專(zhuān)利名稱(chēng)：支承體構(gòu)造及處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于支承半導(dǎo)體晶圓等被處理體的支承體構(gòu)造及處理裝置。
背景技術(shù)：
通常，為了制造半導(dǎo)體集成電路，對(duì)由硅基板等構(gòu)成的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行成膜處理、 蝕刻處理、氧化處理、擴(kuò)散處理、改性處理、自然氧化膜的除去處理等各種處理。這些處理利用逐張?zhí)幚砭A的單片式的處理裝置、一次處理多張晶圓的分批式的處理裝置來(lái)進(jìn)行。例如在利用專(zhuān)利文獻(xiàn)1等公開(kāi)的立式的、所謂的分批式的處理裝置進(jìn)行這些處理的情況下， 首先，將半導(dǎo)體晶圓從能夠收容多張、例如25張半導(dǎo)體晶圓的晶圓盒移載到立式的晶圓舟皿，并呈多層地將晶圓支承在該晶圓舟皿中。該晶圓舟皿例如也取決于晶圓規(guī)格，但能夠載置30 150張左右的晶圓。在將上述晶圓舟皿從能夠排氣的處理容器的下方搬入(加載)到該處理容器內(nèi)之后，將處理容器內(nèi)維持為氣密狀態(tài)。然后，控制處理氣體的流量、工藝壓力、工藝溫度等各種工藝條件來(lái)實(shí)施規(guī)定的熱處理。在該熱處理中，例如以成膜處理為例，作為成膜處理的方法，公知有 CVD (Chemical Vapor Deposition)法(專(zhuān)禾丨J文獻(xiàn) 2)、ALD (Atomic Layer Deposition)法。而且，出于提高電路元件的特性的目的，期望也降低半導(dǎo)體集成電路的制造工序中的熱過(guò)程，因此，即使不將晶圓暴露于那么高的溫度下，也能夠進(jìn)行目標(biāo)處理，因此，也傾向于使用一邊間斷地供給原料氣體等一邊以原子級(jí)每1層 幾層地或者以分子級(jí)每1層 幾層地反復(fù)成膜的ALD法(專(zhuān)利文獻(xiàn)3、4等)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平6-275608號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2004-006551號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)平6-45256號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4 日本特開(kāi)平11-87341號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠提高被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性的支承體構(gòu)造和
處理裝置。本發(fā)明是一種支承體構(gòu)造，該支承體構(gòu)造配置在供處理氣體從下端朝向上端或者從上端朝向下端流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)，用于支承多張被處理體，其特征在于，該支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部，支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)的間距被設(shè)定得大于支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)的間距。這樣，由于將用于支持被處理體的支承支柱的支承部的間距設(shè)定為在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)大于在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)，因此，處理氣體易于蔓延到處理氣體的下游側(cè)的被處理體之間，能夠提高載置在支承體構(gòu)造的氣流的下游側(cè)的被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。
本發(fā)明是一種支承體構(gòu)造，該支承體構(gòu)造配置在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地沿水平方向流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)，用于支承多張被處理體，其特征在于，該支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部，位于上部側(cè)的支承部的間距和位于下部側(cè)的支承部的間距大于位于中央側(cè)的支承部的間距。這樣，在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地水平流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)支承要處理的多個(gè)被處理體的支承體構(gòu)造中，對(duì)于支承被處理體的支承部，將位于上部側(cè)的上述支承部的間距和位于下部側(cè)的上述支承部的間距設(shè)定為大于位于中央部的上述支承部的間距， 因此，能夠提高載置在支承體構(gòu)造的上端部側(cè)和下端部側(cè)的被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。本發(fā)明是一種處理裝置，該處理裝置用于對(duì)多張被處理體實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于，該處理裝置包括縱長(zhǎng)的處理容器構(gòu)造，其下端部開(kāi)口，具有能夠容納多張被處理體的大??；蓋部，其用于堵塞處理容器構(gòu)造的下端部開(kāi)口 ；支承體構(gòu)造，其用于支承多張被處理體，并能夠插入到處理容器構(gòu)造內(nèi)或從處理容器構(gòu)造內(nèi)拔出；氣體導(dǎo)入部件，其具有用于向處理容器構(gòu)造內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體噴嘴；排氣部件，其用于對(duì)處理容器構(gòu)造體內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣；加熱部件，其用于加熱被處理體；處理容器構(gòu)造供處理氣體從下端朝向上端或者從上端朝向下端地流動(dòng)，支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部， 支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)的間距被設(shè)定得大于支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)的間距。