專(zhuān)利名稱(chēng)：具有通孔的電感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電器件，具體而言，涉及使用具有通孔的電感器的器件及其形成方法。
背景技術(shù)：
電感器是一種用于儲(chǔ)存磁場(chǎng)能量的無(wú)源器件并且可以用于許多集成電路，諸如射頻(RF)電路。電感器具有可測(cè)量的電感(L)，其是由導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場(chǎng)的量度。電感可以隨著組成電感器的回線(xiàn)的數(shù)量、回線(xiàn)的尺寸、線(xiàn)徑等等的改變而改變。通常期望電感器具有高電感值。但是，因?yàn)殡姼衅髯陨淼母鞣N內(nèi)在特征(諸如電阻和電容)以及可能對(duì)周?chē)陌雽?dǎo)體襯底和/或周?chē)碾娐樊a(chǎn)生不利影響的一些感應(yīng)效應(yīng)(諸如渦電流)，所以在集成電路上可能難以實(shí)現(xiàn)高電感值。電感器的電阻和電容元件可能對(duì)電感器的Q-因子(品質(zhì))和Fsk(自諧振頻率)產(chǎn)生不利的影響。Q-因子是電感器效率的量度并且是在給定頻率下電感與其電阻的比值。Q-因子值越高表明能量損耗率越低。電感器的Fsk是其自由振蕩的固有頻率。渦電流是由通電的電感器發(fā)出的磁性波形。當(dāng)電感器暴露于不斷變化的磁場(chǎng)時(shí)，通常在周?chē)膶?dǎo)電材料中感應(yīng)產(chǎn)生這些電流。渦電流是圍繞電感器主體的電子的循環(huán)流。當(dāng)施加于襯底中存在的固有的電阻和電容元件時(shí)，渦電流產(chǎn)生電磁力，該電磁力導(dǎo)致變熱和功率損耗。這種功率損耗反過(guò)來(lái)可以對(duì)電感器的Q分量和Fsk分量產(chǎn)生不利影響。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明提供了一種裝置，所述裝置包括:襯底；一個(gè)或多個(gè)介電層，位于所述襯底的上方；一個(gè)或多個(gè)通孔，延伸穿過(guò)所述一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)；以及電感器，位于所述一個(gè)或多個(gè)通孔的上方。在所述的裝置中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔延伸至所述襯底內(nèi)。在所述的裝置中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔延伸穿過(guò)所述襯底。在所述的裝置中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔沒(méi)有電連接至所述電感器。在所述的裝置中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔被設(shè)置在所述電感器的正下方。在所述的裝置中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔的直徑等于或者大于所述電感器的跡線(xiàn)的覽度。另一方面，本發(fā)明還提供了一種裝置，所述裝置包括:襯底，具有多個(gè)上覆的介電層；至少一個(gè)通孔，延伸至所述襯底內(nèi)；以及電感器，形成在一個(gè)或多個(gè)所述介電層中，所述電感器的至少一部分位于所述至少一個(gè)通孔的正上方。在所述的裝置中，所述至少一個(gè)通孔包含介電襯墊和導(dǎo)電填充材料。在所述的裝置中，所述襯墊的厚度為約0.1iim至約1.5iim。在所述的裝置中，所述至少一個(gè)通孔完全延伸穿過(guò)所述襯底。在所述的裝置中，所述電感器和所述至少一個(gè)通孔被多個(gè)介電層中的一層分開(kāi)。所述的裝置，還包括沒(méi)有位于所述電感器正下方的一個(gè)或多個(gè)通孔，所述沒(méi)有位于所述電感器正下方的一個(gè)或多個(gè)通孔是電隔離的。在所述的裝置中，所述至少一個(gè)通孔填充有介電材料。又一方面，本發(fā)明提供了一種形成電器件的方法，所述方法包括:提供襯底；在所述襯底上方形成一個(gè)或多個(gè)第一介電層；形成穿過(guò)所述一個(gè)或多個(gè)介電層中至少之一的一個(gè)或多個(gè)通孔；在所述通孔上方形成一個(gè)或多個(gè)第二介電層；以及在所述一個(gè)或多個(gè)第二介電層的一個(gè)或多個(gè)中形成電感器，所述電感器位于至少一些所述通孔的正上方。在所述的方法中，形成所述一個(gè)或多個(gè)通孔包括:穿過(guò)所述一個(gè)或多個(gè)第一介電層形成孔；沿著所述孔的表面形成介電襯墊；以及在所述介電襯墊上方形成導(dǎo)電材料。在所述的方法中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔的直徑等于或者大于所述電感器的跡線(xiàn)的覽度。在所述的方法中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔的直徑大于所述電感器的跡線(xiàn)的寬度的兩倍。在所述的方法中，形成所述一個(gè)或多個(gè)通孔包括形成延伸至所述襯底內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)通孔。所述的方法還包括減薄所述襯底的背面，從而使所述一個(gè)或多個(gè)通孔暴露出來(lái)。在所述的方法中，用介電材料填充所述通孔。


