液晶顯示面板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示面板及其制作方法。本發(fā)明的液晶顯示面板，通過(guò)在第二公共電極的十字交叉處設(shè)置具有弧形邊緣的第二膨大部，可改變?cè)撌纸徊嫣幍碾妶?chǎng)曲線，增強(qiáng)電場(chǎng)對(duì)該處液晶分子的控制力，從而提高像素液晶效率；另外，通過(guò)在所述第二公共電極的下方設(shè)置第二公共電極引線，并且在所述第二公共電極與第二公共電極引線之間的絕緣層上設(shè)置通孔，使所述第二公共電極與所述第二公共電極引線相連接，解決了公共電極連接到外部的公共電極引線問(wèn)題；通過(guò)以上改進(jìn)，本發(fā)明拓寬了垂直配向模式液晶顯示面板在小尺寸高分辨率面板中的使用。本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法，制程簡(jiǎn)單，得到的液晶顯示面板，顯示品質(zhì)好，且易于實(shí)現(xiàn)高分辨率。
【專利說(shuō)明】
液晶顯示面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器以其高顯示品質(zhì)、價(jià)格低廉、攜帶方便等優(yōu)點(diǎn)，成為在移動(dòng)通訊設(shè)備、筆記本電腦(PC)、及電視(TV)等的顯示終端。目前普遍采用的液晶顯示器，通常有上下襯底和中間液晶層組成，襯底由玻璃與電極等組成。如果上下襯底都設(shè)有電極，可以形成縱向電場(chǎng)模式的顯示器，如扭曲向列(TN，Twist Nematic)模式、垂直配向(VA ,VerticalAlignment)模式、以及為了解決視角過(guò)窄開發(fā)的多象限垂直配向模式(MVA ,Mult idomainVertical Alignment)。另外一類顯示器與上述顯示器不同，電極只位于一側(cè)的襯底，形成橫向電場(chǎng)模式的顯示器，如平面轉(zhuǎn)換(IPS,In-plane switching)模式、及邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS,Fringe Field Switching)模式等。
[0003]垂直配向模式液晶顯示面板以其高開口、高分辨率、廣視角等特點(diǎn)為液晶電視等大尺寸面板采用，但在小尺寸高分辨率面板中，使用傳統(tǒng)方法設(shè)計(jì)的像素液晶效率低，垂直配向模式?jīng)]有被普遍采用。
[0004]圖1為現(xiàn)有的一種垂直配向t旲式的液晶顯不面板的結(jié)構(gòu)不意圖；圖2為圖1的液晶顯示面板的薄膜晶體管基板側(cè)的像素結(jié)構(gòu)示意圖；如圖1所示，所述液晶顯示面板包括相對(duì)設(shè)置的彩膜基板100與薄膜晶體管基板200、及設(shè)于所述彩膜基板100與薄膜晶體管基板200之間的液晶層300;所述彩膜基板100包括第一襯底基板110、設(shè)于所述第一襯底基板110上的彩色濾光片120、及設(shè)于所述彩色濾光片120上的第一公共電極130;所述薄膜晶體管基板200包括第二襯底基板210、設(shè)于所述第二襯底基板210上的薄膜晶體管陣列層220、及設(shè)于所述薄膜晶體管陣列層220上位于同一層且間隔設(shè)置的像素電極230與第二公共電極240。
[0005]如圖2所示，所述像素電極230上設(shè)有鏤空區(qū)域231，所述第二公共電極240設(shè)于該鏤空區(qū)域231內(nèi)，所述像素電極230上的鏤空區(qū)域231的尺寸大于所述第二公共電極240的尺寸，從而使得所述第二公共電極240與所述像素電極230相間隔，所述第二公共電極240包括一豎直電極241及垂直于所述豎直電極241排列且與所述豎直電極241相交叉的數(shù)個(gè)水平電極 242。
[0006]所述液晶顯示面板利用彩膜基板100側(cè)的第一公共電極130、薄膜晶體管基板200側(cè)的像素電極230與第二公共電極240對(duì)液晶層300中的液晶分子的取向進(jìn)行控制，從而達(dá)到顯示的目的。與傳統(tǒng)的多象限垂直配向模式的液晶顯示面板相比，該技術(shù)省去制造昂貴的凸起結(jié)構(gòu)，并且有很高的對(duì)比度與視角對(duì)稱性。
[0007]但是上述液晶顯不面板存在如下冋題:
[0008]1、對(duì)應(yīng)于第二公共電極240的十字交叉處(豎直電極241與水平電極242的交叉處)的液晶分子容易打結(jié)，液晶顯示面板中對(duì)應(yīng)所述十字交叉處的電場(chǎng)對(duì)液晶分子的控制力差;
[0009]2、薄膜晶體管基板200上對(duì)應(yīng)像素電極230的外部需要設(shè)置過(guò)孔，使第二公共電極240和外部的第二公共電極引線相連，從而增加了液晶顯示面板中非像素區(qū)域的面積，進(jìn)而降低了液晶顯示面板上單位面積的像素?cái)?shù)目，不利于實(shí)現(xiàn)液晶顯示面板的高分辨率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板，可提高像素液晶效率，同時(shí)解決了公共電極連接到外部的公共電極引線問(wèn)題。
