專利名稱：EPON Triplexer OLT激光器保護模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及IOG以太網(wǎng)無源光網(wǎng)絡(10G ΕΡ0Ν)技術領域，特別涉及一種應用于高速單纖三向XFP IOG EPON OLT光模塊中的EPON Triplexer OLT激光器保護模塊。
背景技術：
隨著FTTx (光纖到用戶終端)技術的推廣和普及，高速寬帶業(yè)務逐步改變著人們的生活和工作方式，SOHO將非常容易實現(xiàn)，家庭高清晰互動影視節(jié)目、遠程醫(yī)療、遠程教育等不再遙遠。人們對帶寬的需求不斷增加，使目前的IG EPON技術所提供的帶寬逐漸不能滿足寬帶業(yè)務的需求。因此，能夠提供更高帶寬的IOG EPON技術成為非常有吸引力的解決方案，而IOG EPON OLT光模塊是該系統(tǒng)的重要組成部分。在1. 25G向IOG的過渡中，1. 25G 和IOG兩種速率將會長時間的共存，因此，兼容1. 25G和IOG兩種速率的OLT將會有很大的市場需求。10(ib/S的下行速率采用1577nm的中心波長，1. 25Gb/s的下行速率采用1490nm 的中心波長，1. 25Gb/s的上行速率采用1310nm的中心波長，這樣采用波分復用方式實現(xiàn)了單纖三向的數(shù)據(jù)傳送，兼容了下行速率為IOG和1.25(ib/S兩種接收速率的0NU，增加了系統(tǒng)的擴展性。在此種高速單纖三向XFP IOG EPON OLT光模塊中，由于其具有兩路發(fā)射和一路接收的三向光信號，其功耗比傳統(tǒng)的雙向光模塊大了很多，且其封裝為標準的XFP封裝，其 Triplexer激光器價格昂貴，因此，對其進行過熱保護，尤其對Triplexer激光器進行過熱保護是十分必要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術中所存在的上述不足，提供一種EPON Triplexer OLT激光器保護模塊。為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了以下技術方案EPON Triplexer OLT激光器保護模塊，該保護模塊包括微處理器、所述微處理器連接溫度控制驅(qū)動電路，所述溫度控制驅(qū)動電路連接Triplexer激光器，所述Triplexer激光器包括IOG EML激光器和1.25G DBF激光器，其中，IOG EML激光器內(nèi)部設置有半導體制冷器和溫度控制模塊，所述微處理器包括光模塊內(nèi)部溫度采集模塊。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述微處理器通過激光器溫度設置和激光器溫度采集對溫度控制驅(qū)動電路實行閉環(huán)控制，將IOG EML激光器控制在設定的溫度，進一步地，所述設定的溫度為45°C。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述溫度控制驅(qū)動電路為IOG EML激光器提供調(diào)節(jié)電流，微處理器通過調(diào)節(jié)電流采集實現(xiàn)對調(diào)節(jié)電流的實時監(jiān)控，從而使得IOG EML激光器內(nèi)部溫度控制在45 °C。根據(jù)本發(fā)明的實施例，當IOG EML激光器的內(nèi)部溫度高于45°C時，溫度控制驅(qū)動電路對IOG EML激光器提供制冷電流，此制冷電流使IOG EML激光器內(nèi)部的半導體制冷器
4制冷，實現(xiàn)對IOG EML激光器的溫度控制。當IOG EML激光器的內(nèi)部溫度低于45°C時，溫度控制驅(qū)動電路對IOG EML激光器提供加熱電流，此加熱電流使IOG EML激光器內(nèi)部的半導體制冷器加熱，將IOG EML激光器內(nèi)部溫度控制在45°C。根據(jù)本發(fā)明的實施例，EPON Triplexer OLT激光器保護模塊還包括IOG激光器驅(qū)動電路，所述IOG激光器驅(qū)動電路為IOG EML激光器提供驅(qū)動電流。根據(jù)本發(fā)明的實施例，當IOG EML激光器內(nèi)部溫度超出設定的溫度范圍時，所述微處理器通過IOG激光器關斷命令，自動關斷IOG激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流，使得IOG EML 激光器工作在內(nèi)部溫度40°C 50°C的范圍內(nèi)。進一步的，所述設定的溫度范圍是40°C 50 "C。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述微處理器通過IOG激光器驅(qū)動電路，使得IOG EML激光器在高于第一下限溫度、且低于或等于第一上限溫度的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，進而在滿足一定指標的情況下IOG EML激光器的功耗減小。進一步的，所述第一下限溫度為70°C，所述第一上限溫度為85°C。根據(jù)本發(fā)明的實施例，當光模塊溫度在70°C 85°C范圍內(nèi)時，所述微處理器根據(jù)預先寫好的查找表，分別計算出不同溫度點對應的IOG EML激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過IOG激光器光功率和消光比設置，控制IOG激光器驅(qū)動電路逐漸減小IOG EML激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使IOG EML激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。根據(jù)本發(fā)明的實施例，當光模塊溫度高于第一上限溫度時，所述微處理器通過IOG 激光器關斷命令，自動關斷IOG激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流，實現(xiàn)對IOG EML激光器的過熱保護。根據(jù)本發(fā)明的實施例，EPON Triplexer OLT激光器保護模塊還包括1. 25G激光器驅(qū)動電路，所述1. 25G激光器驅(qū)動電路為1. 25G DFB激光器提供驅(qū)動電流。