為了更充分地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中:圖1至圖5B示出根據(jù)實(shí)施例的形成可以使用的器件的中間階段；圖6A和圖6B示出可選實(shí)施例的剖視圖；圖7A至圖7D示出根據(jù)實(shí)施例的可以使用的各種通孔尺寸；以及圖8A和圖8B示出使用諸如本文中所公開(kāi)實(shí)施例的實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)的電特性。
具體實(shí)施例方式在下面詳細(xì)地論述本發(fā)明實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)當(dāng)理解，實(shí)施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明概念。所論述的具體實(shí)施例僅僅是制造和使用本發(fā)明的示例性具體方式，而不是用于限制本發(fā)明的范圍。提供一種用于提高基于電感器的電路的品質(zhì)(Q)和自諧振頻率(Fsk)的使用通孔(TV)的方法和裝置。實(shí)施例(諸如在本文中所論述的實(shí)施例)可以通過(guò)使用TV降低集成電感元件的渦電流和襯底電容。在本發(fā)明的所有各個(gè)附圖和示例性實(shí)施例中，相似的參考標(biāo)號(hào)用于表不相似的兀件。圖1示出襯底110，其具有一個(gè)或多個(gè)上覆的介電層112。該襯底110可以包括例如，摻雜的或未摻雜的體硅，或絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底的有源層。一般地，SOI襯底包括在絕緣層上形成的半導(dǎo)體材料(諸如硅)層。該絕緣層可以是例如埋氧(BOX)層或氧化硅層。在襯底上，通常在硅襯底或玻璃襯底上提供絕緣層。也可以使用其他襯底，諸如多層襯底或梯度襯底。應(yīng)該注意到為了更好地示出實(shí)施例的部件，圖1(以及其余各圖)被簡(jiǎn)化了。例如，在實(shí)施例中，襯底110可以包括適合于特定用途的電路(未示出)。在實(shí)施例中，電路包括在襯底上形成的電器件以及隨后在該電器件上方形成的一個(gè)或多個(gè)介電層。在介電層之間可以形成一個(gè)或多個(gè)金屬層，以在電器件之間傳送(route)電信號(hào)。電器件也可以形成在一個(gè)或多個(gè)介電層中。例如，電路可以包括互連起來(lái)以執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)功能的各種N-型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)和/或P-型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)器件，諸如晶體管、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔絲等等。該功能可以包括存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)、處理結(jié)構(gòu)、傳感器、放大器、功率分布器、輸入/輸出電路等等。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解提供的以上實(shí)例僅僅用于說(shuō)明的目的，用于進(jìn)一步解釋本發(fā)明的應(yīng)用，并不是以任何方式限制本發(fā)明。可以針對(duì)給定用途視具體情況使用其他電路。一個(gè)或多個(gè)介電層112可以表示例如層間介電(ILD)層和/或一個(gè)或多個(gè)金屬間介電(MD)層。在實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)介電層112可以通過(guò)任何合適的方法(諸如旋轉(zhuǎn)、化學(xué)汽相沉積(CVD)、以及等離子體增強(qiáng)CVD (PECVD))由低-K介電材料(諸如磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、氟化硅酸鹽玻璃(FSG)、SiOxCy、旋涂玻璃、旋涂聚合物、碳化硅材料、其化合物、其復(fù)合物、其組合等等)形成。