本發(fā)明涉及一種用來將具備SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預(yù)定線進(jìn)行切斷的激光加工方法。

背景技術(shù)：
SiC（碳化硅），是作為能夠制造耐熱性、耐高電壓性、省電性優(yōu)異的功率器件的半導(dǎo)體材料而引人注目。然而，由于SiC是具有僅次于鉆石的硬度的難加工材料，因此，若要將具備SiC基板的板狀的加工對象物通過刀片切割進(jìn)行切斷，則需要進(jìn)行低速度的加工或頻繁地更換刀片。因此，通過對加工對象物照射激光，沿著切斷預(yù)定線在SiC基板的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域，以該改質(zhì)區(qū)域?yàn)槠瘘c(diǎn)而沿著切斷預(yù)定線將加工對象物進(jìn)行切斷的激光加工方法已被提出（例如參照專利文獻(xiàn)1）?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特表2007-514315號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題然而，在通過上述那樣的激光加工方法，將具備具有與c面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物進(jìn)行切斷的情況下，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)存在著如下的技術(shù)問題。即，為了在形成改質(zhì)區(qū)域時(shí)讓龜裂從改質(zhì)區(qū)域到達(dá)SiC基板的激光入射面，若以讓龜裂從改質(zhì)區(qū)域向SiC基板的厚度方向伸展的方式將激光照射于加工對象物，則龜裂也變得容易從改質(zhì)區(qū)域向c面方向伸展。因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種激光加工方法，其能夠?qū)⒕邆渚哂信cc面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預(yù)定線精度高地切斷。解決技術(shù)問題的手段本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)的激光加工方法，是用來將具備具有與c面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預(yù)定線進(jìn)行切斷的激光加工方法，通過使脈沖振蕩后的激光的聚光點(diǎn)對準(zhǔn)于SiC基板的內(nèi)部，以脈沖間距為10μm～18μm的方式沿著切斷預(yù)定線將激光照射于加工對象物，從而沿著切斷預(yù)定線將作為切斷起點(diǎn)的改質(zhì)區(qū)域形成于SiC基板的內(nèi)部。在該激光加工方法中，以脈沖間距（“激光的聚光點(diǎn)相對于加工對象物的移動速度”除以“脈沖激光的重復(fù)頻率”的值）為10μm～18μm的方式沿著切斷預(yù)定線對加工對象物照射激光。若在這樣的條件下對加工對象物照射激光，能夠讓龜裂容易從改質(zhì)區(qū)域向SiC基板的厚度方向伸展，同時(shí)讓龜裂難以從改質(zhì)區(qū)域向c面方向伸展。因此，根據(jù)該激光加工方法，可以將具備具有與c面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預(yù)定線高精度地切斷。再有，偏離角包含0°的情況。在這種情況下，主面與c面平行。本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)的激光加工方法中，激光可以以脈沖間距為12μm～14μm的方式沿著切斷預(yù)定線照射于加工對象物。據(jù)此，能夠讓龜裂更容易從改質(zhì)區(qū)域向SiC基板的厚度方向伸展，同時(shí)讓龜裂更難以從改質(zhì)區(qū)域向c面方向伸展。本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)的激光加工方法中，激光可以以20ns～100ns的脈沖寬度進(jìn)行脈沖振蕩，也可以以50ns～60ns的脈沖寬度進(jìn)行脈沖振蕩。根據(jù)這些，能更切實(shí)地讓龜裂容易從改質(zhì)區(qū)域向SiC基板的厚度方向伸展，同時(shí)更切實(shí)地讓龜裂難以從改質(zhì)區(qū)域向c面方向伸展。本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)的激光加工方法中，可以在形成改質(zhì)區(qū)域后，以改質(zhì)區(qū)域?yàn)槠瘘c(diǎn)沿著切斷預(yù)定線將加工對象物切斷。據(jù)此，能夠得到沿著切斷預(yù)定線被高精度地切斷后的加工對象物。本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)的激光加工方法中，改質(zhì)區(qū)域有包含熔融處理區(qū)域的情況。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)⒕邆渚哂信cc面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預(yù)定線高精度地切斷。附圖說明圖1是形成改質(zhì)區(qū)域所使用的激光加工裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖2是激光加工前的加工對象物的俯視圖。圖3是沿著圖2的加工對象物的III-III線的截面圖。圖4是激光加工后的加工對象物的俯視圖。圖5是沿著圖4的加工對象物的V-V線的截面圖。圖6是沿著圖4的加工對象物的VI-VI線的截面圖。圖7是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法的對象的加工對象物的俯視圖。圖8是表示圖7的加工對象物的結(jié)晶構(gòu)造的圖。圖9是圖7的加工對象物的一部分截面圖。圖10是實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法的加工對象物的一部分截面圖。圖11是實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法的加工對象物的一部分截面圖。