)在于，可以方便地采用具有更小的尺寸的單島解耦器，以提供具有更小的覆蓋面積的加標(biāo)簽系統(tǒng)。采用低QRF標(biāo)簽的優(yōu)點(diǎn)在于，它們顯著小于市面可得的RF標(biāo)簽，后者具有更大的天線。因此，可以將與文中定義的解耦器結(jié)合的具有最小天線的低QRF標(biāo)簽更為謹(jǐn)慎地放置到文件和/或具有信用卡那樣尺寸的信息文件內(nèi)，例如，護(hù)照、身份證、門禁卡、駕駛證、收費(fèi)卡等，其中，所述文件的卡或頁(yè)的塑料部分地形成了電介質(zhì)層。因此，可以有助于人或貨物在受控區(qū)域內(nèi)或者通過(guò)受控的入口點(diǎn)移動(dòng)，而不需要與所述文件直接接觸或?qū)ζ溥M(jìn)行目視掃描。采用低Q天線的另一優(yōu)點(diǎn)在于，它們不在特定頻率上工作，所述芯片也不能。由于大多數(shù)讀取器不在定點(diǎn)頻率上工作，而是跨越一定的頻率范圍工作，因此US系統(tǒng)和歐洲系統(tǒng)均能夠驅(qū)動(dòng)解耦器上的芯片，其將在兩種詢問(wèn)器發(fā)射的頻率上諧振。因而，例如，將解耦器設(shè)計(jì)為在890MHz下工作(處于866(EU)和915(USA)之間)，并采用低Q天線兩種系統(tǒng)均能夠發(fā)射足夠的890MHz的輻射為芯片提供能量。一種嚴(yán)格定義的866MHz天線無(wú)法與915MHz系統(tǒng)良好地協(xié)同工作，反之亦然。就另一方面而言，提供了一種零件套件，其包括具有任選的間隔體的RF標(biāo)簽和根據(jù)本發(fā)明的解耦器。在另一實(shí)施例中，可能希望為RF標(biāo)簽提供加強(qiáng)的保護(hù)。相應(yīng)地，還提供了一種如上文定義的解耦器，其中，RF標(biāo)簽或低QRF標(biāo)簽至少分。在存在具有相當(dāng)大的尺寸的天線的情況下，所述天線可能延伸到電介質(zhì)芯的外部，但是其必須與第一和第二導(dǎo)體層電隔離。其優(yōu)點(diǎn)在于，RF標(biāo)簽和解耦器或RF加標(biāo)簽系統(tǒng)的總厚度基本只是解耦器的厚度。作為建立與表面無(wú)關(guān)的RF標(biāo)簽并將其直接放置到表面上的備選方案可能希望有效地就地形成解耦器，從而在將解耦器的構(gòu)成部分對(duì)準(zhǔn)時(shí)使解耦器工作。相應(yīng)地，提供了一種形成適于表面探測(cè)或識(shí)別的解耦器的方法，其包括的步驟有i)提供包括具有任選的間隔體的RF標(biāo)簽或低QRF標(biāo)簽的表面，并提供與至少一個(gè)電介質(zhì)層部分或基本全部接觸的至少一個(gè)導(dǎo)體層，其中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)體層具有至少一個(gè)缺失區(qū)域，其中，所述RF標(biāo)簽位于所述缺失區(qū)域內(nèi)，ii)將步驟i)中的表面與第二導(dǎo)體層或?qū)щ姳砻娣诺揭黄?，以形成文中定義的解耦器。顯然，所述第二導(dǎo)體層可以任選包括位于其表面上的電介質(zhì)材料，以形成所述電介質(zhì)層的部分或基本全部。顯然，所述RF標(biāo)簽還可以位于所述電介質(zhì)層的邊緣上，其中，所述第一導(dǎo)體層和所述電介質(zhì)芯層基本具有相同的長(zhǎng)度。優(yōu)點(diǎn)在于，可以通過(guò)將組成部分對(duì)準(zhǔn)這樣的工作來(lái)形成解耦器。例如，可以將折疊或鉸合的物品，例如文件、盒子或門等構(gòu)造為，在具有低QRF天線的折頁(yè)的一面上設(shè)置第一導(dǎo)體層，在所述折頁(yè)的第二面上設(shè)置第二導(dǎo)體層，因而，在打開(kāi)狀態(tài)下，不能讀取該書，但是在合上書的頁(yè)或物品內(nèi)容時(shí)形成了電介質(zhì)層，并使第一和第二導(dǎo)體層對(duì)準(zhǔn)，從而形成了根據(jù)本發(fā)明的解耦器，因而可以詢問(wèn)和讀取所述低QRF標(biāo)簽。還提供了一種用于RF標(biāo)簽的單島解耦器，其用于使所述器件與表面解耦，所述單島解耦器包括夾在至少一個(gè)第一導(dǎo)體層和至少一個(gè)第二導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)電介質(zhì)層，其中，將所述第一導(dǎo)體層調(diào)諧至詢問(wèn)輻射的諧振頻率，其中，通過(guò)入^2nG確定所述第一導(dǎo)體層的所述長(zhǎng)度G,其中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)體層具有處于至少一個(gè)邊緣處的一個(gè)缺失區(qū)域，在所述缺失區(qū)域處，所述第一導(dǎo)體層不覆蓋所述電介質(zhì)層，其中，與所述第一導(dǎo)體層電隔離的RF標(biāo)簽位于所述第一導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域的附近。還提供了一種用于RF標(biāo)簽的單島解耦器，其用于使所述器件與表面解耦，所述單島解耦器包括夾在至少一個(gè)第一導(dǎo)體層和至少一個(gè)第二導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)電介質(zhì)層，其中，將所述第一和第二導(dǎo)體層獨(dú)立調(diào)諧至詢問(wèn)輻射的諧振頻率，其中，通過(guò)人^2nG確定所述導(dǎo)體層的所述長(zhǎng)度G,其中，與所述第一和第二導(dǎo)體層電隔離的RF標(biāo)簽位于所述電介質(zhì)層上的缺失區(qū)域的附近。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于RF標(biāo)簽的單島解耦器，其用于使所述器件與表面解耦，所述單島解耦器包括夾在至少一個(gè)第一導(dǎo)體層和至少一個(gè)第二導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)電介質(zhì)層，其中，將所述第一導(dǎo)體層調(diào)諧至第一詢問(wèn)輻射的諧振頻率，將所述第二導(dǎo)體層調(diào)諧至第二詢問(wèn)輻射的諧振頻率，其中，通過(guò)入"2nG確定所述第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層的所述長(zhǎng)度G,其中，所述第一和第二導(dǎo)體層具有處于至少一個(gè)邊緣處的一個(gè)缺失區(qū)域，從而使所述第一導(dǎo)體層的缺失區(qū)域不覆蓋所述電介質(zhì)層或所述第二導(dǎo)體層上的缺失區(qū)域，其中，電隔離的RF標(biāo)簽位于所述第一導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域的附近，并且任選有另一RF標(biāo)簽位于所述第二導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域的附近。還提供了一種制作具有波紋紙板電介質(zhì)芯的紙板解耦器的方法，其包括的步驟有將第一導(dǎo)體層放在第一紙板層上，將第二導(dǎo)體層放在第二紙板層上，將所述第一和第二紙板層放在一起，并使波紋紙板嵌片與其鄰接，從而使覆蓋所述第二導(dǎo)體層的第一紙板層上的第一導(dǎo)體層上存在至少一個(gè)缺失區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)體層位于與所述波紋紙板嵌片相鄰的所述第一紙板層的內(nèi)表面上，并且/或者，所述第二導(dǎo)體層位于與所述波紋紙板嵌片相鄰的所述第二紙板層的內(nèi)表面上。還提供了一種跟蹤物體或容器的方法，其包括的步驟有將在上文中定義的解耦器和至少一個(gè)RF標(biāo)簽加到所述物體或容器的表面的部分上，采用RF輻射詢問(wèn)所述至少一個(gè)RF標(biāo)簽，探測(cè)來(lái)自所述至少一個(gè)RF標(biāo)簽的響應(yīng)。下文僅通過(guò)舉例的方式并參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例予以說(shuō)明，在附圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的電磁輻射解耦器的基本表示。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的另一解耦器。圖3a和3b分別示出了雙島解耦器的側(cè)^L圖和平面圖。圖4a-c示出了a)UHF標(biāo)簽，其接下來(lái)在b)平面圖和c)側(cè)視圖中將位于四島解耦器上。圖5a-c示出了如例子中所描述的UHF標(biāo)簽在4島解耦器上的備選位置的平面圖。29圖6是沿平行于入射電場(chǎng)的狹縫(即，解耦器的長(zhǎng)軸)的電場(chǎng)矢量的圖表。圖7是沿垂直于入射電場(chǎng)的狹縫的電場(chǎng)矢量的圖表。圖8是沿垂直于解耦器的表面的線的電場(chǎng)矢量的圖表。圖9示出了沿線1的處于y方向的電場(chǎng)的幅度，所述的線1平行于z軸穿過(guò)解耦器電介質(zhì)芯和上面的空氣隙。圖10a和b示出了沿3條不同的全部平行于z軸的線的處于y方向的電場(chǎng)的幅度的圖表。圖11示出了沿線4的處于y方向的電場(chǎng)的幅度的圖表(與在圖10a和b中生成的一樣)。圖12示出了凹陷標(biāo)識(shí)板的^f黃截面。圖13示意性地示出了凹陷標(biāo)識(shí)—反的構(gòu)造。圖14示出了對(duì)于指定幾何形狀和材4+組合而言憑借Sensormatic讀取器實(shí)現(xiàn)的讀取范圍與間隔體厚度之間的關(guān)系。圖15是在基本諧振頻率上解耦器的電介質(zhì)芯中的電場(chǎng)的幅度的圖表。圖16示出了具有兩個(gè)或更多島的寬帶解耦器的橫截面。圖17示出了在不具有解一禺器的情況下866MHz標(biāo)簽和Sensormatic讀取器的性能的曲線圖。圖18示出了解耦器曲線和與圖17中相同的那條讀取器曲線的模擬曲線圖。圖19示出了具有低Q天線(小面積的非優(yōu)化天線)的單島標(biāo)簽。圖20a和b示出了寬帶單島解耦器的示范性構(gòu)造。圖21a-g示出了第一導(dǎo)體層的各種圖形設(shè)計(jì)的頂視圖。圖22a和b示出了處于隔離狀態(tài)下和安裝在單島解耦器上的狀態(tài)下的低Q標(biāo)簽的例子。圖22c示出了低Q天線的示范性示意圖。圖22d示出了安裝到解耦器上的一個(gè)天線的例子。圖23示出了在各種厚度下，對(duì)不同芯部材料的讀取范圍的影響的曲線圖，包括對(duì)聚酯的理論預(yù)測(cè)。圖24a和b分別示出了雙島和單島解耦器，其中，將諧振腔設(shè)計(jì)為使其在一定的波長(zhǎng)范圍內(nèi)諧振，因而提供了寬帶操作。圖25示出了位于電介質(zhì)層內(nèi)的RF標(biāo)簽的橫截面。圖26a、b和c示出了通過(guò)空氣隙隔離第一和第二導(dǎo)體層的解耦器的三種構(gòu)造。圖27示出了RF標(biāo)簽具有變化的位置的環(huán)形解耦器。圖28a示出了用于確定改變第一導(dǎo)體層的長(zhǎng)度的影響的實(shí)驗(yàn)設(shè)置。圖28b示出了用于確定改變第二導(dǎo)體層的長(zhǎng)度的影響的實(shí)驗(yàn)設(shè)置。圖29示出了用于確定相對(duì)于第一導(dǎo)體層旋轉(zhuǎn)RF標(biāo)簽的影響的實(shí)驗(yàn)設(shè)置。圖30示出了不具有第二導(dǎo)體層的寬帶解耦器。具體實(shí)施例方式來(lái)看圖1,多層電磁輻射解耦材料包括第一導(dǎo)體層1和第二導(dǎo)體層3。導(dǎo)體1和3夾著電介質(zhì)芯5。