專利名稱：陣列基板及液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及液晶面板。
背景技術(shù)：
目前，隨著信號(hào)輸入技術(shù)的不斷發(fā)展，出現(xiàn)了觸控輸入方式，即操作人員可以直接通過(guò)觸控屏進(jìn)行輸入。觸控屏上通常具有橫向和縱向掃描尋址線路，該掃描尋址線路可以通過(guò)橫向掃描信號(hào)和縱向接收信號(hào)判斷觸控操作在觸摸屏上的發(fā)生位置，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與該觸控操作相適應(yīng)的觸控功能。在大多數(shù)觸控操作產(chǎn)品中，觸控屏通常和液晶面板疊加設(shè)置在一起，以在同一顯示區(qū)域內(nèi)既能夠顯示輸出內(nèi)容又能夠進(jìn)行輸入操作。通常而言液晶面板可以包括陣列基板和彩膜基板，在薄膜晶體管液晶顯示器的制程中可以分別單獨(dú)制作陣列基板和彩膜基板， 然后再將陣列基板和彩膜基板對(duì)盒并填充液晶，以便形成液晶面板。其中為了實(shí)現(xiàn)液晶面板的顯示功能，需要在其陣列基板上制作用于顯示功能的橫向和縱向線路。而在觸控屏中為了實(shí)現(xiàn)觸控功能，也需要在觸控屏上設(shè)置用于觸控功能的橫向和縱向線路。對(duì)于這種具有外置觸控功能的液晶面板而言，由于需要分別單獨(dú)的制作橫向和縱向掃描線路，并對(duì)液晶面板和觸摸屏進(jìn)行組裝，因此增加了工藝難度，提高了成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板及液晶面板，以降低具有觸控功能的液晶面板的工藝難度并降低成本。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有顯示薄膜晶體管和像素電極，所述顯示薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，所述基板上還設(shè)有發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線，所述發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線之間設(shè)有觸控薄膜晶體管，所述觸控薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述發(fā)射信號(hào)線連接、漏極與所述接收信號(hào)線連接，且所述觸控薄膜晶體管的柵極、源極和漏極的一極中設(shè)有間隔，所述間隔在觸控操作發(fā)生時(shí)連通。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種液晶面板，包括如前所述的陣列基板、以及與所述陣列基板對(duì)盒的彩膜基板，在所述彩膜基板上設(shè)有觸控電極，所述觸控電極的設(shè)置位置與所述陣列基板中的間隔的位置相對(duì)應(yīng)以連接所述陣列基板中的所述間隔。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板及液晶面板，所述陣列基板上不僅具有用作顯示功能的結(jié)構(gòu)，而且具有用作觸控功能的結(jié)構(gòu)，即所述基板上還設(shè)有發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線，所述發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線之間設(shè)有觸控薄膜晶體管，所述觸控薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述發(fā)射信號(hào)線連接、漏極與所述接收信號(hào)線連接，且所述觸控薄膜晶體管的柵極、源極和漏極的一極中設(shè)有間隔，所述間隔在觸控操作發(fā)生時(shí)連通，這樣當(dāng)通過(guò)觸控操作將所述間隔連通后，可以使所述觸控薄膜晶體管導(dǎo)通，這樣所述發(fā)射信號(hào)線上的信號(hào)可以通過(guò)導(dǎo)通的觸控薄膜晶體管傳輸?shù)剿鼋邮招盘?hào)線，通過(guò)判斷該信號(hào)來(lái)自哪一條柵線和發(fā)射信號(hào)線，可以判斷觸控操作發(fā)生的位置，以使液晶面板具有觸控功能。并且實(shí)現(xiàn)所述觸控功能的結(jié)構(gòu)集成在所述陣列基板上，不需要制作另外的觸控屏，因此降低了工藝難度和成本。