專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法、顯示裝置和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種具有使導(dǎo)電體相互電連接的接觸部的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，以及設(shè)置有這種半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體電路部)的顯示裝置和電子裝置。
背景技術(shù)：
迄今，例如，已開發(fā)了使用多種液晶元件和有機(jī)EL (電致發(fā)光)元件的顯示元件的顯示裝置。通常，在這種顯示裝置中，外圍電路布置在位于具有多個(gè)像素的顯示區(qū)域(有效顯示區(qū)域)的外邊緣(外周)的框區(qū)域(非顯示區(qū)域)中。此外，使用半導(dǎo)體裝置(薄膜晶體管(TFT)的半導(dǎo)體元件等)構(gòu)造在這些像素的每一個(gè)之間的像素電路和外圍電路。通常，在這種半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體電路部)中，在絕緣層(電介質(zhì)層)中形成用于使導(dǎo)電體相互電連接的接觸部(例如，參考日本未審查專利申請公開第6-242433號(hào)，日本未審查專利申請公開第 11-125831號(hào)，以及日本未審查專利申請公開第2002-98995號(hào))。

發(fā)明內(nèi)容
此處，在上述接觸部中，當(dāng)出現(xiàn)了斷開(連接缺陷)或電阻值(接觸電阻)增加時(shí)，電氣連接劣化并且在制造過程中的產(chǎn)量下降。因此，存在對(duì)提議能夠比以前更可靠地在接觸部中進(jìn)行電氣連接并且提高可靠性的方法的需求。期望提供一種能夠提高可靠性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法、顯示裝置和電子裝置。本公開的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，包括下層側(cè)的第一導(dǎo)電體和上層側(cè)的第二導(dǎo)電體；厚膜絕緣層，設(shè)置在第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體之間；以及接觸部，被形成為仿效對(duì)于絕緣層的通孔的內(nèi)表面形狀并且將第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體電連接，其中，通孔的錐度角是銳角。本公開的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在基板上形成第一導(dǎo)電體；在第一導(dǎo)電體上形成厚膜絕緣層；形成通孔，在通孔中錐度角是在絕緣層中的銳角；形成接觸部，接觸部與第一導(dǎo)電體電連接從而仿效通孔的內(nèi)表面形狀；以及形成第二導(dǎo)電體，第二導(dǎo)電體通過絕緣層上的接觸部與第一導(dǎo)電體電連接。本公開的實(shí)施方式的顯示裝置，設(shè)置有上述本公開的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體電路單元)和顯示單元。本公開的實(shí)施方式的電子裝置，設(shè)置有上述本公開的顯示裝置。在本公開實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置及其制造方法、以及顯示裝置和電子裝置中，形成將第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體電連接的接觸部從而仿效通孔的內(nèi)表面形狀，對(duì)于通孔來說錐度角相對(duì)于絕緣層是銳角。按照這種方式，即使絕緣層具有厚膜形狀，也提高了接觸部的通孔內(nèi)表面的覆蓋特性，可以抑制接觸部中的斷開(連接缺陷)或電阻值(接觸電阻)的增加。根據(jù)本公開實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置及其制造方法、顯示裝置和電子裝置，由于形成將第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體電連接的接觸部從而仿效通孔的內(nèi)表面形狀，對(duì)于通孔來說錐度角是相對(duì)于絕緣層的銳角，即使絕緣層具有厚膜形狀，也能夠抑制接觸部中的斷開或電阻值的增加。因此，能夠更可靠地在接觸部中進(jìn)行電連接，并且提高可靠性。


圖IA和圖IB是用于描述結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置的操作原理的示圖，并且示出了未與手指接觸時(shí)的狀態(tài)。圖2A和圖2B是用于描述結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置的操作原理的示圖，并且示出了與手指接觸時(shí)的狀態(tài)。圖3A和圖3B是用于描述結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置的操作原理的示圖，并且示出了觸摸傳感器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)和檢測信號(hào)的波形的實(shí)例。
圖4是表示設(shè)置有根據(jù)本公開的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體電路部)的顯示裝置(即，結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置)的示意性構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖5是示出圖4所示的顯示裝置的主體部(用于傳感器的公共電極和檢測電極)的構(gòu)成實(shí)例的透視圖。圖6是表示圖4所示的顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和像素結(jié)構(gòu)的實(shí)例的框圖。圖7是表示圖4所示的顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)構(gòu)造和像素結(jié)構(gòu)的另一實(shí)例的框圖。圖8是示出了圖4所示的顯示裝置中的檢測電路的實(shí)例的電路圖。圖9是表示圖4所示的顯示裝置中的詳細(xì)構(gòu)成實(shí)例的截面圖。圖10是用于描述圖9中所示的接觸部的縱橫比和錐度角的示意圖。圖11是用于描述在后烘烤(post baking)之前和之后的平坦化膜(planarizedfilm)的形狀的示意性截面圖。圖12A和圖12B是表示使用半色調(diào)曝光(halftone exposure)的接觸部形成方法的實(shí)例的截面圖。圖13A和圖13B是表示接觸部的縱橫比和錐度角與接觸電阻之間的關(guān)系的實(shí)例的特性圖。圖14A和圖14B是表示根據(jù)比較例的接觸部的構(gòu)成的截面圖。圖15A和圖15B是表示接觸部中的錐度角和接觸缺陷率之間的關(guān)系的實(shí)例等的特性圖。圖16是表示柱狀間隔件和接觸部之間的距離與施加到接觸部的壓力之間的關(guān)系的實(shí)例的特性圖。圖17是示出了關(guān)于由壓力導(dǎo)致的圖像質(zhì)量劣化的實(shí)施方式I至3的結(jié)果的示圖。圖18是表示從實(shí)施方式的顯示裝置的應(yīng)用例I的前側(cè)(A)觀察到的外觀和從后偵儀B)觀察到的外觀的透視圖。圖19A是表示從應(yīng)用例2的前側(cè)觀察到的外觀的透視圖，圖19B是表示從后側(cè)觀察到的外觀的透視圖。圖20是表示應(yīng)用例3的外觀的透視圖。