本發(fā)明是一種處理裝置，該處理裝置用于對(duì)多張被處理體實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于，該處理裝置包括縱長(zhǎng)的處理容器構(gòu)造，其下端部開(kāi)口，具有能夠容納多張被處理體的大小；蓋部，其用于堵塞處理容器構(gòu)造的下端部開(kāi)口 ；支承體構(gòu)造，其用于支承多張被處理體，并能夠插入到處理容器構(gòu)造內(nèi)或從處理容器構(gòu)造內(nèi)拔出；氣體導(dǎo)入部件，其具有用于向處理容器構(gòu)造內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體噴嘴；排氣部件，其用于對(duì)處理容器構(gòu)造體內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣；加熱部件，其用于加熱被處理體；處理容器構(gòu)造供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地沿水平方向流動(dòng)，支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部，位于上部側(cè)的支承部的間距和位于下部側(cè)的支承部的間距大于位于中央側(cè)的支承部的間距。采用本發(fā)明的支承體構(gòu)造和處理裝置，能夠發(fā)揮如下的優(yōu)良的作用效果。采用本發(fā)明，由于將用于支持被處理體的支承支柱的支承部的間距設(shè)定為在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)大于在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)，因此，處理氣體易于蔓延到處理氣體的下游側(cè)的被處理體之間，能夠提高載置在支承體構(gòu)造的氣流的下游側(cè)的被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。采用本發(fā)明，在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地水平流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)支承要處理的多個(gè)被處理體的支承體構(gòu)造中，對(duì)于用于支承被處理體的支承部，將位于上部側(cè)的上述支承部的間距和位于下部側(cè)的上述支承部的間距設(shè)定為大于位于中央部的上述支承部的間距，因此，能夠提高載置在支承體構(gòu)造的上端部側(cè)和下端部側(cè)的被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。


圖1是表示具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第1實(shí)施例的處理裝置的內(nèi)剖視結(jié)構(gòu)圖。圖2是圖1所示的支承體構(gòu)造的剖視圖。圖3是表示圖1所示的支承體構(gòu)造的間距形態(tài)的主視圖。圖4用曲線(xiàn)圖表示膜厚的面內(nèi)均勻性的結(jié)果。圖5是表示具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2實(shí)施例的處理裝置的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖6是圖5所示的支承體構(gòu)造的剖視圖。圖7是表示圖5所示的支承體構(gòu)造的間距形態(tài)的主視圖。圖8用曲線(xiàn)圖表示階梯覆蓋率(St印Coverage)的結(jié)果。圖9是表示比較例的分批式處理裝置的一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖。圖10是表示比較例的分批式處理裝置的另一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面，根據(jù)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的支承體構(gòu)造及處理裝置的一實(shí)施例。第1實(shí)施例圖1是表示具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第1實(shí)施例的處理裝置的內(nèi)剖視結(jié)構(gòu)圖， 圖2是圖1所示的支承體構(gòu)造的剖視圖，圖3是表示圖1所示的支承體構(gòu)造的間距形態(tài)的主視圖。在此，作為處理的一個(gè)例子，以進(jìn)行成膜處理的情況為例來(lái)說(shuō)明。如圖所示，該處理裝置40作為處理容器構(gòu)造42具有立式的處理容器44，該處理容器44為圓筒體狀，其下端開(kāi)放，在上下方向上具有規(guī)定的長(zhǎng)度。該處理容器44例如可以采用耐熱性較高的石英。呈多層載置并支承多張作為被處理體的半導(dǎo)體晶圓W的作為支承體構(gòu)造的晶圓舟皿46能夠升降地自由地自該處理容器44的下方插入到該處理容器44內(nèi)或從該處理容器44內(nèi)拔出。該晶圓舟皿46整體例如由石英構(gòu)成，具體地講，該晶圓舟皿46包括配置在上部的頂板部48、配置在下部的底部50和連接在該頂板部48和底部50之間的多根支承支柱60，通過(guò)使形成在該支承支柱60上的支承部支承上述晶圓W的周邊部來(lái)載置上述晶圓 W。另外，支承部見(jiàn)后述。在該晶圓舟皿46上，能夠呈多層地支承例如50 150張左右的直徑為300mm的晶圓W。另外，晶圓W的規(guī)格、支承張數(shù)并不限定于此。另外，在插入晶圓舟皿46時(shí)，上述處理容器44的下端開(kāi)口部利用例如石英制的蓋部62堵塞而上述處理容器44被密閉。此時(shí)，在處理容器44的下端部與蓋部62的周邊部之間，為了維持氣密性而夾裝有例如0型密封圈等密封構(gòu)件64。另外，有時(shí)也利用不銹鋼板形成該蓋部62。該晶圓舟皿46隔著石英制的保溫臺(tái)66載置在工作臺(tái)68上，該工作臺(tái)68支承在旋轉(zhuǎn)軸70的上端部，該旋轉(zhuǎn)軸70貫穿用于開(kāi)閉處理容器44的下端開(kāi)口部的蓋部62。 而且，在該旋轉(zhuǎn)軸70的貫穿部夾設(shè)有例如磁性流體密封件72，將該旋轉(zhuǎn)軸70氣密地密封地且能夠旋轉(zhuǎn)地支承該旋轉(zhuǎn)軸70。上述旋轉(zhuǎn)軸70安裝在例如支承于舟皿升降機(jī)等升降機(jī)構(gòu) 74上的臂74A的頂端，能夠使晶圓舟皿46和蓋部62等一體地升降。在上述處理容器44的側(cè)部，包圍該處理容器44地設(shè)有具有例如碳線(xiàn)制的加熱器的加熱部件75，該加熱部件75能夠?qū)⑽挥谄鋬?nèi)側(cè)的處理容器44和該處理容器44內(nèi)的上述半導(dǎo)體晶圓W加熱。另外，在處理容器44的下部側(cè)壁設(shè)有用于向該處理容器44內(nèi)供給規(guī)定氣體的氣體導(dǎo)入部件76。具體地講，該氣體導(dǎo)入部件76具有多根、圖示例子中為3根石英制的氣體噴嘴78、80、82。各氣體噴嘴78 82設(shè)置為貫穿上述處理容器44的下部，能夠從頂端的各氣體孔78A、80A、82A向處理容器44內(nèi)的底部放出各氣體。作為在此采用的氣體， 可采用成膜用的原料氣體、氧化氣體、吹掃氣體，能夠根據(jù)需要分別控制著這些氣體的流量地進(jìn)行供給。另外，不言而喻，采用的氣體種類(lèi)與要成膜的膜種相應(yīng)地進(jìn)行各種變更。