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板的原理示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板的結(jié)構(gòu)的平面示意圖；圖加為圖2中A2-A2方向的截面圖；圖3為本實(shí)用新型陣列基板第一次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖；圖3a為圖3中A3-A3方向的截面圖；圖4為本實(shí)用新型陣列基板第二次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖；圖如為圖4中A4-A4方向的截面圖；圖5為本實(shí)用新型陣列基板第三次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖；圖^1為圖5中A5-A5方向的截面圖；圖6為本實(shí)用新型另一實(shí)施例陣列基板的原理示意圖；圖7為本實(shí)用新型另一實(shí)施例陣列基板的結(jié)構(gòu)的平面示意圖；圖8為本實(shí)用新型再一實(shí)施例陣列基板的原理示意圖；圖9為本實(shí)用新型再一實(shí)施例陣列基板的結(jié)構(gòu)的平面示意圖；圖10為本實(shí)用新型液晶面板實(shí)施例中彩膜基板與所述陣列基板中的第一連接電極和第二連接電極的對(duì)應(yīng)關(guān)系的示意圖。附圖標(biāo)記1-基板，2-柵極，3-柵絕緣層，41-半導(dǎo)體層，42-摻雜半導(dǎo)體層，51-數(shù)據(jù)線， 52-發(fā)射信號(hào)線，53-接收信號(hào)線，6-鈍化層，61-第一連接過(guò)孔，62-第二連接過(guò)孔，63-像素電極過(guò)孔，7-像素電極，71-第一連接電極，72-第二連接電極，11-顯示薄膜晶體管， 12-觸控薄膜晶體管，9-彩膜基板，91-觸控電極，911-隔墊物，912-導(dǎo)電層。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板及液晶面板進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。下面參照?qǐng)D1、圖2和圖加說(shuō)明本實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)。其中，圖1所示為本實(shí)用新型陣列基板一個(gè)實(shí)施例的原理示意圖；圖2所示為本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板的結(jié)構(gòu)的平面示意圖；圖加為圖2中A2-A2方向的截面圖。本實(shí)施例中的陣列基板，包括基板1，基板1上設(shè)有柵線2，垂直于柵線2設(shè)有數(shù)據(jù)線51，柵線2和數(shù)據(jù)線51之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有顯示薄膜晶體管11和像素電極7，顯示薄膜晶體管11的柵極 Ila與柵線2連接、源極lib與數(shù)據(jù)線51連接、漏極Ilc與像素電極7連接，此外所述基板 1上還設(shè)有發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53，發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53之間設(shè)有觸控薄膜晶體管12，觸控薄膜晶體管12的柵極1 與柵線2連接、源極12b與發(fā)射信號(hào)線52連接、漏極12c與接收信號(hào)線53連接，且觸控薄膜晶體管12的柵極12a、源極12b和漏極12c 的一極中設(shè)有間隔(圖2所示實(shí)施例中是在觸控薄膜晶體管12的柵極12a中設(shè)有所述間隔)，所述間隔在觸控操作發(fā)生時(shí)連通。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，所述陣列基板上不僅具有用作顯示功能的結(jié)構(gòu)，而且具有用作觸控功能的結(jié)構(gòu)，即所述基板2上還設(shè)有發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53， 發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53之間設(shè)有觸控薄膜晶體管12，觸控薄膜晶體管12的柵極 12a與柵線2連接、源極12b與發(fā)射信號(hào)線52連接、漏極12c與接收信號(hào)線53連接，且觸控薄膜晶體管12的柵極12a、源極12b和漏極12c的一極中設(shè)有間隔，所述間隔在觸控操作發(fā)生時(shí)連通，這樣當(dāng)通過(guò)觸控操作將所述間隔連通后，可以使所述觸控薄膜晶體管12導(dǎo)通，這樣發(fā)射信號(hào)線52上的信號(hào)可以通過(guò)導(dǎo)通的觸控薄膜晶體管12傳輸?shù)浇邮招盘?hào)線53， 通過(guò)判斷該信號(hào)來(lái)自哪一條柵線和發(fā)射信號(hào)線，可以判斷觸控操作發(fā)生的位置，以使液晶面板具有觸控功能。