專利名稱：提高浮體效應存儲單元寫入速度的方法及存儲單元的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其是一種能夠提高浮體效應存儲單元寫入速度的制造方法及該浮體效應存儲單元，進而能夠提高具有該浮體效應存儲單元的動態(tài)隨機存取存儲器的寫入速度。
背景技術：
嵌入式動態(tài)存儲技術的發(fā)展已經使得大容量的動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，即 DRAM)在目前的系統(tǒng)級芯片(System ona Chip，即 SoC)中非常普遍。大容量嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器給SoC帶來了諸如改善帶寬和降低功耗等只能通過采用嵌入技術來實現(xiàn)的各種好處。傳統(tǒng)嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(embbeded Dynamic Random Access Memory，即eDRAM)的每個存儲單元除了晶體管之外，還需要一個深溝槽電容器結構，電容器的深溝槽使得存儲單元的高度比其寬度大很多，造成制造工藝困難。其制作工藝與CMOS超大規(guī)模集成電路工藝非常不兼容，限制了它在嵌入式系統(tǒng)芯片(SoC)中的應用。浮體效應存儲單元(Floating Body Cell,即FBC)是一種有希望替代eDRAM的動態(tài)隨機存取存儲器。FBC是利用浮體效應(Floating Body Effect，即FBE)的動態(tài)隨機存儲器單元，其原理是利用絕緣體上硅(Silicon on hsulator，即S0I)器件中氧埋層(BOX)的隔離作用所帶來的浮體效應，將被隔離的浮體(Floating Body)作為存儲節(jié)點，實現(xiàn)寫“ 1” 和寫“O”。圖IA IB是FBC的工作原理示意圖。在圖IA中以NMOS為例，在柵極(G)和漏極 ⑶端加正偏壓，器件導通，由于橫向電場作用，電子在漏極附近與硅原子碰撞電離，產生電子空穴對，一部分空穴被縱向電場掃入襯底，形成襯底電流，由于有氧埋層的存在，襯底電流無法釋放，使得空穴在浮體積聚，定義為第一種存儲狀態(tài)，可定義為寫“1”。寫“O”的情況如圖IB所示，在柵極上施加正偏壓，在漏極上施加負偏壓，通過PN結正向偏置，空穴從浮體發(fā)射出去，定義為第二種存儲狀態(tài)。由于襯底電荷的積聚，會改變器件的閾值電壓(Vt)，可以通過電流的大小感知這兩種狀態(tài)造成閾值電壓的差異，即實現(xiàn)讀操作。由于浮體效應存儲單元去掉了傳統(tǒng)DRAM中的電容器，使得其工藝流程完全與CMOS工藝兼容，同時可以構成密度更高的存儲器，因此有希望替代現(xiàn)有的傳統(tǒng)eDRAM應用于嵌入式系統(tǒng)芯片中。浮體效應存儲單元在寫“1”時，載流子一邊在襯底積聚，一邊會從源極慢慢的泄漏，發(fā)明人認為，浮體效應存儲單元的寫入(“1”)的速度還有待提高。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提高浮體效應存儲單元的寫入速度。