[0011 ]本發(fā)明的目的還在于提供一種液晶顯示面板的制作方法，制程簡(jiǎn)單，得到的液晶顯示面板顯示品質(zhì)好，且易于實(shí)現(xiàn)高分辨率。
[0012]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的彩膜基板與薄膜晶體管基板；
[0013]所述彩膜基板包括第一襯底基板、及設(shè)于所述第一襯底基板上的第一公共電極；所述第一公共電極為連續(xù)不間斷的整面電極；
[0014]所述薄膜晶體管基板包括第二襯底基板、設(shè)于所述第二襯底基板上的第一金屬層、設(shè)于所述第一金屬層及第二襯底基板上的第一絕緣層、設(shè)于所述第一絕緣層上的有源層、設(shè)于所述有源層及第一絕緣層上的第二金屬層、設(shè)于所述第二金屬層、有源層、及第一絕緣層上的第二絕緣層、及設(shè)于所述第二絕緣層上的透明導(dǎo)電層；
[0015]所述第一金屬層包括掃描線、以及與所述掃描線間隔設(shè)置且相互之間間隔設(shè)置的數(shù)條第二公共電極引線，每條第二公共電極引線上均設(shè)有一第一膨大部，所述第一膨大部的邊緣為弧形曲線；
[0016]所述有源層對(duì)應(yīng)于所述掃描線上方設(shè)置；
[0017]所述第二金屬層包括垂直于所述掃描線排列且與所述掃描線相交叉的數(shù)據(jù)線、連接于所述數(shù)據(jù)線一側(cè)的源極、以及與所述源極間隔設(shè)置的漏極;所述源極與漏極分別與所述有源層的兩側(cè)相接觸；
[0018]所述透明導(dǎo)電層包括間隔設(shè)置的像素電極與第二公共電極；
[0019]所述像素電極位于由掃描線與數(shù)據(jù)線圍成的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)，所述像素電極為中間設(shè)有鏤空區(qū)域的整面電極，所述鏤空區(qū)域包括一豎直鏤空?qǐng)D案及垂直于所述豎直鏤空?qǐng)D案排列且與所述豎直鏤空?qǐng)D案相交叉的數(shù)個(gè)水平鏤空?qǐng)D案；
[0020]所述第二公共電極設(shè)于所述鏤空區(qū)域內(nèi)，所述第二公共電極包括一豎直電極、垂直于所述豎直電極排列且與所述豎直電極相交叉的數(shù)個(gè)水平電極、以及設(shè)于所述豎直電極與所述水平電極的每一垂直交叉處的第二膨大部;所述第二膨大部的邊緣為弧形曲線，并且所述第二膨大部在垂直于所述第二襯底基板的方向上與所述第二公共電極引線上的第一膨大部相對(duì)應(yīng)；
[0021]所述豎直電極與水平電極分別設(shè)于所述豎直鏤空?qǐng)D案與所述水平鏤空?qǐng)D案內(nèi)，且所述豎直鏤空?qǐng)D案的尺寸大于所述豎直電極的尺寸，所述水平鏤空?qǐng)D案的尺寸大于所述水平電極的尺寸，從而使得所述第二公共電極與所述像素電極相間隔；
[0022]所述第二絕緣層上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述漏極上方的第一通孔，所述像素電極通過(guò)所述第一通孔與所述漏極相接觸;所述第一絕緣層與第二絕緣層上設(shè)有分別對(duì)應(yīng)所述第一膨大部與第二膨大部的第二通孔，所述第二膨大部通過(guò)所述第二通孔與所述第一膨大部相接觸，從而使得所述第二公共電極與下方的第二公共電極引線相連接。
[0023]所述數(shù)條第二公共電極引線與所述掃描線平行排列。
[0024]所述第一膨大部與所述第二膨大部均為圓形結(jié)構(gòu)。
[0025]所述第一膨大部的面積大于所述第二膨大部的面積。
[0026]所述第一襯底基板與所述第二襯底基板均為透明基板;所述第一金屬層與所述第二金屬層的材料包括鉬、鋁、銅、及鈦中的至少一種;所述有源層的材料包括非晶硅、多晶硅、及金屬氧化物半導(dǎo)體材料中的至少一種;所述第一絕緣層與第二絕緣層的材料包括氧化硅與氮化硅中的至少一種;所述像素電極、第一公共電極、及第二公共電極的材料均為透明導(dǎo)電金屬氧化物。
[0027]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟:
[0028]步驟1、提供第二襯底基板，在所述第二襯底基板上形成第一金屬層，所述第一金屬層包括掃描線、以及與所述掃描線間隔設(shè)置且相互之間間隔設(shè)置的數(shù)條第二公共電極引線，每條第二公共電極引線上均設(shè)有一第一膨大部，所述第一膨大部的邊緣為弧形曲線；
[0029]步驟2、在所述第一金屬層及第二襯底基板上形成第一絕緣層；
[0030]步驟3、在所述第一絕緣層上形成有源層，所述有源層對(duì)應(yīng)于所述掃描線上方設(shè)置；
[0031]步驟4、在所述有源層及第一絕緣層上形成第二金屬層，所述第二金屬層包括垂直于所述掃描線排列且與所述掃描線相交叉的數(shù)據(jù)線、連接于所述數(shù)據(jù)線一側(cè)的源極、以及與所述源極間隔設(shè)置的漏極;所述源極與漏極分別與所述有源層的兩側(cè)相接觸；