另外，這些各氣體噴嘴78 82實(shí)際上設(shè)置在上述處理容器44下端部的形成壁較厚的凸緣部。另外，也可以替代該構(gòu)造，在處理容器44的下端設(shè)置不銹鋼制的筒體狀的歧管，在該歧管上設(shè)置氣體噴嘴78 82。另外，在上述處理容器44的頂部設(shè)有向橫向彎曲成L字形的排氣口 80。在該排氣口 80上連接有用于對(duì)處理容器44內(nèi)進(jìn)行抽真空的排氣部件83。具體地講，在上述排氣部件83的排氣通路84上分別依次夾設(shè)有像蝶形閥這樣的壓力控制閥85和真空泵86。晶圓舟皿的說(shuō)明接著，也參照?qǐng)D2及圖3說(shuō)明作為上述支承體構(gòu)造的晶圓舟皿46。圖3的(A)表示作為支承體構(gòu)造的晶圓舟皿的第1例，圖3的(B)表示第2例。該晶圓舟皿46如上所述那樣整體由耐熱性的石英形成。晶圓舟皿46由圓板狀的頂板部48、圓板狀的底部50和將該頂板部48與底部50連結(jié)起來(lái)的多根支承支柱60構(gòu)成。在此，作為支承支柱60，具有3 根支承支柱60A、60B、60C，這3根支承支柱60A 60C沿著晶圓W的大致半圓弧的軌跡等間隔地配置。于是，能夠利用未圖示的移載臂自未配置有上述支承支柱60A 60C的另一個(gè)半圓弧側(cè)移載晶圓W。而且，在上述3根各支承支柱60A 60C的內(nèi)周側(cè)，沿著其長(zhǎng)度方向以適當(dāng)?shù)拈g隔形成有用于支承晶圓W的支承部88。在此，該支承部88由支承槽90構(gòu)成，該支承槽90由對(duì)各支承支柱60A 60C切削而形成的槽構(gòu)成。通過(guò)將晶圓W的周緣部載置在該支承槽90 中，能夠呈多層地支承晶圓W。而且，在此，作為本發(fā)明的特征，作為上述支承部88的支承槽90的間距被設(shè)定為在上述處理容器44內(nèi)流動(dòng)的處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)大于在上述處理容器44內(nèi)流動(dòng)的處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)。在此，由于處理氣體從處理容器44內(nèi)的下部向頂部地朝上流動(dòng)，因此，晶圓舟皿46的下部成為上游側(cè)，上部成為下游側(cè)。因而，晶圓舟皿46下部的支承槽90的間距(上下方向的間隔)被設(shè)定得較小，越向晶圓舟皿46的上部去，支承槽90 的間距被設(shè)定得越大。具體地講，上述支承槽90沿著處理氣體的流動(dòng)方向被劃分為多個(gè)組。在圖3的 (A)所示的情況下，從晶圓舟皿46的下方朝向上方地劃分為3個(gè)組Gl、G2、G3，因而，各組 GU G2、G3中的支承槽90的間距PU P2、P3被設(shè)定為“PI < P2 < P3”，越向處理氣體的下游側(cè)去，晶圓W之間的間距越大，處理氣體易于蔓延。另外，同一個(gè)組內(nèi)的支承槽90被設(shè)定為相同的間距。在此，由各組Gl G3支承的晶圓張數(shù)相對(duì)于整個(gè)晶圓舟皿46能夠支承的張數(shù)被設(shè)定為例如每組各1/3。因而，假定整個(gè)晶圓舟皿46能夠支承90張晶圓W，則以各組Gl G3能夠分別支承30張晶圓W的方式形成支承槽90。上述各組Gl G3的張數(shù)僅是表示了一個(gè)例子，根據(jù)膜厚的面內(nèi)均勻性的好壞分別決定各組Gl G3的張數(shù)。
作為上述間距的具體尺寸，例如間距Pl為6. 5mm左右，間距P2為7. 3mm左右，間距P3為8. Omm左右。該數(shù)值僅是表示了一個(gè)例子，并不限定于此，考慮依賴(lài)于一次能夠處理的張數(shù)的生產(chǎn)率和膜厚的面內(nèi)均勻性來(lái)決定上述各間距Pl P3的值。在此，返回到圖1，這樣形成的處理裝置的整個(gè)裝置的動(dòng)作利用例如由計(jì)算機(jī)等構(gòu)成的控制部件92來(lái)控制。而且，該控制部件92具有存儲(chǔ)介質(zhì)94，該存儲(chǔ)介質(zhì)94由用于存儲(chǔ)程序的例如軟磁盤(pán)、閃存器、硬盤(pán)、CD-ROM、DVD等構(gòu)成，該程序用于控制該整個(gè)裝置的動(dòng)作，能夠利用計(jì)算機(jī)來(lái)讀寫(xiě)。動(dòng)作的說(shuō)明接著，對(duì)如上所述那樣構(gòu)成的處理裝置40的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。首先，在例如由硅晶圓構(gòu)成的半導(dǎo)體晶圓W為卸載狀態(tài)下，處理裝置40為待機(jī)狀態(tài)時(shí)，將處理容器44維持在比工藝溫度低的溫度，使載置有常溫的多張、例如90張晶圓W的狀態(tài)的晶圓舟皿46從利用加熱部件75成為熱壁狀態(tài)的處理容器44的下方上升而加載到該處理容器44內(nèi)，利用蓋部62 封閉處理容器44的下端開(kāi)口部而將處理容器44內(nèi)密閉。然后，利用排氣部件83對(duì)處理容器44內(nèi)抽真空而將該處理容器44內(nèi)維持在規(guī)定的工藝壓力，并增大對(duì)加熱部件75的供給電力，從而使晶圓溫度上升而升溫至成膜處理用的工藝溫度并穩(wěn)定，之后，一邊控制進(jìn)行成膜處理所需的規(guī)定的處理氣流量一邊分別從氣體導(dǎo)入部件76的各氣體噴嘴78 82向處理容器44內(nèi)供給氣體。在上述處理容器44內(nèi)，晶圓舟皿46在載置著晶圓W的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)，從上述各氣體噴嘴78 82的氣體孔78A 82A放出的各氣體通過(guò)晶圓W之間而在處理容器44內(nèi)上升， 并通過(guò)原料氣體的例如氧化反應(yīng)、分解反應(yīng)等在晶圓W的表面堆積薄膜。該堆積例如通過(guò)熱CVD反應(yīng)來(lái)進(jìn)行。如上所述那樣蔓延到晶圓W之間并在處理容器44內(nèi)上升的處理氣體和處理容器44內(nèi)的氣氛利用排氣部件83從設(shè)置在處理容器44的頂部的排氣口 80被排出到容器外。在此，從各氣體噴嘴78 82被導(dǎo)入到處理容器44內(nèi)的各氣體由于在處理容器 44內(nèi)上升且在晶圓W的表面堆積薄膜而一點(diǎn)點(diǎn)地消耗，因此，越向氣流的下游側(cè)去、即在此為越向處理容器44內(nèi)的上方去，原料氣體、氧化氣體等的氣體濃度逐漸降低。在這種情況下，在以往的處理裝置中，由于各晶圓W以等間距配置，因此，越向氣流的下游側(cè)去，蔓延到晶圓W之間的各氣體越少，存在膜厚的面內(nèi)均勻性降低的傾向。相對(duì)于此，在本申請(qǐng)發(fā)明中，支承槽90的間距被設(shè)定為在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)大于在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)，因此，氣流的下游側(cè)的晶圓W之間的間隔變寬，結(jié)果，氣體易于蔓延，即使氣體濃度降低，也能夠充分地進(jìn)行成膜。