專利名稱：一種干式半鐵芯串聯(lián)電抗器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種干式半鐵芯串聯(lián)電抗器技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種電力行業(yè)中的電抗器，具體地說是涉及一種干式半鐵芯串聯(lián)電抗器。
背景技術(shù)：
[0002]目前我國城鎮(zhèn)電力建設(shè)及改造的不斷深入，傳統(tǒng)的干式空心串聯(lián)電抗器由于線圈內(nèi)磁通密度低，且漏磁嚴(yán)重，對(duì)周邊電子設(shè)備的運(yùn)行造成了極大的干涉與影響，而且產(chǎn)品外形尺寸大，占用的安裝空間也很大，造成了安裝使用上的不便，要想保證線圈內(nèi)的磁通密度，就必須用較多的導(dǎo)線，耗材大。而現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)的干式半鐵芯串聯(lián)電抗器，其鐵芯材料消耗量大，成本高，機(jī)械結(jié)構(gòu)復(fù)雜。尤其是在鐵芯柱上分布的多個(gè)氣隙伴隨著巨大的電磁力導(dǎo)致運(yùn)行時(shí)易產(chǎn)生振動(dòng)和噪音。同時(shí)由于其鐵芯是裸露于空氣之中，不能用于戶外。實(shí)用新型內(nèi)容[0003]為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種帶有磁屏蔽功能并且外形尺寸小的干式半鐵芯串聯(lián)電抗器。[0004]本實(shí)用新型的目的是通過以下方案實(shí)現(xiàn)的一種干式半鐵芯串聯(lián)電抗器，包括電抗器線包，電抗器線包的空心內(nèi)部設(shè)置有筒狀的鐵芯柱，電抗器線包外圓設(shè)置有屏蔽層。[0005]上述方案中，所述的鐵芯柱為高導(dǎo)磁硅鋼片。[0006]上述方案中，所述的屏蔽層由三片互不連接的鐵芯片組成，所述的鐵芯片的內(nèi)、外面設(shè)置有包封絕緣層。[0007]本實(shí)用新型一種干式半鐵芯串聯(lián)電抗器與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有以下有益效果[0008]1、本方案采用的屏蔽層，可以有效防止空心電抗器的磁場(chǎng)外泄問題，減小了對(duì)周邊電子設(shè)備運(yùn)行的影響。[0009]2、減小了外形尺寸，可安裝在對(duì)空間有要求限制的場(chǎng)所。[0010]3、鐵芯由高導(dǎo)磁材料制成，增加了磁導(dǎo)率，縮小了線圈直徑，導(dǎo)線用量減少，損耗降低。


[0011]圖1是本實(shí)用新型干式串聯(lián)電抗器的結(jié)構(gòu)示意圖；[0012]圖2是圖1的俯視圖。[0013]圖中1.電抗器線包，2.絕緣紙筒，3.高導(dǎo)磁硅鋼片，4.鐵芯片，5.包封絕緣層， 6.鐵芯柱，7.屏蔽層。
具體實(shí)施方式
[0014]
以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型干式串聯(lián)電抗器做進(jìn)一步的描述[0015]圖1是本實(shí)用新型干式串聯(lián)電抗器的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1的俯視圖。[0016]圖中，電抗器線包1的空心內(nèi)部設(shè)置有筒狀的鐵芯柱6，電抗器線包1外圓設(shè)置有屏蔽層7，鐵芯柱6為多片高導(dǎo)磁硅鋼片3疊加而成，其內(nèi)外圓柱壁設(shè)置有絕緣紙筒2。屏蔽層7由三片互不連接的鐵芯片4組成，鐵芯片4的內(nèi)、外面設(shè)置有包封絕緣層5。[0017]屏蔽層7采用三片互不連接的鐵芯片4并用絕緣層進(jìn)行包封制成，形不成封閉回路，可以有效的防止磁場(chǎng)外泄，不影響周邊電子設(shè)備的運(yùn)行。線圈內(nèi)的鐵芯柱6由高導(dǎo)磁硅鋼片3制成，增加了磁導(dǎo)率，縮小了線圈直徑，導(dǎo)線用量減少，損耗降低。[0018]干式半鐵芯串聯(lián)電抗器把傳統(tǒng)鐵芯電抗器結(jié)構(gòu)中的鐵芯柱放在了空芯電抗器的空心之中。它區(qū)別于傳統(tǒng)鐵芯電抗器之處在于其鐵芯并不包圍整個(gè)線圈而形成閉合回路， 它巧妙的將鐵芯電抗器原來放置在芯柱上的氣隙(這些氣隙是為獲得特定電感值所必須的)轉(zhuǎn)移到空芯電抗器的線圈外部。[0019]該干式半鐵芯串聯(lián)電抗器整體尺寸小，安裝占地面積比相同容量的干式空心串聯(lián)電抗器降低50%，可以應(yīng)用于城市及地下變電站。
權(quán)利要求1.一種干式半鐵芯串聯(lián)電抗器，包括電抗器線包，其特征在于所述電抗器線包的空心內(nèi)部設(shè)置有筒狀的鐵芯柱，所述電抗器線包外圓設(shè)置有屏蔽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種干式半鐵芯串聯(lián)電抗器，其特征在于所述的鐵芯柱為高導(dǎo)磁硅鋼片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種干式半鐵芯串聯(lián)電抗器，其特征在于所述的屏蔽層由三片互不連接的鐵芯片組成，所述的鐵芯片的內(nèi)、外面設(shè)置有包封絕緣層。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種干式半鐵芯串聯(lián)電抗器，電抗器線包的空心內(nèi)部設(shè)置有筒狀的鐵芯柱，鐵芯柱為高導(dǎo)磁硅鋼片制成，電抗器線包外圓設(shè)置有屏蔽層，屏蔽層由三片互不連接的鐵芯片組成，所述的鐵芯片的內(nèi)、外面設(shè)置有包封絕緣層。該干式半鐵芯串聯(lián)電抗器整體尺寸小，安裝占地面積比相同容量的干式空心串聯(lián)電抗器降低50％，可以應(yīng)用于城市及地下變電站。
文檔編號(hào)H01F17/00GK202258638SQ201120377550
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者孫婷, 孫春俠, 車軍麗 申請(qǐng)人:陜西合容電力設(shè)備有限公司