[0032 ]步驟5、在所述第二金屬層、有源層、及第一絕緣層上形成第二絕緣層；
[0033]在所述第二絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極上方的第一通孔，在所述第一絕緣層與第二絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述第一膨大部上方的第二通孔；
[0034]步驟6、在所述第二絕緣層上形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括間隔設(shè)置的像素電極與第二公共電極；
[0035]所述像素電極位于由掃描線與數(shù)據(jù)線圍成的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)，所述像素電極為中間設(shè)有鏤空區(qū)域的整面電極，所述鏤空區(qū)域包括一豎直鏤空?qǐng)D案及垂直于所述豎直鏤空?qǐng)D案排列且與所述豎直鏤空?qǐng)D案相交叉的數(shù)個(gè)水平鏤空?qǐng)D案；
[0036]所述第二公共電極設(shè)于所述鏤空區(qū)域內(nèi)，所述第二公共電極包括一豎直電極、垂直于所述豎直電極排列且與所述豎直電極相交叉的數(shù)個(gè)水平電極、以及設(shè)于所述豎直電極與所述水平電極的每一垂直交叉處的第二膨大部;所述第二膨大部的邊緣為弧形曲線，并且所述第二膨大部在垂直于所述第二襯底基板的方向上與所述第二公共電極引線上的第一膨大部相對(duì)應(yīng)；
[0037]所述豎直電極與水平電極分別設(shè)于所述豎直鏤空?qǐng)D案與所述水平鏤空?qǐng)D案內(nèi)，且所述豎直鏤空?qǐng)D案的尺寸大于所述豎直電極的尺寸，所述水平鏤空?qǐng)D案的尺寸大于所述水平電極的尺寸，從而使得所述第二公共電極與所述像素電極相間隔；
[0038]所述像素電極通過(guò)所述第一通孔與所述漏極相接觸;所述第二膨大部通過(guò)所述第二通孔與所述第一膨大部相接觸，從而使得所述第二公共電極與下方的第二公共電極引線相連接；
[0039]經(jīng)過(guò)步驟1-6后，制得一薄膜晶體管基板；
[0040]步驟7、提供一彩膜基板，所述彩膜基板包括第一襯底基板、及設(shè)于所述第一襯底基板上的第一公共電極;所述第一公共電極為連續(xù)不間斷的整面電極；
[0041]將所述彩膜基板與上述步驟1-6制得的薄膜晶體管基板對(duì)組，并在二者之間灌注液晶分子，對(duì)所述彩膜基板與薄膜晶體管基板進(jìn)行密封后，得到一液晶顯示面板。
[0042]所述數(shù)條第二公共電極引線與所述掃描線平行排列。
[0043]所述第一膨大部與所述第二膨大部均為圓形結(jié)構(gòu)。
[0044]所述第一膨大部的面積大于所述第二膨大部的面積。
[0045]所述第一襯底基板與所述第二襯底基板均為透明基板;所述第一金屬層與所述第二金屬層的材料包括鉬、鋁、銅、及鈦中的至少一種;所述有源層的材料包括非晶硅、多晶硅、及金屬氧化物半導(dǎo)體材料中的至少一種;所述第一絕緣層與第二絕緣層的材料包括氧化硅與氮化硅中的至少一種;所述像素電極、第一公共電極、及第二公共電極的材料均為透明導(dǎo)電金屬氧化物。
[0046]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種液晶顯示面板，通過(guò)在第二公共電極的十字交叉處設(shè)置具有弧形邊緣的第二膨大部，可改變?cè)撌纸徊嫣幍碾妶?chǎng)曲線，增強(qiáng)電場(chǎng)對(duì)該處液晶分子的控制力，從而提高像素液晶效率;另外，通過(guò)在所述第二公共電極的下方設(shè)置第二公共電極引線，并且在所述第二公共電極與第二公共電極引線之間的絕緣層上設(shè)置通孔，使所述第二公共電極與所述第二公共電極引線相連接，解決了公共電極連接到外部的公共電極引線問(wèn)題;通過(guò)以上改進(jìn)，本發(fā)明拓寬了垂直配向模式液晶顯示面板在小尺寸高分辨率面板中的使用。本發(fā)明提供的一種液晶顯示面板的制作方法，制程簡(jiǎn)單，得到的液晶顯示面板顯示品質(zhì)好，且易于實(shí)現(xiàn)高分辨率。
[0047]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【附圖說(shuō)明】
[0048]下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0049]附圖中，
[0050]圖1為現(xiàn)有的一種垂直配向模式的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖2為圖1的液晶顯示面板的薄膜晶體管基板側(cè)的像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖3為本發(fā)明的液晶顯示面板的彩膜基板的俯視示意圖；
[0053]圖4為本發(fā)明的液晶顯示面板的彩膜基板的剖視示意圖；
[0054]圖5為本發(fā)明的液晶顯示面板的薄膜晶體管基板的俯視示意圖；
[0055]圖6為圖5的薄膜晶體管基板沿A-A線的剖視示意圖；