并且實(shí)現(xiàn)所述觸控功能的結(jié)構(gòu)集成在所述陣列基板上，不需要制作另外的觸控屏，因此降低了工藝難度和成本。其中，為便于判斷信號(hào)來(lái)自哪一條柵線和發(fā)射信號(hào)線，可以使所述柵線與所述發(fā)射信號(hào)線具有同步信號(hào)源，使得在觸控操作將所述間隔連通的基礎(chǔ)上，并在所述柵線上具有高電平以導(dǎo)通觸控薄膜晶體管12的同時(shí)，發(fā)射信號(hào)線52上的高電平信號(hào)可以及時(shí)傳遞到接收信號(hào)線53上，以便于根據(jù)接收信號(hào)線53接收到的信號(hào)判斷觸控操作發(fā)生的位置。這里需要說(shuō)明的是，由上面的描述可知，用于顯示功能的結(jié)構(gòu)和用于觸控功能的機(jī)構(gòu)共用所述陣列基板上的柵線進(jìn)行行掃描，而在進(jìn)行行掃描時(shí)所述柵線是逐行打開(kāi)的， 因此對(duì)于一個(gè)確定的觸控薄膜晶體管12而言，與其相應(yīng)的柵線2僅在一個(gè)掃描周期T內(nèi)的T分之一時(shí)刻打開(kāi)，而由于目前技術(shù)的發(fā)展該T分之一時(shí)刻很小，足以在操作人員進(jìn)行觸摸操作期間(即在所述間隔連通期間)，使得與之對(duì)應(yīng)的柵線2獲得高電平。例如，以刷新頻率為60Hz、一幀圖像具有768行柵線的陣列基板為例而言，其可以在60分之一秒內(nèi)掃描 768行柵線，而操作人員的觸控操作大約在1秒左右，因此在觸控操作期間觸控薄膜晶體管可以獲得導(dǎo)通的機(jī)會(huì)。此外，由于本實(shí)施例中將用作顯示功能的橫向和縱向掃描線路與用于觸控功能的橫向和縱向掃描線路均制作在所述陣列基板上，避免了各掃描線路的交錯(cuò)，降低了引入噪音等不良的風(fēng)險(xiǎn)，而且可以提高其像素開(kāi)口率。由于將觸控功能集成或內(nèi)置在所述陣列基板上，還提高了所述陣列基板的附加價(jià)值，使之具有更高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。另外，由于本實(shí)施例中是使用單獨(dú)的一個(gè)觸控薄膜晶體管來(lái)控制觸控位置的判斷，因此雖然所述柵線為共用柵線，也不會(huì)影響用于顯示的像素的掃描。其中需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型的各實(shí)施例中，所述顯示薄膜晶體管指的是在陣列基板的顯示區(qū)域中能夠起到顯示作用的薄膜晶體管，所述觸控薄膜晶體管指的是陣列基板的顯示區(qū)域中能夠起到觸控作用，即能夠?qū)崿F(xiàn)觸控尋址功能的薄膜晶體管。在本發(fā)明的各實(shí)施例中，可以通過(guò)多種結(jié)構(gòu)以使所述間隔連通。例如，當(dāng)以底柵結(jié)構(gòu)設(shè)置時(shí)，可以在所述間隔一側(cè)的上方設(shè)有第一連接電極71、另一側(cè)的上方設(shè)有與第一連接電極71分離的第二連接電極72，在觸控操作發(fā)生時(shí)第一連接電極71和第二連接電極72 連通以使所述間隔連通。但并不局限于此，也可以不需要通過(guò)第一連接電極71和第二連接電極72來(lái)連通所述間隔。例如，當(dāng)觸控薄膜晶體管12的柵極或源漏極由像素電極金屬制成，并與像素電極位于同一層時(shí)，可以不需要上述各連接電極。再例如，當(dāng)采用將像素電極設(shè)置在底部，而將觸控薄膜晶體管的柵極或源漏極設(shè)置在頂部的結(jié)構(gòu)時(shí)，也可以不需要上述各連接電極。但是，在下面對(duì)各實(shí)施例的具體描述中，是以使用第一連接電極71和第二連接電極72的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行的描述。應(yīng)當(dāng)理解，不使用所述連接電極的情況可以根據(jù)以下公開(kāi)類似地得知。在圖2所示的陣列基板的實(shí)施例中，觸控薄膜晶體管12的柵極1 可以與顯示薄膜晶體管11的柵極Ila同時(shí)形成并同層設(shè)置，類似地，觸控薄膜晶體管12的源極12b和漏極12c可以與顯示薄膜晶體管11的源極Ila和漏極lib同時(shí)形成并同層設(shè)置。具體而言， 柵線2、觸控薄膜晶體管12的柵極1 和顯示薄膜晶體管11的柵極Ila形成在玻璃基板1 上。