在為了與866MHzUHFRF標(biāo)簽結(jié)合使用而構(gòu)造的解耦器的例子中，每一銅導(dǎo)體層1和3的厚度為2.5微米，電介質(zhì)的厚度大約為360微米。狹縫寬度(9)為0.490mm。受到調(diào)諧的第一導(dǎo)體層(7)的長(zhǎng)度為95mm。這樣的構(gòu)造得到了在大約95mm的半波長(zhǎng)處的諧振。866MHz在真空中為346mm,在PETG中約為190mm(因而95mm為半波長(zhǎng))，因?yàn)樾静空凵渎蚀蠹s為n=1.8。應(yīng)當(dāng)注意，三個(gè)層的總厚度(約為400微米)大約是入射輻射的波長(zhǎng)的1/1000。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的輻射解耦器的另一例子。在這種情況下，銅層11和13夾著聚酯層15。上部銅層11含有狹縫12。通過(guò)將銅層11自動(dòng)催化淀積島聚酯層15上來(lái)構(gòu)造圖2的結(jié)構(gòu)。采用敏化材料17促進(jìn)淀積反應(yīng)。粘合劑層19將聚酯層15接合至底部銅層13。在所形成的并加以測(cè)試的例子中，銅層11具有1.5-2.0微米的厚度，敏化物層17具有大約3-4微米的厚度，聚酯層15具有大約130微米的厚度，粘合層19具有大約60微米的厚度，底部銅層具有18微米的厚度。圖3a-b示出了根據(jù)本發(fā)明的雙島解耦器，其具有夾著電介質(zhì)層25的銅層21和23,所述電介質(zhì)層25通過(guò)粘合層29接合至下部銅層23。通過(guò)繼之以電解淀積的無(wú)電法在敏化材料27上淀積上部銅層21(即"島")，將所述層構(gòu)造為含有狹縫22。將RF標(biāo)簽24安裝到間隔體26上，以提供與解耦器的表面的隔離。將所述標(biāo)簽加間隔體安裝到第一導(dǎo)體層21的頂部，從而使標(biāo)簽中央處的芯片(標(biāo)簽24的平面圖b上的黑圓圏)恰好位于兩島之間的中點(diǎn)上。圖4a示出了市面可得的標(biāo)準(zhǔn)UHF標(biāo)簽(在這一例子中為866MHz的AlientechnologiesUHF標(biāo)簽)的平面圖，其包括芯片37并且?guī)в刑炀€40。標(biāo)簽的寬度(41)為8mm,標(biāo)簽的長(zhǎng)度(42)為95mm。這是一個(gè)具有能夠針對(duì)自由空間操作下(假設(shè)是自由空間操作)的入射輻射而進(jìn)行調(diào)諧的天線的標(biāo)簽，能夠看出，整個(gè)RF標(biāo)簽的大部分尺寸被天線所占據(jù)。而具有毫米量級(jí)的芯片自身則小得多。圖4b和4c示出了四島解耦器。將四個(gè)島31布置到電介質(zhì)芯部材料35的表面上。通過(guò)缺失區(qū)域32隔離島31。所述缺失區(qū)域基本相互垂直。它們所處的位置使得兩個(gè)狹縫32的交叉點(diǎn)穿過(guò)解耦器的中心相交?；鶞?zhǔn)標(biāo)記46表示長(zhǎng)度尺寸的絕對(duì)中心，基準(zhǔn)標(biāo)記45表示寬度尺寸的絕對(duì)中心。將標(biāo)簽34恰好放在交叉點(diǎn)之上，從而使芯片37恰好位于從點(diǎn)46和45繪制的線的交叉點(diǎn)上。島31具有采用島長(zhǎng)度-入/(2n)的近似式計(jì)算的長(zhǎng)度44,其中，n是芯部的折射率，這里提供大約95mm的島長(zhǎng)度44(以PETG作為芯部材料)。島寬度43取決于RF標(biāo)簽的實(shí)際尺寸和所采用的詢問(wèn)輻射的波長(zhǎng)。在這一具體的例子中，使島寬度43為標(biāo)簽寬度的四倍，大約為35mm。圖5a-c示出了針對(duì)RF標(biāo)簽的位置的各種構(gòu)造的平面圖。圖5a示出了十六島解耦器，從而在一幅示意圖上對(duì)感興趣的取向舉例說(shuō)明圖5b和5c示出了先前討論的四島解耦器。將在具體的例子6、7和8中討論所述構(gòu)造的效果。盡管上述例子涉及毫米到厘米波長(zhǎng)的吸收，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，可以將上述原理應(yīng)用于不同的狹縫結(jié)構(gòu)、層厚度、島長(zhǎng)度和芯部折射率，以形成能夠與e/m光語(yǔ)中的其他部分的輻射，例如，紅外光、可見(jiàn)光、無(wú)線電波等相互作用的電磁解耦材料。圖6示出了由Ansoft⑧提供的高頻結(jié)構(gòu)仿真器(HFSS)生成的圖表，其用于才莫擬一皮設(shè)計(jì)為在866MHz下工作的又被稱為二光4冊(cè)(因?yàn)榭梢詫⑵淇醋骶哂袃蓚€(gè)交叉的正交狹縫)的四島解耦器。盡管模擬了整個(gè)解耦器71的性能，但是僅示出了中央部分70的場(chǎng)圖案。電介質(zhì)芯是lmm厚的PET,所述結(jié)構(gòu)的總周期為95.12mm，其寬度為190mm,并且具有0.49mm寬的狹縫。其目的在于識(shí)別出具有增強(qiáng)的電場(chǎng)的區(qū)域，并確定場(chǎng)強(qiáng)如何才艮據(jù)距表面的距離以及沿平行于或垂直于入射電場(chǎng)矢量的狹縫而發(fā)生變化。在所有的實(shí)例中，入射電場(chǎng)都具有1V/m的幅度，并且平行于圖5b中定義的y軸偏振。通過(guò)箭頭示出了入射電場(chǎng)矢量的方向。能夠清楚地看到半波長(zhǎng)諧振節(jié)點(diǎn)存在于^t型的邊界處(位于狹縫之間的中間處)，并且在狹縫交叉處具有波腹。從所述圖表可以看出，具有增強(qiáng)電場(chǎng)(即，最長(zhǎng)的箭頭)的區(qū)域的中心處于預(yù)測(cè)的波腹處。方便地，將RF標(biāo)簽放在具有增強(qiáng)的電場(chǎng)的區(qū)域上是有利的，因而優(yōu)選使芯片位于所述交叉點(diǎn)處。圖7示出了沿垂直于入射電場(chǎng)的狹縫的電場(chǎng)矢量的圖表。注意量度的變化對(duì)于原來(lái)的狹縫而言，作為與75V/m的對(duì)比，場(chǎng)已經(jīng)增強(qiáng)到了超過(guò)120V/m(即，場(chǎng)沿x軸狹縫比沿y軸狹縫更強(qiáng))。與圖6中一樣，所述圖表也不是針對(duì)整個(gè)解耦器的，而只是針對(duì)中央部分的。圖8示出了沿垂直于解耦器的表面的線的電場(chǎng)矢量的另一圖表(同相瞬態(tài)圖)，其仍然具有最大值120V/m的量度。電場(chǎng)的強(qiáng)度隨著與解耦器表面的垂直距離的增大而衰落。圖9示出了處于y方向的電場(chǎng)的幅度如何沿平^f亍于z軸，即穿過(guò)解耦器電介質(zhì)芯的厚度并進(jìn)入處于其上的空氣隙的線(可以看作沿圖10a中的線1)而變化。圖9示出了被分解為x、y和z分量的來(lái)自圖7和圖8的數(shù)據(jù)。隨著疊加在所述曲線圖上的解耦器的位置繪制了y分量，以演示在哪里產(chǎn)生了高場(chǎng)區(qū)域。帶有狹縫的頂表面31形成于電介質(zhì)芯35上，并且包括第二金屬性表面33。所述曲線圖示出了所預(yù)期的趨勢(shì)場(chǎng)在臨近所述芯內(nèi)的下部金屬表面處低，并在所述狹縫內(nèi)增大到220V/m的最大值。在該圖中以黃色表示的小狹縫只是被模擬出來(lái)表明在z尺度內(nèi)，即非X或Y尺度內(nèi)哪里場(chǎng)最高。超過(guò)前面的模型的200V/m的增加值歸結(jié)于數(shù)據(jù)來(lái)自更為高度精細(xì)的模型更高密度的有限元網(wǎng)絡(luò)和更高數(shù)量的數(shù)據(jù)點(diǎn)，從而恰好選出電場(chǎng)的峰值。在解耦器自身之上的空氣中，場(chǎng)強(qiáng)高但是隨著與解耦器表面的距離的增大而迅速下降。超過(guò)10mm，增強(qiáng)場(chǎng)就不再明顯，場(chǎng)特性返回至正弦曲線。圖10a和b示出了沿3條不同的全部平行于z軸的線(1-3)的處于y方向的電場(chǎng)的幅度的圖表。所述線全部穿過(guò)垂直于入射電場(chǎng)矢量(即沿平行于x軸的線4)延伸的狹縫。圖10b表明，對(duì)于所有的三條線趨勢(shì)相同在狹縫區(qū)域內(nèi)存在高電場(chǎng)，隨著沿z軸的距離的增大，即，隨著場(chǎng)離開(kāi)解耦器的表面，該場(chǎng)迅速降低。線2和3的最大場(chǎng)強(qiáng)比線1的最大場(chǎng)強(qiáng)大40VZm左右。其原因可能在于狹縫交叉點(diǎn)，即線1穿過(guò)的點(diǎn)處的場(chǎng)線的彎曲。這一點(diǎn)在圖11中可以看得更清楚，在圖11中繪制了沿線4的場(chǎng)強(qiáng)，其與圖8的圖表一致。其他因素，例如，標(biāo)簽處于狹縫之上的量也對(duì)性能存在影響。圖11示出了沿線4測(cè)得的并且如圖10a和10b所示的處于y方向的電場(chǎng)的幅度的曲線圖。線4通過(guò)平4亍于x軸的狹縫延伸。所述狹縫為0.49mm寬，并且其中心處于47.6mm處。曲線圖上的主要特4正為0.5mm寬，并且其中心處于所述狹縫上，因而可以證實(shí)，處于y方向的電場(chǎng)在狹縫交叉處稍弱。但是，將標(biāo)簽放在這一交叉點(diǎn)是有利的，因?yàn)槠涮炀€沿y軸狹縫布置。對(duì)稱性表明，沿線2和3的場(chǎng)強(qiáng)應(yīng)當(dāng)相等。它們之間的偏差將指示出該解決方案的準(zhǔn)確度。作為近似測(cè)量沿線2的峰值場(chǎng)強(qiáng)處于比沿線3的峰值場(chǎng)強(qiáng)大10%的范圍內(nèi)，因此可以說(shuō)所有的場(chǎng)值均帶有+/-10%的誤差。這是因?yàn)殡妶?chǎng)梯度(dE/dz)是快速變化的函數(shù)，其需要高度致密的有限元網(wǎng)絡(luò)和高密度的數(shù)據(jù)點(diǎn)來(lái)準(zhǔn)確地反映其特性。圖12示出了凹陷標(biāo)識(shí)板的橫截面。標(biāo)識(shí)板58并非按比例繪制，其壁厚與其他部件之間可能并非具有準(zhǔn)確的比例。解耦器50具有處于表面層51內(nèi)的四個(gè)島，所述島布置在電介質(zhì)芯部材料55的表面上。通過(guò)缺失區(qū)域52分離所述島51。所述缺失區(qū)域或狹縫基本相互正交。它們所處的位置使得兩個(gè)狹縫52的交叉點(diǎn)穿過(guò)解耦器的中心相交。將標(biāo)簽54恰好放置在所述交叉點(diǎn)之上，從而使芯片57恰好位于所述交叉點(diǎn)上。利用間隔體材料56將標(biāo)簽54與解耦器50隔開(kāi)。解耦器的下部金屬表面53可以是分立的層，或者在板58的基底由導(dǎo)電材料構(gòu)成時(shí)，其可以形成板58的部分。之后，采用保護(hù)層材料59填充板的空隙區(qū)，/人而基本包封所述加標(biāo)簽系統(tǒng)，以避免對(duì)芯片57和解耦器50造成損壞。該圖還示出了處于金屬主體或容器內(nèi)的凹陷部分，因而板58包括處于金屬主體或諸如飲料或食物容器內(nèi)的凹陷。該圖并所述凹陷的深度小于lmm,更優(yōu)選小于0.5mm,乃至小于250樣吏米。圖13示出了凹陷標(biāo)識(shí)板58的分解投影圖。該板的頂部可以任選具有唇緣60。帶有缺失區(qū)域52的解耦器50具有放置在兩個(gè)狹縫的交叉點(diǎn)之上的RF標(biāo)簽54(僅示出了輪廓)。所述解耦器或加標(biāo)簽系統(tǒng)可以反轉(zhuǎn)附著于板58,并且可以涂覆保護(hù)層59作為覆蓋解耦器的薄板材料?？梢詮臉?biāo)識(shí)板去除所述解耦器50(或加標(biāo)簽系統(tǒng))和保護(hù)層59。所述保護(hù)層可以是諸如聚氨酯、環(huán)氧樹(shù)脂、PVC或ABS的適當(dāng)?shù)幕衔?。?8可以由任何薄板金屬或鑄造金屬支座。