[0056]圖7為圖5的薄膜晶體管基板沿B-B線的剖視示意圖；
[0057]圖8為本發(fā)明的液晶顯示面板的薄膜晶體管基板的第一金屬層的俯視示意圖；
[0058]圖9為本發(fā)明的液晶顯示面板的薄膜晶體管基板的第一絕緣層的俯視示意圖；
[0059]圖10為本發(fā)明的液晶顯示面板的薄膜晶體管基板的有源層的俯視示意圖；
[0060]圖11為本發(fā)明的液晶顯示面板的薄膜晶體管基板的第二金屬層的俯視示意圖；
[0061]圖12為本發(fā)明的液晶顯示面板的薄膜晶體管基板的第二絕緣層的俯視示意圖；
[0062]圖13為本發(fā)明的液晶顯示面板的薄膜晶體管基板的透明導(dǎo)電層的俯視示意圖；
[0063]圖14為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0064]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0065]請(qǐng)參閱圖3-13，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的彩膜基板10與薄月旲晶體管基板20 ；
[0066]如圖3-4所示，所述彩膜基板10包括第一襯底基板11、及設(shè)于所述第一襯底基板11上的第一公共電極12;所述第一公共電極12為連續(xù)不間斷的整面電極；
[0067]如圖5-13所示，所述薄膜晶體管基板20包括第二襯底基板21、設(shè)于所述第二襯底基板21上的第一金屬層30、設(shè)于所述第一金屬層30及第二襯底基板21上的第一絕緣層40、設(shè)于所述第一絕緣層40上的有源層90、設(shè)于所述有源層90及第一絕緣層40上的第二金屬層60、設(shè)于所述第二金屬層60、有源層90、及第一絕緣層40上的第二絕緣層70、及設(shè)于所述第二絕緣層70上的透明導(dǎo)電層80;
[0068]如圖8所示，所述第一金屬層30包括掃描線31、以及與所述掃描線31間隔設(shè)置且相互之間間隔設(shè)置的數(shù)條第二公共電極引線32，每條第二公共電極引線32上均設(shè)有一第一膨大部321，所述第一膨大部321的邊緣為弧形曲線；
[0069]如圖10與圖5所示，所述有源層90對(duì)應(yīng)于所述掃描線31上方設(shè)置；
[0070]如圖11與圖5所示，所述第二金屬層60包括垂直于所述掃描線31排列且與所述掃描線31相交叉的數(shù)據(jù)線61、連接于所述數(shù)據(jù)線61—側(cè)的源極62、以及與所述源極62間隔設(shè)置的漏極63;所述源極62與漏極63分別與所述有源層90的兩側(cè)相接觸；
[0071]如圖13所示，所述透明導(dǎo)電層80包括間隔設(shè)置的像素電極81與第二公共電極82;
[0072]所述像素電極81位于由掃描線31與數(shù)據(jù)線61圍成的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)(如圖5所示)，所述像素電極81為中間設(shè)有鏤空區(qū)域810的整面電極，所述鏤空區(qū)域810包括一豎直鏤空?qǐng)D案811及垂直于所述豎直鏤空?qǐng)D案811排列且與所述豎直鏤空?qǐng)D案811相交叉的數(shù)個(gè)水平鏤空?qǐng)D案812;
[0073]所述第二公共電極82設(shè)于所述鏤空區(qū)域810內(nèi)，所述第二公共電極82包括一豎直電極823、垂直于所述豎直電極823排列且與所述豎直電極823相交叉的數(shù)個(gè)水平電極825、以及設(shè)于所述豎直電極823與所述水平電極825的每一垂直交叉處的第二膨大部822;所述第二膨大部822的邊緣為弧形曲線，并且所述第二膨大部822在垂直于所述第二襯底基板21的方向上與所述第二公共電極引線32上的第一膨大部321相對(duì)應(yīng)(如圖5與圖6所示)；
[0074]所述豎直電極823與水平電極825分別設(shè)于所述豎直鏤空?qǐng)D案811與所述水平鏤空?qǐng)D案812內(nèi)，且所述豎直鏤空?qǐng)D案811的尺寸大于所述豎直電極823的尺寸，所述水平鏤空?qǐng)D案812的尺寸大于所述水平電極825的尺寸，從而使得所述第二公共電極82與所述像素電極81相間隔；
[0075]如圖6與圖12所示，所述第二絕緣層70上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述漏極63上方的第一通孔71，所述像素電極81通過(guò)所述第一通孔71與所述漏極63相接觸;所述第一絕緣層40與第二絕緣層70上設(shè)有分別對(duì)應(yīng)所述第一膨大部321與第二膨大部822的第二通孔72，所述第二膨大部822通過(guò)所述第二通孔72與所述第一膨大部321相接觸，從而使得所述第二公共電極82與下方的第二公共電極引線32相連接。
[0076]優(yōu)選的，如圖5所示，所述數(shù)條第二公共電極引線32分別與所述數(shù)個(gè)水平電極825上下對(duì)應(yīng)。
