本發(fā)明是關(guān)于一種二維式陣列發(fā)光二極管元件，尤其是關(guān)于一種具有高出光效率的二維式陣列高壓發(fā)光二極管元件。

背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光原理和結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)光源并不相同，具有耗電量低、元件壽命長、無須暖燈時(shí)間、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，再加上其體積小、耐震動、適合量產(chǎn)，容易配合應(yīng)用需求制成極小或陣列式的元件，在市場上的應(yīng)用頗為廣泛。例如，光學(xué)顯示裝置、雷射二極管、交通號志、數(shù)據(jù)儲存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫(yī)療裝置等?，F(xiàn)有的二維式陣列發(fā)光二極管元件1，如第1A圖與第1B圖所示，包含一透明基板10、若干個(gè)發(fā)光二極管單元12以二維方向延伸，緊密排列形成于透明基板10上，每一個(gè)發(fā)光二極管單元12包含一p型半導(dǎo)體層121、一發(fā)光層122、以及一n型半導(dǎo)體層123。由于透明基板10不導(dǎo)電，因此于若干個(gè)發(fā)光二極管單元12之間由蝕刻形成溝渠14后可使各發(fā)光二極管單元12彼此絕緣，另外再通過部分蝕刻若干個(gè)發(fā)光二極管單元12至n型半導(dǎo)體層123，分別于n型半導(dǎo)體層123的暴露區(qū)域以及p型半導(dǎo)體層121上形成一第一電極18以及一第二電極16。再通過導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19選擇性連接若干個(gè)發(fā)光二極管單元12的第一電極18及第二電極16，使得若干個(gè)發(fā)光二極管單元12之間形成串聯(lián)或并聯(lián)的電路。其中，導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19下方可以是空氣；也可以預(yù)先在形成導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19之前，在發(fā)光二極管單元12的磊晶層部分表面及相近的發(fā)光二極管單元12磊晶層間以化學(xué)氣相沉積方式(CVD)、物理氣相沉積方式(PVD)、濺鍍(sputtering)等技術(shù)沉積形成絕緣層13，作為磊晶層的保護(hù)與相近發(fā)光二極管單元12間的電性絕緣。絕緣層13的材質(zhì)較佳例如可以是氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(SiNx)、二氧化鈦(TiO2)等材料或其復(fù)合組合。然而，通過導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19進(jìn)行發(fā)光二極管單元12間的電路連結(jié)時(shí)，由于發(fā)光二極管單元12與之間的溝渠14高低差距頗大，在形成導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19時(shí)容易產(chǎn)生導(dǎo)線連結(jié)不良或斷線的問題，進(jìn)而影響元件的良率。此外，上述的發(fā)光二極管元件1更可以進(jìn)一步地與其它元件組合連接以形成一發(fā)光裝置(light-emittingapparatus)。第11圖為現(xiàn)有的的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如第11圖所示，一發(fā)光裝置100包含一具有至少一電路101的次載體(sub-mount)110，將上述發(fā)光二極管元件1黏結(jié)固定于次載體110上；以及，一電性連接結(jié)構(gòu)104，以電性連接發(fā)光元件1的第一電極襯墊16’、第二電極襯墊18’與次載體110上的電路101；其中，上述的次載體110可以是導(dǎo)線架(leadframe)或大尺寸鑲嵌基底(mountingsubstrate)，以方便發(fā)光裝置100的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。