觸控薄膜晶體管12的有源層形成在其柵極1 上，顯示薄膜晶體管11的有源層形成在其柵極Ila上，觸控薄膜晶體管12的有源層可以包括半導(dǎo)體層41和摻雜半導(dǎo)體層42，顯示薄膜晶體管11的有源層也可以包括半導(dǎo)體層41和摻雜半導(dǎo)體層42。觸控薄膜晶體管 12的源極12b和漏極12c形成在有源層上，源極12b和漏極12c之間形成溝道，源極12b和發(fā)射信號(hào)線52連接，漏極12c和接收信號(hào)線53連接。顯示薄膜晶體管11的源極lib和漏極Ilc形成在顯示區(qū)域的有源層上，源極lib和漏極Ilc之間形成溝道，源極lib與數(shù)據(jù)線 51連接，漏極Ilc通過(guò)過(guò)孔63與像素電極7連接。在將觸控晶體管12的各組成部分(如柵極、源極、漏極和溝道等)和顯示薄膜晶體管11的各組成部分同時(shí)形成并同層設(shè)置之后，觸控晶體管12的各組成部分一般位于相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)線51之間，為更方便地使觸控晶體管12的源極12b與發(fā)射信號(hào)線52連接、 并使漏極12c與接收信號(hào)線53連接，可以將發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53平行地設(shè)在相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)線51之間，并與數(shù)據(jù)線51平行。但并不局限于此，也可以將發(fā)射信號(hào)線52 和接收信號(hào)線53設(shè)置在相鄰兩條數(shù)據(jù)線51的外側(cè)，但此時(shí)需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以免發(fā)生不良，觸控薄膜晶體管12的源極12b和漏極12c與數(shù)據(jù)線51產(chǎn)生交叉等不良。此外在圖2所示的狀態(tài)下，還可以使發(fā)射信號(hào)線52盡可能地靠近其左側(cè)的數(shù)據(jù)線 51,并使接收信號(hào)線53盡可能地靠近其右側(cè)的數(shù)據(jù)線51，從而可以使鄰近的數(shù)據(jù)線51和發(fā)射信號(hào)線52共用彩膜基板上對(duì)應(yīng)的一部分黑矩陣，并使相鄰的數(shù)據(jù)線51和接收信號(hào)線53 共用彩膜基板上對(duì)應(yīng)的另一部分黑矩陣，由于不需要對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線51、發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53分別制作單獨(dú)的黑矩陣，因此使得黑矩陣的布置更加緊湊而不分散，減少黑矩陣的分布面積。上述將發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53平行地設(shè)在相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)線51之間、并與數(shù)據(jù)線51平行結(jié)構(gòu)，可以有利于發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53與數(shù)據(jù)線51同時(shí)形成并同層設(shè)置，這是因?yàn)樵谕粚由袭?dāng)將觸控晶體管12的源極12b與發(fā)射信號(hào)線52連接、漏極12c與接收信號(hào)線53連接時(shí)，上述結(jié)構(gòu)可以避免觸控薄膜晶體管12的源極12b或漏極12c與數(shù)據(jù)線51產(chǎn)生交叉，從而引起不良。由上面的描述可知，在圖2所示的實(shí)施例中觸控薄膜晶體管12的柵極12a中設(shè)有間隔，可以在該間隔的兩側(cè)設(shè)置第一連接電極71和第二連接電極72將該柵極12連通，從而使觸控薄膜晶體管12導(dǎo)通，其中第一連接電極71和第二連接電極72可以與像素電極7 同時(shí)形成并同層設(shè)置，以節(jié)省構(gòu)圖工藝步驟，并進(jìn)而降低成本。由于第一連接電極71和第二連接電極72與像素電極7同層設(shè)置，因此當(dāng)所述間隔設(shè)在觸控薄膜晶體管12的柵極12a、源極12b和漏極12c中的任一極中時(shí)，第一連接電極71和第二連接電極72均無(wú)法與所述間隔位于同一層，為此可以在所述間隔的一側(cè)的上方設(shè)有第一連接過(guò)孔61，使第一連接電極71通過(guò)第一連接過(guò)孔61與所述間隔的一側(cè)連接， 并在所述間隔的另一側(cè)的上方設(shè)有第二連接過(guò)孔62，使第二連接電極72通過(guò)第二連接過(guò)孔62與所述間隔的另一側(cè)連接。