圖12是實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法的加工對象物的一部分截面圖。圖13是實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法的加工對象物的一部分截面圖。圖14是表示由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法切斷后的SiC基板的切斷面的照片的圖。圖15是表示由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法切斷后的SiC基板的切斷面的照片的圖。圖16是表示由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法切斷后的SiC基板的平面照片的圖。圖17是用來說明SiC基板的內(nèi)部所產(chǎn)生的c面裂紋的立體圖。圖18是表示產(chǎn)生c面裂紋的SiC基板的切斷面的照片的圖。圖19是表示脈沖寬度與ID閾值、HC閾值及加工裕度的關(guān)系的表。圖20是表示脈沖間距與ID閾值、HC閾值及加工裕度的關(guān)系的表。圖21是表示脈沖寬度及脈沖間距的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖22是表示脈沖寬度及脈沖間距的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖23是表示脈沖寬度及脈沖間距的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖24是表示脈沖間距與HC閾值的關(guān)系的圖表。圖25是表示脈沖間距與ID閾值的關(guān)系的圖表。圖26是表示脈沖間距與加工裕度的關(guān)系的圖表。圖27是表示脈沖寬度及脈沖間距的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖28是表示脈沖寬度及脈沖間距的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖29是表示脈沖寬度及脈沖間距的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖30是表示脈沖間距與HC閾值的關(guān)系的圖表。圖31是表示在激光入射面附近的HC品質(zhì)的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖32是表示在激光入射面附近的HC品質(zhì)的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖33是表示在激光入射面附近的HC品質(zhì)的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖34是用來說明本發(fā)明的其他實(shí)施方式的激光加工方法的俯視圖。符號說明：1…加工對象物，5a,5m…切斷預(yù)定線，5p…預(yù)備線，7a,7m…改質(zhì)區(qū)域，7p…預(yù)備改質(zhì)區(qū)域，12…SiC基板，12a…表面（主面），12b…背面（主面），L…激光，P…聚光點(diǎn)。具體實(shí)施方式以下，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。再有，各圖中對于相同或相當(dāng)?shù)牟糠仲x予相同符號，省略重復(fù)的說明。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法中，通過沿著切斷預(yù)定線對加工對象物照射激光，從而沿著切斷預(yù)定線在加工對象物的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域。因此，首先，參照圖1～圖6說明該改質(zhì)區(qū)域的形成。如圖1所示，激光加工裝置100具備：對激光L進(jìn)行脈沖振蕩的激光光源101、配置成讓激光L的光軸（光路）方向改變90°的分光鏡103、以及用來將激光L聚光的聚光用透鏡105。另外，激光加工裝置 100具備：用來支承照射了被聚光用透鏡105聚光后的激光L的支承臺107、用來讓支承臺107移動的操作臺111、為了調(diào)節(jié)激光L的輸出或脈沖寬度等而控制激光光源101的激光光源控制部102、以及控制操作臺111的移動的操作臺控制部115。在該激光加工裝置100中，從激光光源101出射的激光L，通過分光鏡103將其光軸方向改變90°，被聚光用透鏡105聚光于載置在支承臺107上的加工對象物1的內(nèi)部。與此同時(shí)，讓操作臺111移動，使加工對象物1相對于激光L沿著切斷預(yù)定線5相對移動。由此，沿著切斷預(yù)定線5的改質(zhì)區(qū)域會形成于加工對象物1。如圖2所示，在加工對象物1，設(shè)定有用來切斷加工對象物1的切斷預(yù)定線5。切斷預(yù)定線5是呈直線狀延伸的假想線。在加工對象物1內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域的情況下，如圖3所示，在聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)加工對象物1的內(nèi)部的狀態(tài)下，使激光L沿著切斷預(yù)定線5（即，圖2的箭頭A方向）相對地移動。由此，如圖4～圖6所示，改質(zhì)區(qū)域7沿著切斷預(yù)定線5形成于加工對象物1的內(nèi)部，沿著切斷預(yù)定線5形成的改質(zhì)區(qū)域7成為切斷起點(diǎn)區(qū)域8。再有，聚光點(diǎn)P是指激光L所聚光的部位。另外，切斷預(yù)定線5不限于直線狀，可以是曲線狀，不限于假想線，可以是在加工對象物1表面3上實(shí)際描畫的線。另外，改質(zhì)區(qū)域7可以是連續(xù)形成的情況，也可以是斷續(xù)形成的情況。另外，改質(zhì)區(qū)域7可以是列狀也可以是點(diǎn)狀，重點(diǎn)是改質(zhì)區(qū)域7至少形成于加工對象物1的內(nèi)部即可。另外，會有以改質(zhì)區(qū)域7為起點(diǎn)而形成龜裂的情況，龜裂及改質(zhì)區(qū)域7可以露出加工對象物1的外表面（表面、背面、或外周面）。附帶一提，這里的激光L，透過加工對象物1并且特別在加工對象物1內(nèi)部的聚光點(diǎn)附近被吸收，由此，在加工對象物1形成改質(zhì)區(qū)域7（即，內(nèi)部吸收型激光加工）。