板58可以由任何適當(dāng)?shù)牟牧蠘?gòu)成，例如，采用沖床形成的lmm厚的軟鋼，同時(shí)諸如合金或鋁的更輕的材料同樣價(jià)格低廉并且易于制造。類似地，標(biāo)識(shí)板的壁可以代表處于金屬主體或容器內(nèi)的凹陷的壁。圖14示出了對(duì)于在特定的解耦器幾何結(jié)構(gòu)內(nèi)采用的PET薄板間隔體材料而言讀取范圍對(duì)間隔體厚度的依賴性，參考例8。所述結(jié)果是借助Seonsormatic讀取器得到的，所述讀取范圍通常小于針對(duì)AlienTechnology系統(tǒng)的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，不同的讀取系統(tǒng)采用具有不同功率水平的發(fā)射器。因此，只有在針對(duì)同一系統(tǒng)比較結(jié)果時(shí)絕對(duì)讀取范圍才具有重要性。功率更大的發(fā)射器能夠獲得更大的讀取范圍。因此，只能將所有實(shí)驗(yàn)中的結(jié)果作為趨勢(shì)考慮，而不是憑借每一可用系統(tǒng)得到的絕對(duì)讀取范圍。但是，功率更大的發(fā)射器無(wú)法減輕附近的諸如金屬的RF反射表面的影響。圖15示出了在基本諧振頻率上處于解耦器的電介質(zhì)芯內(nèi)(從圖表的底部看)以及處于狹縫的附近的電場(chǎng)的幅度的圖表。陰影越淡，電場(chǎng)越強(qiáng)，狹縫之上的白色區(qū)域表示大約150到200倍的場(chǎng)增強(qiáng)。圖16示出了寬帶解耦器，即，可以在不只一個(gè)頻帶處對(duì)輻射解耦的解耦器的橫截面。圖16a和16b示出了兩個(gè)示范性構(gòu)造，二者均以二島解耦器原理為基礎(chǔ)。在圖16a所示的例子中，所述解耦器具有形成上述解耦器結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)體層71、電介質(zhì)層72和第二導(dǎo)體層73,即，電介質(zhì)72夾在導(dǎo)體層71和73之間。將第一導(dǎo)體層設(shè)計(jì)為對(duì)處于頻率入B上的輻射解耦(并且其可以具有入B/2的周期)，將所述第一導(dǎo)體層形成為通過(guò)缺失區(qū)域隔離的兩個(gè)島。可以將RF標(biāo)簽76B放置在所述缺失區(qū)域之上。此外，在第二導(dǎo)體層73的相反表面上，將電介質(zhì)層74夾在額外的導(dǎo)體層75和第二導(dǎo)體73之間。這一額外的導(dǎo)體層也是兩島結(jié)構(gòu)，其被設(shè)計(jì)為對(duì)處于頻率人A上的輻射解耦(并且其可以具有入A/2的周期)?？梢詫⑴c標(biāo)簽76b具有不同工作頻率的第二RF標(biāo)簽76a放置到導(dǎo)體層75的缺失區(qū)域上(通過(guò)與放置在層71上的標(biāo)簽76b類似的方式)。在需要具有不同諧振頻率的RF標(biāo)簽時(shí)，這種方案是有用的。為了更加清晰地示出解耦器的具體結(jié)構(gòu)，在某些示意圖中，簡(jiǎn)化了RF標(biāo)簽，只采用方框?qū)ζ浼右员硎荆淇梢源淼蚎或普通RF標(biāo)簽，并且可以任選將其安裝到間隔體上。圖16b示出了寬帶解耦器的不同結(jié)構(gòu)。在這一結(jié)構(gòu)中，分別通過(guò)電介質(zhì)層74和72隔離不同的半波長(zhǎng)導(dǎo)體層75和71,并且所述的不同的半波長(zhǎng)導(dǎo)體層75和71二者都安裝在第二導(dǎo)體層73的同一第一(上)表面上。層75的長(zhǎng)度使得通過(guò)與解耦器的其他尺寸和材料相結(jié)合，能夠產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于頻率入A的諧振，并且層71具有通過(guò)相同的機(jī)制對(duì)應(yīng)于頻率人B的長(zhǎng)度?？梢源嬖谝粋€(gè)或多個(gè)安裝在層71的表面上的RF標(biāo)簽76a和76b,所述標(biāo)簽在頻率入A和人B上啟動(dòng)。有可能4吏這一結(jié)構(gòu)具有位于所述第二導(dǎo)體層73的兩面上的兩個(gè)或更多解耦器，從而提供4個(gè)或更多的不同頻率。圖17示出了采用既具有自由空間內(nèi)的(即未安裝在解耦器上)866MHz標(biāo)簽又具有Sensormatic讀取器天線的矢量網(wǎng)絡(luò)分析器測(cè)得的性能的曲線圖。讀取器曲線越深，讀取器天線發(fā)射的功率越大。標(biāo)簽曲線越深，標(biāo)簽從讀取器天線發(fā)射的波中獲取的功率越大。進(jìn)入標(biāo)簽的功率越大，讀取范圍越大，因此，最好使兩個(gè)曲線的中心處于相同的頻率上標(biāo)簽優(yōu)選在讀取器發(fā)射最大功率的頻率處采集功率。盡管對(duì)準(zhǔn)兩條曲線將產(chǎn)生最佳性能，但是如果其曲線與讀取器曲線的任何部分重疊，標(biāo)簽將以較小的讀取范圍工作。圖18示出了與圖17所示的同一讀取器相比，根據(jù)本發(fā)明的解耦器的性能的才莫擬曲線圖。所述解耦器截取由讀取器天線發(fā)射的功率。在高電磁能點(diǎn)處將這一功率通過(guò)缺失區(qū)域?qū)氲剿龅谝粚?dǎo)體層和第二導(dǎo)體層之間的電介質(zhì)芯內(nèi)。正是采用這些強(qiáng)電場(chǎng)為所述標(biāo)簽提供功率。所述解耦器很像所述讀取器和標(biāo)簽，其在一定的頻率范圍內(nèi)截取功率，并優(yōu)選在某一特定功率處工作。如圖17中所示，通過(guò)使最大的功率量進(jìn)入解耦器并由此進(jìn)入標(biāo)簽而實(shí)現(xiàn)解耦器上的標(biāo)簽的最大讀取范圍。可以通過(guò)使兩條性能曲線，即解耦器、標(biāo)簽和讀取器的性能曲線的中心對(duì)準(zhǔn)而實(shí)現(xiàn)這一目的。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，最初針對(duì)866MHz設(shè)計(jì)的解耦器也能對(duì)在自由空間內(nèi)的915MHz處工作的標(biāo)簽解耦。Alien915MHz標(biāo)簽與Alien866MHz標(biāo)簽非常類似，唯一的差別在于針對(duì)915MHz調(diào)諧的天線的主塊(mainbulk)。兩種標(biāo)簽的天線都結(jié)合了阻抗環(huán)，所述的相關(guān)阻抗環(huán)大致等同。已經(jīng)表明，解耦器使得天線的主塊變得多余。因此，在天線處于解耦器上時(shí)，只有阻抗環(huán)相關(guān)。該圖是針對(duì)Sensormatic套件的。其目的在于比較諧振頻率和帶寬。因此，解耦器曲線優(yōu)選落在所述系統(tǒng)(解耦器加標(biāo)簽)工作的讀取器曲線內(nèi)，更優(yōu)選所述諧振頻率(兩條曲線的最小值)應(yīng)當(dāng)重合。解耦器仍然截取優(yōu)選處于866MHz處的功率，幾乎不截取處于915MHz處的功率，因?yàn)樵谠擃l率上其性能曲線接近0dB,這一點(diǎn)可以從曲線圖上看出(需要一定的外延)。因此，盡管所述標(biāo)簽一皮設(shè)計(jì)為在915MHz上工作，但是其被驅(qū)動(dòng)至866MHz上的操作。這是可能的，因?yàn)樾酒瑢缀踉?66MHz上工作，正像其將在915MHz上工作一樣。因此，解耦器將在一定頻率范圍內(nèi)起作用，但是在解耦器、讀取器和(具有較低的重要程度的)標(biāo)簽在相同的頻率上工作時(shí)，將獲得最高性能。圖19示出了安裝在單島解耦器上的具有低Q天線(小面積天線)86的標(biāo)簽。所述解耦器具有與二島解耦器類似的結(jié)構(gòu)，只是在第一導(dǎo)體層81上具有一個(gè)島，缺失區(qū)域87位于第一導(dǎo)體層81的末尾。第一導(dǎo)體層81和第二導(dǎo)體層83夾著電介質(zhì)層82。第一導(dǎo)體層的長(zhǎng)度將決定解耦器的頻率(對(duì)于具體電介質(zhì)層而言，還決定材料和厚度，以及(在較低的程度上)決定導(dǎo)體層的導(dǎo)電性)。圖20a和b示出了寬帶單島解耦器的兩個(gè)示范性構(gòu)造(基于圖16a和b)。圖20a示出了一種寬帶解耦器的橫截面，在所述寬帶解耦器中提供了第二導(dǎo)體層93,在第一表面上具有第一導(dǎo)體層91,電介質(zhì)層92夾在導(dǎo)體層91和93之間。將第一導(dǎo)體層設(shè)計(jì)為使所述解耦器對(duì)處于頻率入B的輻射解耦(并且其可以具有入B/2的周期)。可以將RF標(biāo)簽96放置在缺失區(qū)域之上。類似地，在第二導(dǎo)體層93的第二表面上具有電介質(zhì)層94,所述電介質(zhì)層94夾在額外的導(dǎo)體層95和第二導(dǎo)體93之間。將這一額外的導(dǎo)體層設(shè)計(jì)為對(duì)處于對(duì)應(yīng)于波長(zhǎng)人A的頻率上的輻射解耦(并且其可以具有入A/2的周期)。可以將RF標(biāo)簽96放置在缺失區(qū)域97上。在需要具有不同諧振頻率的RF標(biāo)簽時(shí)，這種方案是有用的。圖20b示出了寬帶解耦器的不同構(gòu)造。在這一構(gòu)造中，分別通過(guò)電介質(zhì)層94和92分離導(dǎo)體層95和91,并且將導(dǎo)體層95和91二者安裝在第二導(dǎo)體層93的同一第一表面上。層95對(duì)應(yīng)于波長(zhǎng)入A,層91對(duì)應(yīng)于波長(zhǎng)入B。可以在層91的表面上安裝了在對(duì)應(yīng)于波長(zhǎng)入A和入B的頻率上啟動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)RF標(biāo)簽96。有可能使這一結(jié)構(gòu)具有位于所述第二導(dǎo)體層93的兩面上的兩個(gè)或更多解耦器，從而提供4個(gè)或更多的不同頻率。圖21a-g示出了針對(duì)具有缺失區(qū)域102的第一導(dǎo)體層101的各種幾何設(shè)計(jì)的平面圖，其中，將RF標(biāo)簽106放置在所述缺失區(qū)域上。圖a-d是單島解耦器，可以根據(jù)物品或者可以為所述解耦器提供的表面選擇其形狀或幾何形狀。第一導(dǎo)體層可以優(yōu)選顯示出諧振金屬/電介質(zhì)/金屬腔長(zhǎng)度，入"2nG/N，(所述系統(tǒng)仍然是諧振的)，其中，入是處于發(fā)生最大耦合的入mm到入max的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)，n是電介質(zhì)的折射率，G是至少一個(gè)第一導(dǎo)體層的腔長(zhǎng)度，N是大于等于l的整數(shù)?？梢源嬖谝粋€(gè)或多個(gè)放置在所述缺失區(qū)域或狹縫上的標(biāo)簽，在理想的情況下，其所處距離滿足上述關(guān)系。例如，在圖b中，在第一導(dǎo)體層的一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)側(cè)面上均可以存在缺失區(qū)域?？梢枣苏站哂腥舾蓷l邊(n)的任何多邊形形狀形成所述解耦器，所述多邊形形狀含有1到n個(gè)相應(yīng)的缺失區(qū)域。其將傾向于提供一種基本為圓形的構(gòu)造，例如圖d所示。在備選構(gòu)造中，可能希望采用具有多個(gè)RF標(biāo)簽的偏振相關(guān)解耦器，這樣隨著RF標(biāo)簽進(jìn)入與詢問(wèn)場(chǎng)的對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)，RF標(biāo)簽隨后啟動(dòng)，由此可以推斷物品相對(duì)于偏振輻射源的取向。圖c、d、e、f和g示出了基本為圓形的解耦器，所述解耦器基本與偏振無(wú)關(guān)，因而不管入射的RF場(chǎng)的方向/偏振如何，均可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所述標(biāo)簽的詢問(wèn)。