應(yīng)該注意到示出的一個(gè)或多個(gè)介電層112為單層僅僅是用于說(shuō)明的目的。不同的實(shí)施例可以包括由相同或者不同的材料形成的多個(gè)層，并且可以包括中間金屬化層(諸如可以是其中一個(gè)或多個(gè)介電層112包括一個(gè)或多個(gè)金屬間介電層的情況)。此外，一個(gè)或多個(gè)介電層112可以包括一個(gè)或多個(gè)蝕刻停止層。圖2A和圖2B分別示出根據(jù)實(shí)施例的在形成了通孔128 (TV)之后的圖1結(jié)構(gòu)的剖視圖和平面圖，其中圖2A是沿圖2B所示的線(xiàn)2A-2A'得到的剖視圖。如圖2A中所示，TV延伸穿過(guò)一個(gè)或多個(gè)介電層112并且延伸至襯底110內(nèi)。TV 128可以通過(guò)任何合適的方法形成。例如，可以通過(guò)例如一個(gè)或多個(gè)蝕刻工藝、銑削、激光技術(shù)等形成穿過(guò)一個(gè)或多個(gè)介電層112并延伸至襯底110內(nèi)的開(kāi)口。如圖2A中的插圖所示，開(kāi)口可以襯有作為隔離層的襯墊120，諸如SiO、SiN, TEOS等。然后，可以用諸如銅、鎢、鋁、銀、及其組合等導(dǎo)電填充物125填充開(kāi)口，從而形成TV 128。也可以使用其他材料，包括導(dǎo)電擴(kuò)散阻擋層，諸如TaN、Ta、TiN、T1、CoW 等。圖2B是平面圖并且示出TV 128在襯底110中的布置。在實(shí)施例中，鄰近TV之間的距離Dl可以是約10 y m至約30 u m。其他實(shí)施例可以應(yīng)用不同的布置和/或間距。如圖3所示，在實(shí)施例中，襯墊120的厚度D2可以為約0.1 ii m至約1.5iim，以及導(dǎo)電填充物125的直徑D3可以為約5 ii m至約7 u m，然而在其他實(shí)施例中可以使用其他厚度。TV 128的襯墊120是插入導(dǎo)電填充物125和襯底110之間的介電材料，從而包括表示為氧化物電容220 (Cm)的電容值。襯底110、或者位于襯底110中的阱(未示出)可以摻雜有n-型或者P-型雜質(zhì)。在實(shí)施例中，襯底110是接地的。Cm可以被設(shè)計(jì)成大于襯底等效電容(其通常為25fF)。在實(shí)施例中，Cm電容介于約IOOfF和約200fF之間。此外，在實(shí)施例中，TV 128的Cm電容在襯底110中提供串聯(lián)電容，其可以有效地降低襯底電容。降低襯底電容可以反過(guò)來(lái)降低襯底的RC效應(yīng)并提高電感器的Q和Fsk。在可選的實(shí)施例中，TV128可以完全用介電材料而不用導(dǎo)電填充物125來(lái)填充。圖4A至圖4B分別示出根據(jù)實(shí)施例的在形成一個(gè)或多個(gè)額外的介電層132之后的剖視圖和平面圖，其中圖4A是沿著圖4B中示出的線(xiàn)4A-4A'得到的剖視圖。一個(gè)或多個(gè)介電層132可以包括一個(gè)或多個(gè)金屬間介電(IMD)層及相關(guān)的金屬化層。一般地，一個(gè)或多個(gè)MD層及相關(guān)的金屬化層用于使電路(未示出)彼此互連以及提供外部電連接。該MD層可以由通過(guò)PECVD技術(shù)或高密度等離子體CVD (HDPCVD)等形成的諸如FSG的低-K介電材料形成，并且該頂D層可以包括中間蝕刻停止層?？梢栽谧钌厦娴腗D層中提供接觸件(未示出)以提供外部電連接。金屬化層可以由任何合適的導(dǎo)電材料(包括Cu、N1、Pt、Al、其組合等)組成，并且可以通過(guò)任何數(shù)量的合適技術(shù)(包括PVD、CVD、電化學(xué)沉積(E⑶)、分子束外延(MBE)、原子層沉積(ALD)、電鍍等)形成。還應(yīng)該注意到，一個(gè)或多個(gè)蝕刻停止層(未示出)可以設(shè)置在介電層112和介電層132中鄰近的介電層(例如，ILD層和IMD層)之間。一般地，當(dāng)形成通孔和/或接觸件時(shí)，蝕刻停止層提供用于停止蝕刻工藝的機(jī)構(gòu)。蝕刻停止層由具有與鄰近層(例如下方的襯底110、上方的ILD層、和上方的MD層)不同的蝕刻選擇性的介電材料形成。在實(shí)施例中，蝕刻停止層可以由SiN、SiCN、SiCO、CN、其組合等通過(guò)CVD或者PECVD技術(shù)沉積而形成。圖4A和圖4B中還示出了根據(jù)實(shí)施例的在一個(gè)或多個(gè)金屬化層中形成的電感器130。如圖4B中所示，在該實(shí)施例中的電感器130包括為螺旋圖案形狀且具有兩個(gè)終端140和141的導(dǎo)電元件。在該實(shí)施例中，交叉區(qū)(圖4B中的虛線(xiàn)圓142所示)包含終端“跨過(guò)(pass over) ”該螺旋狀件的區(qū)域。