圖2所示實(shí)施例的陣列基板中，是在陣列基板的用于實(shí)現(xiàn)顯示功能的結(jié)構(gòu)中增加了用于實(shí)現(xiàn)觸控尋址功能的結(jié)構(gòu)，其中用于實(shí)現(xiàn)顯示功能的結(jié)構(gòu)分布較為密集，即陣列基板中用于顯示功能的每個(gè)像素區(qū)域的占用面積都很小。而對(duì)于操作者而言，當(dāng)其使用手指或者觸摸筆操作時(shí)，手指或觸摸筆與液晶面板(包括陣列基板)的接觸面積將遠(yuǎn)大于每個(gè)像素區(qū)域的占用面積，因此一般不宜在用于顯示功能的每個(gè)單位矩陣內(nèi)都設(shè)置一組用于觸控功能的結(jié)構(gòu)以免引發(fā)誤操作，該一組用于觸控功能的結(jié)構(gòu)可以包括發(fā)射信號(hào)線52、接收信號(hào)線53以及觸控薄膜晶體管12等。為此，可以在所述陣列基板的橫向(與柵線平行的方向)上相隔預(yù)定的像素區(qū)域設(shè)置一對(duì)發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53，并在所述陣列基板的縱向(與數(shù)據(jù)線平行的方向)上相隔預(yù)定的像素區(qū)域在該對(duì)發(fā)射信號(hào)線52和接收信號(hào)線53之間設(shè)置一個(gè)觸控薄膜晶體管12。這樣可以使用于實(shí)現(xiàn)觸控功能的結(jié)構(gòu)的分布較為分散，避免誤操作。下面將結(jié)合具體的例子來(lái)說(shuō)明上述陣列基板的制造工藝。在以下說(shuō)明中，本實(shí)用新型實(shí)施例所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、以及刻蝕等工藝。如圖3所示為本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板第一次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖，圖3a 為圖3中A3-A3方向的截面圖。首先采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在基板1 (如玻璃基板或石英基板)上沉積一層?xùn)沤饘俦∧?。柵金屬薄膜可以使用Cr、W、Ti、Ta、M0、Al、Cu等金屬及其合金，柵金屬薄膜也可以由多層金屬薄膜組成。然后采用普通掩模板，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝對(duì)柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，在基板1上形成柵線2和觸控薄膜晶體管12的柵極12a的圖形。 在第一次構(gòu)圖工藝中，同時(shí)還可以形成顯示薄膜晶體管11的柵極Ila的柵極的圖形。如圖4所示為本實(shí)用新型陣列基板第二次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖，圖如為圖4 中A4-A4方向的截面圖。首先，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法連續(xù)沉積柵絕緣薄膜、 形成柵絕緣層3。柵絕緣薄膜可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2的混合氣體。之后，在形成有柵絕緣層3的基板上形成有源層薄膜，有源層薄膜可以包括半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜。再之后，在摻雜半導(dǎo)體薄膜上通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積源漏金屬薄膜，源漏金屬薄膜可以選用Cr、 W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬及其合金。在沉積完源漏金屬薄膜后，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝進(jìn)行刻蝕，形成發(fā)射信號(hào)線52、接收信號(hào)線53、以及觸控薄膜晶體管12的有源層、源極12b、 漏極12c及其溝道的圖形。其中，觸控薄膜晶體管12的源極12b與發(fā)射信號(hào)線52直接連接、漏極12c與接收信號(hào)線53直接連接。觸控薄膜晶體管12的溝道處的摻雜半導(dǎo)體薄膜 42被全部刻蝕掉、半導(dǎo)體薄膜41被部分刻蝕掉。有源層包括半導(dǎo)體層41和摻雜半導(dǎo)體層 42。在第二次構(gòu)圖工藝中，還可以一并形成顯示薄膜晶體管11的柵絕緣層3、有源層、源極 lib、漏極11c、溝道以及數(shù)據(jù)線51的圖形。