圖21是表示應(yīng)用例4的外觀的透視圖。圖22A是應(yīng)用例5的打開狀態(tài)的正視圖，圖22B是其側(cè)面視圖，圖22C是閉合狀態(tài)下的正視圖，圖22D是其左側(cè)視圖，圖22E是其右側(cè)視圖，圖22F是其上表面視圖，以及圖22G是其下表面視圖。
具體實(shí)施例方式下文將參照附圖詳細(xì)描述本公開的實(shí)施方式。將按照以下順序進(jìn)行描述。I.在結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置中的觸摸檢測方法的基本原理2.實(shí)施方式(結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置的實(shí)例，在該顯示裝置中接觸部的錐度角是銳角)3.應(yīng)用例(用于顯示裝置的電子設(shè)備的應(yīng)用例) 4.變形例(用于除了顯示裝置以外的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例等)<觸摸檢測方法的基本原理>首先，參考圖I至圖3，將描述根據(jù)以下實(shí)施方式的顯示裝置(結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置)中的觸摸檢測方法的基本原理。觸摸檢測方法實(shí)現(xiàn)為靜電電容式觸摸傳感器，例如,如圖IA所示，使用其間插入電介質(zhì)體Di的彼此面對(duì)的一對(duì)電極(驅(qū)動(dòng)電極El和檢測電極E2)來構(gòu)造電容元件。該結(jié)構(gòu)被表示為圖IB中所示的等效電路。電容元件Cl由驅(qū)動(dòng)電極E1、檢測電極E2和電介質(zhì)Di構(gòu)成。電容元件Cl的一端連接至交流信號(hào)源(驅(qū)動(dòng)信號(hào)源)Sac，而另一端P通過電阻器R接地以及連接至電壓檢測器(檢測電路)DET0當(dāng)從交流信號(hào)源Sac向驅(qū)動(dòng)電極El (電容元件Cl的一端)施加具有預(yù)定頻率(例如，大約幾kHz到19kHz)的交流矩形波Sg (圖3B)時(shí)，在檢測電極E2 (電容元件Cl的另一端P)呈現(xiàn)圖3A中所示的輸出波形(檢測信號(hào)Vdet)。此外，交流矩形波Sg相當(dāng)于后面描述的公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom0在如圖I所示的沒有手指接觸(或未靠近)的狀態(tài)下，根據(jù)電容元件Cl的電容值，電流IO流動(dòng)，伴隨著電容元件Cl的充電和放電。此時(shí)電容元件Cl的另一端P處的電勢波形例如為如圖3A中的波形V0，并且由電壓檢測器DET進(jìn)行檢測。另一方面，在手指接觸(或靠近)的狀態(tài)下，如圖2所示，通過手指所形成的電容元件C2被形成為串聯(lián)添加到電容元件Cl。在此狀態(tài)下，電流Il和12的流動(dòng)分別伴隨著電容元件Cl和C2的充電和放電。此時(shí)電容元件Cl的另一端P的電勢波形例如為如圖3A中的波形VI，并且由電壓檢測器DET進(jìn)行檢測。此時(shí)，P點(diǎn)的電勢為通過流經(jīng)電容元件Cl和C2的電流Il和12的值來確定的分壓電勢。為此，波形Vl的值小于非接觸狀態(tài)下的波形VO的值。正如稍后描述的，電壓檢測器DET將檢測到的電壓與預(yù)定閾值電壓Vth進(jìn)行比較，且當(dāng)檢測到的電壓大于等于該閾值電壓時(shí)，確定為非接觸狀態(tài)，當(dāng)檢測到的電壓小于該閾值電壓時(shí)，確定為接觸狀態(tài)。通過這種方式，實(shí)現(xiàn)觸摸檢測。<實(shí)施方式>[顯示裝置I的構(gòu)成]圖4表示設(shè)置有根據(jù)本公開的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體電路部)的顯示裝置(結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置I)的主體部分的截面結(jié)構(gòu)。顯示裝置I使用液晶元件作為顯示元件，并且使用原先設(shè)置在液晶元件中的電極的一部分(稍后描述的公共電極43)和用于顯示的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(稍后描述的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom) 二者構(gòu)造靜電電容式觸摸傳感器。也就是說，顯示裝置I具有顯示功能和觸摸傳感器功能。如圖4所示，顯示裝置I設(shè)置有像素基板2，設(shè)置為與像素基板2相對(duì)的對(duì)向基板4，以及介于像素基板2與對(duì)向基板4之間的液晶層6。像素基板2具有作為電路基板的TFT基板21，形成在TFT基板21上的公共電極/傳感器驅(qū)動(dòng)電極43，以及通過絕緣層23以矩陣形式布置在公共電極/傳感器驅(qū)動(dòng)電極43上的多個(gè)像素電極22。在TFT基板21上，除了用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素電極22的顯示驅(qū)動(dòng)器(未示出)和TFT (薄膜晶體管)，形成配線，諸如將圖像信號(hào)提供給每個(gè)像素電極22的信號(hào)線(稍后描述的數(shù)據(jù)線25)和驅(qū)動(dòng)每個(gè)TFT的柵極線(稍后描述的柵極線26)。此外，稍后描述的進(jìn)行觸摸檢測操作的檢測電路可以進(jìn)一步形成在TFT基板21上。公共電極/傳感器驅(qū)動(dòng)電極43 (下文簡稱為“公共電極43”)是每個(gè)顯示像素共 用的公共電極并且還用作構(gòu)造觸摸傳感器(其執(zhí)行觸摸檢測操作)的一部分的傳感器驅(qū)動(dòng)電極。公共電極/傳感器驅(qū)動(dòng)電極43相當(dāng)于圖I中的驅(qū)動(dòng)電極E1。也就是說，AC矩形波的公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom被設(shè)定為施加至公共電極43。公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom劃定施加到像素電極22的像素電壓和每個(gè)顯示像素的顯示電壓；然而，公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom也用作觸摸傳感器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom相當(dāng)于從圖I的驅(qū)動(dòng)信號(hào)線Sac供給的AC矩形波Sg。換句話說，公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom針對(duì)各預(yù)定周期反轉(zhuǎn)極性。對(duì)向基板4具有玻璃基板41，形成在玻璃基板41的一個(gè)表面上的濾色片42，以及形成在濾色片42上的傳感器檢測電極(觸摸檢測電極)44。此外，偏振板45布置在玻璃基板41的另一表面上。濾色片42具有以下構(gòu)成紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)三種顏色的濾光層周期性地布置，并且R、G和B三種顏色相互關(guān)聯(lián)作為一組從而對(duì)應(yīng)于每個(gè)顯示像素(像素電極22)。