因此，在加工對象物1的表面3幾乎不會吸收激光L，因此，加工對象物1的表面3不會熔融。一般而言，在從表面3被熔融除去而形成孔或槽等除去部（表面吸收型激光加工）的情況下，加工區(qū)域從表面3側(cè)逐漸向背面?zhèn)冗M(jìn)展。再者，本實(shí)施方式所形成的改質(zhì)區(qū)域，是指密度、折射率、機(jī)械強(qiáng)度或其他的物理特性變成與周圍不同的狀態(tài)的區(qū)域。作為改質(zhì)區(qū)域， 例如有熔融處理區(qū)域、裂縫區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域等，也有這些混合存在的區(qū)域。此外，作為改質(zhì)區(qū)域，也有加工對象物的材料中改質(zhì)區(qū)域的密度與非改質(zhì)區(qū)域的密度相比較發(fā)生變化的區(qū)域、或形成有晶格缺陷的區(qū)域（這些也統(tǒng)稱為高密度轉(zhuǎn)移區(qū)域）。另外，熔融處理區(qū)域或折射率變化區(qū)域、改質(zhì)區(qū)域的密度與非改質(zhì)區(qū)域的密度相比較發(fā)生變化的區(qū)域、形成有晶格缺陷的區(qū)域，此外，會有在這些區(qū)域的內(nèi)部、或改質(zhì)區(qū)域與非改質(zhì)區(qū)域的界面內(nèi)含龜裂（裂紋、微裂縫）的情況。所內(nèi)含的龜裂有遍及改質(zhì)區(qū)域的全面的情況、或僅形成于一部分或形成于多部分的情況。另外，在本實(shí)施方式中，通過沿著切斷預(yù)定線5形成多個(gè)改質(zhì)點(diǎn)（加工痕），從而形成改質(zhì)區(qū)域7。改質(zhì)點(diǎn)是指通過脈沖激光的1脈沖的照射（即1脈沖的激光照射:LaserShot）所形成的改質(zhì)部分，改質(zhì)點(diǎn)聚集而成為改質(zhì)區(qū)域7。作為改質(zhì)點(diǎn)，可以舉出裂縫點(diǎn)、熔融處理點(diǎn)或折射率變化點(diǎn)、或這些至少1種混合存在的點(diǎn)等。關(guān)于該改質(zhì)點(diǎn)，優(yōu)選地，考慮所要求的切斷精度、所要求的切斷面的平坦性、加工對象物的厚度、種類、結(jié)晶方位等，來適當(dāng)?shù)乜刂破浯笮』蛩a(chǎn)生的龜裂長度。接下來，就本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的激光加工方法作詳細(xì)的說明。如圖7所示，加工對象物1是具備SiC基板12的圓形板狀（例如直徑3英寸、厚度350μm）的晶片。如圖8所示，SiC基板12具有六方晶系的結(jié)晶構(gòu)造，其晶軸CA相對于SiC基板12的厚度方向而傾斜角度θ（例如4°）。即，SiC基板12是具有角度θ的偏離角的六方晶系SiC基板。如圖9所示，SiC基板12具有：與c面成偏離角的角度θ的表面（主面）12a及背面（主面）12b。在SiC基板12中，a面相對于SiC基板12的厚度方向（圖中的雙點(diǎn)劃線）傾斜角度θ，m面相對于SiC基板12的厚度方向不傾斜。如圖7及圖9所示，在加工對象物1，沿著與表面12a及a面平行的方向延伸的多條切斷預(yù)定線（第1切斷預(yù)定線）5a和沿著與表面12a及m面平行的方向延伸的多條切斷預(yù)定線（第2切斷預(yù)定線）5m呈格子狀（例如1mm×1mm）地設(shè)定。在SiC基板12的表面12a，在由切斷預(yù)定線5a,5m劃定的各區(qū)域形成功能元件，在SiC基板12的背面12b， 在由切斷預(yù)定線5a,5m劃定的各區(qū)域形成金屬配線。功能元件及金屬配線，在沿著切斷預(yù)定線5a,5m切斷加工對象物1所得到的各個(gè)小片（chip）中構(gòu)成功率器件。再有，在SiC基板12，在與切斷預(yù)定線5a平行的方向上形成定向平面6a，在與切斷預(yù)定線5m平行的方向上形成定向平面6m。將以上的加工對象物1沿著切斷預(yù)定線5a,5m如下述般進(jìn)行切斷。首先，如圖10所示，以覆蓋SiC基板12的背面12b的金屬配線的方式在加工對象物1上貼附擴(kuò)展膠帶23。接著，如圖11（a）所示，將以20ns～100ns的脈沖寬度（更優(yōu)選以50ns～60ns的脈沖寬度）進(jìn)行脈沖振蕩后的激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于SiC基板12的內(nèi)部，以脈沖間距為10μm～18μm的方式（更優(yōu)選以脈沖間距為12μm～14μm的方式）沿著切斷預(yù)定線5a將激光L照射于加工對象物1。由此，沿著切斷預(yù)定線5a，將作為切斷的起點(diǎn)的改質(zhì)區(qū)域（第1改質(zhì)區(qū)域）7a形成在SiC基板12的內(nèi)部。該改質(zhì)區(qū)域7a為包含熔融處理區(qū)域的區(qū)域。再有，脈沖間距是指，“激光L的聚光點(diǎn)P相對于加工對象物1的移動速度”除以“脈沖激光L的重復(fù)頻率”后的值。就改質(zhì)區(qū)域7a的形成作更詳細(xì)地說明，以SiC基板12的表面12a作為激光入射面而使激光L的聚光點(diǎn)P位于SiC基板12的內(nèi)部，使聚光點(diǎn)P沿著切斷預(yù)定線5a相對地移動。然后，讓沿著切斷預(yù)定線5a的聚光點(diǎn)P的相對移動對于1條切斷預(yù)定線5進(jìn)行多次（例如8次）。這時(shí)，通過每次改變從表面12a到聚光點(diǎn)P的位置的距離，以排列在SiC基板12的厚度方向上的方式對于1條切斷預(yù)定線5a形成多列（第1列數(shù)，例如8列）改質(zhì)區(qū)域7a。這里，以使離SiC基板12的激光入射面即表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7a比離表面12a最近的改質(zhì)區(qū)域7a更小的方式，從SiC基板12的背面12b側(cè)依次（即，依離激光入射面從遠(yuǎn)到近的順序）形成改質(zhì)區(qū)域7a。再有，改質(zhì)區(qū)域7a的大小，例如可以通過使激光L的脈沖能量變化來進(jìn)行調(diào)節(jié)。由此，使從各改質(zhì)區(qū)域7a產(chǎn)生的龜裂向SiC基板12的厚度方向伸展而互相連接。特別地，使從離SiC基板12的激光入射面即表面12a最近的改質(zhì)區(qū)域7a向SiC基板12的厚度方向伸展后的龜裂，到達(dá)表面12a。