圖f示出了與偏振無(wú)關(guān)的標(biāo)簽的特定優(yōu)選構(gòu)造，其中，第一導(dǎo)體層101具有環(huán)形缺失區(qū)域或狹縫102?？梢詫F標(biāo)簽106,尤其是具有標(biāo)稱尺寸天線的低Q標(biāo)簽放置在這一狹縫的任何位置上。已經(jīng)表明，在這一特定構(gòu)造中，所述第一導(dǎo)體層的其余部分的形狀，即，處于環(huán)形狹縫之外的整個(gè)解耦器的形狀未必是環(huán)形的，實(shí)際上，非環(huán)形的外部形狀看起來(lái)是有利的，另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于基本非均勻的外側(cè)形狀，已經(jīng)38表明，在狹縫的直徑接近入/4,而不是像其他解耦器設(shè)計(jì)那樣接近入/2時(shí)，獲得了最為有利的結(jié)果。圖f的側(cè)視圖示出了夾著電介質(zhì)層102a的第一導(dǎo)體層101和第二導(dǎo)體層101a,其中，缺失區(qū)域102存在于所述第一導(dǎo)體層內(nèi)。另一優(yōu)選構(gòu)造為圖21g,其中，在第一導(dǎo)體層101內(nèi)存在擴(kuò)大的缺失區(qū)域102,RF標(biāo)簽206位于所述缺失區(qū)域的邊緣上。圖22a示出了低Q標(biāo)簽116的例子，其具有連接至芯片117的小電感/阻抗環(huán)118。再來(lái)參考圖4a,可以看出，調(diào)諧標(biāo)簽具有芯片和有效電感環(huán)，此外還具有額外的顯著量的調(diào)諧天線結(jié)構(gòu)。因此，可以認(rèn)為低Q標(biāo)簽是調(diào)諧標(biāo)簽的較小的變型。低Q標(biāo)簽116無(wú)法在所設(shè)計(jì)的頻率上在自由空間內(nèi)工作(但是在周長(zhǎng)等于波長(zhǎng)時(shí)可以在較高的頻率上工作，接近6GHz),除非讀取器位于距芯片1或2mm的距離內(nèi)，因?yàn)樘炀€118不足以耦合至入射輻射?？梢詫H僅比芯片自身稍大的低Q標(biāo)簽放置在根據(jù)本發(fā)明的任何解耦器上。在圖22b中，標(biāo)簽116位于單島解耦器的缺失區(qū)域112(電介質(zhì)層的部分，參考圖19)上，所述單島解耦器具有第一導(dǎo)體層111(其他層未示出)，所述第一導(dǎo)體層111優(yōu)選與RF標(biāo)簽讀取系統(tǒng)的頻率匹配。所述讀取范圍與在自由空間內(nèi)使用的優(yōu)化RF標(biāo)簽(例如圖4a所示)的讀取范圍相當(dāng)，但是讀取范圍的任何小的損減可以由解耦器和標(biāo)簽的非常小的面積補(bǔ)償。所述解耦器和標(biāo)簽可以具有只是剛好大于入《2nG/N的長(zhǎng)度。其對(duì)于諸如衣物標(biāo)簽、小型消費(fèi)品的小型物品而言，或者對(duì)于更加隱蔽的加標(biāo)簽系統(tǒng)而言是一種理想的尺寸。圖22c示出了針對(duì)低QRF標(biāo)簽的若干設(shè)計(jì)，低QRF標(biāo)簽是指基本去除了天線設(shè)計(jì)(如圖4a所示)，從而只保留如圖22a所示的小的環(huán)部分的RF標(biāo)簽。或者，可以采用朝向間隔體延伸或者部分包圍所述間隔體的端"臂"替代所述的小的環(huán)部分，因?yàn)?，如果能夠與準(zhǔn)確設(shè)計(jì)的解耦器結(jié)合，即使兩個(gè)短的金屬"截線"也足以將能量耦合到芯片內(nèi)。在圖22d中，示出了低QRF標(biāo)簽，其中，環(huán)部分沿兩個(gè)相交狹縫的軸布置，由此提高了RF標(biāo)簽的偏振無(wú)關(guān)性。圖23示出了三種不同的芯部材料在不同的厚度下對(duì)讀取范圍的影響的曲線圖，在下文中將參考例IO對(duì)其做進(jìn)一步說(shuō)明。圖24a示出了具有至少一個(gè)狹縫125的二島解耦器，所述狹縫125并未顯示出從解耦器的一個(gè)邊緣開(kāi)始的單一均勻距離(即，其并非相對(duì)于所述的解耦器的邊緣平行)。其提供了一種能夠在一定波長(zhǎng)范圍內(nèi)工作的解耦器。因此，解耦器可以跨越其工作的波長(zhǎng)可以根據(jù)狹縫相對(duì)于所述的解耦器的邊緣的角度以增量"5"增大或降低"X"。也可以將這一原理應(yīng)用到具有四個(gè)或更多島的解耦器上。還可以將相同的原理應(yīng)用于圖24b所示的單島解耦器，其中，所述第一導(dǎo)體層上的缺失區(qū)域的邊緣形成了不平行于解耦器的遠(yuǎn)邊的線。這一原理可以對(duì)處于提高的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射解耦。所述波長(zhǎng)范圍僅受解耦器的初始尺寸和狹縫相對(duì)于解耦器邊緣的角度的限制。還可以將這一原理與圖16a和b以及圖20中采用的寬帶解耦器結(jié)合使用。圖25示出了在布置在電介質(zhì)芯部材料128的表面上的第一導(dǎo)體層127中具有兩個(gè)或更多島的解耦器126的橫截面。通過(guò)缺失區(qū)域隔離島127。標(biāo)簽129位于缺失區(qū)域的下面。利用間隔體材料131使標(biāo)簽的天線130(如果存在的話)與第一導(dǎo)體層127隔離。解耦器的下部金屬表面132可以是分立的導(dǎo)體層，或者其可以形成向其施加解耦器的導(dǎo)電表面的部分。必須使標(biāo)簽129及其天線130(如果存在的話)與第一127或第二132導(dǎo)體層電隔離。因而通過(guò)解耦器結(jié)構(gòu)和電介質(zhì)層的材料對(duì)RF標(biāo)簽提供了保護(hù)。圖26a示出了采用空隙138作為電介質(zhì)層的解耦器?？梢栽谥С謱由现苽浣怦钇?，或者所述解耦器可以利用容器或盒子的一部分實(shí)現(xiàn)支撐。具有上面143的容器可以具有按照如上文定義的任何圖案淀積在143的內(nèi)表面上的第一導(dǎo)體層137，所述第一導(dǎo)體層137可以具有單島或多島設(shè)計(jì)。在缺失區(qū)域處，可以使作為低Q或普通標(biāo)簽的RF標(biāo)簽139a借助任選的間隔體141位于缺失區(qū)域之上。或者，可以使RF標(biāo)簽139位于容器的上表面143上，從而使容器或盒子的上表面143起著任選的間隔體的作用。容器的側(cè)面144提供了在容器的上表面143和容器的下表面145之間建立空隙138的支撐機(jī)構(gòu)。可以在容器的下表面145的第一或第二表面上根據(jù)文中定義的任何方法淀積第二導(dǎo)體層142。尤為方便的做法可以是將第一137和第二142導(dǎo)體層以及RF標(biāo)簽139放置在空隙138內(nèi)，以提供保護(hù)。可以采用諸如空氣隙、局部真空的電介質(zhì)流體或者采用惰性氣體或惰性液體填充所述空隙。例如，還可以采用非導(dǎo)電的高孔隙率泡沫或非導(dǎo)電的電介質(zhì)填充材料填充所述空隙。在與RF標(biāo)簽結(jié)合使用時(shí)，約為入射RF波長(zhǎng)的波長(zhǎng)的1/170的1到2mm的空氣隙已經(jīng)提供了有用的讀取范圍。在圖26b中，存在與圖26a中相同的特征，只是可以不存在容器的側(cè)面，所述側(cè)面可以由非導(dǎo)電通孔或非導(dǎo)電支撐機(jī)構(gòu)144a替代，以提供電介質(zhì)層138的正確厚度。在圖26c中，存在與圖26a或26b中相同的特征，只是第一導(dǎo)體層137形成了單島解耦器。于是，可以將RF標(biāo)簽139或139a放置到上表面143的任一面上。方便地，非導(dǎo)電支撐機(jī)構(gòu)144a還可以是容器的側(cè)面144,如圖26a所示。方便地，圖26a到c所示的解耦器可以分別結(jié)合文中定義的任何特征，例如，利用一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體層建立寬帶解耦器，或者利用圖案建立基本上與偏振無(wú)關(guān)的解耦器。圖27示出了針對(duì)例13的構(gòu)造。圖28a和b示出了針對(duì)例16的構(gòu)造。圖29示出了針對(duì)例17的構(gòu)造。圖30示出了具有修改的第二導(dǎo)體層的寬帶解耦器。提供了電介質(zhì)芯層99,在其上面具有對(duì)應(yīng)于第一波長(zhǎng)的第一導(dǎo)體層98，RF標(biāo)簽97基本位于所述缺失區(qū)域內(nèi)(處于具有高電場(chǎng)的區(qū)域內(nèi))。在電介質(zhì)層99的下表面上還有另一導(dǎo)體層98a,其可以和層98對(duì)應(yīng)于相同或不同的波長(zhǎng)，其中，RF標(biāo)簽97a基本位于缺失區(qū)域內(nèi)(處于具有高電場(chǎng)的區(qū)域內(nèi))。所述設(shè)置基本上提供了具有安裝在電介質(zhì)層的任一面上的包括缺失區(qū)域的第一調(diào)諧導(dǎo)體層，所述兩個(gè)第一導(dǎo)體層任選在長(zhǎng)度G上相同或不同，這一點(diǎn)已經(jīng)在前文中有所界定?？梢詢?yōu)選將這一構(gòu)造作為允許采用低QRF標(biāo)簽的具有降低的覆蓋面積的加標(biāo)簽標(biāo)牌使用。本發(fā)明的例子例1采用非導(dǎo)電催化劑墨水(由SunChemical提供的，產(chǎn)品名為QS1、QS2或DP1607,如申請(qǐng)GB0422386.3所公開(kāi)的)將解耦單元，即第一和第二導(dǎo)體層絲網(wǎng)印刷(雙面)到具有已知電特性的聚合物(形成電介質(zhì)芯)上。UHF解耦器的尺寸取決于所述聚合物的電特性和厚度。例如，采用Qmnn塑料，即厚度為lmm的Spectar級(jí)PETG薄板，相對(duì)介電常數(shù)為3.2,由此得到95mm的解耦器周期和190mm的最小解耦器長(zhǎng)度(采用島長(zhǎng)度《入/(2V(介電常數(shù))的近似式，其中，所述折射率近似等于介電常數(shù)的根)。在聚合物的正面印刷解耦器圖案，即，通過(guò)兩條在解耦器的中心相交的正交線分離的四個(gè)等尺寸的島。將解耦器的反面印刷為實(shí)面區(qū)。通過(guò)將樣本在大約8CTC下加熱10分鐘(對(duì)于QS1和QS2系統(tǒng))或者通過(guò)UV固化工藝(對(duì)于DP1607)使所述墨水固化，在兩種情況下均使墨水凝固并附著至襯底。之后，將所印刷的樣本放到市面上可得的無(wú)電鍍?nèi)芤?例如，處于46。C下的Enthone2130⑧或者處于52。C下的RohmandHaas4750)中，并且僅在覆蓋了催化劑墨水的區(qū)域上淀積銅金屬，淀積厚度為0.1-3.0微米。明確定義無(wú)電淀積的速率，由此可以將淀積厚度作為暴露時(shí)間的函數(shù)予以監(jiān)測(cè)。如果需要，可以任選對(duì)無(wú)電淀積的材料進(jìn)行電極淀積。之后，將所得的產(chǎn)物與間隔體層壓，所述間隔體放置在解耦器的正面和UHF標(biāo)簽(在這一例子中，是由Alientechnologies制造的866MHz的15微米UHF標(biāo)簽)之間。典型的間隔體材料是聚合物膜，例如，HififilmsPMX946250微米PET膜。將UHF標(biāo)簽和間隔體按照其中心放在作為所述正交線的交叉點(diǎn)的缺失區(qū)域之上。例2采用導(dǎo)電墨水，例如，AchesonElectrodagPR401BCarbon墨水或AchesonElectrodag503銀墨水，將解耦單元(雙面)絲網(wǎng)印刷到具有已知電特性的聚合物上。UHF解耦器的尺寸取決于所述聚合物的電特性和厚度。例如，采用Qumn塑料，即厚度為1mm的Spectar級(jí)PETG薄板，其相對(duì)介電常數(shù)為3.2,由此得到95mm的解耦器周期和190mm的最小解耦器長(zhǎng)度。