傳感器檢測電極44構(gòu)造為觸摸傳感器的一部分并且相當(dāng)于圖I中的檢測電極E2。液晶層6根據(jù)電場狀態(tài)來調(diào)制從其穿過的光，例如采用各種模式的液晶，諸如TN(扭曲向列)、VA (垂直配向)和ECB (電控雙折射)?？商鎿Q地，可使用諸如FFS (邊緣場切換)模式或IPS (面內(nèi)切換)的橫向電場模式的液晶。此處，在液晶層6和像素基板2之間以及液晶層6和對(duì)向基板4之間分別設(shè)置有配向膜。此外，入射側(cè)偏光板設(shè)置在像素基板2的底面?zhèn)龋颂幐綀D將其省略。(公共電極43和傳感器檢測電極44的詳細(xì)構(gòu)成實(shí)例)圖5表示透視狀態(tài)下的公共電極43和傳感器檢測電極44的構(gòu)成實(shí)例。在該實(shí)例中，公共電極43劃分為在圖的橫向方向上延伸的多個(gè)條形的電極圖案(此處，作為實(shí)例，形成為η個(gè)(η為大于等于2的整數(shù))公共電極431至43η)。來自公共電極驅(qū)動(dòng)器43D的公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom依次供給到每個(gè)電極圖案，從而按照稍后描述的時(shí)分方式執(zhí)行行順序掃描驅(qū)動(dòng)。另一方面，傳感器檢測電極44由條狀電極圖案構(gòu)成，該條狀電極圖案在與公共電極43的電極圖案的延伸方向正交的方向上延伸。傳感器檢測電極44的每個(gè)電極圖案分別輸出檢測信號(hào)Vdet，進(jìn)而將被輸入到稍后描述的檢測電路8。(像素結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)器構(gòu)成的實(shí)例)圖6和圖7表示顯示裝置I中的多種驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)成和像素結(jié)構(gòu)的實(shí)例。在顯示裝置I中，具有TFT元件Tr和液晶元件LC的多個(gè)顯示像素20 (像素)以矩陣形式設(shè)置在有效顯示區(qū)域IOA中。也就是說，具有多個(gè)顯示像素20的顯示單元布置在有效顯示區(qū)域IOA中。包括TFT元件Tr的像素電路形成在各顯示像素20中。此外，包括稍后描述的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體電路單元)的外圍電路(顯示驅(qū)動(dòng)器和檢測電路8 (DET ))布置在位于有效顯示區(qū)域IOA的外邊緣(外周)的框區(qū)域IOB (非顯示區(qū)域)中。此處，在圖6和圖7中，X軸方向?qū)?yīng)于水平線方向(H方向，第二方向)，Y軸方向?qū)?yīng)于垂直線方向(V方向，第一方向)。這同樣適用于以下其它附圖。在圖6所示的實(shí)例中，作為顯示驅(qū)動(dòng)器的柵極驅(qū)動(dòng)器26D (掃描線驅(qū)動(dòng)電路)、公共電極驅(qū)動(dòng)器43D和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器25D(信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路)以及檢測電路8布置在框區(qū)域IOB中。柵極驅(qū)動(dòng)器26D是沿垂直線方向(Y軸方向，第一方向)順序驅(qū)動(dòng)多個(gè)顯示像素20的電路。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器2 是向?qū)⒈或?qū)動(dòng)的顯示像素提供視頻信號(hào)的電路。此處，柵極驅(qū)動(dòng)器26D、公共電極驅(qū)動(dòng)器43D、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器2 和檢測電路8相當(dāng)于本公開的“外圍電路”的一個(gè)特定實(shí)例。
在顯示像素20中，連接至柵極驅(qū)動(dòng)器26D的柵極線26、連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器25D的信號(hào)線(數(shù)據(jù)線)25以及連接至公共電極驅(qū)動(dòng)器43D的公共電極431至43η相連接。如上所述，公共電極驅(qū)動(dòng)器43D順序地向公共電極431至43η供給公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom (Vcom (I)至Vcom (η))。例如，公共電極驅(qū)動(dòng)器43D具有移位寄存器43D1、COM選擇單元43D2、電平轉(zhuǎn)換器43D3和COM緩沖器43D4。移位寄存器43D1是用于順序地傳送輸入脈沖的邏輯電路。具體地，通過輸入相對(duì)于移位寄存器43D1的傳送觸發(fā)脈沖(開始脈沖)，則開始時(shí)鐘傳送。此外，當(dāng)在一個(gè)幀周期內(nèi)多次輸入開始脈沖時(shí)，能夠每次都重復(fù)該傳送。此外，作為移位寄存器43D1，可以設(shè)定各個(gè)獨(dú)立的傳送邏輯電路以便分別控制多個(gè)公共電極431至43η。然而，在這種情況中，由于控制電路的規(guī)格變大，如稍后描述的圖7所示，優(yōu)選地，將傳送邏輯電路設(shè)定為由柵極驅(qū)動(dòng)器和公共電極驅(qū)動(dòng)器共用，此外，優(yōu)選地，傳送邏輯電路是單個(gè)電路而與公共電極43的數(shù)目無關(guān)。COM選擇單元43D2是控制是否將公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom對(duì)于有效顯示區(qū)域IOA中的每個(gè)顯示像素20輸出的邏輯電路。也就是說，根據(jù)有效顯示區(qū)域IOA中的位置等控制公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom的輸出。此外，通過變化要對(duì)于COM選擇單元43D2輸入的控制脈沖，能夠在每條水平線任意地移動(dòng)公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom的輸出位置，或在多個(gè)水平間隔之后移動(dòng)輸出位置。電平轉(zhuǎn)換器43D3是用于將從COM選擇單元43D2供給的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換到對(duì)于控制公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom來說足夠的電位水平。COM緩沖器43D4是用于順序地供給公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom (Vcom (I)至Vcom (η))的最終輸出邏輯電路，并構(gòu)造為包括緩沖電路等。此外，在COM緩沖器43D4中，設(shè)定當(dāng)生成所要供給的公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom時(shí)使用的預(yù)定COM電壓。另一方面，在圖7所示的實(shí)例中，作為顯示驅(qū)動(dòng)器的T/G和DC/DC轉(zhuǎn)換器20D、柵極和公共電極驅(qū)動(dòng)器40D及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器25D，以及檢測電路8布置在框區(qū)域IOB中。T/G和DC/DC轉(zhuǎn)換器20D實(shí)現(xiàn)T/G (時(shí)序發(fā)生器)和DC/DC轉(zhuǎn)換器的功能。