第二次構(gòu)圖工藝可以是一個(gè)多次刻蝕的工藝，其中可以使用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板。具體地，在沉積完源漏金屬薄膜后，涂覆光刻膠，然后曝光。發(fā)射信號(hào)線52、接收信號(hào)線53、以及觸控薄膜晶體管12的源極12b和漏極12c對(duì)應(yīng)于光刻膠完全保留區(qū)域，觸控薄膜晶體管12的溝道處對(duì)應(yīng)于光刻膠半保留區(qū)域，其他不需要保留源漏金屬薄膜的區(qū)域?qū)?yīng)于光刻膠的完全去除區(qū)域。需要說(shuō)明的是，由于還需要形成顯示薄膜晶體管11，則顯示薄膜晶體管11可以與觸控薄膜晶體管12同步形成，顯示薄膜晶體管11的源極lib、漏極Ilc 和數(shù)據(jù)線51可以也對(duì)應(yīng)于光刻膠完全保留區(qū)域，溝道處對(duì)應(yīng)于光刻膠半保留區(qū)域，其他的不需要保留源漏金屬薄膜的區(qū)域可以對(duì)應(yīng)于光刻膠完全去除區(qū)域。第一次刻蝕后，去掉光刻膠完全去除區(qū)域的半導(dǎo)體膜、摻雜半導(dǎo)體膜和源漏金屬薄膜。進(jìn)行光刻膠灰化工藝，去除觸控薄膜晶體管12和顯示薄膜晶體管11的溝道處的光刻膠。然后通過(guò)第二次刻蝕，去除溝道處的摻雜半導(dǎo)體薄膜42和部分半導(dǎo)體薄膜41，形成觸控薄膜晶體管12和顯示薄膜晶體管1的源極和漏極、并形成發(fā)射信號(hào)線52、接收信號(hào)線53、以及數(shù)據(jù)線51的圖形。如圖5所示為本實(shí)用新型陣列基板第三次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖，圖fe為圖5 中A5-A5方向的截面圖。在陣列基板上通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積鈍化層薄膜，鈍化層薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氮氧化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、 N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3j2的混合氣體。然后采用普通掩模板，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝， 在柵極12a中的所述間隔的上側(cè)部分的上方的鈍化層6中形成第一連接過(guò)孔61，并在其下側(cè)部分的上方的鈍化層6中形成第二連接過(guò)孔62。在第三次構(gòu)圖工藝中，還可以形成顯示薄膜晶體管11的漏極Ilc對(duì)應(yīng)的像素電極過(guò)孔63。在形成各個(gè)連接過(guò)孔之后的基板上，通過(guò)濺射或者熱蒸發(fā)的方法沉積透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電薄膜可以為氧化銦錫(Indium TinOxide，簡(jiǎn)稱ΙΤ0)。采用普通掩模板，通過(guò)第四次構(gòu)圖形成第一連接電極71和第二連接電極72的圖形。第一連接電極71通過(guò)第一連接過(guò)孔61與柵極12a的上側(cè)部分連接，第二連接電極72通過(guò)第二連接過(guò)孔62與柵極1 的下側(cè)部分連接。經(jīng)過(guò)第四次構(gòu)圖工藝后的平面圖和截面圖如圖2和圖加所示。在第四次構(gòu)圖工藝中，還可以一并形成顯示薄膜晶體管11的像素電極7。本實(shí)用新型的陣列基板，不限于前述提及的四次構(gòu)圖工藝，還可以采用五次構(gòu)圖工藝等。例如，在上述的第二次構(gòu)圖工藝中可以不采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板，而是通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝來(lái)完成。具體地，在第一次構(gòu)圖工藝之后，可以通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝并采用普通掩模板，形成觸控薄膜晶體管的有源層。然后在形成有有源層的基板上沉積源漏金屬薄膜， 通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝并采用普通掩模板，形成觸控薄膜晶體管的源極、漏極和溝道，并形成發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線。此外，各個(gè)連接過(guò)孔以及各個(gè)連接電極分別可以通過(guò)前述提及的四次構(gòu)圖工藝中的第三次和第四次構(gòu)圖工藝形成。