這可以通過(guò)例如，該螺旋狀件向下延伸至下方的金屬化層，在終端141下方穿過(guò)，并且回來(lái)向上延伸至位于終端141相對(duì)側(cè)的螺旋狀件來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖4A和圖4B中示出的電感器130僅僅是用于說(shuō)明的目的，并且各個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用不同的尺寸和圖案，包含交叉，以及占用多個(gè)金屬層。如圖4B所示出的，在實(shí)施例中，在TV下方的整個(gè)區(qū)域中，TV 128以行和列的圖案形成，從而使得當(dāng)加入MD層和金屬層時(shí)，電感器將位于一些(但不必是全部)TV的正上方。圖4B中示出的實(shí)施例示出電感器跡線(xiàn)位于一些TV的正上方，但未位于其他TV的正上方。雖然這種TV圖案可以適合于本實(shí)施例中的電感器130，但是其他實(shí)施例可以不同地設(shè)置電感器，從而可以改變TV圖案以更好地調(diào)整在電感器跡線(xiàn)下方的TV布置。在又一個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)用可以要求電感器是具有不同的物理尺寸、不同的跡線(xiàn)寬度、不同的物理形狀等的多層電感器，其中不同的TV圖案可以更有益于將另外的TV布置在電感器跡線(xiàn)的正下方。因此，更多的位于電感器跡線(xiàn)正下方的TV可以增強(qiáng)電路的性能，而沒(méi)有位于電感器跡線(xiàn)正下方的TV可能具有較少的影響或者沒(méi)有影響。圖5A至圖5B示出其中根據(jù)上面電感器130在金屬層中的布置可以在襯底110中圖案化TV的另一個(gè)實(shí)施例，其中圖5A示出沿著圖5B的線(xiàn)5A-5A'得到的剖視圖。在該實(shí)施例中，電感器130與上面所論述的相似。在該實(shí)施例中，將TV布置在電感器跡線(xiàn)下方的襯底中，并且已經(jīng)去除了在電感器跡線(xiàn)正下方之外設(shè)置的TV。如上面所論述的，電感器的其他實(shí)施例可以具有其他物理形狀、尺寸、跡線(xiàn)寬度等等。圖6A和6B分別示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例可以對(duì)圖4A和圖5A的半導(dǎo)體襯底110的背面實(shí)施的用于暴露出TV 128的減薄工藝?？梢允褂梦g刻工藝和/或平坦化工藝(諸如機(jī)械研磨工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝)實(shí)施減薄工藝。例如，首先，可以實(shí)施諸如研磨或CMP的平坦化工藝以首先使襯墊120暴露出來(lái)，然后，可以實(shí)施在襯墊120的材料和襯底110之間具有高蝕刻速率選擇性的一個(gè)或多個(gè)濕法蝕刻工藝，從而留下從半導(dǎo)體襯底110的背面凸出的通孔128，如圖6A和6B所示出的。蝕刻工藝可以是例如，使用HBr/02、HBr/Cl2/02、SF6/C12、SF6離子體等的干法蝕刻工藝。但是，應(yīng)該注意到，在其他實(shí)施例中，通孔128可以從半導(dǎo)體襯底110的背面不凸出。圖1至圖6中示出的實(shí)施例是其中TV 128的導(dǎo)電填充材料125沒(méi)有沿著襯底的任一側(cè)通過(guò)例如導(dǎo)電跡線(xiàn)或金屬化層中的導(dǎo)線(xiàn)直接連接至其他元件或者彼此連接的實(shí)施例。但是，在其他實(shí)施例中，導(dǎo)電跡線(xiàn)或金屬化層(沿著襯底的任一側(cè))可以用于將一個(gè)或多個(gè)TV連接在一起，或者用于例如將一個(gè)或多個(gè)TV連接至在管芯周?chē)由斓谋Ｗo(hù)環(huán)或者連接至僅在電感器周?chē)由斓谋Ｗo(hù)環(huán)。在另一個(gè)實(shí)施例中，襯底是電接地的并且TV沒(méi)有直接連接在一起。可以應(yīng)用這些實(shí)施例來(lái)改變用于特定實(shí)現(xiàn)的襯底網(wǎng)路。在實(shí)施例中，該TV是偽TV。圖7A至圖7D示出相對(duì)于電感器跡線(xiàn)具有不同尺寸的TV的不同實(shí)施例。圖7A示出其中電感器跡線(xiàn)的寬度超過(guò)TV的總直徑的實(shí)施例；圖7B示出其中電感器跡線(xiàn)130的寬度與TV的直徑大致相同的實(shí)施例；圖7C示出其中電感器跡線(xiàn)的寬度小于TV的直徑的實(shí)施例；以及圖7D示出其中TV的直徑是單個(gè)TV位于多個(gè)電感器跡線(xiàn)下方的的實(shí)施例。可以認(rèn)為，在一些實(shí)施例中，與圖7A的結(jié)構(gòu)相比，諸如圖7B至圖7D示出結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)可以有助于提供對(duì)渦電流的額外控制。圖8A示出使用諸如在本文中所述實(shí)施例的實(shí)施例可以得到的提高的電感(L)和Q-因子。如圖8A所示出的，測(cè)量的電感電路的電感(L)和Q-因子隨著電感器的電磁響應(yīng)的改變而改變。