柵極和公共電極驅(qū)動(dòng)器40D通過柵極線26對(duì)每個(gè)顯示像素20供給柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并對(duì)公共電極431至43η順序地供給公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom (Vcom (I)至Vcom (η))。此處，柵極和公共電極驅(qū)動(dòng)器40D、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器2 和檢測電路8相當(dāng)于本公開中的“外圍電路”的一個(gè)特定實(shí)例。在顯示像素20中，連接至柵極和公共電極驅(qū)動(dòng)器40D的柵極線26和公共電極431至43η被連接到數(shù)據(jù)線25 (其連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器25D)。例如，柵極和公共電極驅(qū)動(dòng)器40D具有移位寄存器40D1、使能控制單元40D2、柵極/COM選擇單元40D3、電平轉(zhuǎn)換器40D4和柵極/COM緩沖器40D5。除了共用的柵極驅(qū)動(dòng)器和公共電極驅(qū)動(dòng)器之外，移位寄存器40D1具有與上述移位寄存器43D1相同的功能。使能控制單元40D2通過使用從移位寄存器40D1傳送的時(shí)鐘脈沖并采用使能脈沖來生成用于控制柵極線26的脈沖。柵極/COM選擇單元40D3是控制是否將公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom和柵極信號(hào)VG向有效顯示區(qū)域IOA中的每個(gè)顯示像素20輸出的邏輯電路。也就是說，根據(jù)有效顯示區(qū)域IOA中的位置等分別控制公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom和柵極信號(hào)VG的輸出。 電平轉(zhuǎn)換器40D4是用于將柵極/COM選擇單元40D3供給的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為對(duì)于控制柵極信號(hào)VG和公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom來說分別足夠的電位水平。柵極/COM緩沖器40D5是用于順序地供給公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom (Vcom (I)至Vcom(η))和柵極信號(hào)VG (VG (I)至VG (η))的最終輸出邏輯電路，并被構(gòu)造為包括緩沖電路等。此外，在柵極/COM緩沖器40D5中，設(shè)置在生成將要提供的公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom和柵極電壓VG時(shí)使用的預(yù)定COM/柵極電壓。(檢測電路8的電路構(gòu)成實(shí)例)圖8表示圖6和圖7所示的檢測電路8的電路構(gòu)成實(shí)例。檢測電路8 (電壓檢測器DEF)具有放大單元81、A/D (模擬/數(shù)字)轉(zhuǎn)換單元83、信號(hào)處理單元84、坐標(biāo)提取單元85和電阻器R。放大單元81是對(duì)于從輸入端子Tin輸入的檢測信號(hào)Vdet進(jìn)行放大的構(gòu)件，并且具有用于信號(hào)放大的運(yùn)算放大器811、兩個(gè)電阻器812R和813R以及兩個(gè)電容器812C和813C。運(yùn)算放大器811的正輸入端(+ )連接到輸入端子Tin，輸出端連接到稍后描述的A/D轉(zhuǎn)換單元83的輸入端。電阻器812R和電容器812C的一端連接到運(yùn)算放大器811的輸出端，并且電阻器812R和電容器812C的另一端連接到運(yùn)算放大器811的負(fù)輸入端(_)。此夕卜，電阻器813R的一端連接到電阻器812R和電容器812C的該另一端，并且電阻器813R的另一端經(jīng)由電容器813C接地。按照這種方式，電阻器812R和電容器812C用作切斷高頻并允許低頻通過的低通濾波器(LPF)，此外，電阻器813R和電容器813C用作允許高頻通過的高通濾波器(HPF)。電阻器R設(shè)置在運(yùn)算放大器811的正輸入端(+ )側(cè)的連接點(diǎn)P和地之間。電阻器R用于防止傳感器檢測電極44進(jìn)入浮置狀態(tài)而保持穩(wěn)定狀態(tài)。按照這種方式，在檢測電路8中，防止檢測信號(hào)Vdet的信號(hào)值波動(dòng)和變化，此外，存在的優(yōu)點(diǎn)在于靜電可以通過電阻器R釋放到地面。A/D轉(zhuǎn)換單元83是將放大器81中放大的模擬檢測信號(hào)Vdet轉(zhuǎn)換為數(shù)字檢測信號(hào)的構(gòu)件，并且被構(gòu)造為包括比較器(未示出)。該比較器將輸入的檢測信號(hào)的電位與閾值電壓Vth進(jìn)行比較(參看圖3)。信號(hào)處理單元84對(duì)于從A/D轉(zhuǎn)換單元83輸出的數(shù)字檢測信號(hào)執(zhí)行預(yù)定的信號(hào)處理(例如，諸如消除數(shù)字噪聲處理的信號(hào)處理或?qū)㈩l率信息轉(zhuǎn)換為位置信息的處理)。坐標(biāo)提取單元85基于從信號(hào)處理單元84輸出的檢測信號(hào)計(jì)算檢測結(jié)果，并且執(zhí)行輸出至輸出端子Tout。檢測結(jié)果包括是否發(fā)生了觸摸，如果是，則該結(jié)果包括該部分的位置坐標(biāo)。(像素基板2的截面構(gòu)造實(shí)例)此處，參考圖9至圖12,將對(duì)上述像素基板2中的有效顯不區(qū)域IOA和外圍電路的截面構(gòu)造實(shí)例進(jìn)行說明。圖9表示像素基板2中的有效顯示區(qū)域IOA和像素基板2中的外圍電路(此處，作為實(shí)例，公共電極驅(qū)動(dòng)器43D或柵極和公共電極驅(qū)動(dòng)器40D)的截面構(gòu)造實(shí)例。在圖9所示的截面構(gòu)造實(shí)例中，柵電極301、柵極絕緣膜302、半導(dǎo)體層303、層間絕緣膜304、源電極305S和漏電極30 (第一導(dǎo)電體)以及平坦化膜306 (絕緣層)依次層壓在基板300上。此外，在截面構(gòu)造實(shí)例中，公共電極43 (第二導(dǎo)電體)、絕緣層23和像素電 極22 (第二導(dǎo)電體)依次層壓在平坦化膜306上?；?00是像素基板2中的支撐基板，例如，由玻璃基板、半導(dǎo)體基板等形成。例如，柵電極301由諸如鋁(Al)或鑰(Mo)的金屬材料形成，并且，例如，其厚度約為IOnm至lOOnm。例如，柵極絕緣膜302由諸如二氧化硅(Si02)或氮化硅(SiN)的絕緣材料形成，并且，例如，其厚度約為IOnm至lOOnm。例如，半導(dǎo)體層303由諸如硅(Si)、氧化物半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體的多種半導(dǎo)體材料形成，并且，例如，其厚度約為IOnm至lOOnm。例如，層間絕緣膜304由諸如SiO2或SiN的絕緣材料形成，并且其厚度約為IOOnm至lOOOnrn。例如，源電極305S和漏電極30 分別由諸如Al或Mo的金屬材料形成，并且，例如，其厚度約為IOOnm至1500nm。薄膜晶體管(TFT)通過柵電極301、柵極絕緣膜302、半導(dǎo)體層303、層間絕緣膜304、漏電極30 和源電極305S形成為半導(dǎo)體元件。