上述的電性連接結(jié)構(gòu)104可以是焊線(bondingwire)或其它連結(jié)結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供一種二維式陣列發(fā)光二極管元件，尤其是關(guān)于一種具有高出光效率的二維式陣列高壓發(fā)光二極管元件。本發(fā)明提供一種二維式陣列發(fā)光二極管元件，包含一透明基板、若干個(gè)發(fā)光單元、若干導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)；該透明基板具有一第一表面；每一個(gè)該發(fā)光單元包含若干側(cè)邊及一周長，配置在該第一表面上；該些導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)電性連接該些發(fā)光單元，配置在該第一表面上；任一該些發(fā)光單元的側(cè)邊與其相鄰的該發(fā)光單元間具有若干垂直距離，當(dāng)該些垂直距離大于50μm時(shí)，該發(fā)光單元的側(cè)邊與最近的該發(fā)光單元不相近；任一該些發(fā)光單元與其相鄰的發(fā)光單元不相近的側(cè)邊長度總和與該發(fā)光單元的周長比大于50%。本發(fā)明的提供另一種二維式陣列發(fā)光二極管元件，包含一透明基板、若干發(fā)光單元和若干導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)；該透明基板具有一第一表面；任一該些發(fā)光單元包含一第一電性半導(dǎo)體層、一第二電性半導(dǎo)體層和一發(fā)光層，該第一電性半導(dǎo)體層配置于該透明基板的該第一表面上，該第二電性半導(dǎo)體層配置于該第一電性半導(dǎo)體層上，該發(fā)光層配置于該第一電性半導(dǎo)體層與該第二電性半導(dǎo)體層之間；該些導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)電性連接該些發(fā)光單元，配置在該第一表面上；任一該些發(fā)光單元的該發(fā)光層與相鄰的發(fā)光單元其發(fā)光層間距大于35μm。附圖說明圖1為一結(jié)構(gòu)圖，顯示一現(xiàn)有的二維式陣列發(fā)光二極管元件側(cè)視結(jié)構(gòu)圖。圖2A為一結(jié)構(gòu)圖，顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的二維式陣列發(fā)光二極管元件俯視結(jié)構(gòu)圖。圖2B為一結(jié)構(gòu)圖，顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的二維式陣列發(fā)光二極管元件側(cè)視結(jié)構(gòu)圖。圖3為一結(jié)構(gòu)圖，顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管單元俯視結(jié)構(gòu)圖。圖4A-4B為一示意圖，顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的二維式陣列發(fā)光二極管元件俯視示意圖。圖5為一結(jié)構(gòu)圖，顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的二維式陣列發(fā)光二極管元件俯視結(jié)構(gòu)圖。圖6A-6B為一示意圖，顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的二維式陣列發(fā)光二極管元件俯視示意圖。圖7為一表格，顯示依據(jù)不同二維式陣列發(fā)光二極管元件對發(fā)光效率與每顆發(fā)光二極管單元的發(fā)光能量比較表。圖8A-8C為一結(jié)構(gòu)圖，顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的二維式陣列發(fā)光二極管元件俯視結(jié)構(gòu)圖。