[0077]本發(fā)明的液晶顯示面板利用第一公共電極12、第二公共電極82、及所述像素電極81之間的電場(chǎng)對(duì)液晶分子進(jìn)行初始配向，并在顯示過(guò)程中通過(guò)三者之間的電場(chǎng)對(duì)液晶分子的轉(zhuǎn)向進(jìn)行控制，可代替?zhèn)鹘y(tǒng)的多象限垂直配向技術(shù)，節(jié)省成本，且制得的液晶顯示面板具有很高的對(duì)比度與視角對(duì)稱性。
[0078]進(jìn)一步的，通過(guò)在第二公共電極82的十字交叉處(豎直電極823與水平電極825的交叉處)設(shè)置具有弧形邊緣的第二膨大部822，并且在對(duì)應(yīng)第二膨大部822下方的第二公共電極引線32上設(shè)置具有弧形邊緣的第一膨大部321，可以改變液晶顯示面板對(duì)應(yīng)于該位置的電場(chǎng)曲線，使得對(duì)應(yīng)該位置的液晶分子更容易受到電場(chǎng)控制，在電場(chǎng)作用下靈活的進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，從而提高像素液晶效率。
[0079]具體的，所述數(shù)條第二公共電極引線32與所述掃描線31平行排列。
[0080]優(yōu)選的，所述第一膨大部321與所述第二膨大部822均為圓形結(jié)構(gòu);更優(yōu)選的，所述第一膨大部321的面積大于所述第二膨大部822的面積。
[0081]具體的，所述第一襯底基板11與所述第二襯底基板21均為透明基板;優(yōu)選的，所述第一襯底基板11與所述第二襯底基板21均為玻璃基板。
[0082]具體的，所述第一金屬層30與所述第二金屬層60的材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、及鈦(Ti)中的至少一種。
[0083]具體的，所述有源層90的材料包括非晶硅、多晶硅、及金屬氧化物半導(dǎo)體材料中的至少一種;所述金屬氧化物半導(dǎo)體材料可以為銦鎵鋅氧化物(IGZ0)。
[0084]具體的，所述第一絕緣層40與第二絕緣層70的材料分別包括氧化硅(S1x)與氮化娃(SiNx)中的至少一種。
[0085]具體的，所述像素電極81、第一公共電極12、及第二公共電極82的材料均為透明導(dǎo)電金屬氧化物，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物優(yōu)選為氧化銦錫。
[0086]請(qǐng)參閱圖14，本發(fā)明還提供一種上述液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟:
[0087]步驟1、如圖8所示，提供第二襯底基板21，在所述第二襯底基板21上形成第一金屬層30，所述第一金屬層30包括掃描線31、以及與所述掃描線31間隔設(shè)置且相互之間間隔設(shè)置的數(shù)條第二公共電極引線32，每條第二公共電極引線32上均設(shè)有一第一膨大部321，所述第一膨大部321的邊緣為弧形曲線。
[0088]具體的，所述數(shù)條第二公共電極引線32與所述掃描線31平行排列。
[0089]優(yōu)選的，所述第一膨大部321為圓形結(jié)構(gòu)。
[0090]具體的，所述第二襯底基板21為透明基板;優(yōu)選的，所述第二襯底基板21為玻璃基板。
[0091]具體的，所述第一金屬層30的材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、及鈦(Ti)中的至少一種。
[0092]步驟2、如圖9所示，在所述第一金屬層30及第二襯底基板21上形成第一絕緣層40。
[0093]具體的，所述第一絕緣層40的材料包括氧化硅與氮化硅中的至少一種。
[0094]步驟3、如圖10所示，在所述第一絕緣層40上形成有源層90，如圖5所示，所述有源層90對(duì)應(yīng)于所述掃描線31上方設(shè)置。
[0095]具體的，所述有源層90的材料包括非晶硅、多晶硅、及金屬氧化物半導(dǎo)體材料中的至少一種;優(yōu)選的，所述金屬氧化物半導(dǎo)體材料可以為銦鎵鋅氧化物(IGZ0)。
[0096]步驟4、如圖11所示，在所述有源層90及第一絕緣層40上形成第二金屬層60，所述第二金屬層60包括垂直于所述掃描線31排列且與所述掃描線31相交叉的數(shù)據(jù)線61、連接于所述數(shù)據(jù)線61—側(cè)的源極62、以及與所述源極62間隔設(shè)置的漏極63;所述源極62與漏極63分別與所述有源層90的兩側(cè)相接觸。
[0097]具體的，所述第二金屬層60的材料包括鉬、鋁、銅、及鈦中的至少一種。
[0098]步驟5、如圖12所示，在所述第二金屬層60、有源層90、及第一絕緣層40上形成第二絕緣層70;
[0099]在所述第二絕緣層70上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極63上方的第一通孔71，在所述第一絕緣層40與第二絕緣層70上形成對(duì)應(yīng)于所述第一膨大部321上方的第二通孔72。
[0100]具體的，所述第二絕緣層70的材料包括氧化硅與氮化硅中的至少一種。
[0101]步驟6、如圖13所示，在所述第二絕緣層70上形成透明導(dǎo)電層80，所述透明導(dǎo)電層80包括間隔設(shè)置的像素電極81與第二公共電極82;