平坦化膜306布置在源電極305S和漏電極30 ，與像素電極22、絕緣層23或公共電極43之間的層間位置，并且是厚膜絕緣層。平坦化膜306例如由有機(jī)絕緣材料(樹脂材料)形成，并且，例如，其厚度約為0. 5 μ m至10 μ m。特別地，例如，在下文將要描述的接觸部CT的形成區(qū)域附近，平坦化膜306的厚度至少優(yōu)選地是3 μ m以上。這是由于，按照這種方式，如上所述，減小了信號(hào)線電容，并且實(shí)現(xiàn)了功耗減小和圖像質(zhì)量提高。在平坦化膜306中，形成通孔(接觸孔)H。此處，在通孔H的內(nèi)部，形成了與漏電極305D和像素電極22或公共電極43電連接的接觸部CT。形成接觸部CT (此處，在像素電極22中的接觸部CT的構(gòu)成部)以便仿效(覆蓋)通孔H的內(nèi)表面形狀(壁表面形狀和底面形狀)。換句話說，使用下文描述的濺射法等來形成接觸部CT，而非使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)等。例如，通孔H具有方柱形狀、圓柱形狀(橢圓柱形狀)等，其中例如，在有效顯示區(qū)域10A的底面中的內(nèi)徑a=約6 μ m以下。此外，例如，外圍電路具有方柱形狀、圓柱形狀(橢圓柱形狀)等，其中例如，在底面中的內(nèi)徑a=約10 μ m以下。如圖9和圖10所示的通孔H，當(dāng)?shù)酌嬷械膬?nèi)徑為a并且深度(對(duì)于平坦化膜306的膜厚度)為b時(shí)，其縱橫比R (=b/a)變得高達(dá)一定程度(例如，如下文將要描述的，約為R >0.42)。此外，通孔H的錐度角Θ (通孔H的底面(漏電極30 的表面)與壁面所成的角)是銳角(0° <θ〈90° )。優(yōu)選地，錐度角是75°以下(0°〈Θ <75° )，特別是在有效顯示區(qū)域10Α中。關(guān)于漏電極30 和像素電極22之間的電氣連接，考慮由于連接電阻(接觸電阻)的變化引起的顯示亮度的改變，具有可靠(良好)的電氣連接是特別重要的。此處，例如，可以按以下方式形成這種接觸部CT。也就是說，首先，使用諸如光刻的技術(shù)，將上述材料形成的柵電極301、柵極絕緣膜302、半導(dǎo)體層302以及層間絕緣膜304依次分別形成在基板300上。接下來，通過例如使用濺射法的光刻技術(shù)在層間絕緣膜304上形成由上述材料形成的源電極305S和漏電極30 。隨后，在源電極305S和漏電極30 上，例如通過使用CVD (化學(xué)氣相沉積)法、氣相沉積法等的光刻技術(shù)形成由上述材料形成的厚膜平坦化膜306。之后，使用光刻技術(shù)形成上述具有相對(duì)于平坦化膜306的錐度角Θ(0° <θ<90° )的通孔H。在通孔H的形成過程中，例如，如圖11示意性地示出，能夠利用后烘烤處理時(shí)的熱使用平坦化膜306 (樹脂膜)的回流現(xiàn)象執(zhí)行該形成。特別地，如圖12Α所示，例如，首先，在后烘烤處理之前的曝光處理中，在通孔H的形成區(qū)域附近進(jìn)行半色調(diào)曝光，并且形成階梯形通孔。接下來，通過進(jìn)行后烘烤處理(約200° C的高溫?zé)?，產(chǎn)生上述平坦化膜306的回流現(xiàn)象，結(jié)果，形成了圖12Β所示的通孔H。按照這種方式，即使在縱橫比R高達(dá)一定程度的通孔H中，也能夠獲得良好的覆蓋性。此處，除使用這種半色調(diào)曝光 的技術(shù)之外，還能夠通過使用Tg (玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換點(diǎn))與平坦化膜306 —樣低的材料(具有高可回流性的材料)來形成具有錐度角Θ (0° < Θ <90° )的通孔H。作為降低平坦化膜306的Tg的方法，存在諸如減小平均分子量、減小有助于交聯(lián)的部分、提高有助于交聯(lián)反應(yīng)的部分的分解溫度以及減少交聯(lián)點(diǎn)的技術(shù)，并且能夠使用以上一種技術(shù)或其組合來調(diào)節(jié)Tg。然后，在平坦化膜306上，依次形成公共電極43和絕緣層23，并且使用濺射法形成像素電極22以便仿效通孔H的內(nèi)表面形狀。按照這種方式，漏電極30 和像素電極22或公共電極43電連接，并且形成圖9所示的接觸部CT。[顯示裝置I的作用和效果](I.基礎(chǔ)操作)在顯示裝置I中，像素基板2的顯示驅(qū)動(dòng)器(公共電極驅(qū)動(dòng)器43D等)行順序地對(duì)公共電極43的每個(gè)電極圖案(公共電極431至43η)供給公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom。顯示驅(qū)動(dòng)器還通過信號(hào)線25將像素信號(hào)(圖像信號(hào))供給到像素電極22，此外，與其同步，通過柵極線26以行順序控制每個(gè)像素電極的TFT (TFT元件Tr)的開關(guān)。以這種方式，在液晶層6中，由公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom和每個(gè)圖像信號(hào)確定的長度方向(關(guān)于基板的垂直方向)的電場施加至每個(gè)顯示像素20并且執(zhí)行液晶狀態(tài)的調(diào)制。同時(shí)，在對(duì)向基板4側(cè)，電容元件Cl形成在公共電極43的各電極圖案和傳感器檢測電極44的各電極圖案的交叉部。此處，例如，當(dāng)以時(shí)分方式順序地將公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom施加至公共電極43的各電極圖案時(shí)，如圖5中的箭頭(掃描方向)所示，發(fā)生以下情況。也就是說，對(duì)于施加有信號(hào)的公共電極43的各電極圖案和傳感器檢測電極44的電極圖案的交叉部處形成的列部分的各單獨(dú)電容元件Cl，進(jìn)行充電和放電。結(jié)果，從傳感器檢測電極44的每個(gè)電極圖案輸出檢測信號(hào)Vdet，其大小根據(jù)電容元件Cl的電容值。在對(duì)向基板4的表面沒有被使用者的手指觸摸的狀態(tài)下，檢測信號(hào)Vdet的大小幾乎恒定。隨著對(duì)公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom的掃描，作為充電和放電目標(biāo)的電容元件Cl的列以行序方式移動(dòng)。此處，當(dāng)對(duì)向基板4的表面在任何地方被使用者的手指觸摸時(shí)，電容元件C2通過手指添加到原先形成在該觸摸位置的電容元件Cl。結(jié)果，當(dāng)該觸摸位置被掃描時(shí)(也就是說，當(dāng)公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom施加到對(duì)應(yīng)于公共電極43的電極圖案中的觸摸位置的電極圖案上時(shí))，在該時(shí)間點(diǎn)的檢測信號(hào)Vdet的值小于其它位置。檢測電路8將檢測信號(hào)Vdet與閾值電壓Vth進(jìn)行比較，并且，當(dāng)檢測信號(hào)Vdet小于閾值電壓Vth時(shí)，將該位置確定為觸摸位置?？梢酝ㄟ^公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom的施加時(shí)序和小于閾值電壓Vth的檢測信號(hào)Vdet的檢測時(shí)序來估計(jì)觸摸位置。按照這種方式，在具有觸摸傳感器的顯示裝置I中，原先設(shè)置在液晶顯示元件的公共電極43還用作由驅(qū)動(dòng)電極和檢測電極形成的觸摸傳感器的一對(duì)電極的一側(cè)。此外，作為用于顯示的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom還作為用于觸摸傳感器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。