這些做法，在將由硬度僅次于鉆石的難加工材料所構(gòu)成的SiC 基板12沿著切斷預(yù)定線5a高精度地切斷的方面，是非常重要的。在沿著切斷預(yù)定線5a形成改質(zhì)區(qū)域7a后，如圖11（b）所示，使以20ns～100ns的脈沖寬度（更優(yōu)選以50ns～60ns的脈沖寬度）進(jìn)行脈沖振蕩后的激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于SiC基板12的內(nèi)部，以脈沖間距為10μm～18μm的方式（更優(yōu)選以脈沖間距為12μm～14μm的方式）沿著切斷預(yù)定線5m將激光L照射于加工對象物1。由此，沿著切斷預(yù)定線5m，將作為切斷起點(diǎn)的改質(zhì)區(qū)域（第2改質(zhì)區(qū)域）7m形成在SiC基板12的內(nèi)部。該改質(zhì)區(qū)域7m為包含熔融處理區(qū)域的區(qū)域。就改質(zhì)區(qū)域7m的形成作更詳細(xì)地說明。以SiC基板12的表面12a作為激光入射面而使激光L的聚光點(diǎn)P位于SiC基板12的內(nèi)部，沿著切斷預(yù)定線5m使聚光點(diǎn)P相對地移動。然后，讓沿著切斷預(yù)定線5m的聚光點(diǎn)P的相對移動對于1條切斷預(yù)定線5進(jìn)行多次（例如6次）。這時(shí)，通過每次改變從表面12a到聚光點(diǎn)P的位置的距離，以排列在SiC基板12的厚度方向上的方式對于1條切斷預(yù)定線5m形成多列（比第1列數(shù)更少的第2列數(shù)（包含1列的情況），例如6列）改質(zhì)區(qū)域7m。這里，以使離SiC基板12的激光入射面即表面12a最近的改質(zhì)區(qū)域7m比離表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7m更小的方式，從SiC基板12的背面12b側(cè)依次（即，依離激光入射面從遠(yuǎn)到近的順序）形成改質(zhì)區(qū)域7m。再有，改質(zhì)區(qū)域7m的大小，例如可以通過使激光L的脈沖能量變化來進(jìn)行調(diào)節(jié)。由此，使從各改質(zhì)區(qū)域7m產(chǎn)生的龜裂向SiC基板12的厚度方向伸展而互相連接。特別地，讓從離SiC基板12的激光入射面即表面12a最近的改質(zhì)區(qū)域7m向SiC基板12的厚度方向伸展后的龜裂，到達(dá)表面12a。這些做法，在將由硬度僅次于鉆石的難加工材料所構(gòu)成的SiC基板12沿著切斷預(yù)定線5m高精度地切斷的方面，是非常重要的。沿著切斷預(yù)定線5m形成改質(zhì)區(qū)域7m后，如圖12（a）所示，使擴(kuò)展膠帶23擴(kuò)張，在該狀態(tài)下，沿著各切斷預(yù)定線5m，將刀刃41經(jīng)由擴(kuò)展膠帶23按壓在SiC基板12的背面12b。由此，以改質(zhì)區(qū)域7m為起點(diǎn)沿著切斷預(yù)定線5m將加工對象物1切斷成條狀。這時(shí)，由于擴(kuò)展膠帶23處于被擴(kuò)張后的狀態(tài)，因此如圖12（b）所示，切斷成條狀后的加工對象物1會相互分離。沿著切斷預(yù)定線5m將加工對象物1切斷后，如圖13（a）所示，在繼續(xù)使擴(kuò)展膠帶23擴(kuò)張的狀態(tài)下，沿著各切斷預(yù)定線5a，將刀刃41經(jīng)由擴(kuò)展膠帶23按壓在SiC基板12的背面12b。由此，以改質(zhì)區(qū)域7a為起點(diǎn)沿著切斷預(yù)定線5a將加工對象物1切斷成小片狀。這時(shí)，由于擴(kuò)展膠帶23處于被擴(kuò)張后的狀態(tài)，因此，如圖13（b）所示，被切斷成小片狀后的加工對象物1會相互分離。如以上所述，將加工對象物1沿著切斷預(yù)定線5a,5m切斷成小片狀而得到許多功率器件。根據(jù)以上的激光加工方法，基于如下的理由，將具備具有與c面成偏離角的角度的表面12a的六方晶系SiC基板12的板狀的加工對象物1沿著切斷預(yù)定線5a,5m高精度地切斷，其結(jié)果，可以獲得沿著切斷預(yù)定線5a,5m被高精度地切斷后的加工對象物1（即，功率器件）。首先，以脈沖間距為10μm～18μm的方式沿著切斷預(yù)定線5a,5m對加工對象物1照射激光L。若在此條件下對加工對象物1照射激光L，則能夠使龜裂容易從改質(zhì)區(qū)域7a,7m向SiC基板12的厚度方向伸展，同時(shí)使龜裂難以從改質(zhì)區(qū)域7a,7m向c面方向伸展。此外，如果以脈沖間距為12μm～14μm的方式沿著切斷預(yù)定線5a,5m對加工對象物1照射激光L，則能夠使龜裂更容易從改質(zhì)區(qū)域7a,7m向SiC基板12的厚度方向伸展，同時(shí)使龜裂更難以從改質(zhì)區(qū)域7a,7m向c面方向伸展。另外，以20ns～100ns的脈沖寬度讓激光L進(jìn)行脈沖振蕩。由此，能夠切實(shí)地使龜裂容易從改質(zhì)區(qū)域7a,7m向SiC基板12的厚度方向伸展，同時(shí)切實(shí)地使龜裂難以從改質(zhì)區(qū)域7a,7m向c面方向伸展。此外，如果以50ns～60ns的脈沖寬度讓激光L進(jìn)行脈沖振蕩，則能夠更切實(shí)地使龜裂容易從改質(zhì)區(qū)域7a,7m向SiC基板12的厚度方向伸展，同時(shí)更切實(shí)地使龜裂難以從改質(zhì)區(qū)域7a,7m向c面方向伸展。另外，沿著切斷預(yù)定線5a，使離SiC基板12的激光入射面即表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7a形成得相對較小。由此，即使a面相對于SiC基板12的厚度方向傾斜，也能夠防止從離表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7a產(chǎn)生的龜裂向a面方向伸展而在與切斷預(yù)定線5a大幅偏離的狀態(tài)下到達(dá)表面12a。然后，沿著切斷預(yù)定線5a，使離SiC基板12的激光入射面即表面12a最近的改質(zhì)區(qū)域7a形成得相對較大。由此，雖然處于龜裂難以從改質(zhì)區(qū)域7a向SiC基板12的厚度方向伸展的狀態(tài)，但能 夠切實(shí)地讓龜裂從離表面12a最近的改質(zhì)區(qū)域7a到達(dá)表面12a。另外，沿著切斷預(yù)定線5m，使離SiC基板12的激光入射面即表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7m形成得相對較大。