按照解耦器圖案印刷所述聚合物的正面，將反面印刷為實(shí)面區(qū)。通過(guò)加熱樣本使墨水固化(對(duì)于AchesonElectrodagPR401BCarbon墨水和AchesonElectrodag503銀墨水)，其使得墨水凝固并附著至襯底。之后，將所得的產(chǎn)物與功能性間隔體層壓，并按照與例1中定義的方式相同的方式將其安裝到解耦器上。例3采用覆蓋了金屬的聚合物膜(例如，DuPontMylarPET膜)，將蝕刻抗蝕劑(例如，SunChemicalXV750)絲網(wǎng)印刷到所述金屬表面上。一旦干燥，所述蝕刻抗蝕劑就會(huì)按照解耦器的圖案附著至所述金屬的表面。之后，將所述膜放到腐蝕性溶液內(nèi)(例如，放到來(lái)自O(shè)ldBridgeChemicals公司的MAXETCH20R內(nèi))。這一過(guò)程去除了未被覆蓋的金屬區(qū)域，從而僅保留非導(dǎo)電襯底。之后，將金屬化已構(gòu)圖膜層壓到芯部材料上，并借助作為背板使用的另一金屬化非構(gòu)圖膜將其夾在中間。之后，其需要例1和例2中定義的間隔體層壓和加標(biāo)簽。例4解耦器測(cè)試方法866MHzUHF標(biāo)簽讀取系統(tǒng)(例如，Sensomaticagile2讀取單元)設(shè)有作為866MHzUHF標(biāo)簽的探測(cè)單元的計(jì)算機(jī)接口。將讀取器天線沿固定矢量放置在臺(tái)面(standfacing)上，并沿這一^各徑放置巻尺，以評(píng)估每一標(biāo)簽的讀取范圍。將所有的金屬物體從讀取器場(chǎng)區(qū)域移開(kāi)，從而使反射性讀取降至最低。采用866MHzUHF標(biāo)簽(例如，AlienTechnologies標(biāo)簽)，并將其放在紙板(cardboard)襯底上。將其從大約5m的距離處徑直朝向讀取器天線移動(dòng)，同時(shí)觀察讀取器顯示，采取標(biāo)簽?zāi)軌蛟?分鐘的時(shí)間段內(nèi)給出恒定讀取結(jié)果的最大位移作為讀取范圍。采取這一值作為所采用的具體UHF標(biāo)簽的標(biāo)準(zhǔn)讀取范圍。之后，將所述標(biāo)簽安裝到所述解耦器上，而所述解耦器自身則附著至金屬襯底(在這一例子中，從滾籠一側(cè)附著至標(biāo)識(shí)板)。將所述標(biāo)簽、解耦器和金屬襯底放到EM場(chǎng)內(nèi)，找到該系統(tǒng)在1分鐘的范圍內(nèi)穩(wěn)定地讀取標(biāo)簽的點(diǎn)。采取該值作為解耦標(biāo)簽系統(tǒng)的讀取范圍。例5采用例4中簡(jiǎn)要描述的方法識(shí)別在將解耦器安裝到金屬襯底上時(shí)UHF標(biāo)簽在解耦器上的最佳的2D位置。圖5a、b、c示出了標(biāo)簽和解耦器系統(tǒng)的相對(duì)位置。圖5a示意性地示出了放置在缺失區(qū)域或狹縫上的標(biāo)簽的可能的位置。在應(yīng)用于四島解耦器時(shí)，獲得了下述數(shù)據(jù)<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>表l:標(biāo)簽相對(duì)于解耦器的相對(duì)位置。才艮據(jù)采用866MHzUHF標(biāo)簽的測(cè)試，可以發(fā)現(xiàn)，在標(biāo)簽的芯片位于缺口上時(shí)讀取范圍顯著提高。在使所述芯片(進(jìn)而與其天線一起)按照其中心放置在兩個(gè)正交的缺口或狹縫的交叉點(diǎn)上時(shí)，將進(jìn)一步提高其讀取范圍。例6圖5b示出了處于狹縫的交叉點(diǎn)處的精確位置對(duì)位于根據(jù)上述例子制備的四島解耦器上的UHF標(biāo)簽的讀取范圍的影響。其作用在于表明在將標(biāo)簽放置到解耦器上的過(guò)程中制造公差可能影響解耦器的有效性，因而影響標(biāo)簽的讀取范圍。實(shí)驗(yàn)參考位置參考讀取范圍(m)<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>表2:標(biāo)簽相對(duì)于四島解耦器的精確位置參考表2，位置0,0表示解耦器單元的絕對(duì)中心。將標(biāo)簽的中心看作是芯片的位置(盡管，在這一實(shí)例中，芯片并非是RF標(biāo)簽的中心)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在標(biāo)簽的芯片按照其中心位于兩個(gè)正交的缺失區(qū)域或狹縫的交叉點(diǎn)處時(shí)，即處于點(diǎn)O,O時(shí)，讀取范圍顯著增大。與直接放置在金屬表面上的RF標(biāo)簽的零讀取相比，沿x或y軸的幾mm的小偏差仍然能夠提供有用的讀取范圍。例7圖5c示出了處于所述交叉點(diǎn)處的方位角位置對(duì)UHF標(biāo)簽的讀取范圍的影響。<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>表3:標(biāo)簽相對(duì)于解耦器上的狹縫的絕對(duì)旋轉(zhuǎn)位置參考表3，位置參考角a°表示距解耦器單元的狹縫的旋轉(zhuǎn)角。采取0°的讀取作為這樣一種情況，即，將所述標(biāo)簽對(duì)準(zhǔn)為平行于y軸狹縫(盡管在該實(shí)例中，芯片并非處于RF標(biāo)簽的中央)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在即處于點(diǎn)0°時(shí)，讀取范圍顯著增大。與直接放置在金屬表面上的RF標(biāo)簽的零讀取相比，與狹縫的平行關(guān)系的小偏差，例如小于6。的旋轉(zhuǎn)，仍然能夠提供有用的讀取范圍。超過(guò)10°的更為明顯的偏差仍然能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)標(biāo)簽的讀取，但是讀取范圍顯著降低。例8可以通過(guò)(例如)優(yōu)化間隔體厚度實(shí)現(xiàn)向最大讀取范圍的改善(與自由空間內(nèi)的隔離標(biāo)簽相比)。如圖14所示，與在自由空間內(nèi)讀取的標(biāo)簽相比，解耦器和標(biāo)簽之間的電介質(zhì)間隔體可以提高標(biāo)簽的讀取范圍。由于引入了具有提高的厚度的PET間隔體，因此標(biāo)簽開(kāi)始提高其讀取范圍，直到間隔體厚度為300微米左右時(shí)，其響應(yīng)將等同于隔離標(biāo)簽的響應(yīng)。有趣地，在400微米處，獲得了4.5m的讀取范圍，比期望的最大值增加了0.5m。間隔體厚度的進(jìn)一步增大將略微降低這一值，盡管其仍然在實(shí)質(zhì)上等于隔離標(biāo)簽的值。在IOOO微米之后，讀取范圍下降(在這一例子中未示出)，但是標(biāo)簽可以仍然在RF反射表面上工作。顯然，這些值表明，與RF標(biāo)簽的未加修飾的自由空間的性能相比，解耦器可以提高RF標(biāo)簽的讀取范圍。這些結(jié)果是針對(duì)Sensormatic套件特定的，顯然對(duì)于不同的RF標(biāo)簽或讀取系統(tǒng)最佳隔離/間隔體厚度可以是不同的?？梢钥闯?，解耦器執(zhí)行從天線陷獲入射的866MHz的輻射，并將能量導(dǎo)入到RFID內(nèi)的功能。如圖15所示，狹縫內(nèi)的以及剛剛位于所述狹縫上的電場(chǎng)強(qiáng)度強(qiáng)(通常增強(qiáng)150到200倍)，如果將標(biāo)簽放置在金屬表面之上的合適高度上，那么所述電場(chǎng)可以與所述標(biāo)簽相互作用。前面已經(jīng)成功地展示了PET芯部器件(復(fù)電容率(3.20,0.0096)),雖然諸如FR4(電容率(4.17,0.0700))的損耗較大的芯部材料可能無(wú)法像PET那樣有效地起作用，但是FR4仍然能夠提供非常有用的讀取范圍。上述實(shí)驗(yàn)5到8中的讀取范圍是例5中定義的標(biāo)準(zhǔn)化的讀取范圍測(cè)量值(穩(wěn)定的l分鐘讀取)。與基本上中心放置的標(biāo)簽的偏差(角位移和/或線位移)仍然提供了能夠在金屬表面上詢問(wèn)的標(biāo)簽。方便地，標(biāo)簽在解耦器的狹縫上的準(zhǔn)確的居中性并非是解耦器起作用的先決條件，但是其確實(shí)能夠提供改善的性能。但是，在實(shí)際情況下，只需要標(biāo)準(zhǔn)化(l分鐘)讀取時(shí)間的一部分來(lái)獲得詢問(wèn)和來(lái)自標(biāo)簽的響應(yīng)，因而標(biāo)簽的實(shí)際讀取范圍可以大于實(shí)驗(yàn)中給出的讀取范圍。例9可以通過(guò)例1中的方法形成四島解耦器。所述解耦器是針對(duì)866MHz標(biāo)簽制備的，并且是采用1000微米的聚酯芯制造的。AlienTechnologies866MHz標(biāo)簽按照其中心設(shè)置在缺失區(qū)域上，以提供最佳響應(yīng)。將不帶解耦器的RF標(biāo)簽和處于解耦器上的RF標(biāo)簽安裝到各種表面和物品上，以評(píng)估所述表面對(duì)普通RF標(biāo)簽的影響和解耦器的有效性。所述讀取系統(tǒng)為Sensormatic⑧套^f牛。<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>表4:不帶解耦器的RF標(biāo)簽和具有1000Mm的聚酯解耦器的RF標(biāo)簽的讀取范圍。不出所料，自由空間內(nèi)的解耦器的讀取范圍與在自由空間內(nèi)處于320cm處的標(biāo)簽的讀取范圍匹配?？梢钥闯?，紙板盒內(nèi)的消費(fèi)品的存在使不帶解耦器的標(biāo)簽的讀取范圍降到在自由空間內(nèi)獲得的讀取范圍值的三分之一到二分之一。采用解耦器的優(yōu)點(diǎn)在于，讀取范圍實(shí)際上與自由空間內(nèi)的讀取范圍相同，并且與安裝表面無(wú)關(guān)。使紙板變濕乃至使其濕飽和幾乎不會(huì)對(duì)解耦器能夠承擔(dān)的讀取范圍帶來(lái)差異，而在不采用解耦器的情況下，其將使讀取范圍急劇降低。只有遮擋解耦器表面的50%才會(huì)使讀取范圍略微降低。顯然，其能夠克服有的人企圖將物品隱藏在他們的衣服或類似材料下的嘗試。例10在各種不同的芯部厚度上測(cè)試了三種不同的芯部材料聚酯、聚丙烯和聚碳酸酯。第一和第二導(dǎo)體層圖案都具有相同的幾何形狀和厚度，并且針對(duì)866MHzRF標(biāo)簽和讀取器受到了優(yōu)化。將解耦器放在金屬表面上，從而使不帶有解耦器的RF標(biāo)簽提供基本為零的讀取范圍。根據(jù)圖23中的曲線圖，隨著芯部厚度的增大，讀取范圍也增大。已經(jīng)得到了驗(yàn)證的模擬(如例11所示)表明，在使芯部厚度從1000微米增大到2000微米時(shí)，讀取范圍只有幾厘米的增加。自由空間內(nèi)866MHz上的波長(zhǎng)為346mm。如果芯部材庫(kù)牛為聚酯，那么在866MHz上所述材4牛中的波長(zhǎng)為193mm。因而，如果芯部厚度為lmm(1000微米)，那么所述材料的厚度是自由空間波長(zhǎng)1/346或者材料波長(zhǎng)的1/193。因此，在所述材料內(nèi)的波長(zhǎng)是自由空間波長(zhǎng)除以折射率，就聚酯而言，折射率接近1.8。<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>表5示出了占圖23中測(cè)試的波長(zhǎng)的比值例11按照采用HFSS確定的將在866MHz處提供最大的場(chǎng)增強(qiáng)的尺寸制造一系列解耦器。為了確保最佳性能并驗(yàn)證模型HFSS,執(zhí)行了一系列測(cè)試。這些測(cè)試需要采用解耦器開(kāi)始，所述解耦器具有位于上層的金屬島，所述金屬島比從HFSS獲得的必要值要長(zhǎng)。隨著通過(guò)蝕刻其材料使金屬島的長(zhǎng)度逐漸縮短來(lái)測(cè)量讀取范圍，所述蝕刻從解耦器的末端開(kāi)始并朝向中心進(jìn)行。