按照這種方式，在靜電電容式觸摸傳感器中，如果新設(shè)置的電極僅是傳感器檢測電極44是足夠的，并且用于觸摸傳感器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以不是新準(zhǔn)備的。因此，構(gòu)造簡單。此外，在具有觸摸傳感器的典型顯示裝置中，精確測量流入傳感器的電流大小并 且通過基于其測量結(jié)果的模擬計(jì)算來確定觸摸位置。相反地，在本實(shí)施方式的顯示裝置I中，由于足以根據(jù)觸摸的存在與否來簡單地?cái)?shù)字化地檢測電流的相對(duì)變化(電位變化)存在與否，能夠利用簡單的檢測電路結(jié)構(gòu)提高檢測精確度。此外，在起初為施加公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom而設(shè)置的公共電極43和新設(shè)置的傳感器檢測電極44之間形成靜電電容，從而利用由于使用者的手指的接觸引起的靜電電容的變化來進(jìn)行觸摸檢測。因此，本技術(shù)可應(yīng)用于其中用戶電位通常不確定的移動(dòng)設(shè)備用途。此外，由于傳感器檢測電極44劃分為多個(gè)電極圖案，據(jù)此，每個(gè)電極圖案以時(shí)分方式被單獨(dú)被驅(qū)動(dòng)，因此還能夠檢測觸摸位置。(I.接觸部CT的作用)接下來，將對(duì)上述像素基板2中接觸部CT的作用進(jìn)行描述，同時(shí)與比較例進(jìn)行比較。首先，在本實(shí)施方式的像素基板2中，由于信號(hào)線電容減小并且時(shí)間常數(shù)退化，所消耗的電力減小，此外，抑制了圖像顯示時(shí)的串?dāng)_現(xiàn)象并且改進(jìn)了圖像質(zhì)量，平坦化膜306具有厚膜形狀。據(jù)此，由于形成在平坦化膜306中的通孔H的深度b也變大，如上所述，通孔H的縱橫比R (=b/a)增加到一定程度。例如，如圖13A所示，當(dāng)通孔H的縱橫比R被設(shè)定為彡O. 42時(shí)，接觸部CT中的電阻(接觸電阻)變?yōu)榧s90kΩ以上的高阻值(具有δμπιΧδμπι的薄層電阻的換算值)。此外，如圖13Β所示，例如，隨著錐度角Θ增加，接觸電阻變大。(2-1.比較例)此處，如圖14Α和14Β中的比較例所示，當(dāng)通孔H中的錐度角Θ大于90 °
(θ>90° )并且變?yōu)榈瑰F形狀(懸垂形狀)時(shí)，在接觸部CT中出現(xiàn)以下問題。具體地，如圖14Α中的參考標(biāo)號(hào)PlOl所示，在通孔H的壁面等中出現(xiàn)了電極層307(像素電極等)的斷開，結(jié)果，由于不再形成通孔H中的接觸部CT，出現(xiàn)了連接缺陷(接觸缺陷)?？商鎿Q地，例如，如圖14Β中的參考標(biāo)號(hào)Ρ102所示，僅形成了接觸部CT，從而即使確保漏電極30 和像素電極22或公共電極43之間的電連接，由于電極層307的厚度等不夠，接觸電阻增加。如上述圖11所示，由于后烘烤處理過程中的熱引起的平坦化膜306 (樹脂膜)的回流現(xiàn)象，易于產(chǎn)生這種倒錐形狀(懸垂形狀)的通孔H。具體地，當(dāng)樹脂平坦化膜306在后烘烤處理中收縮時(shí)，由于平坦化膜306緊密地附接到基底上，回流主要發(fā)生在基底側(cè)(界面?zhèn)蒁上方的那部分。因此，平坦化膜306具有厚膜形狀，據(jù)此，當(dāng)與基底的接觸面積較小時(shí)，在回流過程中趨于變?yōu)閼掖剐螤?，如由圖11的虛線箭頭所示。按照這種方式中，在通孔H中的錐度角Θ變得大于90° (θ>90° )的比較例中，在接觸部CT (通孔H)中，易于發(fā)生斷開(連接缺陷)或阻值(接觸電阻)增加。結(jié)果，在比較例中，由于接觸部CT中的電連接劣化并且制造時(shí)產(chǎn)量減小，可靠性劣化。(2-2.實(shí)施方式)在相應(yīng)的實(shí)施方式中，如圖9Α、圖9Β和圖10所示，形成與漏電極30 和像素電極22或公共電極43電連接的接觸部CT，以便仿效通孔H相對(duì)于平坦化膜306的內(nèi)表面形狀，通孔H的錐度角Θ是銳角(0° <θ〈90° )。此處，當(dāng)平坦化膜306的膜厚度(通孔H的深度b)具有厚膜形狀時(shí),例如,如上所述的3. Oym或更多,例如,如圖15A所示,為了將通孔H的錐度角Θ設(shè)定為銳角，與相鄰接觸部CT的距離可以設(shè)定為約5μπι或更大。通過以這種方式形成接觸部CT，在實(shí)施方式中，即使平坦化膜306具有厚膜形狀，也改進(jìn)了接觸部CT的通孔H內(nèi)表面的可覆蓋性，并且可以抑制接觸部CT中的斷開(連接缺 陷)或阻值(接觸電阻)的增加。也就是說，不管通孔H中縱橫比R高的事實(shí)，錐度角Θ是銳角(適度，moderate),從而將接觸電阻抑制為較低。在上述本實(shí)施方式中，由于形成與漏電極30 和像素電極22或公共電極43電連接的接觸部CT以便仿效通孔H相對(duì)于平坦化膜306的內(nèi)表面形狀，通孔H的錐度角Θ是銳角，所以即使平坦化膜306具有厚膜形狀，也能夠抑制接觸部CT中的斷開或阻值增加。因此，能夠更可靠地進(jìn)行接觸部CT中的電連接，并提高制造過程中的產(chǎn)量，從而能夠提高可靠性。具體地，如圖15B所示，例如，由于錐度角Θ變?yōu)殇J角(0° <θ〈90° )，能夠顯著地減小接觸缺陷并提高產(chǎn)量(可靠性)。此外，由于平坦化膜306具有厚膜形狀(例如，通孔H的縱橫比R被設(shè)定為^ O. 42)，能夠減小信號(hào)線電容并且使時(shí)間常數(shù)退化，減小所消耗的電力，此外，抑制圖像顯示時(shí)的串?dāng)_現(xiàn)象并且改進(jìn)了圖像質(zhì)量。特別地，當(dāng)在一個(gè)水平周期中執(zhí)行觸摸檢測操作和圖像信號(hào)寫入操作時(shí)，能夠獲得關(guān)于任一操作的有益效果。此外，在該實(shí)施方式中，關(guān)于布置在液晶層6中的柱狀間隔件(未示出)的排列，以下內(nèi)容是真實(shí)的。具體地，首先，在樹脂平坦化膜306是給定的厚膜形狀的情況中，當(dāng)按壓顯示裝置I (液晶面板)的表面時(shí)，存在的問題在于，形成在平坦化膜306上的金屬層和無機(jī)絕緣膜易于在柱狀間隔件的附近斷裂。認(rèn)為這是由以下事實(shí)造成的，通過使樹脂平坦化膜306與具有厚膜形狀的無機(jī)膜相比具有大的彈性變形量，相同單位面積施加的壓力的彈性變形量變大，從而超過無機(jī)膜等允許的變形量。在通孔H附近，由于平坦化膜306的形狀不平坦，在出現(xiàn)應(yīng)力集中的位置容易發(fā)生斷裂。此處，例如，如圖16所示，通過將柱狀間隔件和接觸部CT之間(分隔)的距離設(shè)定為大于約2. 5 μ m (約3 μ m)，減小了通孔H附近的應(yīng)力集中，從而可以減小由此引起的無機(jī)膜等的斷裂。此外，通過在上述金屬層或無機(jī)絕緣膜上設(shè)置凸形狀并且利用柱狀間隔件減小接觸部中的樹脂平坦化膜306的厚度，抑制了平坦化膜306的彈性變形量，結(jié)果是可以改進(jìn)由于按壓表面引起的無機(jī)膜等的斷裂。此外，在平坦化膜306是給定的厚度膜形狀時(shí)，為了保存上述表面按壓的力度，有效的是將柱狀間隔件的排列比例(排列密度)增加到一定程度。具體地，根據(jù)圖17中所示的實(shí)例I至3 (當(dāng)顯示裝置I的顯示灰度變化時(shí)，是否存在根據(jù)施加的壓力的變化的可視瑕疵的感官評(píng)估試驗(yàn)的結(jié)果)，以下內(nèi)容是真實(shí)的。也就是說，在平坦化膜306的膜厚度是2. I μ m的情況中，優(yōu)選地，柱狀間隔件的排列比例大于約O. 