圖9A-9D為一結(jié)構(gòu)圖，顯示一種單列的串聯(lián)式高壓發(fā)光二極管元件俯視結(jié)構(gòu)圖。圖10為一結(jié)構(gòu)圖，顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的二維式陣列發(fā)光二極管元件俯視結(jié)構(gòu)圖。圖11為另一現(xiàn)有發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式以下配合圖式說明本發(fā)明的各實(shí)施例。首先，圖2A與圖2B所示為本發(fā)明第一實(shí)施例的二維式陣列發(fā)光二極管元件2的俯視圖與側(cè)視圖。二維式陣列發(fā)光二極管元件2具有一個(gè)透明基板20，透明基板20具有第一表面201與底面202，其中第一表面201與底面202相對。透明基板20并不限定為單一材料，亦可以是由若干不同材料組合而成的復(fù)合式透明基板。例如：透明基板20可以包含兩個(gè)相互接合的第一透明基板與第二透明基板(圖未示)。本實(shí)施例中，透明基板20的材質(zhì)為藍(lán)寶石(sapphire)。然而，透明基板20的材質(zhì)亦可以包含但不限于鋁酸鋰(lithiumaluminumoxide,LiAlO2)、氧化鋅(zincoxide,ZnO)、磷化鎵(galliumnitride,GaP)、玻璃(Glass)、有機(jī)高分子板材、氮化鋁(aluminumnitride,AlN)。接著，在透明基板20的第一表面201上，形成若干二維延伸排列的發(fā)光二極管單元22陣列。在本實(shí)施例中，制作方式如下所述：首先，以傳統(tǒng)的磊晶成長制程，在一成長基板(圖未示)上依序形成n型半導(dǎo)體層221，發(fā)光層222，以及p型半導(dǎo)體層223。在本實(shí)施例中，成長基板的材質(zhì)為砷化鎵(GaAs)。當(dāng)然，除了砷化鎵(GaAs)基板之外，成長基板的材質(zhì)是可包含但不限于鍺(germanium,Ge)、磷化銦(indiumphosphide,InP)、藍(lán)寶石(sapphire)、碳化硅(siliconcarbide)、硅(silicon)、氧化鋰鋁(lithiumaluminumoxide,LiAlO2)、氧化鋅(zincoxide,ZnO)、氮化鎵(galliumnitride,GaN)、氮化鋁(aluminumnitride)。接著，以黃光微影制程技術(shù)選擇性移除部分磊晶層后，殘余的磊晶層在成長基板上形成如圖2B所示，分開排列的多個(gè)發(fā)光二極管單元22的磊晶層部分結(jié)構(gòu)。其中，更可包含以黃光微影制程技術(shù)蝕刻形成每一個(gè)發(fā)光二極管單元22的n型半導(dǎo)體層暴露區(qū)域，以做為后續(xù)電極結(jié)構(gòu)的形成平臺。為了增加元件整體的出光效率，透過基板轉(zhuǎn)移與基板接合的技術(shù)，將發(fā)光二極管單元22磊晶層結(jié)構(gòu)設(shè)置于透明基板20之上。發(fā)光二極管單元22可以以加熱或加壓的方式與透明基板20直接接合，或是透過透明黏著層(圖未示)將發(fā)光二極管單元22與透明基板20黏著接合。其中，透明黏著層可以是一有機(jī)高分子透明膠材，例如聚酰亞胺(polyimide)、苯環(huán)丁烯類高分子(BCB)、全氟環(huán)丁基類高分子(PFCB)、環(huán)氧類樹脂(Epoxy)、壓克力類樹脂(AcrylicResin)、聚脂類樹脂(PET)、聚碳酸酯類樹脂(PC)等材料中的一種或其組合；或一透明導(dǎo)電氧化金屬層，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化錫氟（FTO）、銻錫氧化物（ATO）、鎘錫氧化物（CTO）、氧化鋅鋁（AZO）、摻鎘氧化鋅（GZO）等材料中的一種或其組合；或一無機(jī)絕緣層，例如氧化鋁(Al2O3)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、氮化鋁(AlN)、二氧化鈦(TiO2)等材料中的一種或其組合。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管單元22是以苯環(huán)丁烯類高分子(BCB)做為透明黏著層與透明基板20進(jìn)行接合。