由此，處于龜裂容易從改質(zhì)區(qū)域7m向SiC基板12的厚度方向伸展的狀態(tài)，并且能夠讓從離表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7m產(chǎn)生的龜裂到達(dá)表面12a或其附近。然后，沿著切斷預(yù)定線5m，讓離SiC基板12的激光入射面即表面12a最近的改質(zhì)區(qū)域7m形成得相對較小。由此，能夠防止在表面12a產(chǎn)生損傷，并能切實(shí)地讓龜裂從改質(zhì)區(qū)域7m到達(dá)表面12a。如以上所述，沿著切斷預(yù)定線5a，能夠切實(shí)地讓龜裂從改質(zhì)區(qū)域7a到達(dá)表面12a，另外，沿著切斷預(yù)定線5m，能夠切實(shí)地讓龜裂從改質(zhì)區(qū)域7m到達(dá)表面12a。該效果，與后述的改質(zhì)區(qū)域7a,7m的形成列數(shù)或形成順序無關(guān)地發(fā)揮，若依據(jù)后述改質(zhì)區(qū)域7a,7m的形成列數(shù)或形成順序，則更顯著地發(fā)揮。另外，沿著1條切斷預(yù)定線5a，形成比沿著1條切斷預(yù)定線5m形成改質(zhì)區(qū)域7m的情況更多列的改質(zhì)區(qū)域7a。由此，即使a面相對于SiC基板12的厚度方向傾斜，也能夠在形成各改質(zhì)區(qū)域7a時(shí)防止龜裂從改質(zhì)區(qū)域7a向a面方向大幅伸展，并且成為在所有的改質(zhì)區(qū)域7a間使龜裂在SiC基板12的厚度方向容易連接的狀態(tài)。另外，沿著1條切斷預(yù)定線5m，形成比沿著1條切斷預(yù)定線5a形成改質(zhì)區(qū)域7a的情況更少列的改質(zhì)區(qū)域7m。由此，能夠在形成各個(gè)改質(zhì)區(qū)域7m時(shí)使龜裂從改質(zhì)區(qū)域7m向SiC基板12的厚度方向大幅伸展。如以上所述，能夠沿著切斷預(yù)定線5a讓龜裂從改質(zhì)區(qū)域7a向SiC基板12的厚度方向伸展，另外，能夠沿著切斷預(yù)定線5m讓龜裂從改質(zhì)區(qū)域7m向SiC基板12的厚度方向伸展。該效果與前述的改質(zhì)區(qū)域7a,7m的形成尺寸或后述的改質(zhì)區(qū)域7a,7m的形成順序無關(guān)地發(fā)揮，若依據(jù)前述的改質(zhì)區(qū)域7a,7m的形成尺寸或后述的改質(zhì)區(qū)域7a,7m的形成順序，則更顯著地發(fā)揮。另外，在用來形成讓龜裂向SiC基板12的厚度方向伸展的條件寬松的改質(zhì)區(qū)域7m前，形成用來讓龜裂向SiC基板12的厚度方向伸展的條件嚴(yán)格的改質(zhì)區(qū)域7a。由此，在形成改質(zhì)區(qū)域7a時(shí)，在切斷預(yù)定線5a與切斷預(yù)定線5m交叉的部分，能夠防止龜裂從改質(zhì)區(qū)域7a向SiC基板12的厚度方向的伸展受到改質(zhì)區(qū)域7m的阻礙。該效果與前 述的改質(zhì)區(qū)域7a,7m的形成尺寸或形成列數(shù)無關(guān)地發(fā)揮。此外，以改質(zhì)區(qū)域7m為起點(diǎn)沿著切斷預(yù)定線5m將加工對象物1切斷，其后，以改質(zhì)區(qū)域7a為起點(diǎn)沿著切斷預(yù)定線5a將加工對象物1切斷。由此，沿著假定為通過形成較少列的改質(zhì)區(qū)域7m而比較難切斷的切斷預(yù)定線5m，將加工對象物1切斷，其后，沿著假定為通過形成較多列的改質(zhì)區(qū)域7a而比較容易切斷的切斷預(yù)定線5a，將加工對象物1切斷。因此，能夠使沿著切斷預(yù)定線5m將加工對象物1切斷所需要的力與沿著切斷預(yù)定線5a將加工對象物1切斷所需要的力均勻化，并使沿著切斷預(yù)定線5m的切斷精度及沿著切斷預(yù)定線5a的切斷精度都更進(jìn)一步提高。該效果與前述的改質(zhì)區(qū)域7a,7m的形成尺寸或形成列數(shù)無關(guān)地發(fā)揮。圖14是表示由上述激光加工方法沿著切斷預(yù)定線5a切斷后的SiC基板12切斷面的照片的圖。此外，圖15是表示由上述激光加工方法沿著切斷預(yù)定線5m切斷后的SiC基板12切斷面的照片的圖。此外，圖16是表示由上述激光加工方法沿著切斷預(yù)定線5a,5m切斷后的SiC基板12的平面照片的圖。這里，準(zhǔn)備具有4°偏離角的厚度350μm的六方晶系SiC基板12。首先，如圖14所示，沿著切斷預(yù)定線5a，以排列在SiC基板12的厚度方向上的方式對于1條切斷預(yù)定線5a形成8列改質(zhì)區(qū)域7a。然后以離SiC基板12的激光入射面即表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7a比離表面12a最近的改質(zhì)區(qū)域7a更小的方式，從SiC基板12的背面12b側(cè)依次形成改質(zhì)區(qū)域7a。從圖14可知，通過形成離表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7a，能夠?qū)母馁|(zhì)區(qū)域7a產(chǎn)生的龜裂的伸展制止。其結(jié)果，如圖16所示，切斷面相對于切斷預(yù)定線5a的蛇行被抑制在±4μm以下。再有，從表面12a到聚光點(diǎn)P的位置的距離，從SiC基板12的背面12b側(cè)的改質(zhì)區(qū)域7a開始依次是314.5μm、280.0μm、246.0μm、212.0μm、171.5μm、123.5μm、79.0μm、32.0μm。另外，激光L的脈沖能量，從SiC基板12的背面12b側(cè)的改質(zhì)區(qū)域7a開始依次是25μJ、25μJ、25μJ、25μJ、20μJ、15μJ、6μJ、6μJ。此外，如圖15所示，沿著切斷預(yù)定線5m，以排列在SiC基板12的厚度方向上的方式對于1條切斷預(yù)定線5m形成6列改質(zhì)區(qū)域7m。 然后，以使離SiC基板12的激光入射面即表面12a最近的改質(zhì)區(qū)域7m比離表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7m更小的方式，從SiC基板12的背面12b側(cè)依次形成改質(zhì)區(qū)域7m。從圖15可知，通過形成離表面12a第2近的改質(zhì)區(qū)域7m，能夠讓從改質(zhì)區(qū)域7m產(chǎn)生的龜裂伸展到表面12a或其附近。