具體地講，如圖3的㈧所示，各組Gl G3中的支承槽90的間距Pl P3，隨著從氣流的上游側(cè)(下方側(cè))向下游側(cè)(上方側(cè))去而逐漸變大，成為“PI < P2 < P3”的關(guān)系，因此，越向上方的組去，晶圓W之間的間隔越寬，氣體越易于蔓延到晶圓W之間的空間中。即，組Gl中的晶圓W之間最窄，隨著向組G2、G3去，晶圓W之間逐漸變寬。因而，即使隨著向氣流的下游側(cè)(上方側(cè))去而氣體濃度降低，也能改善氣體蔓延，因此，能夠補(bǔ)償濃度的下降量。結(jié)果，在氣流的下游側(cè)的晶圓W上也能夠充分地進(jìn)行成膜，因此，能夠改善膜厚的面內(nèi)均勻性。這樣，采用本發(fā)明，由于將用于支承被處理體的支承支柱的支承部的間距設(shè)定為在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)大于在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)，因此，處理氣體易于蔓延到處理氣體的下游側(cè)的被處理體之間，能夠提高載置在支承體構(gòu)造的氣流的下游側(cè)的被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。另外，在圖3的(A)所示的晶圓舟皿46的情況下，是以各組Gl G3的張數(shù)均等的方式劃分3個(gè)組的，但并不限定于此，也可以以晶圓舟皿46的高度方向的長(zhǎng)度均等的方式劃分。另外，劃分?jǐn)?shù)量并不限定于3個(gè)組，只要是兩個(gè)以上的劃分?jǐn)?shù)，也可以是任何的劃分?jǐn)?shù)。例如，圖3的(B)中將晶圓舟皿46的支承部88劃分為兩個(gè)組G4、G5，使各間距P4、 P5成為“P4 < P5”的關(guān)系，將氣體的下游側(cè)的間距P5設(shè)定得大于上游側(cè)的P4。在這種情況下，也可以將組G5的部分設(shè)定為例如晶圓舟皿46的長(zhǎng)度的1/3左右的長(zhǎng)度。并且，也可以不將晶圓舟皿46的支承部88分組，而設(shè)定為沿著處理氣體的流動(dòng)方向完全不同。在這種情況下，作為支承部88的支承槽90的間隙朝向氣體的下游側(cè)每1個(gè)一點(diǎn)點(diǎn)地變大，在這種情況下，也能夠發(fā)揮與之前說(shuō)明的實(shí)施例同樣的作用效果。另外，在圖1所示的裝置例中，是使氣體從處理容器44的下部向上部地朝上流動(dòng)的，但并不限定于此，也能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于使氣體從處理容器的上部向下部地朝下流動(dòng)的處理裝置中。在這種情況下，與圖1的情況相反，處理容器內(nèi)的上部成為氣流的上游側(cè)， 下部成為下游側(cè)。另外，在圖1所示的裝置例中，處理容器構(gòu)造42是以由1個(gè)處理容器44 構(gòu)成的單管構(gòu)造的情況為例進(jìn)行說(shuō)明的，但并不限定于此，也能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于由內(nèi)筒和覆蓋該內(nèi)筒的外周的外筒構(gòu)成的雙重管構(gòu)造的處理容器構(gòu)造。本發(fā)明的驗(yàn)證實(shí)騎接著，對(duì)為了調(diào)查上述本發(fā)明的有效性而進(jìn)行的驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)進(jìn)行說(shuō)明。在此，使用相同長(zhǎng)度的兩個(gè)晶圓舟皿，一個(gè)是支承槽的間距為6. 5mm、總共143個(gè)槽的以往型的晶圓舟皿，另一個(gè)是支承槽的間距為11mm、總共85個(gè)槽的晶圓舟皿。氣體種類(lèi)采用DCS( 二氯硅烷)、NH3和隊(duì)來(lái)形成氮化硅膜，各氣流、工藝溫度、工藝壓力被設(shè)定為分別相同。上述處理氣體是從處理容器內(nèi)的下部(底部)朝向上部(頂部)地流動(dòng)的。圖4用曲線(xiàn)圖表示此時(shí)的膜厚的面內(nèi)均勻性的結(jié)果。橫軸是距晶圓舟皿底部的距離，右端是底部(底部)，左端是上部(頂部)。由圖4所示的曲線(xiàn)圖可清楚地明確，與以往的晶圓之間的間距較小的晶圓舟皿相比，晶圓之間的間距較大的晶圓舟皿的膜厚的面內(nèi)均勻性整體更加優(yōu)良。但是，在增大所有的間距時(shí)，晶圓的裝載張數(shù)減少，生產(chǎn)率降低，因此，可明確將以往的晶圓舟皿的、特別是膜厚的面內(nèi)均勻性降低較大的部分、例如晶圓舟皿的氣流下游側(cè)的1/3左右長(zhǎng)度的部分、 即距晶圓舟皿底部的距離為670mm的位置的上方側(cè)(圖4中的左側(cè))的部分做成較寬的間距時(shí)，不會(huì)太大地降低生產(chǎn)率，能夠改善膜厚的面內(nèi)均勻性。第2實(shí)施例接著，說(shuō)明本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2實(shí)施例。圖5是表示具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2實(shí)施例的處理裝置的剖視結(jié)構(gòu)圖，圖6是圖5所示的支承體構(gòu)造的剖視圖，圖7 是表示圖5所示的支承體構(gòu)造的間距形態(tài)的主視圖。如圖5所示，該處理裝置100主要具有為了收容被處理體而沿上下方向立起地設(shè)置的處理容器構(gòu)造102、用于將該處理容器構(gòu)造102下端的開(kāi)口部側(cè)氣密地堵塞的蓋部 104、以規(guī)定的間距支承作為被處理體的多張半導(dǎo)體晶圓W并可插入到上述處理容器構(gòu)造102內(nèi)或從該處理容器構(gòu)造102內(nèi)拔出的作為支承體構(gòu)造的晶圓舟皿106、用于向處理容器構(gòu)造102內(nèi)導(dǎo)入必要?dú)怏w的氣體導(dǎo)入部件108、用于對(duì)處理容器構(gòu)造102內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣的排氣部件110及用于加熱半導(dǎo)體晶圓W的加熱部件112。具體地講，上述處理容器構(gòu)造102主要由下端部開(kāi)放的有頂圓筒體狀的處理容器 114和下端部開(kāi)放并覆蓋上述處理容器114外側(cè)的有頂圓筒體狀的罩容器116構(gòu)成。上述處理容器114和罩容器116均由耐熱性的石英構(gòu)成，其以同軸狀配置而做成雙重管構(gòu)造。在此，上述處理容器114的頂部平坦。在上述處理容器114的一側(cè)，沿著該處理容器114的長(zhǎng)度方向形成有用于收容后述的氣體噴嘴的噴嘴收容區(qū)域118。在此，也如圖6所示，使處理容器114側(cè)壁的一部分朝向外側(cè)突出而形成凸部120，將該凸部120內(nèi)形成為上述噴嘴收容區(qū)域118。另外，與上述噴嘴收容區(qū)域118相對(duì)地在上述處理容器114的與該噴嘴收容區(qū)域 118相反一側(cè)的側(cè)壁沿著該處理容器114的長(zhǎng)度方向(上下方向)形成有恒定寬度的狹縫狀的排氣口 122(參照?qǐng)D6)，能夠?qū)μ幚砣萜?14內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣。在此，該狹縫狀的排氣口 122的長(zhǎng)度與上述晶圓舟皿106的長(zhǎng)度相同或者比上述晶圓舟皿106的長(zhǎng)度長(zhǎng)地分別向上下方向延伸地形成，該排氣口 122的上端延伸到位于與晶圓舟皿106的上端相對(duì)應(yīng)的位置以上的高度的位置，排氣口 122的下端延伸到位于與晶圓舟皿106的下端相對(duì)應(yīng)的位置以下的高度的位置。上述處理容器構(gòu)造102的下端利用例如由不銹鋼構(gòu)成的圓筒體狀的歧管IM支承。在該歧管IM的上端部形成有凸緣部126，將上述罩容器116的下端部設(shè)置在該凸緣部1 上而支承該罩容器116。而且，在該凸緣部1 與罩容器116的下端部之間夾設(shè)0 型密封圈等密封構(gòu)件128，使罩容器116內(nèi)成為氣密狀態(tài)。另外，在上述歧管124的上部?jī)?nèi)壁設(shè)有環(huán)狀的支承部130，將上述處理容器114的下端部設(shè)置在該支承部130上而支承上述處理容器。在該歧管124的下端開(kāi)口部，夾著0型密封圖等密封構(gòu)件132氣密地安裝有上述蓋部104，將上述處理容器構(gòu)造102的下端開(kāi)口部側(cè)、即歧管124的開(kāi)口部氣密地堵塞。 該蓋部104例如由不銹鋼形成。在該蓋部104的中央部，借助磁性流體密封部134貫穿設(shè)置有旋轉(zhuǎn)軸136。該旋轉(zhuǎn)軸136的下部能自由旋轉(zhuǎn)地支承在由舟皿升降機(jī)構(gòu)成的升降部件138的臂138A上，利用未圖示的電動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)。另外，在旋轉(zhuǎn)軸136的上端設(shè)有旋轉(zhuǎn)板140。而且，在該旋轉(zhuǎn)板140 上，隔著石英制的保溫臺(tái)142載置有用于保持晶圓W的上述晶圓舟皿106。因而，通過(guò)使上述升降部件138升降，蓋部104和晶圓舟皿106 —體地上下運(yùn)動(dòng)，能夠使該晶圓舟皿106插入到處理容器構(gòu)造102內(nèi)或從該處理容器構(gòu)造102內(nèi)拔出。上述石英制的保溫臺(tái)142具有在基座144上立起的4根支柱146 (圖5中僅記有兩根)，將上述晶圓舟皿106載置在該支柱146上而支承該晶圓舟皿106。另外，在上述支柱146的長(zhǎng)度方向中間，以適當(dāng)間隔設(shè)有多張保溫板148。另一方面，用于向上述處理容器114內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入部件108設(shè)置于上述歧管124。具體地講，該氣體導(dǎo)入部件108具有多根、圖示例子中為3根石英制的氣體噴嘴 150、152、154。各氣體噴嘴150 巧4在上述處理容器114內(nèi)沿著其長(zhǎng)度方向設(shè)置，并且， 各氣體噴嘴150 154的基端部彎曲成L字形，貫穿上述歧管IM地被支承。也如圖6所示，上述氣體噴嘴150 巧4設(shè)置為在上述處理容器114的噴嘴收容區(qū)域118內(nèi)沿著圓周方向成為一列。在上述各氣體噴嘴150 154中，沿著其長(zhǎng)度方向以適當(dāng)間隔的間距形成有多個(gè)氣體孔150A、152A、154A，能夠自各氣體孔150A 154A朝向水平方向放出各氣體。在此，上述間距被設(shè)定為各氣體孔150A 154A位于被晶圓舟皿106 支承且在上下方向上相鄰的晶圓W之間的中間的位置，從而能夠高效地向晶圓W之間的空間部供給各氣體。作為在此采用的氣體，可采用原料氣體、氧化氣體和吹掃氣體，能夠一邊控制各氣流量一邊根據(jù)需要通過(guò)上述各氣體噴嘴150 巧4供給氣體。在此，作為原料氣體采用四乙基甲基氨基鋯(TEMAZ)，作為氧化氣體采用臭氧，作為吹掃氣采用N2氣體，能夠利用ALD 法形成膜。另外，不言而喻，采用的氣體種類(lèi)與要成膜的膜種相應(yīng)地進(jìn)行各種變更。另外，在上述歧管IM的上部側(cè)壁、即上述支承部130的上方形成有氣體出口 156， 能夠經(jīng)由上述處理容器114與罩容器116之間的空間部158將從排氣口 122排出的處理容器114內(nèi)的氣氛氣體排氣到系統(tǒng)外。而且，在該氣體出口 156上設(shè)有上述排氣部件110。該排氣部件110具有連接于上述氣體出口 156的排氣通路162，在該排氣通路162上依次設(shè)有壓力調(diào)整泵164和真空泵166，能夠抽真空。而且，覆蓋上述罩容器116的外周地設(shè)有圓筒體狀的上述加熱部件112，用于對(duì)晶圓W進(jìn)行加熱。晶圓舟皿的說(shuō)明接著，說(shuō)明作為上述支承體構(gòu)造的晶圓舟皿106。該晶圓舟皿106整體如上所述那樣由耐熱性的石英形成。也如圖7所示，該晶圓舟皿106具有位于上端部的圓板狀的頂板部168、位于下端部的圓板狀的底部170及將上述頂板部168和底部170連結(jié)起來(lái)并呈多層地支承上述多張晶圓W的多個(gè)支承支柱172。在此，作為支承支柱，具有3根支承支柱 172A、172B、172C(參照?qǐng)D6)，這3根支承支柱172A 172C沿著晶圓W的大致半圓弧的軌跡等間隔地配置。自未設(shè)置這些支承支柱172A 172C的另一半圓弧側(cè)移載晶圓。并且，在上述頂板部168和底部170之間連結(jié)有板狀的石英制的加強(qiáng)支柱174 (參照?qǐng)D6)，該加強(qiáng)支柱174位于上述3根支承支柱172A 172C之間的大致中央部，用于加強(qiáng)該晶圓舟皿自身的強(qiáng)度。而且，在上述3根各支承支柱172A 172C的內(nèi)周側(cè)，沿著其長(zhǎng)度方向以適當(dāng)長(zhǎng)度的間距形成有用于支承晶圓W的支承部178。在此，該支承部178由支承槽180構(gòu)成，該支承槽180由對(duì)各支承支柱172A 172C切削而形成的槽構(gòu)成。通過(guò)將晶圓W的周緣部載置在該支承槽180中，能夠呈多層地支承晶圓W。該晶圓W的直徑例如為300mm，整體能夠支承50 150張左右的晶圓W。在此，作為本發(fā)明的特征，對(duì)于作為上述支承部178的支承槽180的間距，位于上部側(cè)的支承槽180的間距和位于下部測(cè)的支承槽180的間距被設(shè)定得分別大于位于中央部的支承槽180的間距。具體地講，上述晶圓舟皿106被劃分為位于上方的上部區(qū)域G6、位于下方的下部區(qū)域G8和位于上部區(qū)域G6和下部區(qū)域G8之間的中央部的中央部區(qū)域G7這3 個(gè)區(qū)域。而且，上述上部區(qū)域G6的支承槽180的間距P6和上述下部區(qū)域G8的支承槽180 的間距P8被設(shè)定得分別大于中央部區(qū)域G7的間距P7，成為“P6 > P7”及“P8 > P7”的關(guān)系。另外，在晶圓舟皿106內(nèi)，在最上層的支承槽180A的上方產(chǎn)生有寬度比上述間距 P6寬的空間部182。同樣，在最下層的支承槽180B的下方產(chǎn)生有寬度比上述間距P8寬的空間部184。另外，上述上部區(qū)域G6的間距P6和下部區(qū)域G8的間距P8也可以被設(shè)定為相同。另外，上述上部區(qū)域G6的晶圓載置張數(shù)和下部區(qū)域G8的晶圓載置張數(shù)既可以是相同的張數(shù)，也可以是不同的張數(shù)。