本發(fā)明首先提出一種能夠提高浮體效應存儲單元的寫入速度的制作方法，包括以下步驟步驟一提供底層硅，所述底層硅上形成有埋氧層，所述埋氧層上形成有襯底，所述襯底上依次形成有柵氧化層以及柵極，所述柵極下方的襯底中形成溝道，所述柵極與柵氧化層表面以及襯底表面沉積有側墻材料；在柵極的靠近源極位置一側的側墻材料上形成掩膜層，并且柵極的靠近漏極位置一側的側墻材料被暴露；對暴露的側墻材料進行部分厚度的刻蝕；步驟二 去除掩膜層，對側墻材料進行再次刻蝕，在柵極與柵氧化層兩側形成側墻，且靠近源極位置的側墻的寬度大于靠近漏極位置的側墻的寬度；步驟三以所述側墻為掩模，進行重摻雜以及退火工藝，在柵極兩側的襯底中形成源極以及漏極。本發(fā)明其次提出一種浮體效應存儲單元，包括底層硅，形成在底層硅上的埋氧層， 形成在埋氧層上的襯底，依次形成在襯底上的柵氧化層以及柵極，形成在柵極與柵氧化層兩側的側墻，形成在柵極兩側的襯底中的源極與漏極，位于柵極下方襯底中的溝道，并且， 靠近源極位置的側墻的寬度大于靠近漏極位置的側墻的寬度，所述源極與溝道之間的距離大于漏極與溝道之間的距離。本發(fā)明再次還提出一種浮體效應存儲單元的中間半導體器件，包括底層硅，形成在底層硅上的埋氧層，形成在埋氧層上的襯底，依次形成在襯底上的柵氧化層以及柵極，沉積在柵極與柵氧化層表面以及襯底表面的側墻材料，其中所述柵極的靠近源極位置一側的側墻材料上形成有掩膜層，所述柵極的靠近漏極位置一側的側墻材料被暴露，且被暴露的側墻材料的部分厚度被刻蝕去除。本發(fā)明通過改進側墻材料的刻蝕方法，在器件的源、漏極形成不同形貌的側墻，漏極的側墻寬度減小，而源極的側墻寬度增大，在接下來的源、漏高摻雜注入和退火工藝后， 漏極的摻雜離子離溝道距離被拉近，源極的摻雜離子與溝道和襯底的距離被拉遠，一方面提高了漏極溝道中的縱向電場，增大了襯底電流，另一方面降低了積聚載流子從源極的泄漏速度，從而提高了浮體效應存儲單元的寫入速度。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。圖IA為向浮體效應存儲單元寫“1”的過程；圖IB為向浮體效應存儲單元寫“0”的過程；圖2A 2C為傳統(tǒng)浮體效應存儲單元的側墻形成過程示意圖；圖3A 3C為本發(fā)明的浮體效應存儲單元的側墻形成過程示意圖。
具體實施例方式通常工藝中，浮體效應存儲單元的側墻形成(沉積與刻蝕)過程如圖2A 2C所示。首先是側墻材料沉積，沉積后器件的截面如圖2A所示。圖中的浮體效應存儲單元包括底層硅10，所述底層硅10例如為絕緣體上硅；形成在底層硅10之上埋氧層20 ；形成在埋氧層20之上的襯底30，所述的襯底30可以為硅襯底，當然在某些場合下，鍺襯底、硅鍺襯底或者其它半導體材料也能適用；形成在襯底30中的淺溝隔離槽31 (shallow trench isolation,即STI)，用于將各個浮體效應存儲單元隔離開；依次形成在襯底30上的柵氧化層41以及柵極42，位于柵極42下方的襯底30中的溝道；形成在柵極42兩側的襯底30中的源極輕摻雜區(qū)43以及漏極輕摻雜區(qū)45 ；沉積在所述柵極42與柵氧化層41表面以及襯底30表面的側墻材料470，所述側墻材料470對稱分布在柵極42的兩個相對的側面。接下來，采用各向異性的干法刻蝕工藝，對側墻材料470進行回刻，回刻完成后在柵極42與柵氧化層41的兩個相對的側面上形成對稱的側墻47，如圖2B所示。然后是源、漏重摻雜以及退火工藝，以所述側墻47為掩模，對襯底30進行重摻雜， 形成源極44與漏極46，如圖2C所示。在本實施方式中，源極44與漏極46中的摻雜離子距離器件溝道的距離d，由側墻47的寬度所決定。再回到圖1A，可知對浮體效應存儲單元寫“1”的速度是由襯底電流的大小和積聚的載流子從源極泄漏的速度共同決定的。通過提高浮體效應存儲單元的襯底電流，就可以提高浮體效應存儲單元的寫入速度。此外，減少襯底積聚的載流子從源極泄漏，也可以達到提高浮體效應存儲單元寫入速度的目的?；谝陨侠碚?