[0102]所述像素電極81位于由掃描線31與數(shù)據(jù)線61圍成的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)(如圖5所示)，所述像素電極81為中間設(shè)有鏤空區(qū)域810的整面電極，所述鏤空區(qū)域810包括一豎直鏤空?qǐng)D案811及垂直于所述豎直鏤空?qǐng)D案811排列且與所述豎直鏤空?qǐng)D案811相交叉的數(shù)個(gè)水平鏤空?qǐng)D案812;
[0103]所述第二公共電極82設(shè)于所述鏤空區(qū)域810內(nèi)，所述第二公共電極82包括一豎直電極823、垂直于所述豎直電極823排列且與所述豎直電極823相交叉的數(shù)個(gè)水平電極825、以及設(shè)于所述豎直電極823與所述水平電極825的每一垂直交叉處的第二膨大部822;所述第二膨大部822的邊緣為弧形曲線，并且所述第二膨大部822在垂直于所述第二襯底基板21的方向上與所述第二公共電極引線32上的第一膨大部321相對(duì)應(yīng)(如圖5與圖6所示)；
[0104]所述豎直電極823與水平電極825分別設(shè)于所述豎直鏤空?qǐng)D案811與所述水平鏤空?qǐng)D案812內(nèi)，且所述豎直鏤空?qǐng)D案811的尺寸大于所述豎直電極823的尺寸，所述水平鏤空?qǐng)D案812的尺寸大于所述水平電極825的尺寸，從而使得所述第二公共電極82與所述像素電極81相間隔；
[0105]所述像素電極81通過(guò)所述第一通孔71與所述漏極63相接觸;所述第二膨大部822通過(guò)所述第二通孔72與所述第一膨大部321相接觸，從而使得所述第二公共電極82與下方的第二公共電極引線32相連接；
[0106]經(jīng)過(guò)步驟1-6后，制得一薄膜晶體管基板20。
[0107]優(yōu)選的，如圖5所示，所述數(shù)條第二公共電極引線32分別與所述數(shù)個(gè)水平電極825上下對(duì)應(yīng)。
[0108]具體的，所述像素電極81、及第二公共電極82的材料均為透明導(dǎo)電金屬氧化物，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物優(yōu)選為氧化銦錫。
[0109]優(yōu)選的，所述第二膨大部822為圓形結(jié)構(gòu);更優(yōu)選的，所述第一膨大部321的面積大于所述第二膨大部822的面積。
[0110]步驟7、如圖3-4所示，提供一彩膜基板10，所述彩膜基板10包括第一襯底基板11、及設(shè)于所述第一襯底基板11上的第一公共電極12;所述第一公共電極12為連續(xù)不間斷的整面電極；
[0111]將所述彩膜基板10與上述步驟1-6制得的薄膜晶體管基板20對(duì)組，并在二者之間灌注液晶分子，對(duì)所述彩膜基板10與薄膜晶體管基板20進(jìn)行密封后，得到一液晶顯示面板。
[0112]具體的，所述第一襯底基板11為透明基板;優(yōu)選的，所述第一襯底基板11為玻璃基板。
[0113]具體的，所述第一公共電極12的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物優(yōu)選為氧化銦錫。
[0114]綜上所述，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板及其制作方法。本發(fā)明的液晶顯示面板，通過(guò)在第二公共電極的十字交叉處設(shè)置具有弧形邊緣的第二膨大部，可改變?cè)撌纸徊嫣幍碾妶?chǎng)曲線，增強(qiáng)電場(chǎng)對(duì)該處液晶分子的控制力，從而提高像素液晶效率;另外，通過(guò)在所述第二公共電極的下方設(shè)置第二公共電極引線，并且在所述第二公共電極與第二公共電極引線之間的絕緣層上設(shè)置通孔，使所述第二公共電極與所述第二公共電極引線相連接，解決了公共電極連接到外部的公共電極引線問(wèn)題;通過(guò)以上改進(jìn)，本發(fā)明拓寬了垂直配向模式液晶顯示面板在小尺寸高分辨率面板中的使用。本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法，制程簡(jiǎn)單，得到的液晶顯示面板顯示品質(zhì)好，且易于實(shí)現(xiàn)高分辨率。