下面示出了針對(duì)原型聚碳酸酯解耦器的結(jié)果。通過(guò)這些測(cè)試確定的最佳金屬島長(zhǎng)度與通過(guò)HFSS建模確定的非常吻合。<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>表6:針對(duì)866MHz標(biāo)簽的優(yōu)化島長(zhǎng)度。例12評(píng)估具有不同芯厚度和寬度的一系列單島解耦器。根據(jù)例1的方法，采用銅作為導(dǎo)體層，并且采用PETG芯制備解耦器。解耦器的圖案是圖22b所示的圖案。所采用的標(biāo)簽是具有圖22a所示的類型的低Q天線(即，未針對(duì)866MHz處的使用而優(yōu)化)。自由空間內(nèi)的標(biāo)簽的讀取范圍幾乎可以忽略，因?yàn)槠洳痪哂袃?yōu)化天線。類似地，在將低Q標(biāo)簽直接放置到金屬表面上時(shí)，也不存在讀取范圍。下述表格示出了位于解耦器上的RF標(biāo)簽的結(jié)果，其中，將解耦器放在金屬表面上。解耦器長(zhǎng)度(mm)寬度(mm)厚度標(biāo)簽類型金屬上的讀取范圍<table>tableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table>顯然可以看出，解耦器能夠使低Q標(biāo)簽與金屬表面解耦。隨著芯部厚度的增大，RF標(biāo)簽的讀取范圍也增大。類似地，對(duì)于固定芯部厚度而言，隨著標(biāo)簽寬度的增大，讀取范圍也增大。某些應(yīng)用，例如，跟蹤運(yùn)銷容器將受益于面積較大、芯部較厚的解耦器，因?yàn)樽x取范圍可能是一項(xiàng)重要的指標(biāo)。但是，在售貨點(diǎn)或收銀臺(tái)處，消費(fèi)品可能只需要幾厘米的讀取范圍，因而其可能受益于面積較小的、較薄的標(biāo)簽。可以用作電介質(zhì)芯的其他材^l"為泡沫材if牛，例如，PVC、聚苯乙烯等。這一材料的電容率的實(shí)部非常小，虛部亦如此。這有助于制作非常薄的解耦器，因?yàn)檩^小的電容率將以小厚度提供良好的讀取范圍。為了使泡沫金屬化，可能必須建立層壓結(jié)構(gòu)，其中，在非常薄(例如，IO微米)的聚合物膜上淀積金屬，之后將其粘到泡沫芯上?；蛘?，可以采用高規(guī)格射頻層壓體。存在各種針對(duì)高度有效的射頻電路的制造而特殊設(shè)計(jì)的PCB層壓材料。這些PCB層壓材料由金屬-電介質(zhì)-金屬夾層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其中，可以有選擇地蝕刻上部金屬層，以制造解耦器。例子包括RogersRO4003或TR/Duroid5880、ArlonDiClad880、NeltecNY9220或TacomcTLY。其他備選材料包括陶瓷材料；這些材料具有高實(shí)電容率，因此能夠得到更薄的、柔軟性更低的解耦器例子包括氧化鋁、硅石、玻璃等。甚至可以希望采用諸如硅橡膠的合成像膠，因?yàn)樗鼈兙哂腥彳浀奶匦?。此外，將填充劑混合到合成像膠基質(zhì)內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)材料特性的修整。例13通過(guò)將環(huán)形狹縫(x)刻到半徑為4.65cm的圓形銅-PETG-銅層壓體上的第一導(dǎo)體層的銅層內(nèi)制備具有圖21f所示的類型的與偏振無(wú)關(guān)的解耦器。將所述標(biāo)簽安裝到間隔體上。使電感環(huán)位于狹縫上(圖27,位置x),并按照先前的詳細(xì)說(shuō)明采用讀取系統(tǒng)測(cè)量讀取范圍。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，與天線和狹縫正交時(shí)相比(圖27，位置b)，在環(huán)天線基本上處于與所述曲線相切的位置時(shí)(圖27,位置a)，提高了讀取范圍。內(nèi)圓的直徑從30mm的直徑增大到50mm的直徑，并執(zhí)行讀取范圍的測(cè)量，以及對(duì)能夠讀取標(biāo)簽的旋轉(zhuǎn)角范圍的測(cè)量。<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>表8:環(huán)形狹縫的直徑對(duì)讀取范圍的影響隨著內(nèi)圓直徑的增大，讀取范圍大體上降低，針對(duì)所述讀取范圍可以達(dá)到的旋轉(zhuǎn)程度也大體上降低。整個(gè)解耦器的形狀的變化(例如，處于環(huán)形狹縫之外的圓形、方形、矩形、四邊形區(qū)域)對(duì)性能也存在一定的影響，因而讀取范圍并非與總面積簡(jiǎn)單地成正比。在與圓形狹縫結(jié)合使用時(shí)，整個(gè)解耦器的形狀優(yōu)選為具有非均勻的邊的四邊形。不對(duì)本發(fā)明的構(gòu)成限制的一種可能的解釋是，規(guī)則的形狀可能表現(xiàn)出次級(jí)諧振效應(yīng)，該效應(yīng)將對(duì)狹縫諧振造成有害干擾。例14采用由紙板電介質(zhì)層制備的單島解耦器執(zhí)行一系列實(shí)驗(yàn)。研究通過(guò)去除或修改第二導(dǎo)體層和隔開(kāi)(standoff)距離而改變諧振腔所帶來(lái)的影響。針對(duì)全尺寸天線(即，市面上可得的具有調(diào)諧天線的天線，通常長(zhǎng)度為95mm)和具有環(huán)天線的低QRF標(biāo)簽(最長(zhǎng)尺寸小于20mm)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>表9:諧振腔對(duì)自由空間內(nèi)的讀取器的影響。在這一實(shí)-瞼中，使RF標(biāo)簽(Alientechnologies)位于圖28a所示的最佳位置，其中，使RF標(biāo)簽在具有提高的電場(chǎng)強(qiáng)度的點(diǎn)處位于缺失區(qū)域之上，該點(diǎn)與第一導(dǎo)體層相距0.5mm,并且還與解耦器相隔小于1000微米的距離。在整個(gè)實(shí)驗(yàn)中所述固定點(diǎn)保持不變。對(duì)于全尺寸RF標(biāo)簽而言，所測(cè)的空氣中的讀取范圍為7m,這正是制造者所預(yù)期的自由空間內(nèi)的讀取范圍。在使標(biāo)簽位于只具有經(jīng)調(diào)諧的第一導(dǎo)體層和電介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)(即，不完整的"無(wú)背板"解耦器)上時(shí)，讀取范圍不變。這一點(diǎn)仍和預(yù)期一樣，因?yàn)樵谶@一設(shè)置中第一導(dǎo)體層起著較差的天線的作用。應(yīng)當(dāng)注意，在將整個(gè)RF標(biāo)簽直接放置在第一導(dǎo)體層的中央時(shí)，讀取范圍為0m。這一點(diǎn)也和預(yù)期一樣，因?yàn)橐阎饘賹_亂RF標(biāo)簽。在使全尺寸RF標(biāo)簽位于經(jīng)調(diào)諧的解耦器上時(shí)，讀取范圍略有增大，達(dá)到了8m。從上述詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)(實(shí)驗(yàn)1-13)已經(jīng)表明，位于解耦器上的RF標(biāo)簽所提供的讀取范圍幾乎與在自由空間內(nèi)和在金屬等表面上所提供的讀取范圍相同。如果將市面可得的經(jīng)調(diào)諧的RF標(biāo)簽專用于自由空間內(nèi)，那么解耦器只是略有助益。但是，在將RF標(biāo)簽放置在金屬表面(或任何其他與RF輻射相互作用的表面)附近時(shí)，所述解耦器能夠提高超越現(xiàn)有技術(shù)的接線天線或平衡天線的顯著優(yōu)勢(shì)。對(duì)于具有低Q環(huán)天線的RF標(biāo)簽而言，在空氣中的讀取范圍一般，即30cm。在將低QRF標(biāo)簽放置在只具有一個(gè)導(dǎo)體層和電介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)上時(shí)，讀取范圍進(jìn)一步略微增大至大約lm。但是，在將低QRF標(biāo)簽放在調(diào)諧解耦器上的最佳位置時(shí)，讀取范圍大幅提高?，F(xiàn)在，讀取范圍接近市面可得的全尺寸天線在自由空間內(nèi)的讀取范圍。此外，根據(jù)先前的實(shí)驗(yàn)(1-13)已經(jīng)表明，在安裝到解耦器上時(shí)低QRF標(biāo)簽所提供的讀取范圍實(shí)質(zhì)上與在自由空間內(nèi)以及放置到金屬表面上或者形成金屬表面的組成部分時(shí)所提供的讀取范圍相同。例15前面的實(shí)驗(yàn)已經(jīng)表明，RF標(biāo)簽與解耦器的第一導(dǎo)體層之間的優(yōu)化隔離距離出現(xiàn)在優(yōu)選小于1000微米的距離處，如圖14所示。開(kāi)展實(shí)驗(yàn)以表明解耦器按照與在電介質(zhì)層上承載天線的襯底不同的模式工作。再次制備實(shí)驗(yàn)14中采用的導(dǎo)體層位于電介質(zhì)層上的結(jié)構(gòu)，并改變市面可得的RF標(biāo)簽與第一導(dǎo)體層之間的距離。在250微米到4000微米的范圍內(nèi)，RF標(biāo)簽的讀取范圍保持7m。因此，其表明，"無(wú)背板"解耦器和標(biāo)準(zhǔn)UHF標(biāo)簽之間的相互作用不同于全解耦器(即，包圍芯結(jié)構(gòu))和該標(biāo)簽之間的相互作用。例16通過(guò)使第二導(dǎo)體層的重疊減少量"d，，測(cè)試第二導(dǎo)體層的長(zhǎng)度及其對(duì)諧振腔的類似形成的影響，如圖28b所示。在這一實(shí)驗(yàn)中，第二導(dǎo)體層是大金屬薄板。不具有解耦器的市面可得的RF標(biāo)簽提供了基本為0m的讀取范圍。在這一設(shè)置中，改變第二導(dǎo)體層的重疊度。這一點(diǎn)是通過(guò)相對(duì)于金屬薄板移動(dòng)電介質(zhì)和第一導(dǎo)體層實(shí)現(xiàn)的。<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>表10:隨著第二導(dǎo)體層的偏移量的增大的標(biāo)簽的讀取范圍隨著重疊度的降低(即，"d"變大)，在第一和第二導(dǎo)體層之間建立的腔的長(zhǎng)度縮短，因而其預(yù)期諧振波長(zhǎng)將偏離RF標(biāo)簽諧振頻率的諧振波長(zhǎng)。正如預(yù)期的一樣，在使腔的長(zhǎng)度短于最佳調(diào)諧腔長(zhǎng)度時(shí)，讀取范圍顯著降低，即，從8m降低到不足3m。此外，其證明，正是腔結(jié)構(gòu)(即，金屬/電介質(zhì)/金屬三層)支配著解耦器的特性，而不是簡(jiǎn)單地受第一導(dǎo)體層表示的金屬補(bǔ)片的存在的支配。例17這一實(shí)驗(yàn)確定了放置到單島解耦器上的環(huán)天線的旋轉(zhuǎn)度的影響，如圖29所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>表11:角對(duì)讀取范圍的影響在這一實(shí)驗(yàn)中，將讀取范圍作為所取得的90°最大讀取范圍的百分比測(cè)量。從圖29可以看出，90°取向是指，環(huán)天線的長(zhǎng)軸平行于諧振腔中生成的電場(chǎng)。在這一取向內(nèi)，跨越天線的兩個(gè)端子建立了電勢(shì)差。解耦器的旋轉(zhuǎn)可以引起天線于較小百分比的電場(chǎng)相互作用。根據(jù)結(jié)果顯然可以看到，電場(chǎng)的幅度足以容許相對(duì)較大的旋轉(zhuǎn)，所述旋轉(zhuǎn)優(yōu)選處于30°到150°的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于70°到110°的范圍內(nèi)，更優(yōu)選基本為90°。