，發(fā)明人對現(xiàn)有浮體效應存儲單元提出改進，使其具有減小的漏極側墻寬度與增大的源極側墻寬度，進而提高存儲單元寫入速度。所采用的工藝流程如圖3A 3C所示。首先，步驟一，制備類似于圖2A所示的中間器件，包括底層硅10，形成在底層硅10 上的埋氧層20，形成在埋氧層20上的襯底30，形成在襯底30中的淺溝隔離槽31 (可選)， 依次形成在襯底30上的柵氧化層41以及柵極42，位于柵極42下方的襯底30中的溝道，形成在柵極42兩側的襯底30中的源極輕摻雜區(qū)43以及漏極輕摻雜區(qū)45 (可選)，沉積在所述柵極42與柵氧化層41表面以及襯底30表面的側墻材料470，所述側墻材料470對稱分布在柵極42的兩個相對的側面。在柵極42的靠近源極位置一側的側墻材料470上形成掩膜層50，并且柵極42的靠近漏極位置一側的側墻材料470被暴露，其中一側是指一個側面。所述掩膜層50優(yōu)選為通過旋涂、軟烘、曝光、顯影而成的圖案化的光刻膠，當然，在某些實施例中也可以是以壓印工藝形成的其它圖案化的掩模材料。為了擴大工藝窗口，所述掩膜層50除了覆蓋柵極的靠近源極位置一側的側墻材料470，還可以覆蓋源極位置以及部分柵極頂部的側墻材料470。采用高橫向刻蝕、低縱向刻蝕(橫、縱向刻蝕比大于通常工藝中的刻蝕條件)的刻蝕方法，對暴露的側墻材料470進行部分厚度的刻蝕，刻蝕深度由刻蝕時間控制?？涛g后器件截面如圖3A所示，此時初步形成的漏極的側墻形貌已經比源極的側墻形貌(未被刻蝕) 窄很多。接下來，步驟二，去除掩膜層50，對側墻材料470進行再次刻蝕，采用低橫向刻蝕， 高縱向刻蝕(橫、縱向刻蝕比小于通常工藝中的刻蝕條件)的方法，對靠近源、漏位置的側墻材料470同時進行刻蝕，在柵極42與柵氧化層41的兩側形成側墻471、472，刻蝕后器件的截面如圖3B所示。最終側墻471、472形貌，靠近漏極位置的側墻472寬度會減小，靠近源極位置的側墻471寬度會增大?？拷礃O位置的側墻471寬度約為靠近漏極位置的側墻 472的寬度的1. 1 3倍，相應的，步驟一中，被去除的部分厚度的側墻材料470約占側墻材料原本厚度的1/4至3/4。然后，步驟三，以所述側墻471、472為掩模，進行重摻雜以及退火工藝，在柵極42兩側的襯底30中形成源極44以及漏極46。由于摻雜離子與器件溝道的距離由側墻的寬度所決定，因此重摻雜后，漏極46的摻雜離子與器件溝道的距離被拉近，源極44的摻雜離子與器件溝道的距離被拉遠，即源極的摻雜離子與襯底之間的距離也被拉遠，如圖3C所示。因此，參考圖3C所示，一方面，由于漏極46的摻雜離子與器件溝道的距離被拉近， 從而提高了漏極溝道中的縱向電場，由橫向電場加速的載流子碰撞產生的電子空穴對，空穴會在更強的縱向電場作用下被掃入襯底30，增大了襯底電流；另一方面，源極44的摻雜離子與器件襯底30的距離被拉遠，從而降低了積聚載流子從源極44的泄漏速度。所以，本發(fā)明通過改進側墻形成工藝，提高了浮體效應存儲器單元的寫入速度。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定權利要求，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以本發(fā)明權利要求所界定的范圍為準。
權利要求
