專利名稱：晶體硅電池鍍膜卡點(diǎn)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及晶體硅電池領(lǐng)域，具體來說涉及晶體硅電池的鍍膜卡點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
PECVD是利用高頻電源輝光放電產(chǎn)生等離子體進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的過程。其特點(diǎn)是沉積溫度低、電子密度高、電子平均能量大、富含大量化學(xué)氣相沉積的活性粒子和自由基。PECVD等離子體中由于含有高密度的離子，這些具有一定動(dòng)能的離子對(duì)沉積的減反射鈍化膜進(jìn)行轟擊，可以提高膜的致密性和應(yīng)力。在采用SIH4和NH3作為源氣體沉積SINx薄膜的過程中，由于大量H原子的存在， 使所生成的薄膜除了具有減反射特性外兼有良好的表面和體內(nèi)鈍化性能。這是因?yàn)樵陔x子的轟擊下，H原子更容易擴(kuò)散進(jìn)入薄膜體內(nèi)，從而提高膜的體鈍化效果。管式與平板式設(shè)備比較根據(jù)反應(yīng)器結(jié)構(gòu)不同，PECVD設(shè)備可以分為管式和平板式兩種。兩者最大的區(qū)別在于管式設(shè)備其陰陽極板不是一對(duì)，而是很多對(duì)。管式PECVD設(shè)備基片沿極板立式放置，擺放很多組?；捎檬⒐芡獠考訜幔?避免反應(yīng)過程中加熱器濺射污染基片及反應(yīng)環(huán)境。放電頻率一般采用低頻或中頻，常用頻率值如40KHz、450KHz及460KHz等。采用多組電極對(duì)的結(jié)構(gòu)，每一組電極面積相對(duì)較小，有利于小范圍內(nèi)成膜的均勻性。載板在進(jìn)出舟時(shí)爐管是開放的，大氣可以進(jìn)入爐管內(nèi)，可能導(dǎo)致交叉污染，對(duì)成膜質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性有影響。平板PECVD設(shè)備設(shè)備結(jié)構(gòu)采用若干個(gè)相互分離的腔室實(shí)現(xiàn)不同的基片處理，也可以在各個(gè)腔室分別沉積不同的膜層實(shí)現(xiàn)連續(xù)淀積多層膜層而不致出現(xiàn)交叉污染的現(xiàn)象。不同腔室之間采用互鎖連接，同一批樣品從一個(gè)腔室到另一腔室之間的傳遞始終在真空密閉的條件下進(jìn)行，無中斷真空系統(tǒng)的環(huán)節(jié)，可以保證純凈度較高的工藝環(huán)境，有利于成膜質(zhì)量的提高和工藝穩(wěn)定。大尺寸效應(yīng)。隨著基板面積的不斷擴(kuò)大，平板設(shè)備遭遇到一個(gè)最大問題就是如何實(shí)現(xiàn)大面積加熱的均勻性？尤其是大電極所產(chǎn)生等離子體的均勻性？大面積等離子體的均勻性與腔室及電極尺寸密切相關(guān)。當(dāng)電極線形尺寸接近或超過交流電能的自由空間的波長的1/8時(shí)，電磁波的反射、干涉和駐波現(xiàn)象會(huì)變得十分嚴(yán)重，從而使電場(chǎng)分布不均勻，這是大電極激發(fā)等離子體不均勻的主要原因。此外，電極的有限尺寸還使得電場(chǎng)在電極邊緣的不均勻變化在一定程度上向電極中部逐漸延伸。這些“大尺寸效應(yīng)”導(dǎo)致等離子體激發(fā)電場(chǎng)在大面積電極表面變的不均勻，使薄膜的沉積速率在襯底不同部位有不同的變化，從而影響工藝的穩(wěn)定性能。在采用管式PECVD設(shè)備時(shí)，硅片就需要才用3個(gè)卡點(diǎn)固定，鍍膜后片子的工藝點(diǎn)是 3個(gè)基本半圓形的，工藝點(diǎn)比較大，圓形卡點(diǎn)露出的部分阻擋了一部分硅片面積的氣相沉淀，以置該部分面積的硅片沒有很好的被鍍膜，影響的硅片面積和光照的吸收面積。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶體硅電池鍍膜卡點(diǎn)結(jié)構(gòu)，以減少影響的硅片面積，增加光照的吸收面積。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下晶體硅電池鍍膜卡點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在硅片的外側(cè)邊緣的卡點(diǎn)，其特征在于，所述卡點(diǎn)為菱形卡點(diǎn)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的卡點(diǎn)采用菱形卡點(diǎn)，有效的減少了影響的硅片面積，增加了光照的吸收面積，提高了短路電流(ISC)和效率(Eff)。本實(shí)用新型的特點(diǎn)可參閱本案圖式及以下較好實(shí)施方式的詳細(xì)說明而獲得清楚地了解。

圖I為本實(shí)用新型的示意圖。圖2為卡點(diǎn)的示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。如圖I所示，晶體硅電池鍍膜卡點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在硅片200的外側(cè)邊緣的三個(gè)卡之前用的是三個(gè)圓形卡點(diǎn)300，鍍膜后片子的3個(gè)工藝點(diǎn)是基本半圓形的。在本實(shí)用新型中，卡點(diǎn)為菱形卡點(diǎn)100。鍍膜出的片子工藝點(diǎn)很小，如圖2所示，400為圓形卡點(diǎn)影響的區(qū)域，500為菱形卡點(diǎn)影響的區(qū)域，可以看出采用菱形卡點(diǎn)可以增加光照的吸收面積， 提高了電流，效率。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
權(quán)利要求1.晶體硅電池鍍膜卡點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在硅片的外側(cè)邊緣的卡點(diǎn)，其特征在于，所述卡點(diǎn)為菱形卡點(diǎn)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種晶體硅電池鍍膜卡點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在硅片的外側(cè)邊緣的卡點(diǎn)，所述卡點(diǎn)為菱形卡點(diǎn)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的卡點(diǎn)采用菱形卡點(diǎn)，有效的減少了影響的硅片面積，增加了光照的吸收面積，提高了短路電流(ISC)和效率(Eff)。
文檔編號(hào)H01L31/18GK202352712SQ20112042524
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者黃興 申請(qǐng)人:上海索日新能源科技有限公司