實(shí)際上，將發(fā)光二極管單元22設(shè)置于透明基板20上的方法不限于此，于本技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識的人應(yīng)可以理解，根據(jù)不同的結(jié)構(gòu)特性，發(fā)光二極管單元22亦可以磊晶成長的方式直接形成于透明的基板上。此外，根據(jù)基板轉(zhuǎn)移次數(shù)的不同，亦可以形成p型半導(dǎo)體層與基板相鄰，且n型半導(dǎo)體層在p型半導(dǎo)體層上，中間夾有發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。接著，在發(fā)光二極管單元22的磊晶層部分表面及相鄰發(fā)光二極管單元22磊晶層間以化學(xué)氣相沉積方式(CVD)、物理氣相沉積方式(PVD)、濺鍍(sputtering)等技術(shù)沉積形成絕緣層23，作為磊晶層的保護(hù)與相鄰發(fā)光二極管單元22間的電性絕緣。絕緣層23的材質(zhì)較佳例如可以是氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(SiNx)、二氧化鈦(TiO2)等材料或其復(fù)合組合。之后，以濺鍍的方式在發(fā)光二極管單元22的n型半導(dǎo)體層暴露區(qū)域表面，p型半導(dǎo)體層表面，以及透明基板的第一表面201上形成第一電極28、第二電極26及導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29，以進(jìn)行發(fā)光二極管單元22之間的電性連結(jié)。以本實(shí)施例為例，在第一發(fā)光二極管單元22的n型半導(dǎo)體層暴露區(qū)域上形成第一電極28，在相鄰的發(fā)光二極管單元22的p型半導(dǎo)體層223上形成第二電極26，以及形成一導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29于兩個(gè)電極之間，以串聯(lián)的方式電性連結(jié)兩個(gè)相鄰的發(fā)光二極管單元22。導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29與電極26，28的材質(zhì)較佳例如可以是金屬，例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、錫(Sn)等，其合金或其層迭組合。形成第一電極28、第二電極26與導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29的材質(zhì)可以相同或不同，其結(jié)構(gòu)可以是單一次制程，也可以是由多次制程所完成。除此之外，如圖2A所示，為了減少不透光的金屬結(jié)構(gòu)對發(fā)光二極管元件2出光效率所產(chǎn)生的影響，依據(jù)不同的電路設(shè)計(jì)，分別自本實(shí)施例中的發(fā)光二極管單元22串行之中其中兩個(gè)發(fā)光二極管單元22的p型半導(dǎo)體層223及n型半導(dǎo)體層221表面形成兩組導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29，延伸至磊晶層之外的透明基板20第一表面201上形成第一電極襯墊26'與第二電極襯墊28'。通過兩個(gè)電極襯墊，可以以打線或焊錫等方式與外部電源形成電性連接。其中，形成電極襯墊26'，28'的制程，可以與形成電極26，28及導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29于單一次制程中進(jìn)行，也可以由多次制程所完成。而形成電極襯墊26’，28’的材質(zhì)，可以分別與形成電極26，28或?qū)щ娕渚€結(jié)構(gòu)29的材質(zhì)相同或不同。圖3所示為發(fā)光二極管單元22放大的俯視圖。在本實(shí)施例中，每一個(gè)發(fā)光二極管單元22是為長方形，依序具有四個(gè)側(cè)邊22a，長度為a、側(cè)邊22b，長度為b、側(cè)邊22c，長度為a、以及側(cè)邊22d，長度為b。而發(fā)光二極管單元22的周長即為四個(gè)側(cè)邊的長度總和，即2a+2b。