[0115]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括相對(duì)設(shè)置的彩膜基板(10)與薄膜晶體管基板(20); 所述彩膜基板(10)包括第一襯底基板(U)、及設(shè)于所述第一襯底基板(11)上的第一公共電極(12);所述第一公共電極(12)為連續(xù)不間斷的整面電極； 所述薄膜晶體管基板(20)包括第二襯底基板(21)、設(shè)于所述第二襯底基板(21)上的第一金屬層(30)、設(shè)于所述第一金屬層(30)及第二襯底基板(21)上的第一絕緣層(40)、設(shè)于所述第一絕緣層(40)上的有源層(90)、設(shè)于所述有源層(90)及第一絕緣層(40)上的第二金屬層(60)、設(shè)于所述第二金屬層(60)、有源層(90)、及第一絕緣層(40)上的第二絕緣層(70)、及設(shè)于所述第二絕緣層(70)上的透明導(dǎo)電層(80); 所述第一金屬層(30)包括掃描線(31)、以及與所述掃描線(31)間隔設(shè)置且相互之間間隔設(shè)置的數(shù)條第二公共電極引線(32)，每條第二公共電極引線(32)上均設(shè)有一第一膨大部(321)，所述第一膨大部(321)的邊緣為弧形曲線； 所述有源層(90)對(duì)應(yīng)于所述掃描線(31)上方設(shè)置； 所述第二金屬層(60)包括垂直于所述掃描線(31)排列且與所述掃描線(31)相交叉的數(shù)據(jù)線(61)、連接于所述數(shù)據(jù)線(61)—側(cè)的源極(62)、以及與所述源極(62)間隔設(shè)置的漏極(63);所述源極(62)與漏極(63)分別與所述有源層(90)的兩側(cè)相接觸； 所述透明導(dǎo)電層(80)包括間隔設(shè)置的像素電極(81)與第二公共電極(82); 所述像素電極(81)位于由掃描線(31)與數(shù)據(jù)線(61)圍成的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)，所述像素電極(81)為中間設(shè)有鏤空區(qū)域(810)的整面電極，所述鏤空區(qū)域(810)包括一豎直鏤空?qǐng)D案(811)及垂直于所述豎直鏤空?qǐng)D案(811)排列且與所述豎直鏤空?qǐng)D案(811)相交叉的數(shù)個(gè)水平鏤空?qǐng)D案(812); 所述第二公共電極(82)設(shè)于所述鏤空區(qū)域(810)內(nèi)，所述第二公共電極(82)包括一豎直電極(823)、垂直于所述豎直電極(823)排列且與所述豎直電極(823)相交叉的數(shù)個(gè)水平電極(825)、以及設(shè)于所述豎直電極(823)與所述水平電極(825)的每一垂直交叉處的第二膨大部(822);所述第二膨大部(822)的邊緣為弧形曲線，并且所述第二膨大部(822)在垂直于所述第二襯底基板(21)的方向上與所述第二公共電極引線(32)上的第一膨大部(321)相對(duì)應(yīng)； 所述豎直電極(823)與水平電極(825)分別設(shè)于所述豎直鏤空?qǐng)D案(811)與所述水平鏤空?qǐng)D案(812)內(nèi)，且所述豎直鏤空?qǐng)D案(811)的尺寸大于所述豎直電極(823)的尺寸，所述水平鏤空?qǐng)D案(812)的尺寸大于所述水平電極(825)的尺寸，從而使得所述第二公共電極(82)與所述像素電極(81)相間隔； 所述第二絕緣層(70)上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述漏極(63)上方的第一通孔(71)，所述像素電極(81)通過(guò)所述第一通孔(71)與所述漏極(63)相接觸;所述第一絕緣層(40)與第二絕緣層(70)上設(shè)有分別對(duì)應(yīng)所述第一膨大部(321)與第二膨大部(822)的第二通孔(72)，所述第二膨大部(822)通過(guò)所述第二通孔(72)與所述第一膨大部(321)相接觸，從而使得所述第二公共電極(82)與下方的第二公共電極引線(32)相連接。2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述數(shù)條第二公共電極引線(32)與所述掃描線(31)平行排列。3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一膨大部(321)與所述第二膨大部(822)均為圓形結(jié)構(gòu)。4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一膨大部(321)的面積大于所述第二膨大部(822)的面積。5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一襯底基板(II)與所述第二襯底基板(21)均為透明基板;所述第一金屬層(30)與所述第二金屬層(60)的材料包括鉬、鋁、銅、及鈦中的至少一種;所述有源層(90)的材料包括非晶硅、多晶硅、及金屬氧化物半導(dǎo)體材料中的至少一種;所述第一絕緣層(40)與第二絕緣層(70)的材料包括氧化硅與氮化硅中的至少一種;所述像素電極(81)、第一公共電極(12)、及第二公共電極(82)的材料均為透明導(dǎo)電金屬氧化物。6.