基于納米表面處理封裝貼片發(fā)光二極管的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及涉及LED發(fā)光芯片領域，尤其涉及一種基于納米表面處理封裝貼片發(fā)光二極管。
【背景技術】
[0002]貼片發(fā)光二極管由于低能耗、發(fā)光效率高、綠色環(huán)保，在照明產業(yè)和顯示領域廣泛使用。目前市場上出現(xiàn)的LED芯片主要是技術參數(shù)由有芯片制造商提供，用戶采購芯片一般直接使用，在封裝前對LED芯片不進行任何處理，直接把芯片封裝，而在封裝后通光學、散熱等物理技術處理來提高發(fā)光效率，由于封裝后在采用物理技術提高發(fā)光效率的同時，也造成LED光污染，產生色差及發(fā)光一致性變異，而且封裝后提高發(fā)光光效，成本較高。其傳統(tǒng)的封裝后對光效提高模式已經不能滿足在高效節(jié)能而且應用成本低的市場需求。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種基于納米表面處理封裝貼片發(fā)光二極管，以解決上述技術問題。
[0004]本實用新型所要解決的技術問題采用以下技術方案來實現(xiàn):
[0005]—種基于納米表面處理封裝貼片發(fā)光二極管，其特征在于:由熒光粉芯片、BT板、硅膠三部分構成，熒光粉芯片固定在BT板上，在BT板和熒光粉芯片之間填充硅膠進行封裝，所述熒光粉芯片為規(guī)格為35*35mm的藍光芯片，所述熒光粉芯片的上表面涂覆有納米金屬顆粒層，所述熒光粉芯片連接有第一組引腳和第二組引腳，其中第一組引腳作為各行芯片的公共正電壓控制腳，第二組引腳作為負極控制引腳。
[0006]所述熒光粉芯片與BT板之間通過硅膠間隔壓模成型包括。
[0007]所述熒光粉芯片與BT板之間的硅膠間隔填充，填充的硅膠固化后成S型。
[0008]本實用新型的有益效果是:
[0009]本實用新型大大提高了發(fā)光效率，可以達到由目前的每瓦120流明提高到每瓦210流明，芯片上表面涂覆的納米金屬顆粒層，可使發(fā)光一致性高、減少封裝后處理材料成本，一次性封裝成型，增加產品的可靠性，硅膠封裝采用間隔式S型分布設計，熱變化系數(shù)小，延長發(fā)光二極管使用壽命，進一步提搞了發(fā)光二極管發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0011]為了使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體實施例和附圖，進一步闡述本實用新型，但下述實施例僅僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，并非全部?；趯嵤┓绞街械膶嵤├绢I域技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得其它實施例，都屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0012]如圖1所示，一種基于納米表面處理封裝貼片發(fā)光二極管，由熒光粉芯片1、BT板4、硅膠三部分構成，熒光粉芯1片固定在BT板4上，在BT板4和熒光粉芯片1之間填充硅膠進行封裝，熒光粉芯片1為規(guī)格為35*35mm的藍光芯片，熒光粉芯片1的上表面涂覆有納米金屬顆粒層5，熒光粉芯片1連接有第一組引腳3和第二組引腳2，其中第一組引腳3作為各行芯片的公共正電壓控制腳，第二組引腳2作為負極控制引腳。
[0013]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的僅為本實用新型的優(yōu)選例，并不用來限制本實用新型，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【主權項】
1.一種基于納米表面處理封裝貼片發(fā)光二極管，其特征在于:由熒光粉芯片、BT板、硅膠三部分構成，熒光粉芯片固定在BT板上，在BT板和熒光粉芯片之間填充硅膠進行封裝，所述熒光粉芯片為規(guī)格為35*35mm的藍光芯片，所述熒光粉芯片的上表面涂覆有納米金屬顆粒層，所述熒光粉芯片連接有第一組引腳和第二組引腳，其中第一組引腳作為各行芯片的公共正電壓控制腳，第二組引腳作為負極控制引腳；所述熒光粉芯片與BT板之間的硅膠間隔填充，填充的硅膠固化后成S型。2.根據(jù)權利要求1所述的基于納米表面處理封裝貼片發(fā)光二極管，其特征在于:所述熒光粉芯片與BT板之間通過硅膠間隔壓模成型包括。
【專利摘要】本實用新型提供一種基于納米表面處理封裝貼片發(fā)光二極管，涉及LED發(fā)光芯片領域，由熒光粉芯片、BT板、硅膠三部分構成，熒光粉芯片固定在BT板上，在BT板和熒光粉芯片之間填充硅膠進行封裝，熒光粉芯片的上表面涂覆有納米金屬顆粒層，熒光粉芯片連接有第一組引腳和第二組引腳，其中第一組引腳作為各行芯片的公共正電壓控制腳，第二組引腳作為負極控制引腳。本實用新型大大提高了發(fā)光效率，可以達到由目前的每瓦120流明提高到每瓦210流明，芯片上表面涂覆的納米金屬顆粒層，可使發(fā)光一致性高、減少封裝后處理材料成本，一次性封裝成型，增加產品的可靠性，硅膠封裝采用間隔式S型分布設計，熱變化系數(shù)小，延長發(fā)光二極管使用壽命。
【IPC分類】H01L33/48, H01L33/54, H01L33/44
【公開號】CN205069672
【申請?zhí)枴緾N201520674072
【發(fā)明人】楊振聲
【申請人】安徽格銳特光電科技有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年8月31日