27%?！磻?yīng)用例〉接下來，參考圖18至圖22，將對(duì)上述實(shí)施方式的顯示裝置I (結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置)的應(yīng)用例進(jìn)行描述。顯示裝置I可應(yīng)用于所有領(lǐng)域的電子裝置，諸如電視機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本個(gè)人電腦、諸如移動(dòng)電話的移動(dòng)終端設(shè)備或攝像機(jī)。換句話說，顯示裝置I可應(yīng)用于所有領(lǐng)域的電子裝置，將從外部設(shè)備輸入的視頻信號(hào)或內(nèi)部生成的視頻信號(hào)顯示為圖像或視頻。〈應(yīng)用例1>圖18示出了電視機(jī)的外觀圖，該電視機(jī)應(yīng)用了顯示裝置I。該電視機(jī)例如具有圖像顯示屏單元510，其包括前面板511和濾色鏡512，且該圖像顯示屏單元510由顯示裝置I構(gòu)成。 〈應(yīng)用例2>圖19A和圖19B表示應(yīng)用了顯示裝置I的數(shù)碼相機(jī)的外觀。該數(shù)碼相機(jī)例如包括用于閃光的發(fā)光單元521、顯示單元522、菜單開關(guān)523和快門按鈕524，并且顯示單元522由顯示裝置I構(gòu)成?！磻?yīng)用例3>圖20表示應(yīng)用了顯示裝置I的筆記本個(gè)人電腦的外觀。該筆記本個(gè)人電腦例如具有主體531、用于字符等的輸入操作的鍵盤532、以及顯示圖像的顯示單元533，并且顯示單元533由顯示裝置I構(gòu)成?！磻?yīng)用例4>圖21表示應(yīng)用了顯示裝置I的數(shù)碼相機(jī)的外觀。數(shù)碼相機(jī)例如具有主體單元541、用于對(duì)設(shè)置在主體單元541前側(cè)表面上的物體成像的透鏡542、成像時(shí)間開始/停止開關(guān)543和顯示單元544。此處,顯示單元544由顯示裝置I構(gòu)成?！磻?yīng)用例5>圖22表示應(yīng)用了顯示裝置I的移動(dòng)電話設(shè)備的外觀。該移動(dòng)電話設(shè)備例如為上殼710和下殼720通過連接部(鉸合部)730連接的裝置，且具有顯示屏740、子顯示屏750、閃光燈760和相機(jī)770。子顯示器750的顯示器740由顯示裝置I構(gòu)成。〈變形例〉已參考實(shí)施方式和應(yīng)用例對(duì)本技術(shù)進(jìn)行了描述；然而，本技術(shù)不局限于這些實(shí)施方式等，并且多種變形例是可行的。例如，接觸單元CT的形狀和形成位置不局限于上述實(shí)施方式等，并且只要通孔H的錐度角Θ是銳角，其它形狀、形成位置等是可行的。此外，在上述實(shí)施方式中，半導(dǎo)體的電極(薄膜晶體管的漏電極)已被描述為“第一導(dǎo)電體”的實(shí)例，伴隨于此，像素電極和公共電極已被描述為“第二導(dǎo)電體”的實(shí)例；然而，這些不是限制性的。此外，在上述實(shí)施方式中，已對(duì)半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體電路單元和接觸部)形成在有效顯示區(qū)域(像素電路)和框區(qū)域(外圍電路)中的情況進(jìn)行了說明；然而，這些不是限制性的。也就是說，半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體電路單元和接觸部)可被設(shè)定為布置在有效顯示區(qū)域(像素電路)和框區(qū)域(外圍電路)中的至少一個(gè)區(qū)域中。此外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)結(jié)合了觸摸傳感器的顯示裝置(具有觸摸傳感器功能的顯示裝置)作為顯示裝置的實(shí)例進(jìn)行了描述；然而，不限于此，本技術(shù)可以應(yīng)用于不具有這種觸摸傳感器功能的普通顯示裝置。此外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)使用液晶元件作為顯示元件的顯示裝置(液晶顯示裝置)進(jìn)行了描述；然而，本技術(shù)也可應(yīng)用于其它顯示元件，例如，使用有機(jī)EL元件的顯示裝置(有機(jī)EL顯示裝置)。此外，在上述實(shí)施方式中，參考作為設(shè)置有半導(dǎo)體設(shè)備(半導(dǎo)體電路單元)的裝置的實(shí)例的顯示裝置進(jìn)行了描述；然而，不局限于此，本公開的半導(dǎo)體設(shè)備(半導(dǎo)體電路單元)還可應(yīng)用于除了該顯示裝置之外的裝置。
此處，本技術(shù)還可采用以下構(gòu)成。(I) 一種半導(dǎo)體裝置，包括下層側(cè)的第一導(dǎo)電體和上層側(cè)的第二導(dǎo)電體；厚膜絕緣層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體之間；以及接觸部，被形成為仿效對(duì)于所述絕緣層的通孔的內(nèi)表面形狀并且電連接所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體，其中，所述通孔的錐度角是銳角。(2)根據(jù)(I)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述錐度角大于0°且小于等于75°。(3)根據(jù)(I)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述通孔的縱橫比為O. 42以上。(4)根據(jù)(3)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述絕緣層的膜厚度至少在所述接觸部的形成區(qū)域附近為3μπι以上。(5)根據(jù)(I)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一導(dǎo)電膜是半導(dǎo)體元件的電極。(6)根據(jù)(5)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件是薄膜晶體管。(7)根據(jù)(I)至(6)任一個(gè)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述錐度角是所述第一導(dǎo)電體的表面與所述通孔的壁面所成的角。(8)—種顯示裝置，包括顯示單元和半導(dǎo)體電路單元，其中，所述半導(dǎo)體電路單元包括下層側(cè)的第一導(dǎo)電體和上層側(cè)的第二導(dǎo)電體；厚膜絕緣層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體之間；以及接觸部，被形成為仿效對(duì)于所述絕緣層的通孔的內(nèi)表面形狀并且電連接所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體，其中，所述通孔的錐度角是銳角。(9)根據(jù)(8)的顯示裝置，其中，所述顯示單元設(shè)置在有效顯示區(qū)域中，以及所述半導(dǎo)體電路單元設(shè)置在所述有效顯示區(qū)域和框區(qū)域中的至少一個(gè)區(qū)域中，其中，所述框區(qū)域位于所述有效顯示區(qū)域的外邊緣。(10)根據(jù)(9)的顯示裝置，其中，所述顯示單元具有包括多個(gè)像素電路的多個(gè)像素，外圍電路形成在所述框區(qū)域中，以及所述半導(dǎo)體電路單元設(shè)置在所述像素電路和所述外圍電路中。(11)根據(jù)(8)至(10)中任一個(gè)的顯示裝置，所述顯示裝置具有觸摸傳感器功能。