其結(jié)果，如圖16所示，切斷面相對于切斷預(yù)定線5m的蛇行被抑制在±2μm以下。再有，從表面12a到聚光點(diǎn)P的位置的距離，從SiC基板12的背面12b側(cè)的改質(zhì)區(qū)域7m開始依次是315.5μm、264.5μm、213.5μm、155.0μm、95.5μm、34.5μm。另外，激光L的脈沖能量，從SiC基板12的背面12b側(cè)的改質(zhì)區(qū)域7m開始依次是25μJ、25μJ、20μJ、20μJ、15μJ、7μJ。接下來，就從改質(zhì)區(qū)域7a,7m到達(dá)SiC基板12的激光入射面即表面12a的龜裂（以下，稱為“半切割”）與從改質(zhì)區(qū)域7a,7m向c面方向伸展的龜裂（以下稱為“c面裂紋”）的關(guān)系進(jìn)行說明。這里，如圖17及圖18所示，在要讓龜裂向SiC基板12的厚度方向伸展的情況下，與改質(zhì)區(qū)域7m相比更難以產(chǎn)生半切割且更容易產(chǎn)生c面裂紋的改質(zhì)區(qū)域7a為對象來作說明。圖19是表示脈沖寬度與ID閾值、HC閾值及加工裕度的關(guān)系的表。這里，讓脈沖寬度以1ns、10ns～120ns的范圍變化而對于每個(gè)脈沖寬度評價(jià)ID閾值、HC閾值及加工裕度。另外，圖20是表示脈沖間距與ID閾值、HC閾值及加工裕度的關(guān)系的表。這里，讓脈沖間距以6μm～22μm的范圍變化，對于每個(gè)脈沖間距評價(jià)ID閾值、HC閾值及加工裕度。再有，ID閾值是指，能夠產(chǎn)生c面裂紋的激光L的脈沖能量的最小值，從ID閾值高者（即，不容易產(chǎn)生c面裂紋）開始依次評價(jià)為優(yōu)、良、可、不可。另外，HC閾值是指，能夠產(chǎn)生半切割的激光L的脈沖能量的最小值，從HC閾值低者（即，容易產(chǎn)生半切割）開始依次評價(jià)為優(yōu)、良、可、不可。再者，加工裕度是ID閾值與HC閾值的差，從加工裕度大者開始依次評價(jià)為優(yōu)、良、可、不可。然后，綜合是依ID閾值、HC閾值、加工裕度的優(yōu)先順序進(jìn)行加權(quán)，評價(jià)為優(yōu)、良、可、不可。其結(jié)果可知，如圖19所示，優(yōu)選以20ns～100ns的脈沖寬度讓激光 L進(jìn)行脈沖振蕩，更優(yōu)選以50ns～60ns的脈沖寬度讓激光L進(jìn)行脈沖振蕩。據(jù)此，能夠抑制c面裂紋的產(chǎn)生，并促進(jìn)半切割的產(chǎn)生。再有，脈沖寬度是10ns的情況下的ID閾值、加工裕度及綜合的各評價(jià)，與脈沖寬度20ns的情況下相比更接近不可的可。另外，如圖20所示，優(yōu)選以脈沖間距為10μm～18μm的方式沿著切斷預(yù)定線5a,5m對SiC基板12照射激光L，更優(yōu)選以脈沖間距為11μm～15μm的方式沿著切斷預(yù)定線5a,5m對SiC基板12照射激光L，此外，更進(jìn)一步優(yōu)選以脈沖間距為12μm～14μm的方式沿著切斷預(yù)定線5a,5m對SiC基板12照射激光L。據(jù)此，能夠抑制c面裂紋的產(chǎn)生并促進(jìn)半切割的產(chǎn)生。再有，由于脈沖間距為10μm時(shí)ID閾值的評價(jià)為可，因此，如果要更重視抑制c面裂紋產(chǎn)生的話，則更優(yōu)選使脈沖間距比10μm更大。圖21～圖23是表示激光L以數(shù)值孔徑0.8聚光的情況下的脈沖寬度及脈沖間距的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果成為圖19及圖20所示的評價(jià)根據(jù)。獲得圖21～圖23的實(shí)驗(yàn)結(jié)果時(shí)的實(shí)驗(yàn)條件如下述般。首先，以具有4°偏離角的厚度100μm的六方晶系SiC基板12為對象，沿著向與表面12a及a面平行的方向延伸的切斷預(yù)定線5a使激光L的聚光點(diǎn)P移動。另外，將激光L以數(shù)值孔徑0.8進(jìn)行聚光，讓聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于離SiC基板12的激光入射面即表面12a距離59μm的位置。將以上實(shí)驗(yàn)條件作為前提，讓激光L的能量（脈沖能量）及功率、激光L的脈沖間距分別變化，觀察改質(zhì)區(qū)域7a以及半切割和c面裂紋的狀態(tài)。在圖21～圖23，激光L的脈沖寬度分別為27ns、40ns、57ns，激光L的脈沖寬度（重復(fù)頻率）分別為10kHz、20kHz、35kHz。在圖21～圖23的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中，ST表示不產(chǎn)生半切割，HC表示產(chǎn)生了半切割。另外，ID表示產(chǎn)生了c面裂紋，LV1～LV3表示c面裂紋的產(chǎn)生規(guī)模。在沿著2條切斷預(yù)定線5a分別形成改質(zhì)區(qū)域7a的情況下，對于40mm的區(qū)域（20mm×2條的區(qū)域），將c面裂紋的產(chǎn)生區(qū)域未滿150μm時(shí)作為LV1，將c面裂紋的產(chǎn)生區(qū)域未滿450μm時(shí)作為LV2，將c面裂紋的產(chǎn)生區(qū)域?yàn)?50μm以上時(shí)作為LV3。在LV1，向與切斷預(yù)定線5a垂直的方向的c面裂紋的伸展為10μm～20μm，相對于 此，在LV2,LV3，向與切斷預(yù)定線5a垂直的方向的c面裂紋的伸展最大為100μm左右。圖24是表示脈沖間距與HC閾值的關(guān)系的圖表。另外，圖25是表示脈沖間距與ID閾值的關(guān)系的圖表。此外，圖26是表示脈沖間距與加工裕度的關(guān)系的圖表。這些圖表是基于圖21～圖23的實(shí)驗(yàn)結(jié)果而作成的。如圖24及圖25所示，若脈沖寬度變大，則HC閾值及ID閾值兩者都上升，比起HC閾值的劣化（上升），ID閾值的提高（上升）效果更大。這意味著，如圖26所示，若脈沖寬度變大，則加工裕度變大。例如，著眼于脈沖寬度27ns及脈沖寬度57ns的情況，當(dāng)脈沖間距為12μm時(shí)，HC閾值從15μJ到17μJ劣化（上升）2μJ，相對于此，ID閾值從17μJ到29μJ而提高（上升）12μJ。再者，在脈沖寬度40ns的情況下，確認(rèn)與脈沖寬度27ns的情況相比，在脈沖間距10μm～16μm的范圍加工裕度大幅提高。另外，在脈沖寬度57ns的情況下，確認(rèn)與脈沖寬度27ns的情況相比，在脈沖間距6μm～20μm的范圍加工裕度大幅提高。