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述微處理器通過1. 25G激光器驅(qū)動電路，使得1. 25G DFB 激光器在高于第二下限溫度、且低于或等于第二上限溫度的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，進而在滿足一定指標的情況下1.25G DFB激光器的功耗減小。進一步的，所述第二下限溫度為70°C，所述第二上限溫度為85°C。根據(jù)本發(fā)明的實施例，當光模塊溫度在70°C 85°C范圍內(nèi)時，所述微處理器根據(jù)預先寫好的查找表，分別計算出不同溫度點對應的1. 25G DFB激光器偏置電流和調(diào)制電流， 通過1. 25G激光器光功率和消光比設置，控制1. 25G激光器驅(qū)動電路逐漸減小1. 25G DFB 激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使1. 25G DFB激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。根據(jù)本發(fā)明的實施例，當光模塊溫度高于第二上限溫度時，所述微處理器通過 1. 25G激光器關斷命令，自動關斷1. 25G激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流，實現(xiàn)對1. 25G DFB激光器的過熱保護，進而實現(xiàn)對Triplexer激光器的過熱保護。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果本發(fā)明的EPON Triplexer OLT激光器保護模塊，微處理器通過溫度控制驅(qū)動電路將IOG EML激光器的溫度控制在45°C，保障了 IOG EML激光器的性能；微處理器通過IOG激光器驅(qū)動電路和1. 25G激光器驅(qū)動電路分別控制 IOG EML激光器和1.25G DFB激光器工作在70°C 85°C范圍內(nèi)，實現(xiàn)了對Triplexer激光器的過熱保護。


圖1為本發(fā)明EPON Triplexer OLT激光器保護模塊原理框架圖。
具體實施例方式下面結(jié)合試驗例及具體實施方式
對本發(fā)明作進一步的詳細描述。但不應將此理解為本發(fā)明上述主題的范圍僅限于以下的實施例，凡基于本發(fā)明內(nèi)容所實現(xiàn)的技術均屬于本發(fā)明的范圍。本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。本說明書(包括任何附加權利要求、摘要和附圖)中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個特征只是一系列等效或類似特征中的一個例子而已。如圖1所示，本實施例列舉的EPON Triplexer OLT激光器保護模塊包括微處理器、IOG激光器驅(qū)動電路、溫度控制驅(qū)動電路、1. 25G激光器驅(qū)動電路和Triplexer激光器； 其中IOG激光器驅(qū)動電路、1. 25G激光器驅(qū)動電路和溫度控制驅(qū)動電路均與Triplexer激光器連接，IOG激光器驅(qū)動電路、1. 25G激光器驅(qū)動電路和溫度控制驅(qū)動電路還與微處理器連接，所述iTriplexer激光器包括IOG電吸收(EML)激光器和1. 25G DBF激光器，其中，IOG 電吸收(EML)激光器內(nèi)部設置有半導體制冷器和溫度控制模塊，所述微處理器包括光模塊內(nèi)部溫度采集模塊。所述微處理器通過激光器溫度設置命令和激光器溫度采集命令對溫度控制驅(qū)動電路實行閉環(huán)控制，將IOG電吸收(EML)激光器控制在設定的溫度，同時通過制冷電流采集實現(xiàn)對制冷電流的實時監(jiān)控；當光模塊溫度高于70°C時，微處理器通過IOG激光器光功率和消光比設置命令自動降低IOG激光器驅(qū)動電路的偏置電流和調(diào)制電流，通過1. 25G激光器光功率和消光比設置命令自動降低1. 25G激光器驅(qū)動電路的偏置電流和調(diào)制電流；當光模塊溫度高于85°C時，微處理器通過IOG激光器關斷命令，自動關斷IOG激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流，通過1. 25G激光器關斷命令，自動關斷1. 25G激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流，實現(xiàn)對Triplexer激光器的過熱保護。微處理器將IOG電吸收(EML)激光器溫度設置在預先設定的溫度45°C。微處理器通過激光器溫度設置命令和激光器溫度采集命令對溫度控制驅(qū)動電路實行閉環(huán)控制，將 IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)部溫度控制在設定的溫度45°C，同時通過調(diào)節(jié)電流采集實現(xiàn)對調(diào)節(jié)電流的實時監(jiān)控。微處理器通過溫度控制驅(qū)動電路采集IOG電吸收(EML)激光器的內(nèi)部溫度，當IOG電吸收(EML)激光器的內(nèi)部溫度高于45°C時，溫度控制驅(qū)動電路通過溫度控制模塊對IOG電吸收(EML)激光器提供制冷電流，此制冷電流使IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)的半導體制冷器制冷；當IOG電吸收(EML)激光器的內(nèi)部溫度低于45°C時，溫度控制驅(qū)動電路通過溫度控制模塊對IOG電吸收(EML)激光器提供加熱電流，此加熱電流使IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)部的半導體制冷器加熱，因此IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)部溫度維持在45°C ；當IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)部溫度超出40°C 50°C范圍時，微處理器通過IOG 激光器關斷命令，自動關斷IOG激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流，無論環(huán)境溫度如何，微處理器通過溫度控制驅(qū)動電路，使IOG電吸收(EML)激光器工作在40°C 50°C的范圍內(nèi)，對IOG電吸收(EML)激光器的性能有很好的保證，也對IOG電吸收(EML)激光器起到很好的保護作用。