專(zhuān)利名稱(chēng)：陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電子元器件，具體涉及一種陶瓷電容器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在電子產(chǎn)品往薄型化發(fā)展，而現(xiàn)有技術(shù)中，陶瓷電容器的引線焊接部位為直線， 焊接在印刷線路板上的高度約為產(chǎn)品直徑的大小，不利于電子產(chǎn)品的薄型化發(fā)展，同時(shí)陶瓷電容器的兩個(gè)引線緊貼在陶瓷介質(zhì)芯片的正反兩面上，造成陶瓷電容器的爬電距離較小，當(dāng)外界環(huán)境因素造成爬電現(xiàn)象時(shí)，時(shí)間長(zhǎng)了會(huì)導(dǎo)致絕緣損壞，降低了工作可靠性。為此需要一種陶瓷電容器，節(jié)省空間，有效減小產(chǎn)品設(shè)計(jì)厚度，利于產(chǎn)品薄型化發(fā)展，同時(shí)爬電距離大，有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生，有效提高產(chǎn)品耐電壓余量，增強(qiáng)工作可靠性。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種節(jié)省空間，有效減小產(chǎn)品設(shè)計(jì)厚度，利于產(chǎn)品薄型化發(fā)展，同時(shí)爬電距離大，有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生，有效提高產(chǎn)品耐電壓余量，增強(qiáng)工作可靠性的陶瓷電容器。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種陶瓷電容器，包括陶瓷介質(zhì)芯片、電極層、引線、焊錫層和包封層，所述電極層的內(nèi)側(cè)設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片正反兩面上，所述引線的一端通過(guò)所述焊錫層焊接在所述電極層的外側(cè)，所述包封層設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片、所述電極層和所述焊錫層的外表面上；所述引線的另一端設(shè)有帶有弧度的折彎角，所述引線還設(shè)有用于增加爬電距離的浮起彎角。優(yōu)選的，所述陶瓷介質(zhì)芯片為圓形、方形或橢圓形。優(yōu)選的，所述包封層為環(huán)氧樹(shù)脂包封層或酚醛樹(shù)脂包封層。優(yōu)選的，所述陶瓷電容器為圓片狀、方塊狀或橢圓片狀。采用本技術(shù)方案的有益效果是節(jié)省空間，有效減小產(chǎn)品設(shè)計(jì)厚度，利于產(chǎn)品薄型化發(fā)展，同時(shí)爬電距離大，有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生，有效提高產(chǎn)品耐電壓余量，增強(qiáng)工作可靠性。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本實(shí)用新型的主視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的左視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中數(shù)字和字母所表示的相應(yīng)部件名稱(chēng)[0014]I.陶瓷介質(zhì)芯片2.電極層3.引線4.焊錫層5.包封層6.折彎角7.浮起彎角。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例I如圖I和圖2所示，本實(shí)用新型的一種實(shí)施例，包括陶瓷介質(zhì)芯片I、電極層2、引線3、焊錫層4和包封層5，電極層2的內(nèi)側(cè)設(shè)置在陶瓷介質(zhì)芯片I正反兩面上，引線3的一端通過(guò)焊錫層4焊接在電極層2的外側(cè)，包封層5設(shè)置在陶瓷介質(zhì)芯片I、電極層2和焊錫層4的外表面上；引線3的另一端設(shè)有帶有弧度的折彎角6，引線3設(shè)有用于增加爬電距離的浮起彎角7。通過(guò)設(shè)置折彎角6，可以將陶瓷電容器在線路板上的直立安裝改為臥裝，由于陶瓷電容器的厚度遠(yuǎn)小于其直徑，一般厚度約為直徑的1/3，因此可以大大減少產(chǎn)品設(shè)計(jì)的厚度。通過(guò)在引線3上設(shè)置浮起彎角7，使兩導(dǎo)電引線之間的爬電距離得到有效增加， 有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生，從而防止了電泄露現(xiàn)象，有效提高產(chǎn)品耐電壓余量，增強(qiáng)工作可靠性。本實(shí)施例中，陶瓷介質(zhì)芯片I為圓形，包封層5為環(huán)氧樹(shù)脂包封層，陶瓷電容器為圓片狀。實(shí)施例2其余與實(shí)施例I相同，不同之處在于，陶瓷介質(zhì)芯片I為方形或橢圓形，根據(jù)設(shè)計(jì)要求的不同，設(shè)計(jì)陶瓷介質(zhì)芯片的形狀。實(shí)施例3其余與實(shí)施例I相同，不同之處在于，包封層為酚醛樹(shù)脂包封層，根據(jù)設(shè)計(jì)要求的不同，包封層為不同的樹(shù)脂絕緣材料。實(shí)施例4其余與實(shí)施例I相同，不同之處在于，陶瓷電容器為方塊狀或橢圓片狀，根據(jù)使用陶瓷電容器的電路，其設(shè)計(jì)要求的不同，設(shè)計(jì)陶瓷電容器的形狀，滿足不同的設(shè)計(jì)需求。采用本技術(shù)方案的有益效果是爬電距離大，有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生，有效提高產(chǎn)品耐電壓余量，增強(qiáng)工作可靠性。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種陶瓷電容器，其特征在于，包括陶瓷介質(zhì)芯片、電極層、引線、焊錫層和包封層， 所述電極層的內(nèi)側(cè)設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片正反兩面上，所述引線的一端通過(guò)所述焊錫層焊接在所述電極層的外側(cè)，所述包封層設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片、所述電極層和所述焊錫層的外表面上；所述引線的另一端設(shè)有帶有弧度的折彎角，所述引線還設(shè)有用于增加爬電距離的浮起彎角。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷電容器，其特征在于，所述陶瓷介質(zhì)芯片為圓形、方形或橢圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的陶瓷電容器，其特征在于，所述包封層為環(huán)氧樹(shù)脂包封層或酚醛樹(shù)脂包封層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任意一項(xiàng)所述的陶瓷電容器，其特征在于，所述陶瓷電容器為圓片狀、方塊狀或橢圓片狀。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陶瓷電容器，包括陶瓷介質(zhì)芯片、電極層、引線、焊錫層和包封層，所述電極層的內(nèi)側(cè)設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片正反兩面上，所述引線通過(guò)所述焊錫層焊接在所述電極層的外側(cè)，所述包封層設(shè)置在所述陶瓷介質(zhì)芯片、所述電極層和所述焊錫層的外表面上；所述引線設(shè)有用于增加爬電距離的浮起彎角。采用本技術(shù)方案的有益效果是爬電距離大，有效防止爬電現(xiàn)象的發(fā)生，有效提高產(chǎn)品耐電壓余量，增強(qiáng)工作可靠性。
文檔編號(hào)H01G4/236GK202352522SQ201120488900
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者石怡, 程傳波 申請(qǐng)人:昆山萬(wàn)盛電子有限公司