通過(guò)使用TV可以實(shí)現(xiàn)電感器的電感(L) 320 (相比于330)和Q-因子300 (相比于310)的明顯提高。圖SB示出前后對(duì)比數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)示出了諸如在本文中所公開(kāi)實(shí)施例的實(shí)施例的優(yōu)勢(shì)。在圖8B中，測(cè)量的電感電路的電感(L)和Q-因子隨著對(duì)電感器施加的頻率的改變而改變。通過(guò)使用TV可以實(shí)現(xiàn)電感器的電感(L) 370 (相比于360)和Q-因子350(相比于340)的明顯提聞。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，進(jìn)行各種改變、替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說(shuō)明書(shū)中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容將很容易理解，根據(jù)本發(fā)明可以利用現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的用于執(zhí)行與本文所述相應(yīng)實(shí)施例基本上相同的功能或者獲得基本上相同的結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求預(yù)期在其范圍內(nèi)包括這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨(dú)的實(shí)施例，并且多個(gè)權(quán)利要求和實(shí)施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括: 襯底； 一個(gè)或多個(gè)介電層，位于所述襯底的上方； 一個(gè)或多個(gè)通孔，延伸穿過(guò)所述一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)；以及 電感器，位于所述一個(gè)或多個(gè)通孔的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔延伸至所述襯底內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔延伸穿過(guò)所述襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔沒(méi)有電連接至所述電感器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔被設(shè)置在所述電感器的正下方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔的直徑等于或者大于所述電感器的跡線(xiàn)的寬度。
7.一種裝置，包括: 襯底，具有多個(gè)上覆的介電層； 至少一個(gè)通孔，延伸至所述襯底內(nèi)；以及 電感器，形成在一個(gè)或多個(gè)所述介電層中，所述電感器的至少一部分位于所述至少一個(gè)通孔的正上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，還包括沒(méi)有位于所述電感器正下方的一個(gè)或多個(gè)通孔，所述沒(méi)有位于所述電感器正下方的一個(gè)或多個(gè)通孔是電隔離的。
9.一種形成電器件的方法，包括: 提供襯底； 在所述襯底上方形成一個(gè)或多個(gè)第一介電層； 形成穿過(guò)所述一個(gè)或多個(gè)介電層中至少之一的一個(gè)或多個(gè)通孔； 在所述通孔上方形成一個(gè)或多個(gè)第二介電層；以及 在所述一個(gè)或多個(gè)第二介電層的一個(gè)或多個(gè)中形成電感器，所述電感器位于至少一些所述通孔的正上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)通孔的直徑等于或者大于所述電感器的跡線(xiàn)的寬度。
全文摘要
提供一種使用具有一個(gè)或多個(gè)通孔的電感器的器件及其制造方法。在實(shí)施例中，在一個(gè)或多個(gè)金屬化層中形成電感器。在電感器的正下方設(shè)置一個(gè)或多個(gè)通孔。通孔可以延伸穿過(guò)插入襯底和電感器之間的一個(gè)或多個(gè)介電層。此外，通孔可以完全或部分延伸穿過(guò)襯底。本發(fā)明提供了具有通孔的電感器。
文檔編號(hào)H01L23/522GK103165567SQ201210057480
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者顏孝璁, 林佑霖 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司