所述微處理器通過其內(nèi)部的光模塊內(nèi)部溫度采集模塊采集光模塊當前溫度，當光模塊溫度在70°C 85°C (包括85°C)時，微處理器根據(jù)預先寫好的查找表，分別計算出不同溫度點對應的IOG電吸收(EML)激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過IOG激光器光功率和消光比設置命令，控制IOG激光器驅(qū)動電路逐漸減小IOG電吸收(EML)激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使IOG電吸收(EML)激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小，當溫度達到85°C 時，IOG電吸收(EML)激光器的輸出光功率和消光比為70°C時的一半，即比70°C時的光功率和消光比分別低3dB，這樣使得IOG電吸收(EML)激光器在70°C 85°C (包括85°C)的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，使得IOG電吸收(EML)激光器在滿足一定指標的情況下功耗減小。同理，對于1.25G DBF激光器，微處理器根據(jù)預先寫好的查找表， 分別計算出不同溫度點對應的1. 25G DBF激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過1. 25G激光器光功率和消光比設置命令，控制1.25G DBF激光器驅(qū)動電路逐漸減小1.25G DBF激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使得1. 25G DBF激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小，當溫度達到 85°C時，1. 25G DBF激光器的輸出光功率和消光比為70°C時的一半，S卩比70°C時的光功率和消光比分別低3dB，這樣使得1.25G DBF激光器在70°C 85°C (包括85°C)的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，使得1. 25G DBF激光器在滿足一定指標的情況下功耗減小，從而實現(xiàn)對Triplexer激光器的過熱保護。當光模塊溫度高于85°C時，微處理器通過IOG激光器關斷命令，自動關斷IOG激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流，通過1. 25G激光器關斷命令，自動關斷1. 25G激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流；當光模塊溫度低于85°C時，微處理器又通過IOG激光器關斷命令和1. 25G激光器關斷命令，自動打開IOG激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流和1. 25G激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流， 實現(xiàn)對Triplexer激光器的過熱保護。本發(fā)明并不局限于前述的具體實施方式
。本發(fā)明擴展到任何在本說明書中披露的新特征或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組合。
權利要求
1.EPON Triplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，該保護模塊包括微處理器、所述微處理器連接溫度控制驅(qū)動電路，所述溫度控制驅(qū)動電路連接Triplexer激光器，所述 Triplexer激光器包括IOG EML激光器和1. 25G DBF激光器，其中，IOG EML激光器內(nèi)部設置有半導體制冷器和溫度控制模塊，所述微處理器包括光模塊內(nèi)部溫度采集模塊。
2.根據(jù)權利要求1所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述微處理器通過激光器溫度設置和激光器溫度采集對溫度控制驅(qū)動電路實行閉環(huán)控制，將IOG EML激光器控制在設定的溫度。
3.根據(jù)權利要求2所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述設定的溫度為45°C。
4.根據(jù)權利要求3所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述溫度控制驅(qū)動電路為IOG EML激光器提供調(diào)節(jié)電流，微處理器通過調(diào)節(jié)電流采集，實現(xiàn)對調(diào)節(jié)電流的實時監(jiān)控，從而使得IOG EML激光器內(nèi)部溫度控制在45°C。
5.根據(jù)權利要求4所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，當IOG EML激光器的內(nèi)部溫度高于45°C時，溫度控制驅(qū)動電路對IOG EML激光器提供制冷電流，此制冷電流使IOG EML激光器內(nèi)部的半導體制冷器制冷，實現(xiàn)對IOG EML激光器的溫度控制。
6.根據(jù)權利要求5所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，當IOG EML激光器的內(nèi)部溫度低于45°C時，溫度控制驅(qū)動電路對IOG EML激光器提供加熱電流，此加熱電流使IOG EML激光器內(nèi)部的半導體制冷器加熱，將IOG EML激光器內(nèi)部溫度控制在 45 "C。
7.根據(jù)權利要求1至6之一所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，該保護模塊還包括IOG激光器驅(qū)動電路，所述IOG激光器驅(qū)動電路為IOG EML激光器提供驅(qū)動電流。