本實(shí)用新型的各個(gè)實(shí)施例中，觸控薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)不限于前述提及的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，如可以是底柵結(jié)構(gòu)，也可以是頂柵結(jié)構(gòu)。對(duì)于所述間隔在觸控薄膜晶體管12的柵極12a、源極12b和漏極12c的設(shè)置而言， 除圖1和圖2所示可以將所述間隔設(shè)置在柵極1 中之外，如圖6和圖7所示還可以將所述間隔設(shè)置在源極12b中，或者如圖8和圖9所示還可以將所述間隔設(shè)置在漏極12c中。對(duì)于圖7和圖9所示的實(shí)施例，其結(jié)構(gòu)和制作工藝與圖2所示的實(shí)施例相類似，具體可以參見(jiàn)上述對(duì)圖2所示實(shí)施例的描述。除此之外，本實(shí)用新型的實(shí)施例還提供了一種液晶面板。所述液晶面板包括如上所述的陣列基板、以及與所述陣列基板對(duì)盒的彩膜基板，在所述彩膜基板上設(shè)有觸控電極， 所述觸控電極的設(shè)置位置與所述陣列基板中的間隔的位置相對(duì)應(yīng)以連接所述陣列基板中的所述間隔。需要說(shuō)明的是，可以通過(guò)多種結(jié)構(gòu)以使所述間隔連通。例如，當(dāng)以底柵結(jié)構(gòu)設(shè)置時(shí)，可以在所述間隔一側(cè)的上方設(shè)有第一連接電極、另一側(cè)的上方設(shè)有與第一連接電極分離的第二連接電極，在觸控操作發(fā)生時(shí)第一連接電極和第二連接電極連通以使所述間隔連通。但并不局限于此，也可以不需要通過(guò)第一連接電極和第二連接電極來(lái)連通所述間隔。但是，在下面的描述中，是以使用第一連接電極和第二連接電極的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行的描述。例如，如圖10所示，其為本實(shí)用新型液晶面板實(shí)施例中彩膜基板與所述陣列基板中的第一連接電極和第二連接電極的對(duì)應(yīng)關(guān)系的示意圖，在彩膜基板9上設(shè)有觸控電極 91，觸控電極91的設(shè)置位置與所述陣列基板中的間隔的位置相對(duì)應(yīng)以連接所述陣列基板中的第一連接電極71和第二連接電極72。舉例而言，觸控電極91可以包括設(shè)在彩膜基板9的黑矩陣上的隔墊物911，并在隔墊物911的外表面設(shè)有導(dǎo)電層912，這樣當(dāng)操作人員向下按壓彩膜基板進(jìn)行觸控操作時(shí)，隔墊物911及其導(dǎo)電層912隨之向下運(yùn)動(dòng)與第一連接電極71和第二連接電極72連通，從而使所述觸控薄膜晶體管導(dǎo)通。需注意，本實(shí)施例中的觸控電極91并不局限于此處隔墊物的形式，而是可以為其他類型的凸起物。這里利用隔墊物制作觸控電極91較為方便。此外，本實(shí)施例中所述陣列基板中的接收信號(hào)線連接有處理單元(未圖示)，該處理單元用于根據(jù)由所述接收信號(hào)線中接收到的信息來(lái)確定觸控位置。其中所述處理單元可以制作在液晶面板所連接的驅(qū)動(dòng)電路板中，也可以制作在為該目的而提供的單獨(dú)的電路板中。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所使用的陣列基板的結(jié)構(gòu)和功能與上述陣列基板的各實(shí)施例中所述的結(jié)構(gòu)和功能相同，各實(shí)施例之間可以進(jìn)行相互參考。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
9
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有顯示薄膜晶體管和像素電極，所述顯示薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，其特征在于，所述基板上還設(shè)有發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線，所述發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線之間設(shè)有觸控薄膜晶體管，所述觸控薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述發(fā)射信號(hào)線連接、漏極與所述接收信號(hào)線連接，且所述觸控薄膜晶體管的柵極、源極和漏極的一極中設(shè)有間隔，所述間隔在觸控操作發(fā)生時(shí)連