值得注意的是，在本發(fā)明之中，為了增加發(fā)光二極管元件的出光效率，對發(fā)光二極管單元22的排列方式進(jìn)行了調(diào)整?，F(xiàn)有的二維式陣列發(fā)光二極管元件之中，當(dāng)發(fā)光二極管單元22之間設(shè)置距離過近時(shí)，發(fā)光二極管單元所產(chǎn)生的光容易被相近發(fā)光二極管單元中能帶相近的半導(dǎo)體層(尤其是發(fā)光層)再吸收，進(jìn)而影響元件整體的出光效率。在本發(fā)明的實(shí)施例中，為減少發(fā)光二極管單元之間的再吸收現(xiàn)象，使每一個(gè)不同的發(fā)光二極管單元22之間距離拉大。以本實(shí)施例為例，由于發(fā)光層之間能帶相近，再吸收現(xiàn)象尤其明顯。因此，以發(fā)光層間的距離為基準(zhǔn)，調(diào)整十個(gè)發(fā)光二極管單元彼此之間的發(fā)光層間距都大于35μm。除此之外，不同的發(fā)光二極管單元22間，側(cè)邊的相鄰比例應(yīng)盡量減少。以圖4A為例，當(dāng)不同發(fā)光二極管單元22之間的側(cè)邊垂直距離x大于50μm時(shí)，相鄰的發(fā)光二極管單元之間的再吸收機(jī)會較低，因此可以定義為兩側(cè)邊之間不相近。這樣的定義，可以廣泛適用于不同形狀的發(fā)光二極管單元22結(jié)構(gòu)之中，如圖4B所示，圓形的發(fā)光二極管單元22也可以適當(dāng)?shù)匾员舜瞬幌嘟姆绞揭远S陣列的方式設(shè)置在基板上，減少彼此之間再吸收的機(jī)會，增加發(fā)光二極管元件的出光效率。以本實(shí)施例為例，我們可以推算出每一個(gè)發(fā)光二極管單元22與其它發(fā)光二極管單元的側(cè)邊不相近值α。不相近值α的定義為單一發(fā)光二極管單元與其它發(fā)光二極管單元不相近的側(cè)邊長度總和與周長的比值。如圖5所示，我們將十個(gè)發(fā)光二極管單元22進(jìn)行編號，計(jì)算發(fā)光二極管單元22-1的不相近值α。發(fā)光二極管單元22-1與下方的發(fā)光二極管單元22-2側(cè)邊部分經(jīng)由導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29相連接，側(cè)邊22-1c與側(cè)邊22-2d之間的垂直距離小于或等于50μm時(shí)，彼此相近，相近的長度為b。同樣的，發(fā)光二極管單元22-1的側(cè)邊22-1d與左側(cè)的發(fā)光二極管單元22-3的側(cè)邊22-3b垂直距離小于50μm，也是彼此相近，相近的長度為b；此外，發(fā)光二極管單元22-1的周長為2a+2b。在本實(shí)施例中，有2b長度的側(cè)邊與其它的發(fā)光二極管單元相近，不相近的側(cè)邊長度總和為(2a+2b)-2b=2a。因此，發(fā)光二極管單元22-1的不相近值α為2a/(2a+2b)。相同的計(jì)算公式，同樣可以應(yīng)用在不同形狀的發(fā)光二極管單元22結(jié)構(gòu)之中。把單一發(fā)光二極管單元的側(cè)邊分割為無數(shù)的點(diǎn)，沿著每一個(gè)點(diǎn)的側(cè)邊做切線，就任一點(diǎn)依垂直其切線方向計(jì)算與最近的發(fā)光二極管單元側(cè)邊的垂直距離。確認(rèn)每一個(gè)點(diǎn)與最近的發(fā)光二極管單元的距離后，把所有不相近的側(cè)邊以積分的方式加總，所獲得的積分值即為不相近的側(cè)邊長度總和，不相近值α即為積分值與周長的比值。以圖6A與圖6B為例，我們可以延伸計(jì)算形狀為不規(guī)則形的發(fā)光二極管單元每一點(diǎn)與其它發(fā)光二極管單元是否相近。當(dāng)發(fā)光二極管單元的形狀為不規(guī)則形狀時(shí)，以側(cè)邊上的每一個(gè)點(diǎn)垂直于此側(cè)邊的方向計(jì)算與最近的發(fā)光二極管單元側(cè)邊的垂直距離x，當(dāng)側(cè)邊為弧形時(shí)，則以弧形上的每一個(gè)點(diǎn)對弧形做切線后，就此點(diǎn)垂直于其切線方向計(jì)算垂直距離。