制造容差應(yīng)當(dāng)優(yōu)選處于85。到95°的范圍內(nèi)。與采用四島解耦器和標(biāo)準(zhǔn)RF標(biāo)簽的較早的旋轉(zhuǎn)實(shí)驗(yàn)相比，在解耦器的表面上旋轉(zhuǎn)標(biāo)簽對(duì)處于單島解耦器上的低Q天線的影響程度更低。上述實(shí)驗(yàn)與圖6到圖17(包括圖6和圖17)所示的模擬數(shù)據(jù)具有良好的相關(guān)性。權(quán)利要求1.一種用于電子器件的輻射解耦器，所述解耦器包括夾在至少一個(gè)第一導(dǎo)體層和至少一個(gè)第二導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)電介質(zhì)層，其中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)體層具有至少一個(gè)缺失區(qū)域，在所述缺失區(qū)域處，所述第一導(dǎo)體層未覆蓋所述電介質(zhì)層，所述解耦器適于在使用中使電磁場(chǎng)在所述第一導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域附近被增強(qiáng)。2.—種用于電子器件的輻射解耦器，其用于使輻射與導(dǎo)電表面解耦，所述解耦器包括與至少一個(gè)電介質(zhì)層接觸的至少一個(gè)第一導(dǎo)體層，其中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)體層具有至少一個(gè)缺失區(qū)域，在所述缺失區(qū)域處，所述第一導(dǎo)體層未覆蓋所述電介質(zhì)層，所述解耦器適于在使用中使電磁場(chǎng)在所述第一導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域附近被增強(qiáng)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的解耦器，其中，所述第二導(dǎo)體層至少具有與所述第一導(dǎo)體層相同的長(zhǎng)度。4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述電子器件為RF標(biāo)簽。5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述解耦器的厚度小于入/4n,其中，n是所述電介質(zhì)的折射率。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的解耦器，其中，所述解耦器的厚度小于入/10。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的解耦器，其中，所述解耦器的厚度小于入/300。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的解耦器，其中，所述解耦器的厚度小于入/1000。9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，由G-入/2n確定所述第一導(dǎo)體層的至少一個(gè)邊緣與所述缺失區(qū)域之間的間隔G,其中，n是所述電介質(zhì)的折射率，入是所述解耦器的操作的預(yù)期波長(zhǎng)。10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，還包括與第二電介質(zhì)層相鄰的第三導(dǎo)體層，其中，所述第三導(dǎo)體層具有至少一個(gè)缺失區(qū)域，在所述缺失區(qū)域處，所述第三導(dǎo)體層未覆蓋所述第二電介質(zhì)層，并且其中，所述第二電介質(zhì)層位于所述第三導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)體層之間。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的解耦器，其中，所述第一導(dǎo)體層的長(zhǎng)度不同于所述第三導(dǎo)體層的長(zhǎng)度。12.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，在所述第一導(dǎo)體層內(nèi)存在多個(gè)缺失區(qū)域。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的解耦器，其中，所述多個(gè)缺失區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是周期性的。14.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述缺失區(qū)域?yàn)楠M縫結(jié)構(gòu)。15.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述第一導(dǎo)體層的至少一個(gè)缺失區(qū)域?qū)⑺龅谝粚?dǎo)體層劃分為至少兩個(gè)島。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的解耦器，其中，所述島中的至少一個(gè)具有長(zhǎng)度G-入/2n。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的解耦器，其中，所述第一導(dǎo)體層包括由兩個(gè)相交的正交狹縫分離的至少4個(gè)島。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的解耦器，其中，存在至少兩個(gè)基本平行的狹縫。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的解耦器，其中，由G-人/2n確定所述的至少兩個(gè)狹縫之間的間隔，其中，n是所述電介質(zhì)的折射率，入是所述解耦器的操作的預(yù)期波長(zhǎng)。20.根據(jù)權(quán)利要求1到14中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述缺失區(qū)域包括三個(gè)或更多狹縫，所述狹縫相交以形成具有n條邊的多邊形，其中，n是大于等于3的整數(shù)。21.根據(jù)權(quán)利要求14到20中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述狹縫寬度小于500微米。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的解耦器，其中，所述狹縫寬度小于150微米。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的解耦器，其中，所述狹縫寬度小于50微米。24.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述電介質(zhì)層由塑料、聚合物、陶瓷、玻璃、紙板、波紋紙板、紙或充裕的空隙形成。25.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，能夠有控制地改變所述電介質(zhì)層的折射率。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的解耦器，還包括折射率控制器。27.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的,解耦器，其中，所述RF標(biāo)簽位于所述第一導(dǎo)體層的缺失區(qū)域的附近，并且與所述第一導(dǎo)體層電隔離。28.根據(jù)權(quán)利要求1到26中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，使所述RF標(biāo)簽與所述第一導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)體層電隔離，并且所述RF標(biāo)簽位于所述電介質(zhì)層上，至少部分位于所述電介質(zhì)層內(nèi)，或者位于所述電介質(zhì)層的邊緣。29.根據(jù)權(quán)利要求27或28所述的解耦器，其中，所述RF標(biāo)簽為低QRF標(biāo)簽。30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的解耦器，其中，所述缺失區(qū)域出現(xiàn)在在所述解耦器內(nèi)形成的駐波的波腹處。31.根據(jù)權(quán)利要求17所述的解耦器，其中，所述RF標(biāo)簽基本位于所述相交的正交狹縫的交叉點(diǎn)處，并且與所述第一導(dǎo)體層電隔離。32.根據(jù)權(quán)利要求1到16中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述RF標(biāo)簽的天線的主軸基本上垂直于所述第一導(dǎo)體層的至少一個(gè)邊緣。33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的解耦器，其中，所述RF標(biāo)簽在所述解耦器的表面之上與所述表面相隔小于2000微米的距離。34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的解耦器，其中，所述非導(dǎo)電間隔體位于所述解耦器和所述RF標(biāo)簽之間。35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的解耦器，其中，所述間隔體和所述RF標(biāo)簽的襯底的厚度總共處于10到1000微米的范圍內(nèi)。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的解耦器，其中，所述厚度處于175到800微米的范圍內(nèi)。37.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，包括位于所述解耦器和/或所述RF標(biāo)簽的部分、全部或者基本全部上的保護(hù)外殼。38.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述解耦器適于使安裝于其上的電子器件與某種表面基本解耦，所述表面為導(dǎo)電材料、包括高液體含量的材料或者形成了流體盛納裝置的部分的表面。39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的解耦器，其中，所述導(dǎo)電材料為碳、40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的解耦器，其中，包括高液體含量的材料為纖維素材料、林材或天然生成的材料。41.根據(jù)權(quán)利要求38所述的解耦器，其中，所述盛納裝置為食品、飲料或化學(xué)品容器。42.—種用于使RF標(biāo)簽與表面解耦的解耦器，其包括夾在第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層之間的電介質(zhì)層，其中，將所述解耦器的諧振頻率選擇為與所述RF標(biāo)簽和/或RF詢問(wèn)源的諧振頻率基本匹配，并且其中，所述第一導(dǎo)體層的至少一個(gè)邊緣未延伸至所述電介質(zhì)層的邊緣，所述第一導(dǎo)體層的所述邊緣與所述電介質(zhì)層之間的縫隙小于所述諧振頻率上的EM輻射的波長(zhǎng)。43.—種用于使RF標(biāo)簽與導(dǎo)電表面解耦的解耦器，其包括與至少一個(gè)電介質(zhì)層表面接觸的至少一個(gè)導(dǎo)體層，其中，將所述解耦器的諧振頻率選擇為與所述RF標(biāo)簽和/或RF詢問(wèn)源的諧振頻率基本匹配，并且其中，所述第一導(dǎo)體層的至少一個(gè)邊緣未延伸至所述電介質(zhì)層的邊緣，所述第一導(dǎo)體層的所述邊緣與所述電介質(zhì)層之間的縫隙小于所述諧振頻率上的EM輻射的波長(zhǎng)。