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述間隔一側(cè)的上方設(shè)有第一連接電極、另一側(cè)的上方設(shè)有與所述第一連接電極分離的第二連接電極，在觸控操作發(fā)生時(shí)所述第一連接電極和第二連接電極連通且所述間隔連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述觸控薄膜晶體管的柵極與所述顯示薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置、所述觸控薄膜晶體管的源極和漏極與所述顯示薄膜晶體管的源極和漏極同層設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線平行地設(shè)在相鄰的兩個(gè)所述數(shù)據(jù)線之間，并與所述數(shù)據(jù)線平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述陣列基板，其特征在于，所述第一連接電極和所述第二連接電極與所述像素電極同層設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述間隔的一側(cè)的上方設(shè)有第一連接過(guò)孔，所述第一連接電極通過(guò)所述第一連接過(guò)孔與所述間隔的一側(cè)連接，所述間隔的另一側(cè)的上方設(shè)有第二連接過(guò)孔，所述第二連接電極通過(guò)所述第二連接過(guò)孔與所述間隔的另一側(cè)連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板的橫向上相隔預(yù)定的像素區(qū)域設(shè)置一對(duì)所述發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線，并在所述陣列基板的縱向上相隔預(yù)定的像素區(qū)域在該對(duì)所述發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線之間設(shè)置一個(gè)觸控薄膜晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線與所述發(fā)射信號(hào)線具有同步信號(hào)源。
10.一種液晶面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的陣列基板、以及與所述陣列基板對(duì)盒的彩膜基板，在所述彩膜基板上設(shè)有觸控電極，所述觸控電極的設(shè)置位置與所述陣列基板中的間隔的位置相對(duì)應(yīng)以連接所述陣列基板中的所述間隔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶面板，其特征在于，所述觸控電極包括設(shè)在所述彩膜基板的黑矩陣上的隔墊物，所述隔墊物的外表面設(shè)有導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的液晶面板，其特征在于，所述陣列基板中的接收信號(hào)線連接有用于確定觸控位置的信號(hào)處理單元。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陣列基板及液晶面板，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，為降低具有觸控功能的液晶面板的工藝難度并降低成本而發(fā)明。所述陣列基板包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，數(shù)據(jù)線，顯示薄膜晶體管和像素電極；所述基板上還設(shè)有發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線，所述發(fā)射信號(hào)線和接收信號(hào)線之間設(shè)有觸控薄膜晶體管，所述觸控薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述發(fā)射信號(hào)線連接、漏極與所述接收信號(hào)線連接，且所述觸控薄膜晶體管的柵極、源極和漏極的一極中設(shè)有間隔，所述間隔在觸控操作發(fā)生時(shí)連通。本實(shí)用新型可用于實(shí)現(xiàn)具有內(nèi)置觸控功能的液晶面板。
文檔編號(hào)H01L29/786GK202057936SQ20112016435
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月20日
發(fā)明者李成, 董學(xué), 黎蔚 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司