這樣，通過(guò)將上部區(qū)域G6的間距P6和下部區(qū)域G8的間距P8設(shè)定得分別大于中央部區(qū)域G7的間距P7，處理氣體易于蔓延到晶圓之間的較寬的空間部中，能夠提高該部分的膜厚的面內(nèi)均勻性。在這種情況下，能夠分別收容在上部區(qū)域G6和下部區(qū)域G8中的晶圓張數(shù)并沒(méi)有特別的限定，但例如為了易于進(jìn)行晶圓管理，也可以設(shè)定為與能夠收容在用于輸送晶圓W的1個(gè)輸送箱(承載箱)內(nèi)的張數(shù)相同的數(shù)量、例如25張?；蛘?，為了高效率地將晶圓W移載到晶圓舟皿106上，也可以設(shè)定為未圖示的移載臂一次能夠保持并移載的張數(shù)為例如5張。在此，上述各區(qū)域G6 G8中的各支承槽180的具體的間距例如P6在6 16mm 的范圍內(nèi)，P7在5 12mm的范圍內(nèi)，P8在6 16mm的范圍內(nèi)。在此，返回到圖5，這樣形成的處理裝置100的整體動(dòng)作利用例如由計(jì)算機(jī)等構(gòu)成的控制部件186來(lái)控制，進(jìn)行該動(dòng)作的計(jì)算機(jī)的程序存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)188中。該存儲(chǔ)介質(zhì) 188例如由軟磁盤(pán)、⑶(Compact Disc)、硬盤(pán)、閃存器或者DVD等構(gòu)成。動(dòng)作說(shuō)明接著，對(duì)使用如上所述那樣構(gòu)成的處理裝置100進(jìn)行的成膜方法進(jìn)行說(shuō)明。在此， 反復(fù)執(zhí)行多次以恒定的供給期間呈脈沖狀地分別供給原料氣體、例如四乙基甲基氨基鋯和氧化氣體、例如臭氧的一個(gè)循環(huán)，利用ALD法形成薄膜、例如灶 膜。另外，作為吹掃氣體， 例如采用N2氣體。首先，使載置有常溫的多張、例如50 150張的300mm規(guī)格的晶圓W的狀態(tài)的晶圓舟皿106從預(yù)先達(dá)到規(guī)定溫度的處理容器構(gòu)造102的處理容器114的下方上升而加載到該處理容器114內(nèi)，利用蓋部104封閉歧管124的下端開(kāi)口部，從而將容器內(nèi)密閉。然后，連續(xù)地對(duì)處理容器114內(nèi)抽真空而將該處理容器114內(nèi)維持在規(guī)定的工藝壓力，并且，增大對(duì)于加熱部件112的供給電力，從而使晶圓溫度上升而維持工藝溫度。自氣體導(dǎo)入部件108的氣體噴嘴150供給上述原料氣體，自氣體噴嘴152供給臭氧氣體，而且，自氣體噴嘴1 供給吹掃氣體。具體地講，原料氣體自氣體噴嘴150的各氣體孔150A 向水平方向噴射，臭氧氣體自氣體噴嘴152的各氣體孔152A向水平方向噴射，吹掃氣體自氣體噴嘴154的各氣體孔154A向水平方向噴射。由此，原料氣體和臭氧氣體發(fā)生反應(yīng)，在支承于旋轉(zhuǎn)的晶圓舟皿106上的晶圓W的表面形成薄膜。在這種情況下，如上所述，原料氣體和氧化氣體交替地以脈沖狀反復(fù)供給，而且， 在上述兩氣體的供給期間之間設(shè)有吹掃期間，殘留氣體每次都被排出。在上述吹掃期間時(shí)， 吹掃氣體流動(dòng)而促進(jìn)排出殘留氣體。自各氣體噴嘴150 154的各氣體孔150A 154A噴射出的各氣體在被呈多層地支承的各晶圓W之間向水平方向流動(dòng)，流向位于相反側(cè)的狹縫狀的排氣口 122，經(jīng)由該排氣口 122流入到處理容器114與罩容器116之間的空間部158， 自此經(jīng)由氣體出口 156被排出到處理容器構(gòu)造102的外側(cè)。而且，由于各氣體孔150A 154A與晶圓W之間的空間部對(duì)應(yīng)地配置在該水平方向的同一個(gè)水平上，因此，各氣體不會(huì)在晶圓W之間的空間部中產(chǎn)生湍流，而大致成為層流狀態(tài)地流動(dòng)。
此時(shí)，在比較例的晶圓舟皿中，像之后參照?qǐng)D10說(shuō)明的那樣，由于在晶圓舟皿的上下端部側(cè)存在比晶圓相互間的間距大的空間部24A、24B(參照?qǐng)D10)，因此，該空間部 24A、24B的氣體流速變快，流向晶圓舟皿106的上下端部側(cè)的晶圓W之間的空間部的氣流變慢，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生湍流。但是，在本發(fā)明中，使晶圓舟皿106的上端部、即上部區(qū)域G6中的支承槽180的間距P6和下端部、即下部區(qū)域G8中的支承槽180的間距P8大于中央部區(qū)域G7中的支承槽 180的間距P7，擴(kuò)寬了晶圓W之間的空間部的寬度，因此，能夠加快流向上部區(qū)域G6中的晶圓W之間、下部區(qū)域G8中的晶圓W之間的空間部的處理氣體的流速，從而能夠充分地供給處理氣體。結(jié)果，由于能夠充分地供給成膜用的處理氣體，因此，能夠提高上部區(qū)域G6、下部區(qū)域G8中的晶圓W的膜厚的面內(nèi)均勻性。這樣，能夠使大量的處理氣流向晶圓W之間的間隔變寬的空間部，這一點(diǎn)正像之前參照?qǐng)D4說(shuō)明的那樣。另外，如上所述那樣擴(kuò)寬晶圓舟皿106的上端部和下端部的晶圓W之間的間距即可，因此，與擴(kuò)寬整個(gè)晶圓舟皿的間距的情況相比，不必太多地減少一次能夠搭載的晶圓張數(shù)，能夠?qū)⑸a(chǎn)率的降低抑制在最小限度。在此，在上述圖5所示的裝置例中，以由處理容器114和包圍該處理容器114的外周的罩容器116構(gòu)成的雙重管構(gòu)造的處理容器構(gòu)造102為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此， 本發(fā)明只要是自配置在處理容器114 一側(cè)的具有許多個(gè)氣體孔的氣體噴嘴朝向水平方向供給氣體，自設(shè)置在與其相對(duì)的另一側(cè)的縱長(zhǎng)的狹縫狀的排氣口 122對(duì)容器內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣的形式的處理容器構(gòu)造，就全部能夠應(yīng)用。階梯覆蓋率的評(píng)價(jià)接著，對(duì)于圖5 圖7中說(shuō)明的本發(fā)明的處理裝置進(jìn)行了階梯覆蓋率的評(píng)價(jià)實(shí)驗(yàn)， 因此，對(duì)其內(nèi)容進(jìn)行說(shuō)明。在此，采用相同長(zhǎng)度的兩個(gè)晶圓舟皿，一個(gè)是支承槽的間距為 8. 0mm、總共是117個(gè)槽的以往型的晶圓舟皿，另一個(gè)是支承槽的間距為16mm、總共是53個(gè)槽的晶圓舟皿。氣體種類(lèi)采用四乙基甲基氨基鋯和臭氧，利用ALD法形成膜，各氣流、 工藝溫度、工藝壓力被設(shè)定為分別相同。上述處理氣體是如圖5所示那樣從橫向朝向水平地流向晶圓W之間的空間部的。圖8用曲線(xiàn)圖表示此時(shí)的階梯覆蓋率的結(jié)果。階梯覆蓋率的測(cè)定對(duì)晶圓的中央和邊緣進(jìn)行。由圖8可明確，在晶圓W之間的間距較窄的情況(8.0mm)下，邊緣處的階梯覆蓋率為61. 9 %，良好，但中央處的階梯覆蓋率為20 %，非常低，未得到良好的結(jié)果。