(12)根據(jù)(8)至(11)中任一個(gè)的顯示裝置，其中，使用液晶元件或有機(jī)EL元件構(gòu)成所述顯示單元。( 13) 一種電子裝置，包括具有顯示單元和半導(dǎo)體電路單元的顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體電路單元包括下層側(cè)的第一導(dǎo)電體和上層側(cè)的第二導(dǎo)電體；厚膜絕緣層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體之間；以及接觸部，被形成為仿效對(duì)于所述絕緣層的通孔的內(nèi)表面形狀并且電連接所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體，其中，所述通孔的錐度角是銳角。(14) 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在基板上形成第一導(dǎo)電體；在所述第一導(dǎo)電體上形成厚膜絕緣層；在所述絕緣層中形成通孔，所述通孔的錐度角是銳角；形成與所述第一導(dǎo)電體電連接的接觸部，從而仿效所述通孔的內(nèi)表面形狀；以及在所述絕緣層上形成第二導(dǎo)電體，所述第二導(dǎo)電體通過所述接觸部與所述第一導(dǎo)電體電連接。(15)根據(jù)(14)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述通孔通過使用半色調(diào)曝光的光刻技術(shù)形成。本發(fā)明包含于2011年5月30日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP2011-120490中所公開的主題，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、組 合、子組合和變形，只要它們在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括 下層側(cè)的第一導(dǎo)電體和上層側(cè)的第二導(dǎo)電體； 厚膜絕緣層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體之間；以及接觸部，被形成為仿效對(duì)于所述絕緣層的通孔的內(nèi)表面形狀并且電連接所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體， 其中，所述通孔的錐度角是銳角。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述錐度角大于0°且小于等于75°。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述通孔的縱橫比為0.42以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述絕緣層的膜厚度至少在所述接觸部的形成區(qū)域附近為3 以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一導(dǎo)電膜是半導(dǎo)體元件的電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件是薄膜晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述錐度角是所述第一導(dǎo)電體的表面與所述通孔的壁面所成的角。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述接觸部是通過濺射法形成的。
9.一種顯示裝置，包括顯示單元和半導(dǎo)體電路單元， 其中，所述半導(dǎo)體電路單元包括 下層側(cè)的第一導(dǎo)電體和上層側(cè)的第二導(dǎo)電體； 厚膜絕緣層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體之間；以及接觸部，被形成為仿效對(duì)于所述絕緣層的通孔的內(nèi)表面形狀并且電連接所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體，并且所述通孔的錐度角是銳角。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置， 其中，所述顯示單元設(shè)置在有效顯示區(qū)域中，以及 所述半導(dǎo)體電路單元設(shè)置在所述有效顯示區(qū)域和框區(qū)域中的至少一個(gè)區(qū)域中，其中，所述框區(qū)域位于所述有效顯示區(qū)域的外邊緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置， 其中，所述顯示單元具有包括多個(gè)像素電路的多個(gè)像素， 外圍電路形成在所述框區(qū)域中，以及 所述半導(dǎo)體電路單元設(shè)置在所述像素電路和所述外圍電路中。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，所述顯示裝置具有觸摸傳感器功能。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，使用液晶元件或有機(jī)EL元件構(gòu)成所述顯示單元。
14.一種電子裝置，包括具有顯示單元和半導(dǎo)體電路單元的顯示裝置， 其中，所述半導(dǎo)體電路單元包括 下層側(cè)的第一導(dǎo)電體和上層側(cè)的第二導(dǎo)電體； 厚膜絕緣層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體之間；以及接觸部，被形成為仿效對(duì)于所述絕緣層的通孔的內(nèi)表面形狀并且電連接所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體，并且所述通孔的錐度角是銳角。
15.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 在基板上形成第一導(dǎo)電體； 在所述第一導(dǎo)電體上形成厚膜絕緣層； 在所述絕緣層中形成通孔，所述通孔的錐度角是銳角； 以仿效所述通孔的內(nèi)表面形狀的方式形成與所述第一導(dǎo)電體電連接的接觸部；以及在所述絕緣層上形成第二導(dǎo)電體，所述第二導(dǎo)電體通過所述接觸部與所述第一導(dǎo)電體電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述通孔通過使用半色調(diào)曝光的光刻技術(shù)形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了半導(dǎo)體裝置及其制造方法、顯示裝置和電子裝置。其中，該半導(dǎo)體裝置包括下層側(cè)的第一導(dǎo)電體和上層側(cè)的第二導(dǎo)電體；厚膜絕緣層，設(shè)置在第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體之間；以及接觸部，被形成為仿效對(duì)于絕緣層的通孔的內(nèi)表面形狀并且電連接第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體，其中，通孔的錐度角是銳角。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102810543SQ20121016282
公開日2012年12月5日 申請日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月30日
發(fā)明者永澤耕一, 池田雅延, 村田康博 申請人:索尼公司