在圖6A與圖6B中，分別以發(fā)光二極管單元32-1與發(fā)光二極管單元42-1為例，標(biāo)示出發(fā)光二極管單元側(cè)邊不同位置與最近發(fā)光二極管單元32-2，32-3，42-2，42-3間垂直距離x的計(jì)算方式。根據(jù)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)二維式陣列發(fā)光二極管元件上發(fā)光二極管的單元不相近值α大于50%時(shí)，發(fā)光二極管元件2可以比現(xiàn)有的緊密排列的二維式陣列發(fā)光二極管元件3提升發(fā)光效率5%，如圖7提供的發(fā)光二極管元件對元件發(fā)光效率與每顆發(fā)光二極管單元的發(fā)光能量比較表所示。當(dāng)發(fā)光二極管元件2中的每一個(gè)發(fā)光二極管單元側(cè)邊長a值為560μm，側(cè)邊長b值為290μm時(shí)，不相近值α約為65%，發(fā)光二極管元件2之發(fā)光效率比現(xiàn)有的緊密排列的二維式陣列發(fā)光二極管元件提升10%。除了本實(shí)施例之外，圖8A至圖8C提供其它符合不相近值α大于50%的發(fā)光二極管單元排列方式所組成的二維式陣列發(fā)光二極管元件的實(shí)施例。此外，為了增加元件整體的出光效率，我們還可以利用干蝕刻或濕蝕刻等方式在透明基板的第一表面及/或背面進(jìn)行表面粗化，以增加光線散射與出光機(jī)率。此外，自俯視圖觀之，發(fā)光二極管單元22設(shè)置于透明基板20上時(shí)，發(fā)光二極管單元22的發(fā)光層垂直投影于第一表面的位置與透明基板20任一側(cè)邊之間最短距離較佳應(yīng)大于20μm，以增加光自透明基板20摘出的機(jī)會。在相同的發(fā)明精神之下，我們可以將單列的串聯(lián)式高壓發(fā)光二極管元件接合于透明基板上，利用適當(dāng)?shù)亩㈥嚵信帕蟹绞?，也可以達(dá)到增加串聯(lián)式高壓發(fā)光二極管元件中每一顆發(fā)光單元的不相近值α的效果，以形成具有高出光效率的二維式陣列發(fā)光二極管元件。圖9A至圖9D分別顯示單列的串聯(lián)式高壓發(fā)光二極管元件4、5、6、7。其中，每一個(gè)高壓發(fā)光二極管元件分別包含有四個(gè)發(fā)光二極管單元42、52、62、72，以磊晶成長或接合的方式形成于基板40、50、60、70之上。與上述的結(jié)構(gòu)相同，先在第一發(fā)光二極管單元42、52、62、72的n型半導(dǎo)體層暴露區(qū)域上形成第一電極46、56、66、76，延伸出導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)49、59、69、79至另一個(gè)相鄰的發(fā)光二極管單元42、52、62、72，并形成第二電極48、58、68、78于相鄰的發(fā)光二極管單元42的p型半導(dǎo)體層上，以串聯(lián)的方式電性連結(jié)兩個(gè)相鄰的發(fā)光二極管單元42、52、62、72。在每一個(gè)單列的串聯(lián)式高壓發(fā)光二極管元件4、5、6、7之中，行列末端的兩個(gè)發(fā)光二極管單元42、52、62、72更分別形成有第一電極襯墊46’、56’、66’、76’與第二電極襯墊48’、58’、68’、78’，用以與外部元件或電源形成電性連接。我們可以將若干個(gè)上述圖9A至圖9D所示的單列的串聯(lián)式高壓發(fā)光二極管元件4、5、6、7以透明黏著層設(shè)置于一個(gè)單一的透明基板80上，發(fā)光二極管元件4、5、6、7彼此之間可以透過打線制程或黃光制程形成導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)89的方式進(jìn)行電性連結(jié)，在適當(dāng)?shù)呐帕兄拢梢孕纬奢^現(xiàn)有的緊密排列的二維式陣列發(fā)光二極管元件具有較高不相近值α的二維式陣列發(fā)光二極管元件，以達(dá)成較高的元件整體出光效率，如圖10所示。本發(fā)明所列舉之各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明之范圍。任何人對本發(fā)明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發(fā)明之精神與范圍。