一種液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供第二襯底基板(21)，在所述第二襯底基板(21)上形成第一金屬層(30)，所述第一金屬層(30)包括掃描線(31)、以及與所述掃描線(31)間隔設(shè)置且相互之間間隔設(shè)置的數(shù)條第二公共電極引線(32)，每條第二公共電極引線(32)上均設(shè)有一第一膨大部(321)，所述第一膨大部(321)的邊緣為弧形曲線； 步驟2、在所述第一金屬層(30)及第二襯底基板(21)上形成第一絕緣層(40); 步驟3、在所述第一絕緣層(40)上形成有源層(90)，所述有源層(90)對(duì)應(yīng)于所述掃描線(31)上方設(shè)置； 步驟4、在所述有源層(90)及第一絕緣層(40)上形成第二金屬層(60)，所述第二金屬層(60)包括垂直于所述掃描線(31)排列且與所述掃描線(31)相交叉的數(shù)據(jù)線(61)、連接于所述數(shù)據(jù)線(61)—側(cè)的源極(62)、以及與所述源極(62)間隔設(shè)置的漏極(63);所述源極(62)與漏極(63)分別與所述有源層(90)的兩側(cè)相接觸； 步驟5、在所述第二金屬層(60)、有源層(90)、及第一絕緣層(40)上形成第二絕緣層(70); 在所述第二絕緣層(70)上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極(63)上方的第一通孔(71)，在所述第一絕緣層(40)與第二絕緣層(70)上形成對(duì)應(yīng)于所述第一膨大部(321)上方的第二通孔(72); 步驟6、在所述第二絕緣層(70)上形成透明導(dǎo)電層(80)，所述透明導(dǎo)電層(80)包括間隔設(shè)置的像素電極(81)與第二公共電極(82); 所述像素電極(81)位于由掃描線(31)與數(shù)據(jù)線(61)圍成的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)，所述像素電極(81)為中間設(shè)有鏤空區(qū)域(810)的整面電極，所述鏤空區(qū)域(810)包括一豎直鏤空?qǐng)D案(811)及垂直于所述豎直鏤空?qǐng)D案(811)排列且與所述豎直鏤空?qǐng)D案(811)相交叉的數(shù)個(gè)水平鏤空?qǐng)D案(812); 所述第二公共電極(82)設(shè)于所述鏤空區(qū)域(810)內(nèi)，所述第二公共電極(82)包括一豎直電極(823)、垂直于所述豎直電極(823)排列且與所述豎直電極(823)相交叉的數(shù)個(gè)水平電極(825)、以及設(shè)于所述豎直電極(823)與所述水平電極(825)的每一垂直交叉處的第二膨大部(822);所述第二膨大部(822)的邊緣為弧形曲線，并且所述第二膨大部(822)在垂直于所述第二襯底基板(21)的方向上與所述第二公共電極引線(32)上的第一膨大部(321)相對(duì)應(yīng)； 所述豎直電極(823)與水平電極(825)分別設(shè)于所述豎直鏤空?qǐng)D案(811)與所述水平鏤空?qǐng)D案(812)內(nèi)，且所述豎直鏤空?qǐng)D案(811)的尺寸大于所述豎直電極(823)的尺寸，所述水平鏤空?qǐng)D案(812)的尺寸大于所述水平電極(825)的尺寸，從而使得所述第二公共電極(82)與所述像素電極(81)相間隔； 所述像素電極(81)通過(guò)所述第一通孔(71)與所述漏極(63)相接觸；所述第二膨大部(822)通過(guò)所述第二通孔(72)與所述第一膨大部(321)相接觸，從而使得所述第二公共電極(82)與下方的第二公共電極引線(32)相連接； 經(jīng)過(guò)步驟1-6后，制得一薄膜晶體管基板(20); 步驟7、提供一彩膜基板(10)，所述彩膜基板(10)包括第一襯底基板(11)、及設(shè)于所述第一襯底基板(11)上的第一公共電極(12);所述第一公共電極(12)為連續(xù)不間斷的整面電極； 將所述彩膜基板(10)與上述步驟1-6制得的薄膜晶體管基板(20)對(duì)組，并在二者之間灌注液晶分子，對(duì)所述彩膜基板(10)與薄膜晶體管基板(20)進(jìn)行密封后，得到一液晶顯示面板。7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述數(shù)條第二公共電極引線(32)與所述掃描線(31)平行排列。8.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述第一膨大部(321)與所述第二膨大部(822)均為圓形結(jié)構(gòu)。9.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述第一膨大部(321)的面積大于所述第二膨大部(822)的面積。10.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述第一襯底基板(11)與所述第二襯底基板(21)均為透明基板;所述第一金屬層(30)與所述第二金屬層(60)的材料包括鉬、鋁、銅、及鈦中的至少一種;所述有源層(90)的材料包括非晶硅、多晶硅、及金屬氧化物半導(dǎo)體材料中的至少一種;所述第一絕緣層(40)與第二絕緣層(70)的材料包括氧化硅與氮化硅中的至少一種;所述像素電極(81)、第一公共電極(12)、及第二公共電極(82)的材料均為透明導(dǎo)電金屬氧化物。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK106054485SQ201610702606
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年8月22日
【發(fā)明人】郝思坤
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司