44.根據(jù)權(quán)利要求2所述的解耦器，還包括用于使所述解耦器附著至所述表面，從而使所述電介質(zhì)層與所述導(dǎo)電表面相鄰的裝置。45.—種包括至少一個(gè)根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的解耦器的粘合帶。46.—種包括至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1到44中的任何一項(xiàng)所述的47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的物體或容器，其中，所述至少一個(gè)RF標(biāo)簽位于所述解耦器上。48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的物體或容器，其中，所述物體或容器的至少一個(gè)表面呈單曲面或雙曲面。49.一種金屬物體或容器，其中，所述容器的表面的部分在根據(jù)權(quán)利要求2所述的解耦器中被覆蓋。50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的金屬物體或容器，其中，至少一個(gè)RF標(biāo)簽位于所述解耦器上。51.根據(jù)權(quán)利要求47所述的物體或容器，包括所述物體或容器的表面內(nèi)的凹陷部分，所述凹陷包括根據(jù)權(quán)利要求1到37中的任4可一項(xiàng)所述的解耦器和位于所述解耦器上的至少一個(gè)RF標(biāo)簽，以及任選的包封所述解耦器和RF標(biāo)簽的保護(hù)層，從而使所述解耦器和RF標(biāo)簽至少與所述物體或容器的表面平齊。52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的金屬物體或容器，包括所述物體或容器的表面內(nèi)的凹陷部分，所述凹陷包括根據(jù)權(quán)利要求1到37中的任何一項(xiàng)所述的其第一導(dǎo)體層與所述表面電隔離的解耦器和位于所述解耦器上的至少一個(gè)RF標(biāo)簽，以及任選的包封所述解耦器和RF標(biāo)簽的保護(hù)層，從而使所述解耦器和RF標(biāo)簽至少與所述物體或容器的表面平齊。53.—種制作具有波紋紙板電介質(zhì)芯的紙板解耦器的方法，其包括的步驟有將第一導(dǎo)體層放在第一紙板層上，將第二導(dǎo)體層放在第二紙板層上，將所述第一和第二紙板層放在一起，并使波紋紙板嵌片與其鄰接，從而使覆蓋所述第二導(dǎo)體層的第一紙板層上的第一導(dǎo)體層上存在至少一個(gè)缺失區(qū)域。54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)體層位于與所述波紋紙板嵌片相鄰的所述第一紙板層的內(nèi)表面上，并且/或者，所述第二導(dǎo)體層位于與所述波紋紙板嵌片相鄰的所述第二紙板層的內(nèi)表面上。55.—種跟蹤物體或容器的方法，其包括的步驟有將根據(jù)權(quán)利要求1所述的解耦器和至少一個(gè)RF標(biāo)簽加到所述物體或容器的表面的部分上，采用RF輻射詢問(wèn)所述至少一個(gè)RF標(biāo)簽，探測(cè)來(lái)自所述至少一個(gè)RF標(biāo)簽的響應(yīng)。56.根據(jù)權(quán)利要求3所述的解耦器，其中，所述電介質(zhì)層、第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層基本具有相同的長(zhǎng)度，其中，通過(guò)入"2nG確定所有的三個(gè)層的所述長(zhǎng)度G,其中，使RF標(biāo)簽位于基本與所述解耦器的主軸所在的平面垂直的板的邊緣處，并且其中，使所述RF標(biāo)簽與所述第一和第二導(dǎo)體層電隔離，其中，n是所述電介質(zhì)的折射率，人是所述解耦器的操作的預(yù)期波長(zhǎng)。57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的解耦器，其中，所述解耦器是雙面金屬包層印刷電路板。58.根據(jù)權(quán)利要求1到37中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述缺失區(qū)域基本上與所述解耦器的邊緣中的至少一個(gè)不平行。59.根據(jù)權(quán)利要求1到37中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述第一導(dǎo)體層的缺失區(qū)域的至少一個(gè)邊緣為非直線圖案。60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的解耦器，其中，所述第一導(dǎo)體層的缺失區(qū)域包括至少一個(gè)環(huán)形圖案。61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的解耦器，其中，所述環(huán)形圖案是處于所述第一導(dǎo)體層中的環(huán)形狹縫。62.根據(jù)權(quán)利要求1到37中的任何一項(xiàng)所述的解耦器，其中，所述電介質(zhì)層至少部分由物品的包裝材料或加標(biāo)簽材料形成。63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的解耦器，其中，所述包裝材料或加標(biāo)簽材料是天然的或人造的纖維、塑料、纖維素、玻璃、紙板、波紋紙板或陶瓷。64.—種適于在根據(jù)權(quán)利要求1到37中的任何一項(xiàng)所述的解耦器上使用的低QRF標(biāo)簽，其中，所述天線具有基本上小于2cm的主要尺寸。65.根據(jù)權(quán)利要求64所述的低QRF標(biāo)簽，其中，所述天線具有基本上小于lcm的主要尺寸。66.根據(jù)權(quán)利要求65所述的安裝在根據(jù)權(quán)利要求1到37中的任何一項(xiàng)所述的解耦器上的低QRF標(biāo)簽，其中，存在位于所述低QRF標(biāo)簽和所述解耦器之間的間隔體。67.根據(jù)權(quán)利要求66所述的低QRF標(biāo)簽，其中，所述間隔體和所述低QRF標(biāo)簽的總共的厚度處于175到800微米的范圍內(nèi)。68.—種包括帶有任選的間隔體的RF標(biāo)簽或低QRF標(biāo)簽和根據(jù)權(quán)利要求1到37中的任何一項(xiàng)所述的解耦器的零件套件。69.—種表面探測(cè)或識(shí)別方法，其包括的步驟有i)將包括低QRF標(biāo)簽的非導(dǎo)電表面與位于所述低QRF標(biāo)簽的上表面上的任選間隔體放在一起，ii)使所述表面與根據(jù)權(quán)利要求1到37中的任何一項(xiàng)所述的解耦器具有臨近關(guān)系，iii)詢問(wèn)所述低QRF標(biāo)簽，其中，只有在所述低QRF標(biāo)簽緊靠所述解耦器時(shí)，才能讀取所述低QRF標(biāo)簽。70.—種形成適于表面探測(cè)或識(shí)別的解耦器的方法，其包括的步驟有i)提供包括RF標(biāo)簽或低QRF標(biāo)簽的非導(dǎo)電表面，在所述RF標(biāo)簽的上表面上具有任選的間隔體，并提供與至少一個(gè)電介質(zhì)層的部分或基本全部接觸的至少一個(gè)第一導(dǎo)體層，其中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)體層具有至少一個(gè)缺失區(qū)域，在所述缺失區(qū)域處，所述第一導(dǎo)體層未覆蓋所述電介質(zhì)層，ii)將步驟i)的所述表面與第二導(dǎo)體層或?qū)щ姳砻娣诺揭黄?，以形成根?jù)權(quán)利要求1到37中的任何一項(xiàng)所述的解耦器。71.—種用于RF標(biāo)簽的單島解耦器，其用于使所述器件與表面解耦，所述單島解耦器包括夾在至少一個(gè)第一導(dǎo)體層和至少一個(gè)第二導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)電介質(zhì)層，其中，將所述第一導(dǎo)體層調(diào)諧至詢問(wèn)輻射的諧振頻率，其中，通過(guò)人"2nG確定所述第一導(dǎo)體層的所述長(zhǎng)度G，其中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)體層具有處于至少一個(gè)邊緣處的一個(gè)缺失區(qū)域，在所述缺失區(qū)域處，所述第一導(dǎo)體層不覆蓋所述電介質(zhì)層，其中，與所述第一導(dǎo)體層電隔離的RF標(biāo)簽位于所述第一導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域的附近。72.—種用于RF標(biāo)簽的單島解耦器，其用于使所述器件與表面解耦，所述單島解耦器包括夾在至少一個(gè)第一導(dǎo)體層和至少一個(gè)第二導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)電介質(zhì)層，其中，將所述第一和第二導(dǎo)體層獨(dú)立調(diào)諧至詢問(wèn)輻射的諧振頻率，其中，通過(guò)入s2nG確定所述導(dǎo)體層的所述長(zhǎng)度G,其中，與所述第一和第二導(dǎo)體層電隔離的RF標(biāo)簽位于所述電介質(zhì)層上的缺失區(qū)域的附近。73.—種用于RF標(biāo)簽的單島解耦器，其用于使所述器件與表面解耦，所述單島解耦器包括夾在至少一個(gè)第一導(dǎo)體層和至少一個(gè)第二導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)電介質(zhì)層，其中，將所述第一導(dǎo)體層調(diào)諧至第一詢問(wèn)輻射的諧振頻率，將所述第二導(dǎo)體層調(diào)諧至第二詢問(wèn)輻射的諧振頻率，其中，通過(guò)入。2nG確定所述第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層的所述長(zhǎng)度G,其中，所述第一和第二導(dǎo)體層具有處于至少一個(gè)邊緣處的一個(gè)缺失區(qū)域，從而使所述第一導(dǎo)體層的缺失區(qū)域不覆蓋所述電介質(zhì)層或所述第二導(dǎo)體層上的缺失區(qū)域，其中，電隔離的RF標(biāo)簽位于所述第一導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域的附近，并且任選有另一RF標(biāo)簽位于所述第二導(dǎo)體層的所述缺失區(qū)域的附近。74.在附圖和/或說(shuō)明書中充分定義的使用、產(chǎn)品和方法。全文摘要用于對(duì)處于波長(zhǎng)范圍λ_min到λ_max內(nèi)的輻射解耦的電磁輻射解耦器。所述解耦器具有與電介質(zhì)層接觸的第一導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)體層包括至少一個(gè)缺失區(qū)域，所述解耦器的厚度小于λ_min/4n，其中，所述n是所述電介質(zhì)的折射率。可以將所述電介質(zhì)層夾在兩個(gè)導(dǎo)體層之間，所述兩個(gè)導(dǎo)體層之一具有上述結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還設(shè)計(jì)這樣的解耦器的使用方法和包括這樣的解耦器的各種物品。文檔編號(hào)G06K19/07GK101248445SQ200680029833公開(kāi)日2008年8月20日申請(qǐng)日期2006年6月22日優(yōu)先權(quán)日2005年6月25日發(fā)明者C·R·勞倫斯,J·R·布朗,P·R·克拉克,W·N·達(dá)姆雷爾申請(qǐng)人:歐姆尼-Id有限公司