相對(duì)于此，在擴(kuò)寬了晶圓之間的間距的情況(16mm)下，邊緣處的階梯覆蓋率為69%，中央處的階梯覆蓋率為73. 1%，均能夠得到良好的結(jié)果。這樣，能夠確認(rèn)通過(guò)擴(kuò)寬晶圓W之間的間距，也能夠提高上述晶圓W的上端部(上部區(qū)域G6)和下端部(下部區(qū)域G8)的晶圓的階梯覆蓋率。在圖5所示的裝置例中，以堆積膜的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但不言而喻，要堆積的膜種并不限定于此。另外，在圖5所示的裝置例中，以交替供給原料氣體和氧化氣體的 ALD成膜法為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此，不言而喻，也能夠應(yīng)用同時(shí)供給原料氣體以及與其反應(yīng)的反應(yīng)氣體的CVD成膜法。另外，在上述各實(shí)施例中，作為被處理體以半導(dǎo)體晶圓為例進(jìn)行了說(shuō)明，該半導(dǎo)體晶圓也包含硅基板、GaAs、SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體基板，并不限定于這些基板，也能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于液晶顯示裝置所采用的玻璃基板、陶瓷基板等。接著，說(shuō)明作為比較例的處理裝置。在此，對(duì)比較例的分批式處理裝置的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。圖9是表示比較例的分批式處理裝置的一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖，圖10是表示比較例的分批式處理裝置的另一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖。圖9所示的處理裝置是使氣體從處理裝置的長(zhǎng)度方向一端朝向另一端流動(dòng)的形式的處理裝置。如圖9所示，該處理裝置作為處理容器構(gòu)造具有有頂?shù)氖⒅频奶幚砣萜?。該處理容器2的下端開(kāi)口部利用能夠沿上下方向升降的蓋部4氣密地開(kāi)閉。 在上述處理容器2內(nèi)，以規(guī)定的間距呈多層地被支承在石英制的晶圓舟皿6上的晶圓W能夠從處理容器2的下方插入該處理容器2內(nèi)或從該處理容器2的下方拔出。在該處理容器 2內(nèi)的下部插入有氣體噴嘴8、10，能夠向處理容器2的底部側(cè)供給必要的氣體。另外，在該處理容器2的頂部設(shè)有排氣口 12，使氣體從處理容器2內(nèi)的底部朝向上部(頂部)流動(dòng)，將該氣體從排氣口 12排出。在氣體這樣流動(dòng)時(shí)，該氣體通過(guò)與晶圓表面接觸等，利用CVD反應(yīng)形成薄膜。另外，在處理容器2的外周側(cè)設(shè)有筒體狀的加熱器14，將支承在上述晶圓舟皿6上的晶圓W加熱，能夠利用CVD反應(yīng)來(lái)成膜。另外，圖10所示的處理裝置是使氣體從縱長(zhǎng)地配置的處理容器的一側(cè)朝向另一側(cè)地沿水平方向流動(dòng)的形式的處理裝置。如圖10所示，該分批式的處理裝置具有處理容器構(gòu)造20，該處理容器構(gòu)造20由有頂?shù)氖⒅频奶幚砣萜?6和呈同芯狀地覆蓋該處理容器 16周?chē)挠许斒⒅频恼秩萜?8構(gòu)成。該處理容器構(gòu)造20的下端開(kāi)口部能夠利用蓋部 22氣密地開(kāi)閉。呈多層地支承在石英制的晶圓舟皿M上的晶圓W能夠從處理容器構(gòu)造20 的下方相對(duì)于上述處理容器16內(nèi)插拔地收容在上述處理容器16內(nèi)。另外，在上述處理容器16內(nèi)，從其下方插入有氣體噴嘴沈、28，能夠一邊控制必要的氣流量一邊從沿著各氣體噴嘴沈、觀的長(zhǎng)度方向設(shè)置在其上的許多個(gè)氣體孔^5A、28A朝向水平方向地供給必要的氣體。在處理容器16的與上述氣體噴嘴沈、觀相對(duì)的側(cè)壁形成有沿上下方向延伸的狹縫狀的排氣口 30，能夠?qū)脑撆艢饪?30排出的氣體從設(shè)置在罩容器18的下部側(cè)壁的氣體出口 32排出到系統(tǒng)外。另外，在處理容器構(gòu)造20的外周側(cè)設(shè)有筒體狀的加熱器34，將支承在晶圓舟皿M上的晶圓W加熱。上述晶圓舟皿M載置在由多根石英制的支柱構(gòu)成的保溫臺(tái)36上。上述晶圓舟皿M具有將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多根、例如3根(在圖10中僅記有兩根)支承支柱38。能夠?qū)⒕AW以規(guī)定的間距呈多層地支承在上述3根支承支柱 38上。在該處理裝置中，通過(guò)自上述各氣體噴嘴沈、28的氣體孔沈六、28六交替地反復(fù)向水平方向噴射原料氣體和例如氧化氣體，例如利用ALD法在各晶圓W的表面堆積薄膜。然后，處理容器16內(nèi)的氣體從狹縫狀的排氣口 30排出，最終從設(shè)置在罩容器18的下部側(cè)壁的氣體出口 32被排出到系統(tǒng)外。但是，在圖9所示的處理裝置中，如上所述，成膜氣體等處理氣體從處理容器2內(nèi)的下部被導(dǎo)入，朝向處理容器2內(nèi)的上部流動(dòng)，從設(shè)置于頂部的排氣口 12被排出到容器外。 因此，隨著處理氣體在處理容器2內(nèi)上升，為了成膜而消耗處理氣體，因此，處理氣體的濃度會(huì)逐漸降低。
結(jié)果，存在載置于晶圓舟皿6的上部側(cè)的晶圓W的膜厚的面內(nèi)均勻性降低這樣的問(wèn)題。特別是，在元件構(gòu)造被多層化而表面的凹凸變大時(shí)，氣體的消耗面積相應(yīng)地增大，存在載置于氣流的下游側(cè)的晶圓的膜厚的面內(nèi)均勻性大幅度降低這樣的問(wèn)題。另外，在圖10所示的處理裝置中，晶圓W分別以預(yù)先求得的規(guī)定的間距等間隔地載置在晶圓舟皿M上，但在晶圓舟皿M的上端部側(cè)和下端部側(cè)分別形成有比晶圓W之間的間隔寬的空間部24A、24B。因此，該空間部24A、24B相對(duì)于氣流的傳導(dǎo)性大于晶圓W之間的狹窄的空間部，導(dǎo)致在寬幅的空間部24A、24B中流動(dòng)的氣體的流速比在晶圓W之間流動(dòng)的氣體的流速快。結(jié)果，在寬幅的空間部24A、24B及其附近產(chǎn)生氣流的湍流，存在載置于晶圓舟皿M的上端部側(cè)、下端部側(cè)的晶圓W的膜厚的面內(nèi)均勻性降低這樣的問(wèn)題。相對(duì)于此，采用本發(fā)明，能夠如上所述那樣提高晶圓的膜厚的面內(nèi)均勻性。本專(zhuān)利申請(qǐng)主張2010年6月18日提出的日本申請(qǐng)?zhí)卦傅?010-139145的優(yōu)先權(quán)。 該在先申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用而作為本說(shuō)明書(shū)的一部分。
權(quán)利要求