1.一種提高浮體效應存儲單元寫入速度的制造方法，包括以下步驟步驟一提供底層硅，所述底層硅上形成有埋氧層，所述埋氧層上形成有襯底，所述襯底上依次形成有柵氧化層以及柵極，所述柵極下方的襯底中形成溝道，所述柵極與柵氧化層表面以及襯底表面沉積有側墻材料；在柵極的靠近源極位置一側的側墻材料上形成掩膜層，并且柵極的靠近漏極位置一側的側墻材料被暴露；對暴露的側墻材料進行部分厚度的刻蝕；步驟二去除掩膜層，對側墻材料進行再次刻蝕，在柵極與柵氧化層兩側形成側墻，且靠近源極位置的側墻的寬度大于靠近漏極位置的側墻的寬度；步驟三以所述側墻為掩模，進行重摻雜以及退火工藝，在柵極兩側的襯底中形成源極以及漏極。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于步驟一中，所述襯底中還形成淺溝隔離槽。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于步驟一中，柵極兩側的襯底中還形成源極輕摻雜區(qū)以及漏極輕摻雜區(qū)。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于步驟一中的刻蝕之前，所述側墻材料對稱分布在柵極的兩個相對的側面。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于步驟一中對暴露的側墻材料進行部分厚度的刻蝕時，采用高橫向刻蝕，低縱向刻蝕的刻蝕條件。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于步驟二中對側墻材料進行再次刻蝕時，采用低橫向刻蝕，高縱向刻蝕的刻蝕條件。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于步驟一中對暴露的側墻材料進行部分厚度的刻蝕時，被去除的部分厚度的側墻材料約占側墻材料原本厚度的1/4至3/4。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于步驟二中，所述靠近源極位置的側墻的寬度為靠近漏極位置的側墻的寬度的1. 1 3倍。
9.一種浮體效應存儲單元，包括底層硅，形成在底層硅上的埋氧層，形成在埋氧層上的襯底，依次形成在襯底上的柵氧化層以及柵極，形成在柵極與柵氧化層兩側的側墻，形成在柵極兩側的襯底中的源極與漏極，位于柵極下方襯底中的溝道，其特征在于靠近源極位置的側墻的寬度大于靠近漏極位置的側墻的寬度，所述源極與溝道之間的距離大于漏極與溝道之間的距離。
10.一種半導體器件，包括底層硅，形成在底層硅上的埋氧層，形成在埋氧層上的襯底， 依次形成在襯底上的柵氧化層以及柵極，沉積在柵極與柵氧化層表面以及襯底表面的側墻材料，其特征在于所述柵極的靠近源極位置一側的側墻材料上形成有掩膜層，所述柵極的靠近漏極位置一側的側墻材料被暴露，且被暴露的側墻材料的部分厚度被刻蝕去除。
全文摘要
本發(fā)明提出一種能夠提高浮體效應存儲單元寫入速度的制造方法及該浮體效應存儲單元，屬于半導體制造技術領域。本發(fā)明的核心為在靠近源極的側墻材料上形成掩膜層，靠近漏極的側墻材料被暴露；對暴露的側墻材料進行部分厚度的刻蝕；去除掩膜層，對側墻材料進行再次刻蝕，在柵極兩側形成側墻，且靠近源極的側墻的寬度大于靠近漏極的側墻的寬度；以側墻為掩模，進行重摻雜以及退火工藝，形成源極以及漏極，且漏極的摻雜離子離溝道距離被拉近，源極的摻雜離子與溝道和襯底的距離被拉遠。本發(fā)明一方面提高了漏極溝道中的縱向電場，增大了襯底電流，另一方面降低了積聚載流子從源極的泄漏速度，從而提高了浮體效應存儲單元的寫入速度。
文檔編號H01L21/8242GK102437125SQ20111036625
公開日2012年5月2日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權日2011年11月17日
發(fā)明者俞柳江, 毛智彪 申請人:上海華力微電子有限公司