圖27～圖29是表示將激光L以數(shù)值孔徑0.6聚光的情況的脈沖寬度及脈沖間距的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果成為圖19及圖20所示的評價(jià)的根據(jù)。獲得圖27～圖29的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的實(shí)驗(yàn)條件如下所述。首先，以具有與c面成偏離角的角度的表面12a的厚度350μm的六方晶系SiC基板12作為對象，沿著向與表面12a及a面平行的方向延伸的切斷預(yù)定線5a使激光L的聚光點(diǎn)P移動。另外，將激光L以數(shù)值孔徑0.6進(jìn)行聚光，讓聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于離SiC基板12的激光入射面即表面12a距離50μm的位置。將以上實(shí)驗(yàn)條件作為前提，讓激光L的能量（脈沖能量）及功率、激光L的脈沖間距分別變化，觀察改質(zhì)區(qū)域7a以及半切割和c面裂紋的狀態(tài)。在圖27～圖29，激光L的脈沖寬度分別為27ns、40ns、57ns，激光L的脈沖寬度（重復(fù)頻率）分別為10kHz、20kHz、35kHz。在圖27～圖29的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中，ST表示不產(chǎn)生半切割，HC表示產(chǎn)生了半切割。另外，ID表示產(chǎn)生了c面裂紋，LV1～LV3表示c面裂紋的產(chǎn)生規(guī)模。LV1～LV3的基準(zhǔn)是與上述圖21～圖23的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的情況同樣。此外，OD表示當(dāng)激光L能量變大時(shí)，改質(zhì)區(qū)域7a也變大，起 因于此而暴走的龜裂大幅偏離切斷預(yù)定線5a而到達(dá)SiC基板12的表面12a。在這種情況下，不對c面裂紋進(jìn)行評價(jià)。但在脈沖寬度40ns及脈沖寬度57ns，在脈沖間距12μm以上不發(fā)生大規(guī)模的c面裂紋。圖30是表示脈沖間距與HC閾值的關(guān)系的圖表。該圖是基于圖27～圖29的實(shí)驗(yàn)結(jié)果而作成的。如圖30所示，在脈沖寬度57ns的情況下，比起脈沖寬度40ns的情況，HC閾值劣化2μJ～4μJ左右。比起上述數(shù)值孔徑0.8的情況，在數(shù)值孔徑0.6的情況下，在激光L的聚光點(diǎn)P像差的影響變小，因而在脈沖寬度57ns的情況和脈沖寬度40ns的情況成為同等程度的HC閾值。由此可知，如果進(jìn)行像差修正的話，則即使脈沖寬度變大（至少到60ns為止），HC閾值也不劣化。接下來，就在SiC基板12的激光入射面即表面12a的附近的HC品質(zhì)的加工裕度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。獲得圖31～圖33的實(shí)驗(yàn)結(jié)果時(shí)的實(shí)驗(yàn)條件如下所述。首先，以具有4°偏離角的厚度100μm的六方晶系SiC基板12作為對象，沿著向與表面12a及a面平行的方向延伸的切斷預(yù)定線5a使激光L的聚光點(diǎn)P移動。另外，將激光L以數(shù)值孔徑0.8進(jìn)行聚光。首先，在圖31的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，分別以27ns,40ns,50ns,57ns的脈沖寬度照射激光L，使用在聚光點(diǎn)位置40.6μm產(chǎn)生半切割且在聚光點(diǎn)位置40.6μm不產(chǎn)生半切割的能量（脈沖能量），讓聚光點(diǎn)位置在25.3μm～40.6μm的范圍變化而觀察半切割的狀態(tài)。激光L的脈沖間距為14μm而保持一定。再有，聚光點(diǎn)位置是指從表面12a到聚光點(diǎn)P位置的距離。其結(jié)果，幾乎沒有脈沖寬度所造成的半切割的品質(zhì)劣化，在脈沖寬度27ns～57ns產(chǎn)生高品質(zhì)的（半切割相對于切斷預(yù)定線的蛇行很?。┑陌肭懈?。另外，脈沖寬度越大則加工裕度越大。若脈沖寬度小，則一部分的半切割容易產(chǎn)生分岔或裂紋（OD）。另外，在圖32的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中，分別以27ns,40ns,50ns,57ns的脈沖寬度照射激光L，讓脈沖能量在7μJ～12μJ的范圍變化而觀察半切割的狀態(tài)。激光L的脈沖間距為14μm而保持一定，聚光點(diǎn)位置為34.5μm而保持一定。其結(jié)果，幾乎沒有脈沖寬度所造成的HC閾值的變化。另外，相同脈沖能量產(chǎn)生同等程度品質(zhì)的半切割。此外，在圖33的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中，分別以10μm,12μm,14μm,16μm,18μm 的脈沖間距照射激光L，讓脈沖能量在7μJ～12μJ的范圍變化而觀察半切割的狀態(tài)。激光L的脈沖寬度為57ns而保持一定，聚光點(diǎn)位置為34.5μm而保持一定。其結(jié)果，幾乎沒有脈沖間距所造成的HC閾值的變化。另外，在聚光點(diǎn)位置為34.5μm的情況，相同脈沖能量產(chǎn)生同等程度品質(zhì)的半切割。接下來，就用來抑制c面裂紋的其他激光加工方法進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)備具備具有與c面成偏離角的角度的表面12a的六方晶系SiC基板12的板狀的加工對象物1，設(shè)定切斷預(yù)定線5a,5m。接著，如圖34（a）所示，使激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于SiC基板12的內(nèi)部，沿著設(shè)定于切斷預(yù)定線5a（5m）的兩側(cè)的2條預(yù)備線5p將激光L照射于加工對象物1。由此，沿著各預(yù)備線5p將預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p形成于SiC基板12的內(nèi)部。該預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p為包含熔融處理區(qū)域的區(qū)域。