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陶瓷電容器的制作方法

文檔序號(hào):7184289閱讀:513來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電子元器件,具體涉及一種陶瓷電容器。
背景技術(shù)
現(xiàn)在電子產(chǎn)品往薄型化發(fā)展,而現(xiàn)有技術(shù)中,陶瓷電容器的引線焊接部位為直線, 焊接在印刷線路板上的高度約為產(chǎn)品直徑的大小,不利于電子產(chǎn)品的薄型化發(fā)展,同時(shí)陶瓷電容器的兩個(gè)引線緊貼在陶瓷介質(zhì)芯片的正反兩面上,造成陶瓷電容器的爬電距離較小,當(dāng)外界環(huán)境因素造成爬電現(xiàn)象時(shí),時(shí)間長(zhǎng)了會(huì)導(dǎo)致絕緣損壞,降低了工作可靠性。為此需要一種陶瓷電容器,節(jié)省空間,有效減小產(chǎn)品設(shè)計(jì)厚度,利于產(chǎn)品薄型化發(fā)展,同時(shí)爬電距離大,有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生,有效提高產(chǎn)品耐電壓余量,增強(qiáng)工作可靠性。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型的目的在于提供一種節(jié)省空間,有效減小產(chǎn)品設(shè)計(jì)厚度,利于產(chǎn)品薄型化發(fā)展,同時(shí)爬電距離大,有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生,有效提高產(chǎn)品耐電壓余量,增強(qiáng)工作可靠性的陶瓷電容器。為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種陶瓷電容器,包括陶瓷介質(zhì)芯片、電極層、引線、焊錫層和包封層,所述電極層的內(nèi)側(cè)設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片正反兩面上,所述引線的一端通過(guò)所述焊錫層焊接在所述電極層的外側(cè),所述包封層設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片、所述電極層和所述焊錫層的外表面上;所述引線的另一端設(shè)有帶有弧度的折彎角,所述引線還設(shè)有用于增加爬電距離的浮起彎角。優(yōu)選的,所述陶瓷介質(zhì)芯片為圓形、方形或橢圓形。優(yōu)選的,所述包封層為環(huán)氧樹(shù)脂包封層或酚醛樹(shù)脂包封層。優(yōu)選的,所述陶瓷電容器為圓片狀、方塊狀或橢圓片狀。采用本技術(shù)方案的有益效果是節(jié)省空間,有效減小產(chǎn)品設(shè)計(jì)厚度,利于產(chǎn)品薄型化發(fā)展,同時(shí)爬電距離大,有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生,有效提高產(chǎn)品耐電壓余量,增強(qiáng)工作可靠性。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本實(shí)用新型的主視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的左視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中數(shù)字和字母所表示的相應(yīng)部件名稱(chēng)[0014]I.陶瓷介質(zhì)芯片2.電極層3.引線4.焊錫層5.包封層6.折彎角7.浮起彎角。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例I如圖I和圖2所示,本實(shí)用新型的一種實(shí)施例,包括陶瓷介質(zhì)芯片I、電極層2、引線3、焊錫層4和包封層5,電極層2的內(nèi)側(cè)設(shè)置在陶瓷介質(zhì)芯片I正反兩面上,引線3的一端通過(guò)焊錫層4焊接在電極層2的外側(cè),包封層5設(shè)置在陶瓷介質(zhì)芯片I、電極層2和焊錫層4的外表面上;引線3的另一端設(shè)有帶有弧度的折彎角6,引線3設(shè)有用于增加爬電距離的浮起彎角7。通過(guò)設(shè)置折彎角6,可以將陶瓷電容器在線路板上的直立安裝改為臥裝,由于陶瓷電容器的厚度遠(yuǎn)小于其直徑,一般厚度約為直徑的1/3,因此可以大大減少產(chǎn)品設(shè)計(jì)的厚度。通過(guò)在引線3上設(shè)置浮起彎角7,使兩導(dǎo)電引線之間的爬電距離得到有效增加, 有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生,從而防止了電泄露現(xiàn)象,有效提高產(chǎn)品耐電壓余量,增強(qiáng)工作可靠性。本實(shí)施例中,陶瓷介質(zhì)芯片I為圓形,包封層5為環(huán)氧樹(shù)脂包封層,陶瓷電容器為圓片狀。實(shí)施例2其余與實(shí)施例I相同,不同之處在于,陶瓷介質(zhì)芯片I為方形或橢圓形,根據(jù)設(shè)計(jì)要求的不同,設(shè)計(jì)陶瓷介質(zhì)芯片的形狀。實(shí)施例3其余與實(shí)施例I相同,不同之處在于,包封層為酚醛樹(shù)脂包封層,根據(jù)設(shè)計(jì)要求的不同,包封層為不同的樹(shù)脂絕緣材料。實(shí)施例4其余與實(shí)施例I相同,不同之處在于,陶瓷電容器為方塊狀或橢圓片狀,根據(jù)使用陶瓷電容器的電路,其設(shè)計(jì)要求的不同,設(shè)計(jì)陶瓷電容器的形狀,滿足不同的設(shè)計(jì)需求。采用本技術(shù)方案的有益效果是爬電距離大,有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生,有效提高產(chǎn)品耐電壓余量,增強(qiáng)工作可靠性。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明,使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的,本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下,在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此,本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例,而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種陶瓷電容器,其特征在于,包括陶瓷介質(zhì)芯片、電極層、引線、焊錫層和包封層, 所述電極層的內(nèi)側(cè)設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片正反兩面上,所述引線的一端通過(guò)所述焊錫層焊接在所述電極層的外側(cè),所述包封層設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片、所述電極層和所述焊錫層的外表面上;所述引線的另一端設(shè)有帶有弧度的折彎角,所述引線還設(shè)有用于增加爬電距離的浮起彎角。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷電容器,其特征在于,所述陶瓷介質(zhì)芯片為圓形、方形或橢圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的陶瓷電容器,其特征在于,所述包封層為環(huán)氧樹(shù)脂包封層或酚醛樹(shù)脂包封層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任意一項(xiàng)所述的陶瓷電容器,其特征在于,所述陶瓷電容器為圓片狀、方塊狀或橢圓片狀。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陶瓷電容器,包括陶瓷介質(zhì)芯片、電極層、引線、焊錫層和包封層,所述電極層的內(nèi)側(cè)設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片正反兩面上,所述引線通過(guò)所述焊錫層焊接在所述電極層的外側(cè),所述包封層設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片、所述電極層和所述焊錫層的外表面上;所述引線設(shè)有用于增加爬電距離的浮起彎角。采用本技術(shù)方案的有益效果是爬電距離大,有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生,有效提高產(chǎn)品耐電壓余量,增強(qiáng)工作可靠性。
文檔編號(hào)H01G4/236GK202352522SQ201120488900
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者石怡, 程傳波 申請(qǐng)人:昆山萬(wàn)盛電子有限公司
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