8.根據(jù)權利要求7所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，當IOG EML激光器內(nèi)部溫度超出設定的溫度范圍時，所述微處理器通過IOG激光器關斷命令，自動關斷IOG激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流，使得IOG EML激光器工作在內(nèi)部溫度為設定的溫度范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權利要求8所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述設定的溫度范圍為40°C 50°C。
10.根據(jù)權利要求9所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述微處理器通過IOG激光器驅(qū)動電路，使得IOG EML激光器在高于第一下限溫度、且低于或等于第一上限溫度的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，進而在滿足一定指標的情況下IOG EML激光器的功耗減小。
11.根據(jù)權利要求10所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述第一下限溫度為70°C。
12.根據(jù)權利要求10所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述第一上限溫度為85°C。
13.根據(jù)權利要求12所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，當光模塊在70°C 85°C溫度范圍內(nèi)時，所述微處理器根據(jù)預先寫好的查找表，分別計算出不同溫度點對應的IOG EML激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過IOG激光器光功率和消光比設置，控制IOG激光器驅(qū)動電路逐漸減小IOG EML激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使IOG EML激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。
14.根據(jù)權利要求13所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，當光模塊溫度高于第一上限溫度時，所述微處理器通過IOG激光器關斷命令，自動關斷IOG激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流。
15.根據(jù)權利要求1至14之一所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，該保護模塊還包括1. 25G激光器驅(qū)動電路，所述1. 25G激光器驅(qū)動電路為1. 25G DFB 激光器提供驅(qū)動電流。
16.根據(jù)權利要求15所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述微處理器通過1. 25G激光器驅(qū)動電路，使得1. 25G DFB激光器在高于第二下限溫度、且低于或等于第二上限溫度的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，進而在滿足一定指標的情況下1. 25G DFB激光器的功耗減小。
17.根據(jù)權利要求16所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述第二下限溫度為70°C。
18.根據(jù)權利要求16所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述第二上限溫度為85°C。
19.根據(jù)權利要求18所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，當光模塊溫度在70°C 85°C范圍內(nèi)時，所述微處理器根據(jù)預先寫好的查找表，分別計算出不同溫度點對應的1.25G DFB激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過1.25G激光器光功率和消光比設置，控制1. 25G激光器驅(qū)動電路逐漸減小1. 25G DFB激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使 1. 25G DFB激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。
20.根據(jù)權利要求19所述的EPONTriplexer OLT激光器保護模塊，其特征在于，當光模塊溫度高于第二上限溫度時，所述微處理器通過1. 25G激光器關斷命令，自動關斷1. 25G 激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種EPON Triplexer OLT激光器保護模塊，該保護模塊包括微處理器、所述微處理器連接溫度控制驅(qū)動電路，所述溫度控制驅(qū)動電路連接Triplexer激光器，Triplexer激光器包括10G EML激光器和1.25G DBF激光器，10G EML激光器內(nèi)部設置有半導體制冷器和溫度控制模塊，微處理器包括光模塊內(nèi)部溫度采集模塊。在本發(fā)明中，微處理器通過溫度控制驅(qū)動電路將10G EML激光器的溫度控制在45℃；微處理器通過10G和1.25G激光器驅(qū)動電路分別控制10G EML激光器和1.25G DFB激光器工作在70℃～85℃范圍內(nèi)，實現(xiàn)對Triplexer激光器的過熱保護。
文檔編號H01S3/04GK102496837SQ20111044052
公開日2012年6月13日 申請日期2011年12月23日 優(yōu)先權日2011年12月23日
發(fā)明者張書源, 蔣旭 申請人:索爾思光電(成都)有限公司