預(yù)備線5p是在與表面12a平行的面內(nèi)位于切斷預(yù)定線5a（5m）兩側(cè)且向與切斷預(yù)定線5a（5m）平行的方向延伸的線。再有，在由切斷預(yù)定線5a,5m所劃定的各區(qū)域在SiC基板12的表面12a形成有功能元件的情況下，預(yù)備線5p從SiC基板12的厚度方向看，優(yōu)選設(shè)定在相鄰的功能元件之間的區(qū)域內(nèi)。沿著各預(yù)備線5p將激光L照射于加工對象物1時(shí)，比起作為切斷起點(diǎn)的改質(zhì)區(qū)域7a（7m），從預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p更難以在SiC基板12產(chǎn)生龜裂。預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p，通過縮小激光L的脈沖能量、脈沖間距、脈沖寬度等，能夠使得與作為切斷起點(diǎn)的改質(zhì)區(qū)域7a（7m）相比更難以在SiC基板12產(chǎn)生龜裂。沿著預(yù)備線5p形成預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p后，讓激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于SiC基板12的內(nèi)部，沿著切斷預(yù)定線5a（5m）將激光L照射于加工對象物1。由此，沿著切斷預(yù)定線5a（5m）將作為切斷起點(diǎn)的改質(zhì)區(qū)域7a（7m）形成于SiC基板12的內(nèi)部。該改質(zhì)區(qū)域7a（7m）為包含熔融處理區(qū)域的區(qū)域。沿著切斷預(yù)定線5a（5m）形成改質(zhì)區(qū)域7a（7m）后，以改質(zhì)區(qū)域7a（7m）為起點(diǎn)而沿著切斷預(yù)定線5a（5m）將加工對象物1切斷。根據(jù)以上的激光加工方法，基于如下的理由，將具備具有與c面成偏離角的角度的表面12a的六方晶系SiC基板12的板狀的加工對象 物1沿著切斷預(yù)定線5a,5m高精度地切斷，其結(jié)果，可以得到沿著切斷預(yù)定線5a,5m被高精度地切斷后的加工對象物1（即，功率器件）。即，當(dāng)要沿著切斷預(yù)定線5a（5m）在SiC基板12的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域7a（7m）時(shí)，沿著各預(yù)備線5p在SiC基板12的內(nèi)部形成有預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p。于是，預(yù)備線5p在與表面12a平行的面內(nèi)位于切斷預(yù)定線5a（5m）的兩側(cè)且向與切斷預(yù)定線5a（5m）平行的方向延伸。因此，即使龜裂從改質(zhì)區(qū)域7a（7m）向c面方向伸展，與圖34（b）所示的不形成預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p的情況相比，如圖34（a）所示，該龜裂（c面裂紋）的伸展會被預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p抑制。由此，不用考慮龜裂是否容易從改質(zhì)區(qū)域7a（7m）向c面方向伸展，便能夠以讓龜裂容易從改質(zhì)區(qū)域7a（7m）向SiC基板12的厚度方向伸展的方式將激光照射于加工對象物1。再有，預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p，由于不需要作為切斷起點(diǎn)而起作用（即，促進(jìn)龜裂從預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p向SiC基板12的厚度方向的伸展），因此，通過照射難以在SiC基板12產(chǎn)生龜裂的那樣的激光L而形成，因而能夠在形成預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p時(shí)容易抑制龜裂從預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p向c面方向伸展。因此，可以將具備具有與c面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板12的板狀的加工對象物沿著切斷預(yù)定線5a（5m）高精度地切斷。另外，當(dāng)形成改質(zhì)區(qū)域7a（7m）時(shí)，讓激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于離SiC基板12的激光入射面即表面12a規(guī)定的距離的情況，在形成預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p時(shí)也優(yōu)選讓激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于離表面12a相同的距離。據(jù)此，能夠更切實(shí)地抑制龜裂從改質(zhì)區(qū)域7a（7m）向c面方向的伸展。再有，與沿著各預(yù)備線5p在SiC基板12的內(nèi)部形成預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p同時(shí)地，即使在沿著設(shè)定在這些預(yù)備線5p間的切斷預(yù)定線5a（5m）而在SiC基板12的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域7a（7m）的情況下，c面裂紋的伸展也會被預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p抑制。在這種情況下，相對于沿著切斷預(yù)定線5a（5m）的改質(zhì)區(qū)域7a（7m）的形成，優(yōu)選讓沿著預(yù)備線5p的預(yù)備改質(zhì)區(qū)域7p的形成先進(jìn)行。產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)⒕邆渚哂信cc面成偏離角的角度的主面的六 方晶系SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預(yù)定線高精度地切斷。