1.一種支承體構(gòu)造，該支承體構(gòu)造配置在供處理氣體從下端朝向上端或者從上端朝向下端流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)，用于支承多張被處理體，其特征在于，該支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱； 在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部； 支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)的間距被設(shè)定得大于支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)的間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，支承支柱的支承部沿著處理氣體的流動(dòng)方向被劃分為多個(gè)組，支承部的間距被設(shè)定為在同一個(gè)組內(nèi)相同且在不同的組之間不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，支承部的間距被設(shè)定為沿著處理氣體的流動(dòng)方向全不相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支承體構(gòu)造，其特征在于， 支承部由支承槽構(gòu)成。
5.一種支承體構(gòu)造，該支承體構(gòu)造配置在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地沿水平方向流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)，用于支承多張被處理體，其特征在于，該支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱； 在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部； 位于上部側(cè)的支承部的間距和位于下部側(cè)的支承部的間距大于位于中央側(cè)的支承部的間距。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的支承體構(gòu)造，其特征在于， 上部側(cè)的支承部的間距和下部側(cè)的支承部的間距相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，上部側(cè)的支承部的數(shù)量和下部側(cè)的支承部的數(shù)量與能夠容納在用于輸送被處理體的一個(gè)輸送箱內(nèi)的張數(shù)相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，上部側(cè)的支承部的數(shù)量和下部側(cè)的支承部的數(shù)量與用于移載被處理體的移載臂一次能夠保持并移載的張數(shù)相同。
9.一種處理裝置，該處理裝置用于對(duì)多張被處理體實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于，該處理裝置包括縱長(zhǎng)的處理容器構(gòu)造，其下端部開(kāi)口，具有能夠容納多張被處理體的大??； 蓋部，其用于堵塞處理容器構(gòu)造的下端部開(kāi)口 ；支承體構(gòu)造，其用于支承多張被處理體，并能夠插入到處理容器構(gòu)造內(nèi)或從處理容器構(gòu)造內(nèi)拔出；氣體導(dǎo)入部件，其具有向處理容器構(gòu)造內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體噴嘴； 排氣部件，其用于對(duì)處理容器構(gòu)造體內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣； 加熱部件，其用于加熱被處理體；處理容器構(gòu)造供處理氣體從下端朝向上端或者從上端朝向下端地流動(dòng)； 支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱； 在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部；支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)的間距被設(shè)定得大于支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)的間距。
10. 一種處理裝置，該處理裝置用于對(duì)多張被處理體實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于，該處理裝置包括縱長(zhǎng)的處理容器構(gòu)造，其下端部開(kāi)口，具有能夠容納多張被處理體的大?。?蓋部，其用于堵塞處理容器構(gòu)造的下端部開(kāi)口 ；支承體構(gòu)造，其用于支承多張被處理體，并能夠插入到處理容器構(gòu)造內(nèi)或從處理容器構(gòu)造內(nèi)拔出；氣體導(dǎo)入部件，其具有向處理容器構(gòu)造內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體噴嘴； 排氣部件，其用于對(duì)處理容器構(gòu)造體內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣； 加熱部件，其用于加熱被處理體；處理容器構(gòu)造供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地沿水平方向流動(dòng)； 支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱； 在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部； 位于上部側(cè)的支承部的間距和位于下部側(cè)的支承部的間距大于位于中央側(cè)的支承部的間距。
全文摘要
本發(fā)明提供支承體構(gòu)造及處理裝置。該支承體構(gòu)造用于在處理容器構(gòu)造(42)內(nèi)支承被處理體(W)，該處理容器構(gòu)造(42)在收容有多個(gè)上述被處理體(W)的狀態(tài)下供處理氣體從一端朝向另一端流動(dòng)而進(jìn)行規(guī)定處理，該支承體構(gòu)造包括頂板部(48)、底部(50)和多個(gè)支承支柱(60)，多個(gè)支承支柱(60)將上述頂板部和上述底部連結(jié)起來(lái)，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承上述被處理體的多個(gè)支承部(88)，并且，上述支承部的在上述處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)的間距被設(shè)定得大于上述支承部的在上述處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)的間距。由此，能夠提高被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。
文檔編號(hào)H01L21/67GK102290366SQ20111016845
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者岡田充弘, 淺利伸二 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社